【課題】消去回数を低減すること。
【解決手段】制御回路２２は、メモリセルの状態を書き込み状態から消去状態に変更する「１変更データ」がライトデータ列ＷＤＴに含まれるか否かを判定する。ライトデータ列ＷＤＴに「１変更データ」が含まれる場合、制御回路２２は、ライトデータ列ＷＤＴから、「１変更データ」ではない位置のデータをメインセクタＭＳｍに書き込み、「１変更データ」である位置のデータを論理反転して補助セクタＭＳｓに書き込む。 （もっと読む）

【課題】データ管理テーブルに対する整合性の確認処理を高速に行なことが可能なデータ記憶装置を提供することにある。
【解決手段】実施形態によれば、データ記憶装置は、第１の管理テーブルを格納する記憶デバイスと、第２の管理テーブルを格納する記憶デバイスと、カウンタテーブル格納モジュールと、コントローラとを具備する。前記第１の管理テーブルは、フラッシュメモリのデータの記録場所を示すアドレス情報を有する。前記第２の管理テーブルは、前記フラッシュメモリの記録データの中で有効なデータを示すアドレス情報を有する。前記カウンタテーブル格納モジュールは、有効なデータ数のカウント値をアドレス単位で示すカウンタテーブルを格納する。前記コントローラは、前記第１の管理テーブルを参照して取得されるアドレス単位の有効なデータ数と、前記カウンタテーブルのアドレス単位のカウント値とを比較し、当該比較結果に基づいて前記第１及び第２の管理テーブルの整合性を確認する整合性確認処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】記憶領域の冗長化およびシステムの安定化の両立を図ることが可能な情報処理装置、メモリ管理方法、およびメモリ管理プログラムを提供する。
【解決手段】情報処理装置２０１は、データを記憶するための記憶装置１０３を用いる。情報処理装置２０１は、記憶装置１０３よりも高速にアクセス可能なメモリ１０２と、メモリ１０２において複数の記憶領域を論理的に設け、記憶領域に他の記憶領域を冗長記憶領域として割り当て、冗長記憶領域にデータのコピーを格納することが可能なメモリ管理部１５１とを備える。メモリ管理部１５１は、メモリ１０２の使用率が所定の閾値を超えた場合には、冗長記憶領域の割り当てられた１または複数の記憶領域について、メモリ１０２の使用率が所定の閾値以下になるまで、各冗長記憶領域を段階的に未使用領域とする。 （もっと読む）

【課題】書換え回数の制限のある不揮発性メモリに対するアクセスにおいてアプリケーションからは書込み制限を回避することが可能な仮想メモリシステム、仮想メモリの制御方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】仮想メモリシステム１０は、ランダムアクセス可能で、書換え回数に上限があり、物理アドレス空間へのアクセスが仮想アドレスを介して行われる不揮発性メモリ４０と、不揮発性メモリ４０の物理アドレス空間をページ単位で管理し、物理アドレス空間と仮想アドレス空間をマッピングし、アクセスのあった仮想アドレスを物理アドレスに変換する機能を含む仮想メモリ制御部２０と、を有し、仮想メモリ制御部２０は、書換えが発生する仮想ページに割り当てる物理メモリ容量を拡張する機能を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＵの要求するメモリアクセスを処理すること。
【解決手段】複数のメモリモジュール１１０のページのうち、過熱状態にあるメモリモジュール１１０のページを、過熱状態にないメモリモジュール１１０のページへ移動させるべく、過熱状態にあるメモリモジュール１１０のページの仮想アドレスと、過熱状態にないメモリモジュール１１０のページの仮想アドレスとを入れ替えるメモリ管理部１５０を備える。 （もっと読む）

【課題】単一パーティションのみを具備している従来のメモリカード又はモジュールであるメモリカード及びモジュールにおいてパーティショニングを実装する装置及び方法。
【解決手段】本発明による代表的なメモリカード／モジュールは、メモリ装置と、データバス、コマンドライン、及びクロックラインを含むメモリインターフェイスと、を含んでいる。メモリカード／モジュールは、１つ又は複数のメモリ装置及びメモリインターフェイスに結合されたメモリコントローラを更に含んでいる。メモリカード／モジュールは、１つ又は複数のメモリ装置のパーティショニングを制御する手段を含んでおり、メモリコントローラは、パーティション情報に従って１つ又は複数のメモリ装置を動作させるべく構成されている。 （もっと読む）

【課題】リプライデータに訂正不能なエラーが生じたことに起因するシステムの稼働率の低下を改善しつつ、回路規模の膨大化を回避する。
【解決手段】キャッシュミスのときに、メインメモリから出力されるリプライデータＲＤ０に対して、訂正不能なエラーの有無を検出すると共に、該検出の結果とメインメモリとを示す付加情報を付加する。上記付加情報を含むリプライデータＲＤ１でブロックロードする際に、該リプライデータＲＤ１に含まれる付加情報を記憶しておく。キャッシュヒットのときにキャッシュメモリから出力されるリプライデータＲＤ２に対して、ブロックロード時に記憶しておいた付加情報が「エラーがある」を示す場合に上記付加情報を付加する。上記付加情報が「エラーが無い」を示す場合に、訂正不能なエラーの有無を検出すると共に、該検出の結果とキャッシュメモリとを示す付加情報を付加する。 （もっと読む）

【課題】リードディスターブを効率良く回避するための技術を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置（１）は、不揮発性記憶部（１１）と、上記不揮発性記憶部の消去単位とされるブロック毎のデータを、当該ブロックとは異なるブロックに書き直すためのリフレッシュ処理を制御可能なコントローラ（１２）とを含む。上記コントローラは、上記不揮発性記憶部に、第１領域とそれとは異なる第２領域とを設定し、上記第１領域のデータについてのリフレッシュ頻度が、上記第２領域のデータについてのリフレッシュ頻度に比べて高くなるように、リフレッシュトリガが発生される毎に上記第１領域及び上記第２領域についてのリフレッシュ処理を実行する。これにより、リードアクセスが繰り返される場合のリードディスターブを効率良く回避することができる。 （もっと読む）

【課題】ブロック単位のメモリアクセス処理を、小容量のメモリ領域を用いた管理で高速に実行できるようにする。
【解決手段】実施形態によれば、コマンド生成手段は所定のアクセス処理において、チャネル別のアクセスコマンドの群をメモリインタフェースに逐次投機的に投入する。パージ手段は、複数のチャネルを介してのメモリアクセスのいずれかでエラーが発生した場合、既に投入されている未実行のアクセスコマンドの系列を返却する。コマンド進捗管理手段は、各チャネルにおけるコマンド進捗が、返却された未実行のアクセスコマンドの系列のうちの最も古い未実行のアクセスコマンドの指定する位置を指すようにコマンド進捗情報を更新する。コマンド生成手段は更新された情報に基づき、チャネル別のアクセスコマンドの群をメモリインタフェースに投入する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ不揮発性メモリを管理することが可能な管理装置、および管理方法を提供する。
【解決手段】電気的にデータの書き込み、読み出し、消去が可能であり、書き込みおよび読み出しはページ単位で行われ、消去は複数のページを含むブロック単位で行われる不揮発性メモリを管理する管理部を備え、管理部は、不揮発性メモリを構成する複数の物理ブロックを、仮想ブロックを有する仮想領域と、仮想領域の不良が発生している物理ブロックを代替する代替ブロックを有する代替領域とに分け、物理ブロックの管理、仮想ブロックの管理、およびユーザデータを一時的に保持する拡張ブロックの管理の３段階の管理単位で不揮発性メモリを管理し、物理ブロックの管理に用いる第１管理情報と、仮想ブロックの管理に用いる第２管理情報と、拡張ブロックの管理に用いる第３管理情報とを、不揮発性メモリに書き込む、管理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】バックアップ電源の疲弊に応じて機器の動作を変える技術を提供する。
【解決手段】記憶用メモリと、この記憶用メモリへのキャッシュを担うキャッシュメモリ
と、このキャッシュメモリへのキャッシュサイズを制御する制御手段と、電源断時のバッ
クアップを行うバックアップ手段とを備え、このバックアップ手段の疲弊に応じて前記制
御手段は前記キャッシュサイズを変える記憶装置。また、記憶用メモリと、この記憶用メ
モリのキャッシュを担うキャッシュメモリとを備え、電源断時のバックアップを行う記憶
装置の制御方法であって、この記憶装置にバックアップを行うバックアップ電源の疲弊を
予め測定し、この疲弊に応じて前記キャッシュメモリへのキャッシュサイズを調整する制
御方法。 （もっと読む）

【課題】エラー訂正不能と判定された場合に、ＥＣＣ処理の再実行を効率的に行なうことを実現し、リード処理効率を向上できるデータ記憶装置を提供することにある。
【解決手段】実施形態によれば、データ記憶装置は、リードモジュールと、誤り検出訂正モジュールと、コントローラとを具備する。リードモジュールは、不揮発性メモリからアクセス対象のデータ及び当該データを特定する指定データを読み出す。誤り検出訂正モジュールは、前記リードモジュールにより読み出されたデータ及び前記指定データに対する誤り検出訂正処理を実行する。コントローラは、前記誤り検出訂正モジュールによる誤り訂正が不能である場合に、前記指定データの修正処理を実行し、修正処理後の指定データに基づいた再度の誤り検出処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】意図しない電源遮断時に、一の制御手段がデータを不揮発性メモリーに書き込む際に、他の制御手段が不揮発性メモリーに対する処理中であっても、保証データを不揮発性メモリーに保存することができる情報処理装置及情報処理装置におけるデータ管理方法を提供する。
【解決手段】意図しない電源遮断が検出されると、第１システムは第２システムを停止させる（Ｓ１）。フラッシュメモリーがビジー状態であれば（Ｓ４で肯定判定）、サスペンドコマンドを発行して、第２システムの処理を中断させる（Ｓ６）。フラッシュメモリーが動作中でなくなり処理の中断が確認されると（Ｓ７で否定判定）、第１システムは保証データを書き込む（Ｓ８）。 （もっと読む）

【課題】記録先のブロック中に順次データを記録していき、当該記録先のブロックがデータで満杯になると、次のブロックのデータを消去して新たな記録先のブロックとし、前回の記録先のブロックのデータのうち、一部の必要なデータを現在の記録先のブロックにコピーし、その後、現在の記録先のブロックに順次データを記録していくというフラッシュメモリの書き込み制御において、ブロックの故障に起因してブロック間のデータのコピー頻度が増大するのを防ぐ。
【解決手段】現在の記録先のブロックが満杯状態になって次のブロックの消去を試みたときに（ステップ１５０）、消去が失敗したか否かを判定し（ステップ１６０）、消去に失敗したと判定したことに基づいて、次のブロックが故障したと判定し、使用対象から除外する（ステップ１７５）。 （もっと読む）

【課題】省電力モード又は通常モードへの移行時間を短縮できる情報処理装置を提供すること。
【解決手段】第１と第２の動作モードとを有する情報処理装置２００において、不揮発性の記憶手段１５、２３と、揮発性メモリ１２が退避対象又は非退避対象のいずれかの属性を持つデータのうち退避対象データを記憶した場合に、退避対象データのデータ識別情報と該データのアドレスが対応づけられたテーブル３６を作成するアドレステーブル作成手段３５と、第１から第２の動作モードに移行する際、テーブルに登録された退避対象データのアドレスをテーブルから読み出し、揮発性メモリのアドレスから読み出した退避対象データを記憶手段に退避するデータ退避手段３１と、第２の動作モードから第１の動作モードに移行する際、記憶手段に記憶されている退避対象データをアドレステーブルに登録されている揮発性メモリのアドレスに復帰させるデータ復帰手段３３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】リストア処理における処理時間の増大を抑制することを目的とする。
【解決手段】コンピュータに、第１のデータ群に対応するデータ群である第２のデータ群を前記第１のデータ群を記憶する記憶装置に格納する処理を指示された場合に、前記記憶装置に記憶された前記第１のデータ群に含まれる各データを順次バックアップする処理と、前記第２のデータ群に含まれる各データを順次前記記憶装置に格納する処理と、を開始し、前記第１のデータ群のうち、前記バックアップする処理が終了したデータについて、バックアップする処理が終了した旨を示す情報を記憶手段に記憶し、前記第２のデータ群に含まれるデータについて前記バックアップする処理が終了した旨を示す情報が前記記憶手段に記憶されていない場合に、前記第２のデータ群に含まれる前記データを前記記憶装置に格納する処理の実行を抑止する、ことを実行させる。 （もっと読む）

【課題】グローバルタイムを参照してデータリテンション動作を実行する使用者装置、格納装置、及びそれのデータリテンション方法を提供する。
【解決手段】本発明のデータ格納装置の駆動方法は、データ格納装置をオフライン状態でオンライン状態に転換する段階と、オンライン状態の間にホストから現在のグローバルタイム（Ｇｌｏｂａｌ ｔｉｍｅ）を受信する段階と、オンライン状態の間に現在のグローバルタイム（Ｃｕｒｒｅｎｔ ｇｌｏｂａｌ ｔｉｍｅ）を参照してデータ格納装置に格納されたデータを少なくとも１つのノーマルデータリテンション動作を通じてリフレッシュする段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アクセス数の少ないメモリモジュールへのアクセス頻度に拘らず、エラーが発生したメモリモジュールに対してメモリチェックを行い、メモリモジュールの故障を早期に発見する。
【解決手段】コンピュータ１００は、エラー検出部１１０、ログ収集部１２０、診断部１３０、メモリチェック部１４０、障害処理部１５０、及び障害ログ情報格納部１６０を備え、メモリチェック部１４０は、診断機能によって特定されたメモリエラーが発生した位置に対してメモリチェックを行い、メモリアクセスを行い、メモリエラーが発生するかどうかの確認を行う。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモード時の消費電流量を低減させる。
【解決手段】データを格納する複数のメモリ２，３と、メモリ２，３を制御する各信号を入出力するメモリコントローラ１と、各信号を接続／切断可能なスイッチ２０と、を備え、メモリコントローラ１は、セルフリフレッシュモードへの移行時に、スイッチを切り替えて複数のメモリ２，３を、セルフリフレッシュモード時に電源供給されるメモリ２と、セルフリフレッシュモード時に電源遮断されるメモリ３と、に分け、電源遮断されるメモリ３上における保持が必要なデータを電源供給するメモリ２上に格納する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリにキャッシュデータを退避させるために必要な電力を減少させること。
【解決手段】キャッシュデータの退避指示に基づいて、ＣＰＵ１１はキャッシュメモリ１３に保存するキャッシュデータを読み出して圧縮し、当該圧縮キャッシュデータを生成する。また、不揮発性メモリコントローラ１４は、ＣＰＵ１１で生成した圧縮キャッシュデータを不揮発性メモリ１５に書き込む。 （もっと読む）