【課題】高品質なメモリデバイスを提供する。
【解決手段】メモリデバイスは、不揮発性のメモリ１１と、コマンド格納部と、記憶部４６と、管理部と、を備えている。コマンド格納部は、コマンドを格納する。記憶部４６は、バックグランド処理の種類とその優先順位とが設定され、必要とされているバックグランド処理の情報が設定され、ホストデバイス２によって、バックグランド処理の許可または不許可が設定される。管理部は、コマンド格納部にコマンドが格納されていないと判定すると、記憶部４６を参照してホストデバイス２がバックグランド処理を行うことを許可しているか否かを判定し、許可されていない場合、記憶部４６に設定されたバックグランド処理の情報と優先順位とを参照して、メモリ１１の未使用のブロックの数と、必要とされているバックグランド処理の優先順位及び数とに基づいてバックグランド処理の重要度を記憶部４６に設定する。 （もっと読む）

【課題】ＲＡＭのデータを保存するＥＥＰＲＯＭの異常を検出する。
【解決手段】制御装置１は、ＥＥＰＲＯＭ４を管理するメモリ管理装置を提供する。電源オフに応答して、ＲＡＭ３のデータがＥＥＰＲＯＭ４に複写される。ＲＡＭ３の書込結果領域３１ａには、ＥＥＰＲＯＭ４への書込処理が正常終了したか否かが書込まれる。電源オンの後に、ＲＡＭ３のデータに異常があると、ＥＥＰＲＯＭ４に退避してあるデータに基づいてＲＡＭ３のデータが復元される。ＥＥＰＲＯＭ４への書込処理の異常終了が所定回数継続すると、ＥＥＰＲＯＭ４の故障を判定する。さらに、制御装置１は、ＥＥＰＲＯＭ４への書込処理の前に、書込結果領域３１ａを初期化する。これにより、ＥＥＰＲＯＭ４への書込処理の途中で電源が遮断され、制御装置１が再起動された場合でも、そのことを書込結果領域３１ａに基づいて判定できる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリ（ＮＶＭ）を有するシステムのための非正常シャットダウンを取り扱うためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】ある実施形態では、このシステムは、非正常のシャットダウン事象の後に論理的−物理的マッピングをより効率的に再構成するためにインデックスページから得た情報からレバレッジすることができる。他の実施形態では、このシステムは、ＮＶＭに記憶されたコンテクスト情報からレバレッジすることにより論理的−物理的マッピングを再構成することができる。更に別の実施形態では、コンテクスト情報は、非正常のシャットダウンの後に論理的−物理的マッピングを再構成するためにインデックスページに関連して使用することができる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリへの書込み対象データに対する書込み抑制をより効率よく行うことが可能な電子制御装置を提供する。
【解決手段】データを特定するデータＩＤと、そのデータの、演算部の演算によって得られる値であるデータ値とを記憶するフラッシュメモリと、データＩＤ毎に対応した代表値ＩＤが定められ、その代表値ＩＤ毎に予め定められた代表値を記憶する代表値記憶部と、データＩＤ毎に、対応するデータ値と代表値うちのいずれを該データＩＤに対応する値として使用するかを表すデータ管理情報を記憶するデータ管理情報記憶部と、データ書込部がデータを書き込む際に、書き込むデータ値と代表値とが同一のときには、データ管理情報を、データＩＤに対応する値として代表値を使用する代表値使用状態を表すものとするとともに、データ書込部によるフラッシュメモリへの該データＩＤに対応するデータ値の書き込みを抑止する書込制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】容量の小さなバックアップ電源を使用して電源断時の不揮発化処理を可能とする。
【解決手段】電源断が発生する前の通常時に、少なくとも１つの消去済みフリーブロックが予備のブロックとして常に確保されているように不揮発性メモリに消去済みフリーブロックを作成し、電源断が発生した場合、予備のブロックを使用して不揮発化が完了していないデータおよび該データに関する論物変換情報を不揮発性メモリに書き込む不揮発化処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体メモリをストレージとして用いる場合のトータル的な応答性の向上を図ることのできる情報処理装置を提供する。
【解決手段】この情報処理装置は、複数の半導体メモリそれぞれの物理的特性を評価して、評価結果に見合った用途属性を、少なくとも一部の半導体メモリに割り当てる割当部と、データのライト命令に対して当該データのライト先として最適な用途属性の前記半導体メモリを判定する判定部とを具備する。複数の半導体メモリの物理的特性に個体差がある場合に、その半導体メモリの物理的特性が活かされるようにデータのライト先が判定部にて判定される。これにより、複数の半導体メモリを１つのストレージとして用いた場合のストレージのトータル的な応答性の向上を期待できる。 （もっと読む）

【課題】バックアップ電源の疲弊度に合ったライトキャッシュサイズを設定可能とする。
【解決手段】実施形態によれば、データバッファはホスト装置から転送されるデータを格納する。放電容量検出手段は主電源から供給される電力によって充電されるバックアップ電源の放電容量を検出する。時間算出手段は検出された放電容量に基づき、バックアップ電源からの電力供給によりライトキャッシング可能な第１の時間を算出し、且つデータバッファに格納されているメディアに未書き込みのデータをメディアにライトするのに要する第２の時間を算出する。判別手段は第１の時間と第２の時間とに基づき、第１の時間内に未書き込みデータをメディアにライト可能であるかを判別し、ライト可能なら、ホストにライト完了のレスポンスを送信する。メディアコントローラは、ライト完了のレスポンスが送信された後、データバッファ内の未書き込みデータをメディアにライトする。 （もっと読む）

【課題】２つのマイコンを備えた電子制御装置にて、電源オフ要求の発生後に、各マイコンが不揮発性メモリへのデータ書き込みを確実に実施可能にする。
【解決手段】メインマイコン（以下、メイン）は、車両のＩＧスイッチのオフを検知すると、サブマイコン（以下、サブ）へ処理移行命令を出力する（Ａ）。サブは、処理移行命令を受け取るとシャットダウン処理に移行し、メインに移行完了通知を出力する（Ｂ）。そしてサブは、シャットダウン処理の中でサブ側のフラッシュメモリにデータを書き込む。一方メインは、上記移行完了通知を受け取ると、シャットダウン処理へ移行し（Ｃ）、そのシャットダウン処理の中でメイン側のフラッシュメモリにデータを書き込む。更に、サブは、シャットダウン処理が完了するとメインに処理完了通知を出力し（Ｄ）、メインは、自分側のシャットダウン処理が完了し且つ上記処理完了通知を受け取ると、電源遮断の処理を行う（Ｅ）。 （もっと読む）

【課題】省エネ復帰時間を短縮しながらハングアップすることなく確実に復帰させることを目的とする。
【解決手段】省エネモード中の電源を監視して（１００）、閾値以上の電圧が検出された場合には、省エネ復帰から通常復帰に切り換えて、メモリに記憶された展開情報を利用せずに、メモリを初期化して新たに情報を展開して復帰する通常復帰が行われるように制御し（１０４〜１１２）、閾値以上の電圧が検出されない場合にはメモリに記憶された展開情報を利用する省エネ復帰が行われるように制御する（１０４）。 （もっと読む）

【課題】記憶部に半導体メモリを利用する情報記憶装置において、情報の記憶に利用できない記憶領域の発生を抑制すること。
【解決手段】本実施形態にかかる情報記憶装置は、半導体メモリと、管理手段と、を具備して構成される。この半導体メモリは、情報を記憶するための記憶領域を有する。また、管理手段は、半導体メモリの記憶領域のうちリードエラーの発生する回数が２以上となった記憶領域を情報の記憶の利用から除外するように管理する。 （もっと読む）

【課題】よりセキュリティを向上しつつ、正常でないＢＩＯＳによる起動を抑止すること。
【解決手段】本発明にかかる情報処理装置９は、ＢＩＯＳ（Basic Input/Output System）９１０が予め格納されたＢＩＯＳ記憶部９１と、正常なＢＩＯＳ９１０のデータと予め任意の値に定められた付加データとを含む合成データの誤り検出符号９２０を予め格納する符号記憶部９２と、ＢＩＯＳ記憶部９１に格納されたＢＩＯＳ９１０を起動するときに、ＢＩＯＳ９１０のデータと付加データとを含む合成データの誤り検出符号を生成し、生成した誤り検出符号と符号記憶部９２に格納された誤り検出符号９２０とを比較して、それらの誤り検出符号が一致しなかった場合、ＢＩＯＳ９１０の起動を抑止する管理部９３とを備える。 （もっと読む）

【課題】データの記録方式などが用途に応じて最適になるようにする。
【解決手段】記録媒体に記録されるデータの特性であって、当該データの保持期間を表す寿命値および当該データを読み出したときに発生すると想定されるエラーの割合を表すエラーレートを含む特性に基づいて、前記記録媒体により構成される論理デバイスの記録領域を複数生成するとともに、前記記録領域のそれぞれに適用される記録方式を決定する記録方式決定部と、前記決定された記録方式に基づいて、前記論理デバイスの記録領域のそれぞれを初期化する論理デバイス初期化部とを備える。 （もっと読む）

【課題】メモリを低電圧で制御して省電力制御を図ることおよびエラーの発生を防止することを改善できるメモリ電圧制御装置およびメモリ電圧制御方法を提供する。
【解決手段】メモリ電圧制御装置１０およびメモリ電圧制御方法は、デバイス１３，１４と、デバイス１３，１４の異常を検出する電気機器１１と、を備え、電気機器１１は、デバイス１３，１４の異常を検出した時に、デバイス１３，１４に対して動的または静的に駆動電圧を昇圧する制御を行う。 （もっと読む）

【課題】高品質なメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリシステム１は、データ保持可能な不揮発性の半導体記憶部２と、半導体記憶部２の温度を計測する温度計測部９a、９ｂと、半導体記憶部２の温度を変化させる温度可変部８と、ホスト機器１１から受信したデータを半導体記憶部２に転送する転送部、温度計測部９a、９ｂからの温度情報を記憶する温度記憶部、及び温度記憶部に記憶された温度情報に基づいて、温度可変部８を制御する温度制御部を具備する制御回路５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】プログラムの誤動作の発生を抑制する。
【解決手段】動作制御部は、プログラムを実行するＣＰＵと、プログラムを格納するとともにプログラムの実行に伴って発生するデータを格納するメインメモリ５１２とを有している。メインメモリ５１２は、読み書き可能であって、電源を供給しなくても、記憶している情報を保持することが可能なＭＲＡＭ６１と、電源を供給しないと、記憶している情報を保持することができないＤＲＡＭ６２とを備えており、ＭＲＡＭ６１の一部領域にはプログラム等が格納されるＲＯＭ領域Ａ１が設けられ、ＭＲＡＭ６１の残りの領域およびＤＲＡＭ６２のすべての領域にはデータ等が格納されるＲＡＭ領域Ａ２が設けられる。ＣＰＵがリセットされると、ＲＯＭ領域Ａ１の記憶内容をそのままとする一方でＲＡＭ領域Ａ２の記憶内容を消去し、ＲＯＭ領域Ａ１から読み出したプログラムを実行する。 （もっと読む）

【課題】メモリセル３１が劣化した場合にも、誤り訂正回路２０の回路面積を増大させることなく誤り訂正を行うことができるメモリ装置２を提供する。
【解決手段】実施の形態のメモリ装置２は、メモリ部３０と、制御部１１と、補正部４１と、誤り検出訂正部４０とを具備する。メモリ部３０は、データを記憶する複数のメモリセル３１からなる。制御部１１は、電荷量に対応した閾値電圧を読み出すためにメモリセル３１にＨＢ読出電圧ＨＶと、補間読出電圧ＡＶと、を印加する制御を行う。補正部４１は読み出された、閾値電圧Ｖｔｈから決定されたビットデータを反転する。誤り検出訂正部４０は、補正部４１で反転されたビットデータを含めた所定長のデータ列を、硬判定復号符号により復号処理を行う。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリと該フラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラに動作電圧を供給する電源回路が有する電圧調整回路の出力側の充電手段の充電電圧を規定時間内に下げる。
【解決手段】フラッシュメモリと該フラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラに動作電圧を供給する電源回路は、外部から供給される入力電圧によって充電される充電手段である入力充電手段と、入力電圧と入力充電手段の充電電圧のいずれか高い方の電圧を動作電圧に調整して出力する電圧調整手段と、動作電圧によって充電される充電手段である出力充電手段と、入力電圧と充電電圧のいずれか高い方の電圧が設定値より低くなったときに出力充電手段に充電されている電荷を放電させる放電手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理中断によりトランザクションが行われた場合であっても、処理時間制約が厳しい方のインターフェイスを用いた処理を正常に行うことが可能なＩＣチップ、ＩＣチップにおける処理方法、及びＩＣチップ用処理プログラムを提供する。
【解決手段】ＩＣチップは複数のインターフェイスに対応した処理手段と、データを記憶するデータ記憶領域と前記データをバックアップするためのバックアップ領域と、を有する不揮発性メモリと、第１の前記インターフェイスを用いた処理により受信されたデータを前記データ記憶領域に書き込む際に前記データ記憶領域に記憶されているデータを前記バックアップ領域にバックアップし、前記第１の前記インターフェイスを用いた処理が中断された場合には、前記バックアップ領域にバックアップされている前記データを前記記憶領域に書き戻す処理を行う制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】マイクロコンピュータがストップ状態であり、キャパシタによって電源電圧がマイクロコンピュータに供給されている場合、マイクロコンピュータのストップ状態を維持する。
【解決手段】検出回路（３）は、外部キャパシタ（Ｃ１）を放電させる外部キャパシタ放電回路（３０Ａ）と、電源電圧を保持する内部キャパシタ（Ｃ２）と、内部キャパシタを放電させる内部キャパシタ放電回路（３０）と、比較器（３２）と、出力回路（３３）とを有する。比較器は、放電後の外部キャパシタの第１電圧（Ｖ_Ｃ１）を、放電後の内部キャパシタの第２電圧（Ｖ_Ｃ２）と比較する。比較の結果、出力回路は、第１電圧が第２電圧よりも低い場合、マイクロコンピュータが外部キャパシタから電源電圧の供給を受けていることを示す検出信号（Ｓ２）を出力する。割り込み回路（４）は、その検出信号を受けた場合、割り込み信号（ＳＩ）を出力しない。 （もっと読む）

【課題】 記憶容量が不足する事態を抑制しながら、メモリにおける情報保持性能の信頼性を高める。
【解決手段】 更生部２を備える。当該更生部２は、メモリから読み出された情報に含まれるビット誤りの数を誤りビット数として前記メモリにおける予め定められたメモリ領域毎に計数する機能を備えている。また、更生部２は、その誤りビット数が予め定められた閾値以上である前記メモリ領域には、当該メモリ領域とは別のメモリ領域に事前に書き込まれていたバックアップ情報を上書きする機能を備えている。 （もっと読む）