【課題】フラッシュＲＯＭに対し、効率的にデータを書込可能な技術を提供する。
【解決手段】電子制御装置のＭＰＵは、フラッシュＲＯＭ１３への書込対象データを、１バイト単位のデータ（バイトデータ）に分割し（Ｓ１３０）、この書込対象データを構成するバイトデータの夫々を、順に処理対象データに選択する（Ｓ１４０）。そして、処理対象データと、フラッシュＲＯＭが記憶する当該処理対象データに対応するバイトデータとを比較し（Ｓ１５０）、処理対象データが、フラッシュＲＯＭが記憶するものから内容変更されたものである場合には（Ｓ１５０でＹｅｓ）、これをフラッシュＲＯＭに追記する形式で書き込む（Ｓ１６０）。一方、処理対象データがフラッシュＲＯＭが記憶するものから内容変更されたものでなければ（Ｓ１５０でＮｏ）、この処理対象データのフラッシュＲＯＭへの書込については行わないようにする。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリにおける記憶ブロック間のデータ消去回数のばらつきを抑える。
【解決手段】電子制御装置は、フラッシュＲＯＭを備える。フラッシュＲＯＭは、複数の記憶ブロックを備え、記憶ブロック単位でのデータ消去が可能な周知のメモリである。電子制御装置のＭＰＵは、フラッシュＲＯＭの記憶ブロック群を、書込頻度が低いデータ記憶用の低頻度ブロック群と、書込頻度が高いデータ記憶用の高頻度ブロック群とにグループ化する。そして、高頻度ブロックのデータ消去回数に基づき、データ消去回数が１００の倍数となる度、低頻度ブロックを、記憶ブロック一つ分ずらすようにして、高頻度ブロックと入れ替える。この動作によって、フラッシュＲＯＭ内の記憶ブロック群を再グループ化する。一般的に高頻度ブロックのデータ消去回数のほうが低頻度ブロックよりも多くなるが、再グループ化により記憶ブロック間のデータ消去回数のばらつきは抑えられる。 （もっと読む）

【課題】MBRとバックアップセクタデータを検証し、正常にリードできない又は不正であるときに、自動的に復旧し起動処理を実行する。
【解決手段】シャットダウンを検知した場合に、ＭＢＲとバックアップＭＢＲのリードを行い、ＭＢＲのデータとバックアップＭＢＲのデータとが同一でないときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーするか、バックアップＭＢＲが正常にリードできない又は不正であるときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーするかする。コンピュータの電源をオンした場合に、バックアップＭＢＲが正常にリードできない又は不正であるときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーする。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ装置において、メンテナンス中にリセットが発生した場合であっても、より確実に真の最新値を読み出すことにある。
【解決手段】第２のブロックＢ２への最新値のコピーが完了した後に、第１のブロックＢ１におけるブロック管理値を未使用状態とするとともに、第１のブロックＢ１のデータを消去するメンテナンスが実行される。このように、メンテナンス実行時には、第１のブロックＢ１のブロック管理値は、「＄ＦＦＦ０」から「＄ＦＦＦＦ」とされる。メンテナンス中に電源がオフ状態となるリセットが発生した場合には、ブロック管理値における「＄０」の桁が、１６進法における「１」〜「Ｅ」となる可能性がある。このように、ブロック管理値が１桁の「１」〜「Ｅ」と、３桁の「Ｆ」とで構成される場合には、その値を有するブロックからの最新値の読み出しが規制される。 （もっと読む）

【課題】不揮発メモリへ書き込み中に電源等が断たれた場合であっても、より最新のデータ情報を利用可能な記録媒体を提供する。
【解決手段】データ保存方法は、書込み要求されたデータと揮発性ユーザデータ領域のアドレスのデータとを比較し、データの変更があるか否かを判定するデータ変更判定ステップ（Ｓ１１）と、データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、揮発性ユーザデータ領域の対応するアドレスに書込みを行う揮発性領域書込みステップ（Ｓ１２）と、パリティビットを生成し、変更の内容を第１不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、保存先を示すアドレスを逐次変更する第１変更内容保存ステップ（Ｓ１３，Ｓ１４）と、第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、揮発性ユーザデータ領域のデータを第２不揮発性ユーザデータ領域にデータ毎に複製保存する第１複製保存ステップ（Ｓ１６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】印刷データのリード速度が低下することを抑制すると共に、リードエラーを回復可能な半導体不揮発性記憶素子を搭載した印刷装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】装置全般の制御を司る制御部２１０は、高い処理スピードが要求される処理動作を実行することを検知する。制御部２１０は、データを記憶すると共にデータのリード時にリフレッシュする機能を持つ記憶部制御部２２１を備えた記憶部２２０からデータをリードする時にリフレッシュ動作を停止させるためのリフレッシュ停止手段を備える。制御部２１０は、高い処理スピードが要求される処理動作の際にリフレッシュ動作を停止させた場合に、高い処理スピードが要求される処理動作の終了後にリフレッシュ動作を許可するためのリフレッシュ許可手段を備える。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリのデータ信頼性向上と読出アクセス時間の高速化及び安定化
【解決手段】不揮発性メモリに記憶されたデータについて、近い将来リフレッシュが必要となるか否か、つまりリフレッシュ機会が近接しているか否かを推測する。この推測にはアクセス時のビットエラー数などを記憶した評価用情報を用いる。そしてリフレッシュ機会が近接していると判定されるデータについて、そのデータをオリジナルデータとして、オリジナルデータと同一のクローンデータを、不揮発性メモリ内に生成する。その場合、アクセス実行の際にオリジナルデータとクローンデータのいずれか一方がアクセス対象となるように、管理情報を更新する。 （もっと読む）

【課題】画像処理装置に設けられた不揮発性メモリに対して、比較的に簡素な構成で適切にリフレッシュを行うことができるようにする。
【解決手段】画像処理装置は、自装置で用いられるデータを保存する不揮発性メモリと、自装置の動作状況を認識する認識手段１０１と、認識手段１０１が認識した動作状況をと、記憶部に予め記憶された自装置の動作状況ごとの温度変化を示す動作温度情報とを用いて、不揮発性メモリのリフレッシュの要否を判定する判定手段１０２と、リフレッシュが必要であると判定手段１０２が判定した場合、不揮発性メモリをリフレッシュするリフレッシュ手段１０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＲＡＭの記憶容量を抑制しながらＲＡＭの記憶値を保証できるようにしたＲＡＭ値保証装置およびＲＡＭ値保証プログラムを提供する。
【解決手段】ＣＰＵは、ＯＳによりプログラムカウンタ６の示すアドレスを監視し、非保証プログラム領域９から保証プログラム領域１０にプログラムカウンタ６のアドレスが遷移することを確認すると、保証ＲＡＭ領域１２のデータとバックアップＲＡＭ領域１３のデータとを比較し、当該データが異なっているときには保証ＲＡＭ領域１２のデータをバックアップＲＡＭ領域１３のデータで更新する。ＣＰＵ８はＯＳによりプログラムカウンタ６の示すアドレスを監視し、更新許可領域１０ａから更新許可領域１０ｂにプログラムカウンタ６のアドレスが遷移することを確認すると、その遷移直前にＲＡＭ＿Ａ群バックアップ１３ａの更新を許可し、ＲＡＭ＿Ａ群バックアップ１３ａのデータをＲＡＭ＿Ａ群１２ａのデータで更新し、更新処理後にＲＡＭ＿Ａ群バックアップ１３ａの更新を禁止する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ装置において、ブロック間で最新値をコピーしている間にリセットが発生した場合であっても、真の最新値を認識することにある。
【解決手段】ブロック管理値をアクティブ状態とする際に、ブロック管理値がブロック毎に異なるとともに順に大きくなるように設定される。例えば、ブロック管理値として第１のブロックＢ１には「＄１１１１」が、第２のブロックＢ２には「＄１１１２」が記憶される。このため、たとえ、アクティブ状態であるブロックが複数存在する場合であっても、ブロック管理値が大きいブロックの最新値を読み出すことで、真の最新値を読み出すことができる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリの劣化をより迅速に検出できる。
【解決手段】速度導出部１８０は、ＳＳＤ１３６に対するデータの読み書き速度を導出する。速度保持部１３８は、速度導出部が導出した読み書き速度を保持する。劣化判定部１８２は、任意の時点のＳＳＤに対するデータの読み書き速度の、速度保持部に保持されている任意の時点より前の読み書き速度に対する変化率を導出し、導出された変化率が所定の閾値以下となると、ＳＳＤが劣化していると判定する。報知部１８４は、劣化判定部が、ＳＳＤが劣化していると判定した場合、その旨報知する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリなどのＥＥＰＲＯＭにおいて、データ変化を防止する専用の記憶容量を設けなくても、データ変化及びデータ消失の抑制を可能とし、かつ、それに必要な処理能力を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】監視記録装置５６は、ＣＰＵ１と、フラッシュメモリ２と、ＲＡＭ３と、ＣＰＵ１の使用率を計数する使用率計数部１６とを備える。ＣＰＵ１は、フラッシュメモリ２から記憶データを読み出してＲＡＭ３に記憶した後、再びＲＡＭ３からフラッシュメモリ２の元アドレスに書き戻す上書き処理を行う。ＣＰＵ１は、この上書き処理を、使用率計数部１６で計数された使用率が所定のしきい値よりも低い場合に実行する。上書き処理は他の処理によるフラッシュメモリ２への読み書きが禁止される排他処理とともに実行され、ＣＰＵ１は、上書き処理を他の処理と時分割で実行する。 （もっと読む）

【課題】キャッシュ領域に転送済みのデータが消失することを防止することが可能な記憶装置のデータ保護装置を提供すること。
【解決手段】制御装置１０に備わった、データが格納される不揮発性データ記憶領域１４と、不揮発性データ記憶領域１４に格納されるデータを一時的に保存するキャッシュ領域１５とを有する記憶装置１３のデータ保護装置であって、入力電源から供給される電源の電圧を所定の電圧に変換する内部電源装置１１と、入力電源から供給される電源の電圧を監視し該電圧の低下を検出した時に電圧低下信号を出力する電源監視回路１２と、電圧低下信号を受信したときキャッシュ領域１５に保存されたデータを不揮発性データ領域１４に書き込む書き込み指令を出力する中央演算処理回路１６と、前記書き込み指令が出力されたとき、キャッシュ領域１５に保存されたデータを不揮発性データ記憶領域１４に書き込むようにした記憶装置のデータ保護装置。 （もっと読む）

【課題】アクノリッジを送受信し、且つ、書き込み処理時間を短縮することができる記憶装置、ホスト装置、回路基板、液体容器及びシステム等を提供すること。
【解決手段】記憶装置１００は、バスＢＳを介して接続されるホスト装置４００との通信処理を行う制御部１１０と、ホスト装置４００からのデータが書き込まれる記憶部１２０と、記憶部１２０のアクセス制御を行う記憶制御部１３０とを含む。制御部１１０は、バスＢＳに接続される複数の記憶装置１００のうちのｍ（ｍは１以上の整数）個の記憶装置１００に対するホスト装置４００によるデータの書き込み期間の終了後に、ホスト装置４００からのＩＤ情報を受信し、且つ、自身の記憶部１２０にホスト装置４００からのデータが正常に書き込まれている場合に、ホスト装置４００に対してアクノリッジを返信する。 （もっと読む）

【課題】書き換え保証回数内で書き換え頻度を変更し、不揮発性メモリでのデータ記憶の信頼性を向上することができる不揮発性メモリへの保存方法を提供する。
【解決手段】複数のデータを保存し、電気的に上記データの書き換えが可能で、各データの書き込み範囲より大きい所定範囲の単一ブロックを一括でしか消去できない不揮発性メモリ４へのデータの書き換えを行う制御装置１００は、複数のデータが、書き換え頻度の高いデータと、書き換え頻度の低いデータとからなり、不揮発性メモリ４の書き換え回数をカウントするカウント部１０と、カウント部１０にてカウントされた書き換え回数が所定値以上であるか否かを判断する判断部１１と、判断部１１にて所定値以上と判断されると書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を変更する設定部１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることができる不揮発性メモリ装置の提供。
【解決手段】メモリセルアレイの選択されたページからデータを読み出すか、或いはメモリセルアレイの選択されたページへ書き込むように構成されたページバッファ回路と、選択されたページに割り当てられたシードに基づいて、ページバッファ回路へ伝送されるか、或いはページバッファ回路から伝送されるデータをランダム化及びデランダム化するように構成されたランダム化及びデランダム化回路と、を有し、選択されたページは複数のセグメントで構成され、ランダム化及びデランダム化回路は、選択されたページに割り当てられたシードに基づいて選択されたページのアクセス要請されたセグメントの各々に対するランダムシークェンスを生成するように構成され、シードにしたがって反復的に生成されたランダムシークェンスに基づいて各アクセス要請されたセグメントのデータをランダム化及びデランダム化するように構成される。 （もっと読む）

【課題】アドレス管理用領域を確保しなくても、不揮発性メモリの書き換え回数を均一化して利用効率を高めることができる計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単調増加または単調減少するカウンタデータを、上位桁データと中位桁データと下位桁データとに分割するデータ分割部１２１と、分割された中位桁データを、不揮発性メモリ１０３の第１の記憶領域に書き込むための第１アドレスを算出し、中位桁データと第２の記憶領域の数である配置数との剰余計算を行うことにより上位桁データ及び下位桁データを、不揮発性メモリ１０３の複数の第２の記憶領域のいずれかに書き込むための第２アドレスを算出するアドレス算出部１２２と、算出された第１アドレスに対応する第１の記憶領域に中位桁データを書き込み、算出された第２アドレスに対応する第２の記憶領域に、上位桁データ及び下位桁データを書き込むデータ書き込み部１２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】長寿命化などを実現できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本半導体装置（メモリモジュールMM0）の制御回路（SC0）は、データ書込みの要求に対し、上書き可能な不揮発性メモリ装置（NVM）へのデータ書込みの際、上書き要求であっても上書き動作せずに、データの書込と消去のサイズを同じにして、メモリ（NVM）のアドレスを連続的に割当てて使用し、メモリ（NVM）の使用のバラツキを抑え平準化する仕組みにより、長寿命化などを実現する。制御回路（SC0）は、（ａ）第１のアドレスのデータの消去動作、またはフラグ値を無効に設定する動作と、（ｂ）第１のアドレスとは別の第２のアドレスに対するデータの書込動作、またはフラグ値を有効に設定する動作との２種類の動作のセットによりデータ書込みを実現する。 （もっと読む）

【課題】
端末装置に搭載されたフラッシュメモリについて、メーカが保証する消去回数よりも多く使用することができ、また、端末装置のユーザにバックアップをする必要がある旨を確実に通知できるようにする。
【解決手段】
ネットワークを介して相互に通信可能な端末装置とサーバ装置とを備えるシステムであって、端末装置はフラッシュメモリのリフレッシュを実施する場合にフラッシュメモリ特性情報をサーバ装置へ送信して、サーバ装置は予め設定されたフラッシュメモリ特性情報を基準として、端末装置から送信されたフラッシュメモリ特性情報を比較し、フラッシュメモリの使用限界を予測し、フラッシュメモリの寿命が近いと判断した場合に寿命が近い旨の通知を端末装置へ送信する。 （もっと読む）

【課題】プログラムを並列化したときに消費電流のピーク期間の重なりを防止する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体メモリシステムにおいて、複数の半導体メモリ１の各々は、連続する複数の動作を含む内部シーケンスを実行すると共に各動作の終了後に待機期間を有し、待機期間中に次の動作の開始を予告する２ビット以上の予告信号ＳＴＡをメモリコントローラ２８へ通知すると共に、メモリコントローラ２８から内部シーケンスの再開命令を受けたときに次の動作を開始する。メモリコントローラ２８は、複数の動作の各々について、動作期間及び消費電流のピーク期間に関する管理テーブルを備え、複数の半導体メモリ１のうち所定の半導体メモリから予告信号ＳＴＡを受けたとき、管理テーブルに基づいて、所定の半導体メモリに対して再開命令を通知する。 （もっと読む）