【課題】長寿命化などを実現できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本半導体装置（メモリモジュールMM0）の制御回路（SC0）は、データ書込みの要求に対し、上書き可能な不揮発性メモリ装置（NVM）へのデータ書込みの際、上書き要求であっても上書き動作せずに、データの書込と消去のサイズを同じにして、メモリ（NVM）のアドレスを連続的に割当てて使用し、メモリ（NVM）の使用のバラツキを抑え平準化する仕組みにより、長寿命化などを実現する。制御回路（SC0）は、（ａ）第１のアドレスのデータの消去動作、またはフラグ値を無効に設定する動作と、（ｂ）第１のアドレスとは別の第２のアドレスに対するデータの書込動作、またはフラグ値を有効に設定する動作との２種類の動作のセットによりデータ書込みを実現する。 （もっと読む）

【課題】
端末装置に搭載されたフラッシュメモリについて、メーカが保証する消去回数よりも多く使用することができ、また、端末装置のユーザにバックアップをする必要がある旨を確実に通知できるようにする。
【解決手段】
ネットワークを介して相互に通信可能な端末装置とサーバ装置とを備えるシステムであって、端末装置はフラッシュメモリのリフレッシュを実施する場合にフラッシュメモリ特性情報をサーバ装置へ送信して、サーバ装置は予め設定されたフラッシュメモリ特性情報を基準として、端末装置から送信されたフラッシュメモリ特性情報を比較し、フラッシュメモリの使用限界を予測し、フラッシュメモリの寿命が近いと判断した場合に寿命が近い旨の通知を端末装置へ送信する。 （もっと読む）

【課題】複数の情報処理装置のソフトウェア環境を簡単にバックアップすることができる情報処理システムを提供する。
【解決手段】複数の情報処理装置とＵＳＢメモリーと、から成る情報処理システムであって、ＵＳＢメモリーは情報処理装置を制御する外部ＯＳと、情報処理装置で実行する処理を定義したコマンドファイルを記憶し、各情報処理装置は外部ＯＳを起動する装置起動部と、コマンドファイルに基づく処理を実行するコマンド実行部を備え、コマンドファイルにはバックアップ処理が定義されており、ＵＳＢメモリーが接続された情報処理装置は、コマンドファイルに基づいて自身のシステム情報をバックアップすると共に、他の情報処理装置にバックアップの実行要求を送信し、他の各情報処理装置はバックアップの実行要求に基づいて自身のシステム情報をバックアップする。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリに記憶したデータにソフトエラーが発生した場合に、ソフトエラーを修正して正しいデータを得ることを目的とする。
【解決手段】補正データ格納用メモリ９には、少なくとも格納時点においては同一のデータであった補正データであって、複数のビットからなる補正データが、３つ以上の奇数個の領域に格納されている。多数決処理部１２は、補正データ格納用メモリ９の各領域に格納された補正データの間で各ビットの値について多数決をとり、多数決データを生成するとともに、各領域に格納された補正データの間で値が異なるビットを示す差異データを生成する。妥当データ復元処理部１５は、多数決データが妥当条件を満たす妥当データになるように、差異データが示すビットの値を変更して妥当データを生成する。 （もっと読む）

【課題】
ウエアレベリングを効率良く、かつ、合理的に行う。
【解決手段】
メモリ利用モジュール９００から送られた書き込み要求ＷＲＱを受けた場合に、アクセス制御部１５０が、現在時刻ＴＭＤ、書き込み対象の候補となったアクセス単位ブロックの現時点における検出エラービット数ＥＢＮ、並びに、不揮発性メモリ２００内の管理領域に記憶されている当該書き込み対象の候補となったアクセス単位ブロックに関する最新書込時刻、及び、最新の書き込み時における検出エラービット数を取得する。引き続き、アクセス制御部１５０は、これらの取得結果に基づいて、最新の書き込み時から現時点までの検出エラービット数の時間変化率を算出し、算出された時間変化率に基づいて、当該書き込み対象の候補となったアクセス単位ブロックが、不揮発性メモリ２００に関する消去回数の平準化のために利用できるか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】メモリにおいて、時間経過とともに訂正不可能なビット誤りが生じることを防ぐこと。
【解決手段】メモリ制御装置は、第１の所定の期間が経過する毎に、読み出すブロックを更新しつつ、メモリから１ブロック分のデータを読み出すデータ読み出し部と、前記データに訂正不可能なエラーが含まれない場合に、前記データに含まれるエラーを訂正するエラー訂正部と、前記データに含まれるビット化け数が所定のビット数以上である場合に、前記エラー訂正部により訂正されたデータをメモリに書き込むデータ書き込み部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリを活用して磁気ディスクを停止することにより省電力制御を行うストレージ装置において、不揮発性メモリの長寿命化及び信頼性の向上を図る。
【解決手段】マスタ磁気ディスクと、マスタ磁気ディスクとミラーリング構成されたミラー磁気ディスクと、不揮発性メモリとを備え、ミラー磁気ディスクを停止させ、ミラー磁気ディスクに書き込むデータを不揮発性メモリに書き込むように制御する停止制御を行う磁気ディスク制御手段１と、不揮発性メモリにデータを書き込む際に重複排除を行う重複排除手段２と、不揮発性メモリに書き込まれたデータ量が閾値を超えた場合に、不揮発性メモリに書き込まれたデータを抽出し、抽出したデータをミラー磁気ディスクに書き込むように制御するとともに、不揮発性メモリにおけるデータの抽出元の領域を書き込み可能にするデータ制御手段３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】書き換え回数制限下での実効的な書き換え容量を増大したメモリシステムを提供する。
【解決手段】実施形態のメモリシステム１は、２ビット以上の所定ビット数の記憶容量のメモリセルを複数個有する不揮発性メモリ２と、前記メモリセルの書き換え回数を管理する書き換え回数管理テーブル４０を備える。実施形態のメモリシステムは、ホスト７からの書き込み要求に応じたビット数で前記メモリセルに書き込みを行い、前記書き換え回数管理テーブル４０が管理する前記メモリセルの書き換え回数が所定の回数を超えた後は、前記メモリセルを前記記憶容量に依存したグループに分割し、ホストからの書き込み要求に応じたビット数の前記記憶容量に対応する前記グループの前記メモリセルに書き込みを行うコントローラ３を備える。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、不揮発性メモリデバイスの信頼性を改善できるメモリシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、不揮発性メモリデバイスとモニタ部と変更部とを有することを特徴とするメモリシステムが提供される。不揮発性メモリデバイスは、データを記憶する。モニタ部は、前記不揮発性メモリデバイスに対するデータの書き込み処理及び消去処理による前記不揮発性メモリデバイスの特性をモニタする。変更部は、前記モニタされた前記不揮発性メモリデバイスの特性に応じて、前記書き込み処理に要する時間が目標値に一致するように、書き込み動作とベリファイ動作とが交互に繰り返される前記書き込み処理における書き込み開始電圧の値と書き込み電圧の増加幅との少なくとも一方を変更する。 （もっと読む）

【課題】ストレージデバイスとして利用される不揮発性の記録媒体が寿命を迎えてもシステムを正常に起動することができる情報処理装置を提供すること。
【解決手段】情報処理装置は、起動中のシステムを終了して次に起動する際に必要なバックアップ対象情報が格納される不揮発性のメインメモリと、システムの起動及び終了に係る各処理を行うホスト制御部とを備える。メインメモリは、当該メインメモリに書き込まれたバックアップ対象情報を保持するメモリセル群と、メモリセル群への書き込みエラーが発生したとき、当該メインメモリが寿命を迎えたか否かを判断する制御部とを有する。ホスト制御部は、メインメモリが寿命を迎えたと制御部によって判断された際、メインメモリとは異なる不揮発性の補助メモリにバックアップ対象情報を格納し、システムの起動に係る処理を行う際には補助メモリからバックアップ対象情報を読み出す。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上したメモリシステムを提供する。
【解決手段】実施形態のメモリシステム１は、ブロックを複数有する不揮発性メモリ２と、キャッシュ３と、ホスト７が指定する論理アドレスと不揮発性メモリ上のデータ位置を指定する物理アドレスの対応を示す論物変換テーブルと、論物変換テーブルに対応する論理アドレスを有するブロック毎の消去回数を保持する消去回数テーブルを備える。メモリシステムは、ホストが削除対象となる論理アドレスを通知した場合に、論物変換テーブルにてそれに対応する物理アドレスが指定する削除対象領域を含む削除対象ブロックの消去回数を取得し、当該消去回数の所定の割合以下の消去回数を有する少消去ブロックが消去回数テーブルに存在する場合には、少消去ブロック内の有効データのキャッシュへの読み出しおよび削除対象領域への書き込みを実行し、少消去ブロック内の有効データを無効化するコントローラ６を備える。 （もっと読む）

【課題】複雑な処理を行わず、キャッシュメモリに蓄積中のデータの退避処理を可能とする。
【解決手段】キャッシュメモリの退避を行う第１の不揮発性メモリと、第２の不揮発性メモリと、キャッシュメモリ内のデータにおいて、第１の不揮発性メモリの書込が失敗した領域の情報の履歴を記録した管理テーブルを記憶する記憶部と、第１の不揮発性メモリへの退避処理を行う第１の制御部と、第１の制御部から送られてくる情報を、時間情報と共に、第２の不揮発性メモリへ書きこむ第２の制御部とを有し、第１の制御部は、停電発生時に、キャッシュメモリに記憶されているデータを不揮発性メモリに書き込む処理を実行し、前記退避処理に当たり、該書込が正常に行われたかを検証するとともに、該検証にて正常に書きこまれていない場合、前記不揮発性メモリの正常な書込ができなかった領域の情報を、記憶部に記憶する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリに記録されたデータの信頼性を向上させることができる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】メモリ４，６は、ＮＡＮＤフラッシュメモリである。メモリコントローラ３は、ホストシステム１の要求に応じてメモリ４からデータ４５Ｍを読み出し、データ４５Ｍをホストシステム１へ出力する。メモリコントローラ５は、バックアップ用のメモリ６の各ブロックに格納されたデータを検査する。メモリコントローラ５は、メモリ６のページの中から検査対象のブロックを決定し、検査対象のブロックからデータ４５Ｃを読み出す。ＥＣＣ回路５１は、データ４５Ｃのエラーを検出する。データ４５Ｃからエラーが検出された場合、エラー訂正されたデータ４５Ｃが、検査対象のブロックに書き戻される。メモリコントローラ３は、所定の切り替え条件が満たされた場合、アクセス対象をメモリ４からメモリ６へ切り替える。 （もっと読む）

【課題】画面データを記憶する揮発性メモリーの内容がクリアされても画面表示を適切に行なう。
【解決手段】ＬＣＤコントローラーに、揮発性メモリーであるＶＲＡＭの他に、固定画面を予め記憶すると共にメインコントローラーから受信される画面データ（更新画面）とその画面の内容を示す設定情報を記憶する不揮発性メモリーであるフラッシュメモリーを設け、ＬＣＤコントローラーに予期しない初期化が発生してＶＲＡＭの内容がクリアされたとき、設定情報がユーザーのボタン操作によらずに自動更新される画面Ａを示す情報の場合には、フラッシュメモリーから更新画面を読み込んでＶＲＡＭに書き込み（Ｓ２１０）、設定情報がユーザーのボタン操作によって更新される画面Ｂを示す情報の場合には、フラッシュメモリーから固定画面を読み込んでＶＲＡＭに書き込む（Ｓ２２０）。 （もっと読む）

【課題】ブートエラーを正すための装置及び方法を提供する。
【解決手段】装置１００は、不揮発性のメモリデバイス１２０を有し、そのメモリデバイス１２０は、第１のアドレスを持つ所定のブロックに、ブートローダーを格納している。装置１００は、さらに、電源投入時に、所定のブロックからブートローダーを読み出すメインコントローラー１１０を有している。装置１００は、また、メインコントローラー１１０の最初のブートシーケンスを監視するとともに、所定のブロックが、読み出し不可エラー状態に陥ったことを判定するように構成された監視モジュール１３０を含んでいる。監視モジュール１３０が、所定ブロックは読み出し不可エラー状態に陥ったと判定したとき、メインコントローラー１１０は、バックアップブロックからバックアップブートローダーを取得する。 （もっと読む）

【課題】高速な誤り訂正を可能とし、誤り訂正回路の規模や消費電力の増大を抑えることができる誤り訂正回路およびメモリ装置、並びに誤り訂正方法を提供する。
【解決手段】冗長化された奇数個の二値情報を電流値で入力する入力手段１５３と、前記入力手段から入力する前記奇数個の電流値の和を電圧に変換する変換手段１５１と、前記変換手段が出力する前記電圧が予め設定された第１閾値以上であるか否かに応じて二値情報を出力する第１判定手段１５２とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体不揮発性メモリ装置のリフレッシュ操作を適切に管理する。
【解決手段】半導体不揮発性メモリ装置１２０は、制御装置１１０に結合されている。半導体不揮発性メモリ装置１２０のブロックにおけるエラー数が決定される。エラー数は、そのブロックにおける最大のエラービットを持っているページのエラービットの数に相当する。さらに、そのブロックに対して先のリフレッシュ操作が実行されてからの制御装置１１０のリセット回数が決定される。エラー数がエラー閾値を上回り、かつ、リセット回数がリセット閾値を上回ると、半導体不揮発性メモリ装置１２０の該当ブロックに対してリフレッシュ操作が実行される。 （もっと読む）

【課題】読み出しデータの３ｂｉｔエラーを考慮した上で、訂正可能エラーを判別することを可能にするメモリコントローラ及び情報処理装置を提供する。
【解決手段】ＥＣＣ機能付きメモリモジュールに接続され、メモリモジュールへのアクセスを制御するメモリコントローラにおいて、メモリモジュールから読み出された複数の読み出しデータについて、読み出しデータに対応するＥＣＣの符号情報を、メモリモジュールより読み出して、エラービットの有無及びエラービットの位置の検出を行うエラー検出部と、複数の読み出しデータを一時的に格納するバッファと、バッファに格納された複数の読み出しデータに、エラー検出部によって訂正可能エラーが検出されたデータが複数含まれ、かつ、検出されたデータのエラー検出位置が同じ場合に、複数の読み出しデータ全体として訂正可能なエラーを含むと判定する判定部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】特別な温度範囲が広い高価な不揮発性メモリを使わずに、温度保証範囲が狭い安価な汎用品不揮発性メモリを用いて広範囲な温度保証を実現することが可能なメモリ装置、情報処理システム、メモリ制御方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】メモリ装置は、不揮発性メモリと、不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、メモリコントローラは、不揮発性メモリに対するアクセス開始時に不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、要求に対する応答がない場合であって、温度検出部の検出温度が第１の閾値より低い場合、不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、不揮発性メモリに対して識別情報の転送を再要求する。 （もっと読む）

【課題】記憶領域の冗長化およびシステムの安定化の両立を図ることが可能な情報処理装置、メモリ管理方法、およびメモリ管理プログラムを提供する。
【解決手段】情報処理装置２０１は、データを記憶するための記憶装置１０３を用いる。情報処理装置２０１は、記憶装置１０３よりも高速にアクセス可能なメモリ１０２と、メモリ１０２において複数の記憶領域を論理的に設け、記憶領域に他の記憶領域を冗長記憶領域として割り当て、冗長記憶領域にデータのコピーを格納することが可能なメモリ管理部１５１とを備える。メモリ管理部１５１は、メモリ１０２の使用率が所定の閾値を超えた場合には、冗長記憶領域の割り当てられた１または複数の記憶領域について、メモリ１０２の使用率が所定の閾値以下になるまで、各冗長記憶領域を段階的に未使用領域とする。 （もっと読む）