メモリ装置、情報処理システム、メモリ制御方法、およびプログラム
【課題】特別な温度範囲が広い高価な不揮発性メモリを使わずに、温度保証範囲が狭い安価な汎用品不揮発性メモリを用いて広範囲な温度保証を実現することが可能なメモリ装置、情報処理システム、メモリ制御方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】メモリ装置は、不揮発性メモリと、不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、メモリコントローラは、不揮発性メモリに対するアクセス開始時に不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、要求に対する応答がない場合であって、温度検出部の検出温度が第１の閾値より低い場合、不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、不揮発性メモリに対して識別情報の転送を再要求する。
【解決手段】メモリ装置は、不揮発性メモリと、不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、メモリコントローラは、不揮発性メモリに対するアクセス開始時に不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、要求に対する応答がない場合であって、温度検出部の検出温度が第１の閾値より低い場合、不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、不揮発性メモリに対して識別情報の転送を再要求する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、不揮発性メモリを備えたメモリ装置、情報処理システム、メモリ制御方法、およびプログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタルビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、オーディオレコーダ等の外部記憶装置として、不揮発性メモリであるフラッシュメモリを備えたメモリ装置が知られている。
フラッシュメモリは、データの書き込みおよび読み出しを、ブロック単位より小さいページ単位等でランダムに行うことができるが、データの消去はランダムではなくブロック単位で行われる。
【０００３】
ところで、フラッシュメモリ、たとえばＮＡＮＤフラッシュメモリには、動作温度仕様が存在する。
フラッシュメモリを搭載したメモリ装置の温度保障範囲は、フラッシュメモリの温度仕様に大きく依存し、これに従って決定される。
【０００４】
一般的に、フラッシュメモリを搭載したメモリ装置において、高速でデータの読み書きを行うと、フラッシュメモリの発熱により、メモリ装置の表面温度が非常に高くなる傾向にある。
このような発熱に対応して温度管理を行う不揮発性メモリ装置が提案されている（たとえば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】ＷＯ ２００８／０９３６０６ Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、外部記憶装置としてフラッシュメモリを含むメモリ装置を備えたデジタルビデオカメラ等は、常温の状態だけでなく、たとえば常温よりも４０℃近い高温の状態時や、零下の厳寒の低温状態で使用される場合がある。
上記した特許文献１に開示された不揮発性メモリ装置では、発熱対策は、一応高温対策として大まかに対応されているが、十分ではなく、また、低温状態下での使用時の動作の不具合が生じることへの対策は何ら行われていない。
【０００７】
上述したように、メモリ装置の温度仕様は、フラッシュメモリの温度仕様の依存が大きい。フラッシュメモリのプロセス世代が進むと温度仕様が厳しくなる可能性があり、その時、メモリ装置の温度仕様も狭くなる可能性がある。
また、温度仕様が広いものは、高価なものが多いため、広範囲の温度仕様のメモリメディアにかかるコストは必然的に高くなる。
【０００８】
本技術は、特別な温度範囲が広い高価な不揮発性メモリを使わずに、温度保証範囲が狭い安価な汎用品不揮発性メモリを用いて広範囲な温度保証を実現することが可能なメモリ装置、情報処理システム、メモリ制御方法、およびプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本技術の第１の観点のメモリ装置は、データを記憶する不揮発性メモリと、上記不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、上記メモリコントローラは、上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内に達した場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する。
【００１０】
本技術の第２の観点の情報処理システムは、メモリ装置と、上記メモリ装置に対するアクセス制御を行うホスト装置と、を有し、上記メモリ装置は、データを記憶する不揮発性メモリと、上記不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、上記メモリコントローラは、上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する。
【００１１】
本技術の第３の観点のメモリ制御方法は、データを記憶する不揮発性メモリに対してアクセスを行うアクセス制御ステップと、メモリ装置の温度を温度検出部で検出する温度検出ステップと、を有し、上記アクセス制御ステップでは、上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出ステップにおける温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する。
【００１２】
本技術の第４の観点は、データを記憶する不揮発性メモリに対してアクセスを行うアクセス制御処理と、メモリ装置の温度を温度検出部で検出する温度検出処理と、を有し、上記アクセス制御処理では、上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出処理における温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求するメモリ制御処理をコンピュータに実行させるプログラムである。
【発明の効果】
【００１３】
本技術によれば、特別な温度範囲が広い高価な不揮発性メモリを使わずに、温度保証範囲が狭い安価な汎用品不揮発性メモリを用いて広範囲な温度保証を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態に適用される情報処理システムの概略構成を示す図である。
【図２】図１に示されるメモリ装置の温度制御の構成を中心とした構成例を示すブロック図である。
【図３】本実施形態に係る発熱体およびその制御系を模式的に示す図である。
【図４】温度が低く、不揮発性メモリが認識できないときの制御動作を説明するためのフローチャートである。
【図５】温度が低いが認識できている時、または不揮発性メモリからの応答が遅い時の制御動作を説明するためのフローチャートである。
【図６】温度が高く、発熱を抑えたい時および温度が高すぎる時の制御動作を説明するためのフローチャートである。
【図７】温度変化に対するインピーダンス追従処理を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本実施形態を添付図面に関連付けて説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．情報処理システムの全体構成の概要
２．メモリ装置の構成例
３．メモリ装置の温度に応じた制御動作の概要
【００１６】
＜１．情報処理システムの全体構成の概要＞
図１は、本実施形態に適用される情報処理システムの概略構成を示す図である。
【００１７】
図１に示すように、この情報処理システムは、ホスト装置１０と、ホスト装置１０に着脱自在に装着可能な情報処理装置としてのメモリ装置２０を主構成要素として有している。本実施形態において、メモリ装置２０はＮＡＮＤフラッシュメモリ等の不揮発性メモリを含んで構成されている。
【００１８】
フラッシュメモリは、年々、プロセスが進むことで、温度範囲の仕様が厳しくなり、また、温度変化に対する使いこなしが必要となることがある。
本実施形態のメモリ装置２０は、それらに対処する構成を含み、これにより、メモリデバイスの温度仕様を広げ、品質の向上が可能となるように構成されている。
ＮＡＮＤフラッシュ等のフラッシュメモリには、動作温度仕様が存在する。フラッシュメモリを搭載したメモリ装置の温度保証範囲は、フラッシュメモリの温度仕様に大きく依存し、これに従って決定される。
【００１９】
これに対して、本実施形態のメモリ装置２０は、温度仕様を広げ、品質の向上を図るべく、以下の特徴的な構成を有する。
まず、メモリ装置２０は、メモリデバイス上にサーミスタ素子（チップ温度素子）等の温度検出部を搭載し、メモリコントローラが温度を検知し、検知温度に応じた制御を行う機能を有している。
メモリ装置２０は、検知した温度が第１の閾値ＶＴＨＬ（たとえば５°Ｃ）より低く動作範囲外であれば、速度を落とす、温度が上がるまで待つ、若しくは、温度を上げる動作を行う。また、メモリ装置２０は、検出した温度が第２の閾値ＶＴＨＨ（たとえば６０°Ｃ）より高いときは、高速動作を遅くすることで、消費電力を下げ、発熱を抑える等の動作を行う。
【００２０】
以上より、本実施形態のメモリ装置２０は、フラッシュメモリの温度仕様よりも広い温度仕様のメモリデバイスの設計が可能となっている。
また、このことにより、本実施形態のメモリ装置２０は、特別な温度範囲が広い高価なフラッシュメモリを使わずに、温度保証範囲が狭い安価な汎用品フラッシュメモリを用いた広範囲な温度保証のメモリデバイスを実現できる。
以下、ホスト装置１０およびメモリ装置２０の具体的な構成およびメモリ装置の温度に応じ制御動作について説明する。
【００２１】
［ホスト装置１０の構成］
ホスト装置１０は、デジタルビデオカメラ、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、デジタルスチルカメラ、オーディオレコーダ等の機器により形成される。
ホスト装置１０は、制御部（ＣＰＵ）１１、メモリ１２、ディスプレイ１３、入出力処理（Ｉ／Ｏ）部１４、外部メモリンタフェース（Ｉ／Ｆ）１５、およびストレージデバイス１６を備える。
制御部１１には、メモリ１２、ディスプレイ１３、Ｉ／Ｏ部１４、外部メモリＩ／Ｆ１５およびストレージデバイス１６が接続されている。
メモリ１２は、プログラム格納用のＲＯＭ、作業用メモリであるＲＡＭ等を有する。
外部メモリＩ／Ｆ１５は、制御部１１の制御命令に従ってメモリ装置２０との間でデータを送受する。
また、ホスト装置１０は、メモリ装置２０のアクセスを制御し、たとえばメモリ装置２０側で温度検知の結果、装置温度が高すぎてエラーステータスを受けた場合等、制御部１１がエラー処理等を行う。
【００２２】
＜２．メモリ装置２０の構成例＞
メモリ装置２０は、制御部（ＣＰＵ）２１、メモリ２２、不揮発性メモリ２３、デバイスＩ／Ｆ２４、温度検出部２５、および発熱体２６を有する。
制御部２１には、メモリ２２、不揮発性メモリ２３、デバイスＩ／Ｆ２４および温度検出部２５が接続されている。
メモリ２２は、プログラム格納用のＲＯＭ、作業用メモリであるＲＡＭ等を有する。メモリ２２は、たとえば内部(Internal)ＲＡＭ、バッファ(Buffer)ＲＡＭを含む。
不揮発性メモリ２３は、たとえば、ＮＡＮＤ型あるいはＮＯＲ型のフラッシュメモリにより形成される。本実施形態では、不揮発性メモリとしてＮＡＮＤフラッシュメモリを例に説明する。
デバイスＩ／Ｆ２４は、制御部２１の制御命令に従ってホスト装置１０あるいは周辺機器との間でデータを送受する。
なお、メモリ装置２０において、制御部（ＣＰＵ）２１、メモリ２２、ホストＩ／Ｆ２４等によりメモリコントローラが形成される。
【００２３】
図２は、図１に示されるメモリ装置２０の温度制御の構成を中心とした構成例を示すブロック図である。
【００２４】
メモリ装置２０は、たとえばホスト装置（デバイス）１０に装着されているとき、ホスト装置１０からアクセスが制御され、ホスト装置１０から供給されるデータが書き込まれ、記憶したデータが読み出される。
【００２５】
メモリ装置２０において、たとえばＮＡＮＤフラッシュメモリにより形成される不揮発性メモリ２３はブロックＢＬＫ単位にデータの消去が行われ、ブロックに対してブロック単位より小さい、たとえばページＰＧ単位でデータの書き込みおよび読み出しが行われる。
不揮発性メモリ２３は、昇圧回路２３１を含み、消去は、昇圧回路２３１による昇圧電圧により行う。
不揮発性メモリ２３において、データの書き込みおよび読み出しは、たとえば電源ラインによる３Ｖや５Ｖ系の電圧により行われ、消去は、昇圧回路２３１で入力電圧を７〜１０Ｖ程度に昇圧した電圧によりブロック単位で一括的に行われる。
したがって、消去動作は、書き込みや読み出し動作により消費電力が大きく、発熱量も大きい。
また、不揮発性メモリ２３は、温度に応じたインピーダンス制御信号ＣＴＬにより、インピーダンスを設定可能である。
【００２６】
温度検出部２５は、たとえばサーミスタ素子により形成され、メモリ装置内にたとえば不揮発性メモリ２３に隣接して配置され、たとえばメモリコントローラ３０の制御の下、メモリ装置２０内の温度を検出し、その検出結果をメモリコントローラ３０に出力する。
【００２７】
発熱体２６は、たとえば発熱コイルを含む発熱シートにより形成され、メモリ装置２０の素子搭載基板２０１の不揮発性メモリ２３の搭載面である基板２０１の一方側の面あるいは両面に貼付するように配置される。
ただし、発熱体２６は、不揮発性メモリ２３の外部上面に位置するように貼付してもよい。
この発熱体２６は、メモリコントローラ３０により駆動制御される。
【００２８】
図３は、本実施形態に係る発熱体およびその制御系を模式的に示す図である。
発熱体２６は、発熱コイル２６１を有する。発熱コイル２６１は、一端側がバイアス電圧源ＶＢに接続され、他端側がスイッチ素子である電界効果トランジスタＦＥＴ１を介して基準電位（たとえばグランド）ＶＳＳに接続される。
具体的には、発熱コイル２６１の他端側がｎ型電界効果トランジスタＦＥＴ１のドレインに接続され、電界効果トランジスタＦＥＴ１のソースが基準電位ＶＳＳに接続されている。そして、電荷効果トランジスタＦＥＴ１のゲートにメモリコントローラ３０による駆動信号ＤＲＶが選択的に供給される。
メモリコントローラ３０に、電流を引くことができない場合、電流容量の高いＦＥＴをスイッチングすることにより、発熱体２６に流れる電流を制御する。
図３の例の場合、メモリコントローラ３０よりハイレベルの駆動信号ＤＲＶを出力時はＦＥＴ１がオンして発熱体２６が発熱し、駆動信号ＤＲＶがローレベルの時は、ＦＥＴ１はオフしており、発熱体２６は発熱しない。
【００２９】
制御部２１を含むメモリコントローラ３０は、デバイスＩ／Ｆ２４を通してのホスト装置１０との間のコマンドやデータの転送制御、不揮発性メモリ２３に対しての書き込みや読み出し制御等のアクセス制御、メモリ装置２０全体の制御を行う。
ここで、アクセスとは、不揮発性メモリ２３へのデータの書き込み、不揮発性メモリ２３からのデータの読み出し、消去等、メモリコントローラ３０が不揮発性メモリ２３に対して信号等で何らかの働きかけを行う処理を含むものとする。
また、メモリコントローラ３０は、不揮発性メモリ２３に対して、信号を送る電流駆動能力を制御可能である。
【００３０】
メモリコントローラ３０は、不揮発性メモリ２３に対するアクセス開始時に、信号ラインＳＬＮを通して不揮発性メモリに識別情報（ＩＤ）の転送を要求する。
メモリコントローラ３０は、ＩＤ要求に対する応答がない場合であって、温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定した第１の閾値ＶＴＨＬ（たとえば５°Ｃ）より低い場合、次の処理を行う。
メモリコントローラ３０は、少なくとも不揮発性メモリ２３の温度を上げるように温度上昇制御を行う。
メモリコントローラ３０は、温度上昇制御により温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定された仕様範囲内（ＴＶＨＬ≦Ｔ≦ＴＶＨＨ）にある場合には、不揮発性メモリ２３に対してＩＤ（識別情報）の転送を再要求する。
【００３１】
ここで、ＴＶＨＬは温度仕様範囲の低温側下限値として第１の閾値を示し、ＴＶＨＨは温度仕様範囲の高温側上限値としての第２の閾値を示す。
なお、ここでの温度仕様範囲の下限値を決める第１の閾値ＶＴＨＬは、ＩＤ要求の応答の有無を判断するために、通常のデバイスに設定される温度仕様下限値（たとえば−２５°Ｃ）より高目に設定してある。本実施形態では、５°Ｃに設定される。
温度仕様範囲の上限値を決める第２の閾値ＶＴＨＨは、たとえば６０°Ｃに設定される。この第２の閾値ＶＴＨＨは、４５°Ｃや５０°Ｃ等、通常のデバイスに設定される温度仕様上限値（たとえば６０°Ｃ）より低い値に設定してもよい。
【００３２】
メモリコントローラ３０は、不揮発性メモリ２３にＩＤ転送を要求し、ＩＤ要求に対する応答がある場合であって、温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定した第１の閾値ＶＴＨＬ（たとえば５°Ｃ）より低い場合、次の処理を行う。
メモリコントローラ３０は、アクセス処理の抑制制御を行って、少なくとも不揮発性メモリ２３の温度を上げるように温度上昇制御を行う。
メモリコントローラ３０は、温度上昇制御により温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定された仕様範囲内（ＴＶＨＬ≦Ｔ≦ＴＶＨＨ）にある場合には、不揮発性メモリ２３に対して、ホスト装置１０からのコマンドに応じた通常のアクセス処理を行う。
メモリコントローラ３０は、不揮発性メモリ２３にＩＤ転送を要求し、ＩＤ要求に対する応答がない場合であって、温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定した第１の閾値ＶＴＨＬ（たとえば５°Ｃ）より低い場合、次の処理を行う。
メモリコントローラ３０は、少なくとも不揮発性メモリ２３の温度を上げるように温度上昇制御を行って、不揮発性メモリ２３に対してＩＤ転送を再要求する。
メモリコントローラ３０は、再要求に対して応答がある場合であって、温度上昇制御により温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定された仕様範囲内（ＴＶＨＬ≦Ｔ≦ＴＶＨＨ）にある場合には、不揮発性メモリ２３に対して通常のアクセス処理を行う。
【００３３】
メモリコントローラ３０は、アクセス処理の抑制制御においては、不揮発性メモリ２３側のキャパシタの容量不足を考慮して、所定期間アクセス速度を下げて書き込みや読み出しを行う。あるいは、メモリコントローラ３０は、アクセス処理の抑制制御において、所定期間アクセス処理に対応しない。
【００３４】
メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、たとえば不揮発性メモリ２３に接続されている電源ラインＶＬＮまたは信号ラインＳＬＮを通して電流が流れるように制御する。
メモリコントローラ３０は、たとえば８ビットある信号ラインＳＬＮのすべてあるいは複数ラインの３Ｖ等の固定電位に設定して不揮発性メモリ２３に電流が流れるように制御し、その消費電力により自己発熱させて、不揮発性メモリ２３自体を温度上昇させる。
また、メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、上記した発熱体２６の駆動信号ＤＲＶをハイレベルに設定して駆動し、外的に不揮発性メモリ２３を温度上昇させる。
また、メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、不揮発性メモリ２３の所定のブロックに対して、昇圧回路２３１による昇圧電圧での消去を行う。
消去動作は、書き込みや読み出し動作により消費電力が大きく、発熱量も大きく温度上昇も見込める。そこで、この例のように、無動作時に決められたブロックを消去することによって、不揮発性メモリ２３を温度上昇させることができる。
なお、ここで、温度上昇制御を、電源や信号ラインによる電流流し込みによる昇温、発熱体２６による昇温、消去動作による昇温について述べた。ただし、これらは単独で適用しても、これらの適宜組み合わせて、複数あるいはすべてを組み合わせて適用することも可能である。
【００３５】
メモリコントローラ３０は、温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定した第２の閾値ＶＴＨＨより高い場合、少なくとも不揮発性メモリ２３の温度を下げるように温度降下制御を行う。
メモリコントローラ３０は、温度降下制御を行った結果、温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定された仕様範囲内より高い場合には、エラーステータス情報を外部のホスト装置１０に出力する。
メモリコントローラ３０は、温度降下制御において、書き込み、読み込み周期を下げ、速度を下げる。これにより、消費電流が下がり、自己発熱量が下がり、その結果、不揮発性メモリ２３の温度が降下する。
このように検知温度が高い場合、メモリコントローラ３０は、書き込み速度あるいは読み込み速度を下げる。速度のパフォーマンスは、常温時には劣るが消費電力が低く、発熱を抑えた書き込みや読み込みは可能な状態である。
【００３６】
また、不揮発性メモリ２３は、温度に応じたインピーダンスを設定可能なものがあり、これらの不揮発性メモリ２３が搭載されている場合、メモリコントローラ３０は、温度検出部２５の検出温度Ｔに応じてインピーダンスの設定制御を行うことが可能である。
【００３７】
＜３．メモリ装置の温度に応じた制御動作＞
以下に、本実施形態に係るメモリ装置２０における温度に応じた制御動作の概要について説明する。
【００３８】
メモリ装置２０では、温度において下記の特性の変化が見られる。
［３．１ 温度が低い場合］
温度が低い場合、不揮発性メモリ（フラッシュメモリ）２３からの応答がなく不揮発性メモリ２３を認識できない。また、信号波形がシャープになり、キャパシタの容量が下がるため、キャパシタの容量が足らなくなる。
［３．２ 温度が高い場合］
温度が高い場合、書き込みや読み込みエラーレートが上がる。
［３．３ 温度変化］
温度の変化があると、インピーダンスが変わる。
以上より、以下にそれぞれの場合に対処する例について説明する。
【００３９】
［３．１．１ 温度が低く、不揮発性メモリが認識できないときの制御動作］
図４は、温度が低く、不揮発性メモリが認識できないときの制御動作を説明するためのフローチャートである。
【００４０】
メモリコントローラ３０は、不揮発性メモリ２３に対するデータの書き込みあるいは読み出しを行うアクセス開始時に、不揮発性メモリ２３にＩＤ（識別情報）の転送を要求する（ＳＴ１）。
メモリコントローラ３０は、ＩＤ転送要求を行って、所的期間内にＩＤ要求に対する応答があったか否かの判定を行う（ＳＴ２）。ここで応答があったとは、所定期間内に不揮発性メモリ２３からＩＤが転送され、メモリコントローラ３０が不揮発性メモリ２３を認識（確認）できたことをいう。
ステップＳＴ２において、メモリコントローラ３０は、ＩＤ要求に対する応答がないと判定した場合、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込み（ＳＴ３）、検出温度Ｔがあらかじめ設定した第１の閾値ＶＴＨＬより低いか否かを判定する（ＳＴ４）。
ステップＳＴ４において、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬにより低いと判定した場合、メモリコントローラ３０は、温度が低すぎるとして、不揮発性メモリ２３の温度を上げるように温度上昇制御を行う（ＳＴ５）。
メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、たとえば不揮発性メモリ２３に接続されている電源ラインＶＬＮまたは信号ラインＳＬＮを通して電流が流れるように制御する。
あるいは、メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、発熱体２６の駆動信号ＤＲＶをハイレベルに設定して駆動し、外的に不揮発性メモリ２３を温度上昇させる。
また、メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、不揮発性メモリ２３の所定のブロックに対して、昇圧回路２３１による昇圧電圧での消去を行う。
メモリコントローラ３０は、温度上昇制御を行って、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込み（ＳＴ６）、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬ以上で第２の閾値ＶＴＨＨ以下のあらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行う（ＳＴ７）。
ステップＳＴ７において、検出温度Ｔが仕様範囲内（ＶＴＨＬ≦Ｔ≦ＶＴＨＨ）にある場合には、メモリコントローラ３０、不揮発性メモリ２３に対してＩＤ（識別情報）の転送を再要求する（ＳＴ８）。
そして、メモリコントローラ３０は、所的期間内にＩＤ要求に対する応答があったか否かの判定を行う（ＳＴ９）。
ステップＳＴ９またはステップＳＴ２において、応答があったと判定した場合には、メモリコントローラ３０は、通常のメモリアクセス制御を行う（ＳＴ１０）。
ステップＳＴ９において、応答がないと判定した場合には、メモリコントローラ３０は、エラーとしてエラーステータス情報をホスト装置１０に送信するエラー処理を行う（ＳＴ１１）。
【００４１】
［３．１．２ 温度が低いが認識できている時、または不揮発性メモリからの応答が遅い時］
図５は、温度が低いが認識できている時、または不揮発性メモリからの応答が遅い時の制御動作を説明するためのフローチャートである。
【００４２】
メモリコントローラ３０は、不揮発性メモリ２３に対するデータの書き込みあるいは読み出しを行うアクセス開始時に、不揮発性メモリ２３にＩＤ（識別情報）の転送を要求する（ＳＴ２１）。
メモリコントローラ３０は、ＩＤ転送要求を行って、所的期間内にＩＤ要求に対する応答があったか否かの判定を行う（ＳＴ２２）。
ステップＳＴ２２において、メモリコントローラ３０は、ＩＤ要求に対する応答があったと判定した場合、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込む（ＳＴ２３）。そして、メモリコントローラ３０は、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬ以上で第２の閾値ＶＴＨＨ以下のあらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行う（ＳＴ２４）。
ステップＳＴ２４において、検出温度Ｔが仕様範囲内（ＶＴＨＬ≦Ｔ≦ＶＴＨＨ）にない場合には、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬより低いか否かを判定する（ＳＴ２５）。
ステップＳＴ２５において、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬにより低いと判定した場合、メモリコントローラ３０は、温度が低すぎるとして、不揮発性メモリ２３の温度を上げるようにアクセス処理の抑制制御（ＳＴ２６）および温度上昇制御を行う（ＳＴ２７）。そして、ステップＳＴ２４に処理に戻る。
メモリコントローラ３０は、アクセス処理の抑制制御においては、不揮発性メモリ２３側のキャパシタの容量不足を考慮して、所定期間アクセス速度を下げて書き込みや読み出しを行う。あるいは、メモリコントローラ３０は、アクセス処理の抑制制御において、所定期間アクセス処理に対応しない。
また、メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、たとえば不揮発性メモリ２３に接続されている電源ラインＶＬＮまたは信号ラインＳＬＮを通して電流が流れるように制御する。
あるいは、メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、発熱体２６の駆動信号ＤＲＶをハイレベルに設定して駆動し、外的に不揮発性メモリ２３を温度上昇させる。
また、メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、不揮発性メモリ２３の所定のブロックに対して、昇圧回路２３１による昇圧電圧での消去を行う。
メモリコントローラ３０は、アクセス抑制制御および温度上昇制御を行って、ステップＳＴ２４の処理に戻り、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬ以上で第２の閾値ＶＴＨＨ以下のあらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行う。
ステップＳＴ２４において、検出温度Ｔが仕様範囲内（ＶＴＨＬ≦Ｔ≦ＶＴＨＨ）にある場合には、メモリコントローラ３０、不揮発性メモリ２３に対し通常のアクセス制御を行う（ＳＴ２８）。
ステップＳＴ２５において、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬにより低くないと判定した場合には、たとえば高温側の制御を行う。
【００４３】
ステップＳＴ２２において、ＩＤ要求に対する応答がないと判定した場合には、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込み（ＳＴ２９）、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬより低いか否かを判定する（ＳＴ３０）。
ステップＳＴ３０において、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬにより低いと判定した場合、メモリコントローラ３０は、温度が低すぎるとして、不揮発性メモリ２３の温度を上げるように温度上昇制御を行う（ＳＴ３１）。
メモリコントローラ３０は、温度上昇制御を行って、不揮発性メモリ２３に対してＩＤ（識別情報）の転送を再要求する（ＳＴ３２）。
そして、メモリコントローラ３０は、所的期間内にＩＤ要求に対する応答があったか否かの判定を行う（ＳＴ３３）。
ステップＳＴ３３において、応答があったと判定した場合には、メモリコントローラ３０は、ステップＳＴ２４の処理に移行する。
ステップＳＴ３３において、応答がないと判定した場合には、メモリコントローラ３０は、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込む（ＳＴ３４）。そして、メモリコントローラ３０は、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬ以上に第２の閾値ＶＴＨＨ以下のあらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行う（ＳＴ３５）。
ステップＳＴ３５において、検出温度Ｔが仕様範囲内（ＶＴＨＬ≦Ｔ≦ＶＴＨＨ）にない場合には、ステップＳＴ３１の処理に移行する。ある場合には、メモリコントローラ３０は、エラーとしてエラーステータス情報をホスト装置１０に送信するエラー処理を行う（ＳＴ３６）。
【００４４】
［３．２ 温度が高く、発熱を抑えたい時および温度が高すぎる時］
図６は、温度が高く、発熱を抑えたい時および温度が高すぎる時の制御動作を説明するためのフローチャートである。
【００４５】
たとえば、通常のアクセス処理を行っているときに（ＳＴ４１）、所定の周期で設定された監視時間ＭＴになると（ＳＴ４２）、メモリコントローラ３０は、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込む（ＳＴ４３）。そして、メモリコントローラ３０は、検出温度Ｔが第２の閾値ＶＴＨＨより高いか否かを判定する（ＳＴ４４）。
ステップＳＴ４４において、検出温度Ｔが第２の閾値ＶＴＨＨにより高いと判定した場合、メモリコントローラ３０は、温度が高いとして、不揮発性メモリ２３の温度を下げるように温度降下制御を行う（ＳＴ４５）。
メモリコントローラ３０は、温度降下制御において、書き込み、読み込み周期を下げ、速度を下げる。これにより、消費電流が下がり、自己発熱量が下がり、その結果、不揮発性メモリ２３の温度が降下する。
このように検知温度が高い場合、メモリコントローラ３０は、書き込み速度あるいは読み込み速度を下げる。速度のパフォーマンスは、常温時には劣るが消費電力が低く、発熱を抑えた書き込みや読み込みは可能な状態である。
メモリコントローラ３０は、温度降下制御を行って、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込む（ＳＴ４６）。そして、メモリコントローラ３０は、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬ以上に第２の閾値ＶＴＨＨ以下のあらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行う（ＳＴ４７）。
ステップＳＴ４７おいて、検出温度Ｔが仕様範囲内（ＶＴＨＬ≦Ｔ≦ＶＴＨＨ）にある場合には、メモリコントローラ３０は、通常のアクセス処理を行う（ＳＴ４８）。
ステップＳＴ４７において、検出温度Ｔが仕様範囲内（ＶＴＨＬ≦Ｔ≦ＶＴＨＨ）にない場合には、次の処理を行う。
メモリコントローラ３０は、温度が高すぎて温度降下制御によっても温度仕様範囲内に下がらないとしてエラーとしてエラーステータス情報をホスト装置１０に送信するエラー処理を行う（ＳＴ４９）。
【００４６】
［３．３ 温度変化に対するインピーダンス追従］
図７は、温度変化に対するインピーダンス追従処理を説明するためのフローチャートである。
【００４７】
たとえば、通常のアクセス処理を行っているときに（ＳＴ５１）、所定の周期で設定された監視時間ＭＴになると（ＳＴ５２）、メモリコントローラ３０は、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込む（ＳＴ５３）。
メモリコントローラ３０は、制御信号ＣＴＬを不揮発性メモリ２３に出力し、検出温度に適したインピーダンス設定を行うように制御する（ＳＴ５４）。
そして、通常のアクセス処理として書き込みまたは読み込みを行う（ＳＴ５５）。
【００４８】
以上の各処理を導入することにより、メモリ装置２０は、フラッシュメモリの温度仕様範囲外の温度仕様を持つことが可能となる。
また、温度仕様範囲が狭いとフラッシュメモリは安価な場合が多く、それを搭載した部品コストが低く、かつ、広範囲な温度仕様のメモリデバイスが実現でき、品質の向上が見込める。
【００４９】
なお、低温で反応がなくなるフラッシュメモリ（Intel製29F32G08AAME1）が存在する。
このメモリデバイスは、−５°Ｃで保存し、デバイスの電源をオンにすると、フラッシュメモリから反応がない（ＩＤの応答ない）ことが判明した。その後５分間電源オンにしたまま放置するとフラッシュメモリからの反応があった（ＩＤの応答があった）。
０°Ｃでも、上記と同様であった。＋５°Ｃ以上の環境だと、最初からフラッシュメモリからの反応はあった。
以上より、Intel製29F32G08AAME1において、温度が低いと反応がなくなり、その場合、温めることにより、反応は復活することが判明した。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
本実施形態のメモリ装置２０は、メモリ装置２０は、メモリデバイス上にサーミスタ素子（チップ温度素子）等の温度検出部を搭載し、メモリコントローラが温度を検知し、検知温度に応じた制御を行う機能を有している。
メモリ装置２０は、検知した温度が第１の閾値ＶＴＨＬ（たとえば５°Ｃ）より低く動作範囲外であれば、速度を落とす、温度が上がるまで待つ、若しくは、温度を上げる動作を行う。また、メモリ装置２０は、検出した温度が第２の閾値ＶＴＨＨ（たとえば６０°Ｃ）より高いときは、高速動作を遅くすることで、消費電力を下げ、発熱を抑える等の動作を行う。
以上より、本実施形態によれば、フラッシュメモリの温度仕様よりも広い温度仕様のメモリデバイスの設計が可能となっている。
また、このことにより、本実施形態によれば、特別な温度範囲が広い高価なフラッシュメモリを使わずに、温度保証範囲が狭い安価な汎用品フラッシュメモリを用いた広範囲な温度保証のメモリデバイスを実現でき、ひいては品質の向上を図ることができる。
【００５１】
上述した本実施形態に限らず、本技術の要旨を逸脱しない限り、適宜、変更しうることはいうまでもない。
【００５２】
また、以上詳細に説明した方法は、上記手順に応じたプログラムとして形成し、ＣＰＵ等のコンピュータで実行するように構成することも可能である。
また、このようなプログラムは、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、フロッピー（登録商標）ディスク等の記録媒体、この記録媒体をセットしたコンピュータによりアクセスし上記プログラムを実行するように構成可能である。
【００５３】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）データを記憶する不揮発性メモリと、
上記不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、
メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
メモリ装置。
（２）上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、アクセス処理の抑制制御を行って、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
上記（１）記載のメモリ装置。
（３）上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求し、応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
上記（２）記載のメモリ装置。
（４）上記メモリコントローラは、
上記アクセス処理の抑制制御において、所定期間アクセス速度を下げて、または所定期間アクセス処理に対応しない
上記（２）または（３）記載のメモリ装置。
（５）上記メモリコントローラは、
上記温度上昇制御において、上記不揮発性メモリに接続されている電源ラインまたは信号ラインを通して電流が流れるように制御する
上記（１）から（４）のいずれか一に記載のメモリ装置。
（６）少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上昇可能に配置された発熱体を有し、
上記メモリコントローラは、
上記温度上昇制御において、上記発熱体を駆動する
上記（１）から（５）のいずれか一に記載のメモリ装置。
（７）上記不揮発性メモリは、
昇圧回路を含み、
ブロック単位にデータの消去が行われ、ブロックに対してブロック単位より小さい、ページ単位でデータの書き込みおよび読み出しが行われ、
上記消去は、上記昇圧回路による昇圧電圧により行われ、
上記メモリコントローラは、
上記温度上昇制御において、所定のブロックに対する消去を行う
上記（１）から（６）のいずれか一に記載のメモリ装置。
（８）上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第２の閾値より高い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を下げるように温度降下制御を行う
上記（１）から（７）のいずれか一に記載のメモリ装置。
（９）上記メモリコントローラは、
上記温度降下制御を行った結果、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内より高い場合には、エラー情報を外部に出力する
上記（８）記載のメモリ装置。
（１０）少なくとも上記不揮発性メモリは、温度に応じたインピーダンスを設定可能で、
上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度に応じて上記インピーダンスの設定制御を行う、
または、不揮発性メモリへの信号線の電流駆動能力の制御を行う、
上記（１）から（９）のいずれか一に記載のメモリ装置。
【００５４】
（１１）メモリ装置と、
上記メモリ装置に対するアクセス制御を行うホスト装置と、を有し、
上記メモリ装置は、
データを記憶する不揮発性メモリと、
上記不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、
メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
情報処理システム。
（１２）上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、アクセス処理の抑制制御を行って、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
上記（１１）記載の情報処理システム。
（１３）上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求し、応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
上記（１２）記載の情報処理システム。
（１４）上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第２の閾値より高い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を下げるように温度降下制御を行う
上記（１１）から（１３）のいずれか一記載の情報処理システム。
（１５）少なくとも上記不揮発性メモリは、温度に応じたインピーダンスを設定可能で、
上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度に応じて上記インピーダンスの設定制御を行う、
または、不揮発性メモリへの信号線の電流駆動能力の制御を行う、
上記（１１）から（１４）のいずれか一に記載の情報処理システム。
【００５５】
（１６）データを記憶する不揮発性メモリに対してアクセスを行うアクセス制御ステップと、
メモリ装置の温度を温度検出部で検出する温度検出ステップと、を有し、
上記アクセス制御ステップでは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出ステップにおける温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
メモリ制御方法。
（１７）上記アクセス制御ステップでは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がある場合、上記温度検出ステップにおける温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、
低い場合、アクセス処理の抑制制御を行って、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、
仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
上記（１６）のメモリ制御方法。
（１８）上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低いか否かを判定し、
低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求し、
応答がある場合には、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かを判定し、
仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
上記（１７）記載のメモリ制御方法。
（１９）データを記憶する不揮発性メモリに対してアクセスを行うアクセス制御処理と、
メモリ装置の温度を温度検出部で検出する温度検出処理と、を有し、
上記アクセス制御処理では、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出処理における温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、
低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、
仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
メモリ制御処理をコンピュータに実行させるプログラム。
【符号の説明】
【００５６】
２０・・・メモリ装置、２１・・・制御部、２２・・・メモリ、２３・・・不揮発性メモリ、２４・・・ホストＩ／Ｆ、２５・・・温度検出部、２８、発熱体、３０・・・メモリコントローラ。
【技術分野】
【０００１】
本技術は、不揮発性メモリを備えたメモリ装置、情報処理システム、メモリ制御方法、およびプログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタルビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、オーディオレコーダ等の外部記憶装置として、不揮発性メモリであるフラッシュメモリを備えたメモリ装置が知られている。
フラッシュメモリは、データの書き込みおよび読み出しを、ブロック単位より小さいページ単位等でランダムに行うことができるが、データの消去はランダムではなくブロック単位で行われる。
【０００３】
ところで、フラッシュメモリ、たとえばＮＡＮＤフラッシュメモリには、動作温度仕様が存在する。
フラッシュメモリを搭載したメモリ装置の温度保障範囲は、フラッシュメモリの温度仕様に大きく依存し、これに従って決定される。
【０００４】
一般的に、フラッシュメモリを搭載したメモリ装置において、高速でデータの読み書きを行うと、フラッシュメモリの発熱により、メモリ装置の表面温度が非常に高くなる傾向にある。
このような発熱に対応して温度管理を行う不揮発性メモリ装置が提案されている（たとえば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】ＷＯ ２００８／０９３６０６ Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、外部記憶装置としてフラッシュメモリを含むメモリ装置を備えたデジタルビデオカメラ等は、常温の状態だけでなく、たとえば常温よりも４０℃近い高温の状態時や、零下の厳寒の低温状態で使用される場合がある。
上記した特許文献１に開示された不揮発性メモリ装置では、発熱対策は、一応高温対策として大まかに対応されているが、十分ではなく、また、低温状態下での使用時の動作の不具合が生じることへの対策は何ら行われていない。
【０００７】
上述したように、メモリ装置の温度仕様は、フラッシュメモリの温度仕様の依存が大きい。フラッシュメモリのプロセス世代が進むと温度仕様が厳しくなる可能性があり、その時、メモリ装置の温度仕様も狭くなる可能性がある。
また、温度仕様が広いものは、高価なものが多いため、広範囲の温度仕様のメモリメディアにかかるコストは必然的に高くなる。
【０００８】
本技術は、特別な温度範囲が広い高価な不揮発性メモリを使わずに、温度保証範囲が狭い安価な汎用品不揮発性メモリを用いて広範囲な温度保証を実現することが可能なメモリ装置、情報処理システム、メモリ制御方法、およびプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本技術の第１の観点のメモリ装置は、データを記憶する不揮発性メモリと、上記不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、上記メモリコントローラは、上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内に達した場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する。
【００１０】
本技術の第２の観点の情報処理システムは、メモリ装置と、上記メモリ装置に対するアクセス制御を行うホスト装置と、を有し、上記メモリ装置は、データを記憶する不揮発性メモリと、上記不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、上記メモリコントローラは、上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する。
【００１１】
本技術の第３の観点のメモリ制御方法は、データを記憶する不揮発性メモリに対してアクセスを行うアクセス制御ステップと、メモリ装置の温度を温度検出部で検出する温度検出ステップと、を有し、上記アクセス制御ステップでは、上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出ステップにおける温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する。
【００１２】
本技術の第４の観点は、データを記憶する不揮発性メモリに対してアクセスを行うアクセス制御処理と、メモリ装置の温度を温度検出部で検出する温度検出処理と、を有し、上記アクセス制御処理では、上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出処理における温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求するメモリ制御処理をコンピュータに実行させるプログラムである。
【発明の効果】
【００１３】
本技術によれば、特別な温度範囲が広い高価な不揮発性メモリを使わずに、温度保証範囲が狭い安価な汎用品不揮発性メモリを用いて広範囲な温度保証を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態に適用される情報処理システムの概略構成を示す図である。
【図２】図１に示されるメモリ装置の温度制御の構成を中心とした構成例を示すブロック図である。
【図３】本実施形態に係る発熱体およびその制御系を模式的に示す図である。
【図４】温度が低く、不揮発性メモリが認識できないときの制御動作を説明するためのフローチャートである。
【図５】温度が低いが認識できている時、または不揮発性メモリからの応答が遅い時の制御動作を説明するためのフローチャートである。
【図６】温度が高く、発熱を抑えたい時および温度が高すぎる時の制御動作を説明するためのフローチャートである。
【図７】温度変化に対するインピーダンス追従処理を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本実施形態を添付図面に関連付けて説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．情報処理システムの全体構成の概要
２．メモリ装置の構成例
３．メモリ装置の温度に応じた制御動作の概要
【００１６】
＜１．情報処理システムの全体構成の概要＞
図１は、本実施形態に適用される情報処理システムの概略構成を示す図である。
【００１７】
図１に示すように、この情報処理システムは、ホスト装置１０と、ホスト装置１０に着脱自在に装着可能な情報処理装置としてのメモリ装置２０を主構成要素として有している。本実施形態において、メモリ装置２０はＮＡＮＤフラッシュメモリ等の不揮発性メモリを含んで構成されている。
【００１８】
フラッシュメモリは、年々、プロセスが進むことで、温度範囲の仕様が厳しくなり、また、温度変化に対する使いこなしが必要となることがある。
本実施形態のメモリ装置２０は、それらに対処する構成を含み、これにより、メモリデバイスの温度仕様を広げ、品質の向上が可能となるように構成されている。
ＮＡＮＤフラッシュ等のフラッシュメモリには、動作温度仕様が存在する。フラッシュメモリを搭載したメモリ装置の温度保証範囲は、フラッシュメモリの温度仕様に大きく依存し、これに従って決定される。
【００１９】
これに対して、本実施形態のメモリ装置２０は、温度仕様を広げ、品質の向上を図るべく、以下の特徴的な構成を有する。
まず、メモリ装置２０は、メモリデバイス上にサーミスタ素子（チップ温度素子）等の温度検出部を搭載し、メモリコントローラが温度を検知し、検知温度に応じた制御を行う機能を有している。
メモリ装置２０は、検知した温度が第１の閾値ＶＴＨＬ（たとえば５°Ｃ）より低く動作範囲外であれば、速度を落とす、温度が上がるまで待つ、若しくは、温度を上げる動作を行う。また、メモリ装置２０は、検出した温度が第２の閾値ＶＴＨＨ（たとえば６０°Ｃ）より高いときは、高速動作を遅くすることで、消費電力を下げ、発熱を抑える等の動作を行う。
【００２０】
以上より、本実施形態のメモリ装置２０は、フラッシュメモリの温度仕様よりも広い温度仕様のメモリデバイスの設計が可能となっている。
また、このことにより、本実施形態のメモリ装置２０は、特別な温度範囲が広い高価なフラッシュメモリを使わずに、温度保証範囲が狭い安価な汎用品フラッシュメモリを用いた広範囲な温度保証のメモリデバイスを実現できる。
以下、ホスト装置１０およびメモリ装置２０の具体的な構成およびメモリ装置の温度に応じ制御動作について説明する。
【００２１】
［ホスト装置１０の構成］
ホスト装置１０は、デジタルビデオカメラ、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、デジタルスチルカメラ、オーディオレコーダ等の機器により形成される。
ホスト装置１０は、制御部（ＣＰＵ）１１、メモリ１２、ディスプレイ１３、入出力処理（Ｉ／Ｏ）部１４、外部メモリンタフェース（Ｉ／Ｆ）１５、およびストレージデバイス１６を備える。
制御部１１には、メモリ１２、ディスプレイ１３、Ｉ／Ｏ部１４、外部メモリＩ／Ｆ１５およびストレージデバイス１６が接続されている。
メモリ１２は、プログラム格納用のＲＯＭ、作業用メモリであるＲＡＭ等を有する。
外部メモリＩ／Ｆ１５は、制御部１１の制御命令に従ってメモリ装置２０との間でデータを送受する。
また、ホスト装置１０は、メモリ装置２０のアクセスを制御し、たとえばメモリ装置２０側で温度検知の結果、装置温度が高すぎてエラーステータスを受けた場合等、制御部１１がエラー処理等を行う。
【００２２】
＜２．メモリ装置２０の構成例＞
メモリ装置２０は、制御部（ＣＰＵ）２１、メモリ２２、不揮発性メモリ２３、デバイスＩ／Ｆ２４、温度検出部２５、および発熱体２６を有する。
制御部２１には、メモリ２２、不揮発性メモリ２３、デバイスＩ／Ｆ２４および温度検出部２５が接続されている。
メモリ２２は、プログラム格納用のＲＯＭ、作業用メモリであるＲＡＭ等を有する。メモリ２２は、たとえば内部(Internal)ＲＡＭ、バッファ(Buffer)ＲＡＭを含む。
不揮発性メモリ２３は、たとえば、ＮＡＮＤ型あるいはＮＯＲ型のフラッシュメモリにより形成される。本実施形態では、不揮発性メモリとしてＮＡＮＤフラッシュメモリを例に説明する。
デバイスＩ／Ｆ２４は、制御部２１の制御命令に従ってホスト装置１０あるいは周辺機器との間でデータを送受する。
なお、メモリ装置２０において、制御部（ＣＰＵ）２１、メモリ２２、ホストＩ／Ｆ２４等によりメモリコントローラが形成される。
【００２３】
図２は、図１に示されるメモリ装置２０の温度制御の構成を中心とした構成例を示すブロック図である。
【００２４】
メモリ装置２０は、たとえばホスト装置（デバイス）１０に装着されているとき、ホスト装置１０からアクセスが制御され、ホスト装置１０から供給されるデータが書き込まれ、記憶したデータが読み出される。
【００２５】
メモリ装置２０において、たとえばＮＡＮＤフラッシュメモリにより形成される不揮発性メモリ２３はブロックＢＬＫ単位にデータの消去が行われ、ブロックに対してブロック単位より小さい、たとえばページＰＧ単位でデータの書き込みおよび読み出しが行われる。
不揮発性メモリ２３は、昇圧回路２３１を含み、消去は、昇圧回路２３１による昇圧電圧により行う。
不揮発性メモリ２３において、データの書き込みおよび読み出しは、たとえば電源ラインによる３Ｖや５Ｖ系の電圧により行われ、消去は、昇圧回路２３１で入力電圧を７〜１０Ｖ程度に昇圧した電圧によりブロック単位で一括的に行われる。
したがって、消去動作は、書き込みや読み出し動作により消費電力が大きく、発熱量も大きい。
また、不揮発性メモリ２３は、温度に応じたインピーダンス制御信号ＣＴＬにより、インピーダンスを設定可能である。
【００２６】
温度検出部２５は、たとえばサーミスタ素子により形成され、メモリ装置内にたとえば不揮発性メモリ２３に隣接して配置され、たとえばメモリコントローラ３０の制御の下、メモリ装置２０内の温度を検出し、その検出結果をメモリコントローラ３０に出力する。
【００２７】
発熱体２６は、たとえば発熱コイルを含む発熱シートにより形成され、メモリ装置２０の素子搭載基板２０１の不揮発性メモリ２３の搭載面である基板２０１の一方側の面あるいは両面に貼付するように配置される。
ただし、発熱体２６は、不揮発性メモリ２３の外部上面に位置するように貼付してもよい。
この発熱体２６は、メモリコントローラ３０により駆動制御される。
【００２８】
図３は、本実施形態に係る発熱体およびその制御系を模式的に示す図である。
発熱体２６は、発熱コイル２６１を有する。発熱コイル２６１は、一端側がバイアス電圧源ＶＢに接続され、他端側がスイッチ素子である電界効果トランジスタＦＥＴ１を介して基準電位（たとえばグランド）ＶＳＳに接続される。
具体的には、発熱コイル２６１の他端側がｎ型電界効果トランジスタＦＥＴ１のドレインに接続され、電界効果トランジスタＦＥＴ１のソースが基準電位ＶＳＳに接続されている。そして、電荷効果トランジスタＦＥＴ１のゲートにメモリコントローラ３０による駆動信号ＤＲＶが選択的に供給される。
メモリコントローラ３０に、電流を引くことができない場合、電流容量の高いＦＥＴをスイッチングすることにより、発熱体２６に流れる電流を制御する。
図３の例の場合、メモリコントローラ３０よりハイレベルの駆動信号ＤＲＶを出力時はＦＥＴ１がオンして発熱体２６が発熱し、駆動信号ＤＲＶがローレベルの時は、ＦＥＴ１はオフしており、発熱体２６は発熱しない。
【００２９】
制御部２１を含むメモリコントローラ３０は、デバイスＩ／Ｆ２４を通してのホスト装置１０との間のコマンドやデータの転送制御、不揮発性メモリ２３に対しての書き込みや読み出し制御等のアクセス制御、メモリ装置２０全体の制御を行う。
ここで、アクセスとは、不揮発性メモリ２３へのデータの書き込み、不揮発性メモリ２３からのデータの読み出し、消去等、メモリコントローラ３０が不揮発性メモリ２３に対して信号等で何らかの働きかけを行う処理を含むものとする。
また、メモリコントローラ３０は、不揮発性メモリ２３に対して、信号を送る電流駆動能力を制御可能である。
【００３０】
メモリコントローラ３０は、不揮発性メモリ２３に対するアクセス開始時に、信号ラインＳＬＮを通して不揮発性メモリに識別情報（ＩＤ）の転送を要求する。
メモリコントローラ３０は、ＩＤ要求に対する応答がない場合であって、温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定した第１の閾値ＶＴＨＬ（たとえば５°Ｃ）より低い場合、次の処理を行う。
メモリコントローラ３０は、少なくとも不揮発性メモリ２３の温度を上げるように温度上昇制御を行う。
メモリコントローラ３０は、温度上昇制御により温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定された仕様範囲内（ＴＶＨＬ≦Ｔ≦ＴＶＨＨ）にある場合には、不揮発性メモリ２３に対してＩＤ（識別情報）の転送を再要求する。
【００３１】
ここで、ＴＶＨＬは温度仕様範囲の低温側下限値として第１の閾値を示し、ＴＶＨＨは温度仕様範囲の高温側上限値としての第２の閾値を示す。
なお、ここでの温度仕様範囲の下限値を決める第１の閾値ＶＴＨＬは、ＩＤ要求の応答の有無を判断するために、通常のデバイスに設定される温度仕様下限値（たとえば−２５°Ｃ）より高目に設定してある。本実施形態では、５°Ｃに設定される。
温度仕様範囲の上限値を決める第２の閾値ＶＴＨＨは、たとえば６０°Ｃに設定される。この第２の閾値ＶＴＨＨは、４５°Ｃや５０°Ｃ等、通常のデバイスに設定される温度仕様上限値（たとえば６０°Ｃ）より低い値に設定してもよい。
【００３２】
メモリコントローラ３０は、不揮発性メモリ２３にＩＤ転送を要求し、ＩＤ要求に対する応答がある場合であって、温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定した第１の閾値ＶＴＨＬ（たとえば５°Ｃ）より低い場合、次の処理を行う。
メモリコントローラ３０は、アクセス処理の抑制制御を行って、少なくとも不揮発性メモリ２３の温度を上げるように温度上昇制御を行う。
メモリコントローラ３０は、温度上昇制御により温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定された仕様範囲内（ＴＶＨＬ≦Ｔ≦ＴＶＨＨ）にある場合には、不揮発性メモリ２３に対して、ホスト装置１０からのコマンドに応じた通常のアクセス処理を行う。
メモリコントローラ３０は、不揮発性メモリ２３にＩＤ転送を要求し、ＩＤ要求に対する応答がない場合であって、温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定した第１の閾値ＶＴＨＬ（たとえば５°Ｃ）より低い場合、次の処理を行う。
メモリコントローラ３０は、少なくとも不揮発性メモリ２３の温度を上げるように温度上昇制御を行って、不揮発性メモリ２３に対してＩＤ転送を再要求する。
メモリコントローラ３０は、再要求に対して応答がある場合であって、温度上昇制御により温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定された仕様範囲内（ＴＶＨＬ≦Ｔ≦ＴＶＨＨ）にある場合には、不揮発性メモリ２３に対して通常のアクセス処理を行う。
【００３３】
メモリコントローラ３０は、アクセス処理の抑制制御においては、不揮発性メモリ２３側のキャパシタの容量不足を考慮して、所定期間アクセス速度を下げて書き込みや読み出しを行う。あるいは、メモリコントローラ３０は、アクセス処理の抑制制御において、所定期間アクセス処理に対応しない。
【００３４】
メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、たとえば不揮発性メモリ２３に接続されている電源ラインＶＬＮまたは信号ラインＳＬＮを通して電流が流れるように制御する。
メモリコントローラ３０は、たとえば８ビットある信号ラインＳＬＮのすべてあるいは複数ラインの３Ｖ等の固定電位に設定して不揮発性メモリ２３に電流が流れるように制御し、その消費電力により自己発熱させて、不揮発性メモリ２３自体を温度上昇させる。
また、メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、上記した発熱体２６の駆動信号ＤＲＶをハイレベルに設定して駆動し、外的に不揮発性メモリ２３を温度上昇させる。
また、メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、不揮発性メモリ２３の所定のブロックに対して、昇圧回路２３１による昇圧電圧での消去を行う。
消去動作は、書き込みや読み出し動作により消費電力が大きく、発熱量も大きく温度上昇も見込める。そこで、この例のように、無動作時に決められたブロックを消去することによって、不揮発性メモリ２３を温度上昇させることができる。
なお、ここで、温度上昇制御を、電源や信号ラインによる電流流し込みによる昇温、発熱体２６による昇温、消去動作による昇温について述べた。ただし、これらは単独で適用しても、これらの適宜組み合わせて、複数あるいはすべてを組み合わせて適用することも可能である。
【００３５】
メモリコントローラ３０は、温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定した第２の閾値ＶＴＨＨより高い場合、少なくとも不揮発性メモリ２３の温度を下げるように温度降下制御を行う。
メモリコントローラ３０は、温度降下制御を行った結果、温度検出部２５の検出温度Ｔがあらかじめ設定された仕様範囲内より高い場合には、エラーステータス情報を外部のホスト装置１０に出力する。
メモリコントローラ３０は、温度降下制御において、書き込み、読み込み周期を下げ、速度を下げる。これにより、消費電流が下がり、自己発熱量が下がり、その結果、不揮発性メモリ２３の温度が降下する。
このように検知温度が高い場合、メモリコントローラ３０は、書き込み速度あるいは読み込み速度を下げる。速度のパフォーマンスは、常温時には劣るが消費電力が低く、発熱を抑えた書き込みや読み込みは可能な状態である。
【００３６】
また、不揮発性メモリ２３は、温度に応じたインピーダンスを設定可能なものがあり、これらの不揮発性メモリ２３が搭載されている場合、メモリコントローラ３０は、温度検出部２５の検出温度Ｔに応じてインピーダンスの設定制御を行うことが可能である。
【００３７】
＜３．メモリ装置の温度に応じた制御動作＞
以下に、本実施形態に係るメモリ装置２０における温度に応じた制御動作の概要について説明する。
【００３８】
メモリ装置２０では、温度において下記の特性の変化が見られる。
［３．１ 温度が低い場合］
温度が低い場合、不揮発性メモリ（フラッシュメモリ）２３からの応答がなく不揮発性メモリ２３を認識できない。また、信号波形がシャープになり、キャパシタの容量が下がるため、キャパシタの容量が足らなくなる。
［３．２ 温度が高い場合］
温度が高い場合、書き込みや読み込みエラーレートが上がる。
［３．３ 温度変化］
温度の変化があると、インピーダンスが変わる。
以上より、以下にそれぞれの場合に対処する例について説明する。
【００３９】
［３．１．１ 温度が低く、不揮発性メモリが認識できないときの制御動作］
図４は、温度が低く、不揮発性メモリが認識できないときの制御動作を説明するためのフローチャートである。
【００４０】
メモリコントローラ３０は、不揮発性メモリ２３に対するデータの書き込みあるいは読み出しを行うアクセス開始時に、不揮発性メモリ２３にＩＤ（識別情報）の転送を要求する（ＳＴ１）。
メモリコントローラ３０は、ＩＤ転送要求を行って、所的期間内にＩＤ要求に対する応答があったか否かの判定を行う（ＳＴ２）。ここで応答があったとは、所定期間内に不揮発性メモリ２３からＩＤが転送され、メモリコントローラ３０が不揮発性メモリ２３を認識（確認）できたことをいう。
ステップＳＴ２において、メモリコントローラ３０は、ＩＤ要求に対する応答がないと判定した場合、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込み（ＳＴ３）、検出温度Ｔがあらかじめ設定した第１の閾値ＶＴＨＬより低いか否かを判定する（ＳＴ４）。
ステップＳＴ４において、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬにより低いと判定した場合、メモリコントローラ３０は、温度が低すぎるとして、不揮発性メモリ２３の温度を上げるように温度上昇制御を行う（ＳＴ５）。
メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、たとえば不揮発性メモリ２３に接続されている電源ラインＶＬＮまたは信号ラインＳＬＮを通して電流が流れるように制御する。
あるいは、メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、発熱体２６の駆動信号ＤＲＶをハイレベルに設定して駆動し、外的に不揮発性メモリ２３を温度上昇させる。
また、メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、不揮発性メモリ２３の所定のブロックに対して、昇圧回路２３１による昇圧電圧での消去を行う。
メモリコントローラ３０は、温度上昇制御を行って、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込み（ＳＴ６）、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬ以上で第２の閾値ＶＴＨＨ以下のあらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行う（ＳＴ７）。
ステップＳＴ７において、検出温度Ｔが仕様範囲内（ＶＴＨＬ≦Ｔ≦ＶＴＨＨ）にある場合には、メモリコントローラ３０、不揮発性メモリ２３に対してＩＤ（識別情報）の転送を再要求する（ＳＴ８）。
そして、メモリコントローラ３０は、所的期間内にＩＤ要求に対する応答があったか否かの判定を行う（ＳＴ９）。
ステップＳＴ９またはステップＳＴ２において、応答があったと判定した場合には、メモリコントローラ３０は、通常のメモリアクセス制御を行う（ＳＴ１０）。
ステップＳＴ９において、応答がないと判定した場合には、メモリコントローラ３０は、エラーとしてエラーステータス情報をホスト装置１０に送信するエラー処理を行う（ＳＴ１１）。
【００４１】
［３．１．２ 温度が低いが認識できている時、または不揮発性メモリからの応答が遅い時］
図５は、温度が低いが認識できている時、または不揮発性メモリからの応答が遅い時の制御動作を説明するためのフローチャートである。
【００４２】
メモリコントローラ３０は、不揮発性メモリ２３に対するデータの書き込みあるいは読み出しを行うアクセス開始時に、不揮発性メモリ２３にＩＤ（識別情報）の転送を要求する（ＳＴ２１）。
メモリコントローラ３０は、ＩＤ転送要求を行って、所的期間内にＩＤ要求に対する応答があったか否かの判定を行う（ＳＴ２２）。
ステップＳＴ２２において、メモリコントローラ３０は、ＩＤ要求に対する応答があったと判定した場合、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込む（ＳＴ２３）。そして、メモリコントローラ３０は、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬ以上で第２の閾値ＶＴＨＨ以下のあらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行う（ＳＴ２４）。
ステップＳＴ２４において、検出温度Ｔが仕様範囲内（ＶＴＨＬ≦Ｔ≦ＶＴＨＨ）にない場合には、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬより低いか否かを判定する（ＳＴ２５）。
ステップＳＴ２５において、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬにより低いと判定した場合、メモリコントローラ３０は、温度が低すぎるとして、不揮発性メモリ２３の温度を上げるようにアクセス処理の抑制制御（ＳＴ２６）および温度上昇制御を行う（ＳＴ２７）。そして、ステップＳＴ２４に処理に戻る。
メモリコントローラ３０は、アクセス処理の抑制制御においては、不揮発性メモリ２３側のキャパシタの容量不足を考慮して、所定期間アクセス速度を下げて書き込みや読み出しを行う。あるいは、メモリコントローラ３０は、アクセス処理の抑制制御において、所定期間アクセス処理に対応しない。
また、メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、たとえば不揮発性メモリ２３に接続されている電源ラインＶＬＮまたは信号ラインＳＬＮを通して電流が流れるように制御する。
あるいは、メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、発熱体２６の駆動信号ＤＲＶをハイレベルに設定して駆動し、外的に不揮発性メモリ２３を温度上昇させる。
また、メモリコントローラ３０は、温度上昇制御において、不揮発性メモリ２３の所定のブロックに対して、昇圧回路２３１による昇圧電圧での消去を行う。
メモリコントローラ３０は、アクセス抑制制御および温度上昇制御を行って、ステップＳＴ２４の処理に戻り、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬ以上で第２の閾値ＶＴＨＨ以下のあらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行う。
ステップＳＴ２４において、検出温度Ｔが仕様範囲内（ＶＴＨＬ≦Ｔ≦ＶＴＨＨ）にある場合には、メモリコントローラ３０、不揮発性メモリ２３に対し通常のアクセス制御を行う（ＳＴ２８）。
ステップＳＴ２５において、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬにより低くないと判定した場合には、たとえば高温側の制御を行う。
【００４３】
ステップＳＴ２２において、ＩＤ要求に対する応答がないと判定した場合には、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込み（ＳＴ２９）、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬより低いか否かを判定する（ＳＴ３０）。
ステップＳＴ３０において、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬにより低いと判定した場合、メモリコントローラ３０は、温度が低すぎるとして、不揮発性メモリ２３の温度を上げるように温度上昇制御を行う（ＳＴ３１）。
メモリコントローラ３０は、温度上昇制御を行って、不揮発性メモリ２３に対してＩＤ（識別情報）の転送を再要求する（ＳＴ３２）。
そして、メモリコントローラ３０は、所的期間内にＩＤ要求に対する応答があったか否かの判定を行う（ＳＴ３３）。
ステップＳＴ３３において、応答があったと判定した場合には、メモリコントローラ３０は、ステップＳＴ２４の処理に移行する。
ステップＳＴ３３において、応答がないと判定した場合には、メモリコントローラ３０は、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込む（ＳＴ３４）。そして、メモリコントローラ３０は、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬ以上に第２の閾値ＶＴＨＨ以下のあらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行う（ＳＴ３５）。
ステップＳＴ３５において、検出温度Ｔが仕様範囲内（ＶＴＨＬ≦Ｔ≦ＶＴＨＨ）にない場合には、ステップＳＴ３１の処理に移行する。ある場合には、メモリコントローラ３０は、エラーとしてエラーステータス情報をホスト装置１０に送信するエラー処理を行う（ＳＴ３６）。
【００４４】
［３．２ 温度が高く、発熱を抑えたい時および温度が高すぎる時］
図６は、温度が高く、発熱を抑えたい時および温度が高すぎる時の制御動作を説明するためのフローチャートである。
【００４５】
たとえば、通常のアクセス処理を行っているときに（ＳＴ４１）、所定の周期で設定された監視時間ＭＴになると（ＳＴ４２）、メモリコントローラ３０は、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込む（ＳＴ４３）。そして、メモリコントローラ３０は、検出温度Ｔが第２の閾値ＶＴＨＨより高いか否かを判定する（ＳＴ４４）。
ステップＳＴ４４において、検出温度Ｔが第２の閾値ＶＴＨＨにより高いと判定した場合、メモリコントローラ３０は、温度が高いとして、不揮発性メモリ２３の温度を下げるように温度降下制御を行う（ＳＴ４５）。
メモリコントローラ３０は、温度降下制御において、書き込み、読み込み周期を下げ、速度を下げる。これにより、消費電流が下がり、自己発熱量が下がり、その結果、不揮発性メモリ２３の温度が降下する。
このように検知温度が高い場合、メモリコントローラ３０は、書き込み速度あるいは読み込み速度を下げる。速度のパフォーマンスは、常温時には劣るが消費電力が低く、発熱を抑えた書き込みや読み込みは可能な状態である。
メモリコントローラ３０は、温度降下制御を行って、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込む（ＳＴ４６）。そして、メモリコントローラ３０は、検出温度Ｔが第１の閾値ＶＴＨＬ以上に第２の閾値ＶＴＨＨ以下のあらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行う（ＳＴ４７）。
ステップＳＴ４７おいて、検出温度Ｔが仕様範囲内（ＶＴＨＬ≦Ｔ≦ＶＴＨＨ）にある場合には、メモリコントローラ３０は、通常のアクセス処理を行う（ＳＴ４８）。
ステップＳＴ４７において、検出温度Ｔが仕様範囲内（ＶＴＨＬ≦Ｔ≦ＶＴＨＨ）にない場合には、次の処理を行う。
メモリコントローラ３０は、温度が高すぎて温度降下制御によっても温度仕様範囲内に下がらないとしてエラーとしてエラーステータス情報をホスト装置１０に送信するエラー処理を行う（ＳＴ４９）。
【００４６】
［３．３ 温度変化に対するインピーダンス追従］
図７は、温度変化に対するインピーダンス追従処理を説明するためのフローチャートである。
【００４７】
たとえば、通常のアクセス処理を行っているときに（ＳＴ５１）、所定の周期で設定された監視時間ＭＴになると（ＳＴ５２）、メモリコントローラ３０は、温度検出部２５の検出温度Ｔを読み込む（ＳＴ５３）。
メモリコントローラ３０は、制御信号ＣＴＬを不揮発性メモリ２３に出力し、検出温度に適したインピーダンス設定を行うように制御する（ＳＴ５４）。
そして、通常のアクセス処理として書き込みまたは読み込みを行う（ＳＴ５５）。
【００４８】
以上の各処理を導入することにより、メモリ装置２０は、フラッシュメモリの温度仕様範囲外の温度仕様を持つことが可能となる。
また、温度仕様範囲が狭いとフラッシュメモリは安価な場合が多く、それを搭載した部品コストが低く、かつ、広範囲な温度仕様のメモリデバイスが実現でき、品質の向上が見込める。
【００４９】
なお、低温で反応がなくなるフラッシュメモリ（Intel製29F32G08AAME1）が存在する。
このメモリデバイスは、−５°Ｃで保存し、デバイスの電源をオンにすると、フラッシュメモリから反応がない（ＩＤの応答ない）ことが判明した。その後５分間電源オンにしたまま放置するとフラッシュメモリからの反応があった（ＩＤの応答があった）。
０°Ｃでも、上記と同様であった。＋５°Ｃ以上の環境だと、最初からフラッシュメモリからの反応はあった。
以上より、Intel製29F32G08AAME1において、温度が低いと反応がなくなり、その場合、温めることにより、反応は復活することが判明した。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
本実施形態のメモリ装置２０は、メモリ装置２０は、メモリデバイス上にサーミスタ素子（チップ温度素子）等の温度検出部を搭載し、メモリコントローラが温度を検知し、検知温度に応じた制御を行う機能を有している。
メモリ装置２０は、検知した温度が第１の閾値ＶＴＨＬ（たとえば５°Ｃ）より低く動作範囲外であれば、速度を落とす、温度が上がるまで待つ、若しくは、温度を上げる動作を行う。また、メモリ装置２０は、検出した温度が第２の閾値ＶＴＨＨ（たとえば６０°Ｃ）より高いときは、高速動作を遅くすることで、消費電力を下げ、発熱を抑える等の動作を行う。
以上より、本実施形態によれば、フラッシュメモリの温度仕様よりも広い温度仕様のメモリデバイスの設計が可能となっている。
また、このことにより、本実施形態によれば、特別な温度範囲が広い高価なフラッシュメモリを使わずに、温度保証範囲が狭い安価な汎用品フラッシュメモリを用いた広範囲な温度保証のメモリデバイスを実現でき、ひいては品質の向上を図ることができる。
【００５１】
上述した本実施形態に限らず、本技術の要旨を逸脱しない限り、適宜、変更しうることはいうまでもない。
【００５２】
また、以上詳細に説明した方法は、上記手順に応じたプログラムとして形成し、ＣＰＵ等のコンピュータで実行するように構成することも可能である。
また、このようなプログラムは、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、フロッピー（登録商標）ディスク等の記録媒体、この記録媒体をセットしたコンピュータによりアクセスし上記プログラムを実行するように構成可能である。
【００５３】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）データを記憶する不揮発性メモリと、
上記不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、
メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
メモリ装置。
（２）上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、アクセス処理の抑制制御を行って、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
上記（１）記載のメモリ装置。
（３）上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求し、応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
上記（２）記載のメモリ装置。
（４）上記メモリコントローラは、
上記アクセス処理の抑制制御において、所定期間アクセス速度を下げて、または所定期間アクセス処理に対応しない
上記（２）または（３）記載のメモリ装置。
（５）上記メモリコントローラは、
上記温度上昇制御において、上記不揮発性メモリに接続されている電源ラインまたは信号ラインを通して電流が流れるように制御する
上記（１）から（４）のいずれか一に記載のメモリ装置。
（６）少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上昇可能に配置された発熱体を有し、
上記メモリコントローラは、
上記温度上昇制御において、上記発熱体を駆動する
上記（１）から（５）のいずれか一に記載のメモリ装置。
（７）上記不揮発性メモリは、
昇圧回路を含み、
ブロック単位にデータの消去が行われ、ブロックに対してブロック単位より小さい、ページ単位でデータの書き込みおよび読み出しが行われ、
上記消去は、上記昇圧回路による昇圧電圧により行われ、
上記メモリコントローラは、
上記温度上昇制御において、所定のブロックに対する消去を行う
上記（１）から（６）のいずれか一に記載のメモリ装置。
（８）上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第２の閾値より高い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を下げるように温度降下制御を行う
上記（１）から（７）のいずれか一に記載のメモリ装置。
（９）上記メモリコントローラは、
上記温度降下制御を行った結果、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内より高い場合には、エラー情報を外部に出力する
上記（８）記載のメモリ装置。
（１０）少なくとも上記不揮発性メモリは、温度に応じたインピーダンスを設定可能で、
上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度に応じて上記インピーダンスの設定制御を行う、
または、不揮発性メモリへの信号線の電流駆動能力の制御を行う、
上記（１）から（９）のいずれか一に記載のメモリ装置。
【００５４】
（１１）メモリ装置と、
上記メモリ装置に対するアクセス制御を行うホスト装置と、を有し、
上記メモリ装置は、
データを記憶する不揮発性メモリと、
上記不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、
メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
情報処理システム。
（１２）上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、アクセス処理の抑制制御を行って、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
上記（１１）記載の情報処理システム。
（１３）上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求し、応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
上記（１２）記載の情報処理システム。
（１４）上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第２の閾値より高い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を下げるように温度降下制御を行う
上記（１１）から（１３）のいずれか一記載の情報処理システム。
（１５）少なくとも上記不揮発性メモリは、温度に応じたインピーダンスを設定可能で、
上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度に応じて上記インピーダンスの設定制御を行う、
または、不揮発性メモリへの信号線の電流駆動能力の制御を行う、
上記（１１）から（１４）のいずれか一に記載の情報処理システム。
【００５５】
（１６）データを記憶する不揮発性メモリに対してアクセスを行うアクセス制御ステップと、
メモリ装置の温度を温度検出部で検出する温度検出ステップと、を有し、
上記アクセス制御ステップでは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出ステップにおける温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
メモリ制御方法。
（１７）上記アクセス制御ステップでは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がある場合、上記温度検出ステップにおける温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、
低い場合、アクセス処理の抑制制御を行って、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、
仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
上記（１６）のメモリ制御方法。
（１８）上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低いか否かを判定し、
低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求し、
応答がある場合には、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かを判定し、
仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
上記（１７）記載のメモリ制御方法。
（１９）データを記憶する不揮発性メモリに対してアクセスを行うアクセス制御処理と、
メモリ装置の温度を温度検出部で検出する温度検出処理と、を有し、
上記アクセス制御処理では、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出処理における温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、
低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、
仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
メモリ制御処理をコンピュータに実行させるプログラム。
【符号の説明】
【００５６】
２０・・・メモリ装置、２１・・・制御部、２２・・・メモリ、２３・・・不揮発性メモリ、２４・・・ホストＩ／Ｆ、２５・・・温度検出部、２８、発熱体、３０・・・メモリコントローラ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶する不揮発性メモリと、
上記不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、
メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
メモリ装置。
【請求項２】
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、アクセス処理の抑制制御を行って、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
請求項１記載のメモリ装置。
【請求項３】
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求し、応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
請求項２記載のメモリ装置。
【請求項４】
上記メモリコントローラは、
上記アクセス処理の抑制制御において、所定期間アクセス速度を下げて、または所定期間アクセス処理に対応しない
請求項２記載のメモリ装置。
【請求項５】
上記メモリコントローラは、
上記温度上昇制御において、上記不揮発性メモリに接続されている電源ラインまたは信号ラインを通して電流が流れるように制御する
請求項１記載のメモリ装置。
【請求項６】
少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上昇可能に配置された発熱体を有し、
上記メモリコントローラは、
上記温度上昇制御において、上記発熱体を駆動する
請求項１記載のメモリ装置。
【請求項７】
上記不揮発性メモリは、
昇圧回路を含み、
ブロック単位にデータの消去が行われ、ブロックに対してブロック単位より小さい、ページ単位でデータの書き込みおよび読み出しが行われ、
上記消去は、上記昇圧回路による昇圧電圧により行われ、
上記メモリコントローラは、
上記温度上昇制御において、所定のブロックに対する消去を行う
請求項１記載のメモリ装置。
【請求項８】
上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第２の閾値より高い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を下げるように温度降下制御を行う
請求項１記載のメモリ装置。
【請求項９】
上記メモリコントローラは、
上記温度降下制御を行った結果、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内より高い場合には、エラー情報を外部に出力する
請求項８記載のメモリ装置。
【請求項１０】
少なくとも上記不揮発性メモリは、温度に応じたインピーダンスを設定可能で、
上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度に応じて上記インピーダンスの設定制御、または、不揮発性メモリへの信号線の電流駆動能力制御を行う
請求項１記載のメモリ装置。
【請求項１１】
メモリ装置と、
上記メモリ装置に対するアクセス制御を行うホスト装置と、を有し、
上記メモリ装置は、
データを記憶する不揮発性メモリと、
上記不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、
メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
情報処理システム。
【請求項１２】
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、アクセス処理の抑制制御を行って、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
請求項１１記載の情報処理システム。
【請求項１３】
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求し、応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
請求項１２記載の情報処理システム。
【請求項１４】
上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第２の閾値より高い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を下げるように温度降下制御を行う
請求項１１記載の情報処理システム。
【請求項１５】
少なくとも上記不揮発性メモリは、温度に応じたインピーダンスを設定可能で、
上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度に応じて上記インピーダンスの設定制御を行う、または、不揮発性メモリへの信号線の電流駆動能力制御を行う
請求項１１記載の情報処理システム。
【請求項１６】
データを記憶する不揮発性メモリに対してアクセスを行うアクセス制御ステップと、
メモリ装置の温度を温度検出部で検出する温度検出ステップと、を有し、
上記アクセス制御ステップでは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出ステップにおける温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
メモリ制御方法。
【請求項１７】
上記アクセス制御ステップでは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がある場合、上記温度検出ステップにおける温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、
低い場合、アクセス処理の抑制制御を行って、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、
仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
請求項１６記載のメモリ制御方法。
【請求項１８】
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低いか否かを判定し、
低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求し、
応答がある場合には、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かを判定し、
仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
請求項１７記載のメモリ制御方法。
【請求項１９】
データを記憶する不揮発性メモリに対してアクセスを行うアクセス制御処理と、
メモリ装置の温度を温度検出部で検出する温度検出処理と、を有し、
上記アクセス制御処理では、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出処理における温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、
低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、
仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
メモリ制御処理をコンピュータに実行させるプログラム。
【請求項１】
データを記憶する不揮発性メモリと、
上記不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、
メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
メモリ装置。
【請求項２】
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、アクセス処理の抑制制御を行って、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
請求項１記載のメモリ装置。
【請求項３】
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求し、応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
請求項２記載のメモリ装置。
【請求項４】
上記メモリコントローラは、
上記アクセス処理の抑制制御において、所定期間アクセス速度を下げて、または所定期間アクセス処理に対応しない
請求項２記載のメモリ装置。
【請求項５】
上記メモリコントローラは、
上記温度上昇制御において、上記不揮発性メモリに接続されている電源ラインまたは信号ラインを通して電流が流れるように制御する
請求項１記載のメモリ装置。
【請求項６】
少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上昇可能に配置された発熱体を有し、
上記メモリコントローラは、
上記温度上昇制御において、上記発熱体を駆動する
請求項１記載のメモリ装置。
【請求項７】
上記不揮発性メモリは、
昇圧回路を含み、
ブロック単位にデータの消去が行われ、ブロックに対してブロック単位より小さい、ページ単位でデータの書き込みおよび読み出しが行われ、
上記消去は、上記昇圧回路による昇圧電圧により行われ、
上記メモリコントローラは、
上記温度上昇制御において、所定のブロックに対する消去を行う
請求項１記載のメモリ装置。
【請求項８】
上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第２の閾値より高い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を下げるように温度降下制御を行う
請求項１記載のメモリ装置。
【請求項９】
上記メモリコントローラは、
上記温度降下制御を行った結果、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内より高い場合には、エラー情報を外部に出力する
請求項８記載のメモリ装置。
【請求項１０】
少なくとも上記不揮発性メモリは、温度に応じたインピーダンスを設定可能で、
上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度に応じて上記インピーダンスの設定制御、または、不揮発性メモリへの信号線の電流駆動能力制御を行う
請求項１記載のメモリ装置。
【請求項１１】
メモリ装置と、
上記メモリ装置に対するアクセス制御を行うホスト装置と、を有し、
上記メモリ装置は、
データを記憶する不揮発性メモリと、
上記不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、
メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
情報処理システム。
【請求項１２】
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、アクセス処理の抑制制御を行って、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
請求項１１記載の情報処理システム。
【請求項１３】
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、当該要求に対する応答がない場合であって、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求し、応答がある場合であって、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
請求項１２記載の情報処理システム。
【請求項１４】
上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第２の閾値より高い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を下げるように温度降下制御を行う
請求項１１記載の情報処理システム。
【請求項１５】
少なくとも上記不揮発性メモリは、温度に応じたインピーダンスを設定可能で、
上記メモリコントローラは、
上記温度検出部の検出温度に応じて上記インピーダンスの設定制御を行う、または、不揮発性メモリへの信号線の電流駆動能力制御を行う
請求項１１記載の情報処理システム。
【請求項１６】
データを記憶する不揮発性メモリに対してアクセスを行うアクセス制御ステップと、
メモリ装置の温度を温度検出部で検出する温度検出ステップと、を有し、
上記アクセス制御ステップでは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出ステップにおける温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
メモリ制御方法。
【請求項１７】
上記アクセス制御ステップでは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がある場合、上記温度検出ステップにおける温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、
低い場合、アクセス処理の抑制制御を行って、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、
仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
請求項１６記載のメモリ制御方法。
【請求項１８】
上記メモリコントローラは、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出部の検出温度が上記第１の閾値より低いか否かを判定し、
低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求し、
応答がある場合には、上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かを判定し、
仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して通常のアクセス処理を行う
請求項１７記載のメモリ制御方法。
【請求項１９】
データを記憶する不揮発性メモリに対してアクセスを行うアクセス制御処理と、
メモリ装置の温度を温度検出部で検出する温度検出処理と、を有し、
上記アクセス制御処理では、
上記不揮発性メモリに対するアクセス開始時に、当該不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、
当該要求に対する応答がない場合、上記温度検出処理における温度検出部の検出温度があらかじめ設定した第１の閾値より低いか否かを判定し、
低い場合、少なくとも上記不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、
温度上昇制御により上記温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にあるか否かの判定を行い、
仕様範囲内にある場合には、上記不揮発性メモリに対して上記識別情報の転送を再要求する
メモリ制御処理をコンピュータに実行させるプログラム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−１９４８９７（Ｐ２０１２−１９４８９７Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５９５８３（Ｐ２０１１−５９５８３）
【出願日】平成２３年３月１７日（２０１１．３．１７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１７日（２０１１．３．１７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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