【課題】パイプライン処理を行うプロセッサの性能への影響が少ないソフトエラー訂正方式を実現する。
【解決手段】データアレイ４３は、データとパリティビットを記憶し、チェックビットアレイ４６は当該データのＥＣＣビットを記憶する。パリティチェック部４４は、プロセッサ１からリード要求により、リード対象データとそのパリティビットをデータアレイ４３から取得し、パリティビットを用いてリード対象データのパリティチェックを行う。データ誤りを検出した場合は、プロセッサ１に対してパイプラインストールを指示するストール指示信号を出力する。誤り訂正部４７は、パイプラインストール中に、リード対象データのＥＣＣビットをチェックビットアレイ４６から取得し、ＥＣＣビットを用いてリード対象データの誤り訂正を行い、誤り訂正後のリード対象データと、パイプラインストールの解除を指示するストール解除信号とをプロセッサ１に出力する。 （もっと読む）

【課題】リード／ライトの高速化が図れるメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリシステムは、電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型ＥＥＰＲＯＭからなる第１のメモリ１３−１，…，１３−ｎと、強誘電体メモリ，磁気抵抗メモリ，及び相変化メモリの何れかからなり、第１のメモリよりも小容量で書き込み速度の速い第２のメモリ１４と、第１及び第２のメモリ１３，１４を制御するコントロール回路１５と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有する。第１のメモリ１３にはデータを記憶し、第２のメモリ１４にはデータを記憶するためのルート情報、ディレクトリ情報、データのファイル名称、データのファイルサイズ、データの記憶箇所を記憶するファイルアロケーションテーブル情報、及びデータの書き込み終了時間の少なくとも一つを記憶する。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリ装置の種類に関わらず、統一的なアクセス方法によって書き換え回数を取得することができる半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】情報を記憶する半導体メモリ装置１１０であって、当該半導体メモリ装置に依存するパラメタを有する所定のファイルシステムによって管理されたフラッシュメモリ１４０と、フラッシュメモリ１４０の書き換え回数を記憶する書き換え回数記憶部１５６と、フラッシュメモリ１４０に書き換え回数と対応付けられた第１の識別情報が前記パラメタとして記憶されているか否かを検出するＩＤ検出部１５２と、ＩＤ検出部１５２によって第１の識別情報が記憶されていることが検出された場合に、書き換え回数記憶部１５６に記憶されている書き換え回を第１の識別情報に対応する記憶領域に反映する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】ブロック管理システムを伴う不揮発性メモリにおいて、制御データなどの重要なデータが、複製されて保持される。多状態メモリにおける重要なデータの２つのコピーをエラーに対して強いように書き込みおよび読み出す。
【解決手段】重要なデータは、複製にして保持しておけば、信頼性のレベルが上がることが保証される。メモリセルの同一のセットのマルチビットを順次にプログラムするための２パスプログラミング手法を使用する多状態メモリシステムについて、第１のパスによって確立されたデータが第２のパスにおけるいかなるプログラミングエラーによっても破損されないように、複製が行われる。また、複製は、書き込みの異常終了の検出、誤検出の検出の助けとなり、信頼性のレベルが向上する。 （もっと読む）

【課題】メモリに対する書き込みの成否を加味して書き込み可否を判定することのできる電子制御装置を得る。
【解決手段】本発明に係る電子制御装置は、不揮発性メモリに対する前回のデータ書込が失敗している場合、書込上限回数に達していても、書き込みを許可する。 （もっと読む）

【課題】記憶手段に記憶されたデータの一部に不具合が発生しても、信頼性の高いデータを取得できる情報処理方法を提供する。
【解決手段】記憶部にデータを書き込むとともに、記憶部からデータを読み出して処理する情報処理方法。記憶部にデータを書き込む際、異なる３以上の記憶領域に同じデータを書き込み、記憶部からデータを読み出す際、各記憶領域からデータをそれぞれ読み出し、これらのデータを比較して一致するデータを高信頼性データ（確定データ）として出力する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性ＲＡＭのＲＯＭ領域に対する意図しないデータの書き込みを防止すると共に、ＲＯＭ領域におけるデータを必要に応じて更新できるようにすること。
【解決手段】許可信号が入力されている間、ＲＯＭ領域１２へのデータの書き込みが許可されるため、このタイミングで実際にＲＯＭ領域１２への書き込みを発生させることにより、ＣＰＵ２０による処理に際して読み出すべきプログラムなどを必要に応じて更新できる。そして、許可信号の入力が終了した際に、それが意図的に入力したものであったのか否かに拘わらず、レジスタ３２に格納されているアドレス情報を初期値に更新する。これにより、ノイズの影響でレジスタ３２のアドレス情報が書き換えられた場合であっても、これを初期値に戻すことができるため、以降、ＲＯＭ領域１２への意図しないデータの書き込みが行われてしまうことを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＥＣＵ単体のコスト増加を抑制しつつ、バックアップデータの冗長性を向上させることができる車両用データ記憶装置を提供することにある。
【解決手段】第１のＥＣＵ１００は、データを一時的に記憶する第１のＲＡＭ１４０と、バックアップデータを記憶する不揮発性メモリからなる第１のデータ記憶部１５０を備える。データ送受信処理部１２０Ｂは、第１のＥＣＵ１００におけるバックアップデータをネットワークを介して第２のＥＣＵ２００に送信し、また、第２のＥＣＵ２００からバックアップデータをネットワークを介して受信する。第２のＥＣＵ２００のデータ返信処理部２２０Ｃは、データ送受信処理部１２Ｂからのバックアップデータを第２のデータ記憶部２５０に記憶し、また、第２のデータ記憶部２５０に記憶された第１のＥＣＵ１００のバックアップデータをネットワークを介して第１のＥＣＵ１００に返信する。 （もっと読む）

【課題】ＥＥＰＲＯＭエミュレーション時のエミュレーション書き込み単位（データ群）を構成するデータ数が各データ群で共通（固定値）にしなくてはならなかった。
【解決手段】本発明は、第１のデータをフラッシュメモリ４に書き込むときには、第１のデータを識別するための第１の付加ビットを書き込み、第２のデータをフラッシュメモリ４に書き込むときには、第２のデータを識別するための第１の付加ビットとは異なる第２の付加ビットを書き込む、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 不揮発メモリを備えた端末装置で、不揮発メモリを脱着する場合でも、不揮発メモリの再書き込みを行う最適な時期を検出し、再書き込みを行う手段を提供する。
【解決手段】 端末装置は、装置内部の温度を検出し、検出した温度に応じて割り込み信号を出力する高温検出カウンタ回路を備え、不揮発メモリのブロックの管理領域には、データが書き込まれた時、及び装置が停止される直前のシステム時間とストレス加速時間とが記録され、装置が再起動される時には、装置が停止される直前のストレス加速時間から継続してストレス加速時間をカウントすることで、不揮発メモリを脱着する場合でも、不揮発メモリの再書き込みを行う最適な時期を検出し、再書き込みすることができる。 （もっと読む）

【課題】消去を許さないパラメタ装置依存パラメタを有するファイルシステムにおいても、ウェアレベリングのために論物変換テーブルの初期化を行えるようにする。
【解決手段】半導体メモリ装置１１０は、フラッシュメモリ１４０を管理しているファイルシステムがユーザ独自に利用可能な装置依存パラメタ領域を有するかを判断するＩＤ検出手段１５２と、フラッシュメモリ１４０の物理アドレスと外部からアクセスする際の論理アドレスとを対応づける論物変換テーブルを初期化するテーブル初期化手段１５４とを含むメモリ情報管理手段１５０と、を具備し、テーブル初期化手段１５４による論物変換テーブルの初期化前に、フラッシュメモリ１４０上の装置依存パラメタを取得してカード依存パラメタ記憶手段１５５に記録し、論物変換テーブルの初期化後に、カード依存パラメタ記憶手段１５５中の装置依存パラメタをフラッシュメモリ１４０に書き込む。 （もっと読む）

【課題】複数サーバで構成されるNUMA（Non-Uniform Memory Access）構成やSMP（Symmetric Multi Processing）構成では、ひとつのLPARが使用するメモリ領域が複数サーバのDIMMに分散されることがあり、CPUのメモリアクセスにおいて性能を低下させていた。
【解決手段】 ハイパバイザが、ローカルメモリとリモートメモリとＣＰＵとの配置関係を管理するメモリモジュール配置情報に基づき、各仮想計算機に割当てたＣＰＵと各仮想計算機に割当てたメモリモジュールとの配置関係を検知する。仮想計算機に割当てられたＣＰＵにとってリモートメモリとなる仮想計算機を停止し、停止させた仮想計算機に割当てられていたリモートメモリとなるメモリモジュールに記憶されている情報を、ローカルメモリに移動させる。 （もっと読む）

【課題】構成機器に生じたエラーを適切に推定してエラー処理を行うこと。
【解決手段】ＣＰＵ、メモリその他の複数の構成機器を備えるマイクロコンピュータであって、レジスタと、該レジスタに書き込まれるデータと同一のデータが書き込まれるＭＲＡＭと、前記レジスタ及び前記ＭＲＡＭから定期的に出力されるデータを比較して比較結果を出力する比較手段と、を有する一以上のバックアップ機能付き記憶装置を備え、前記バックアップ機能付き記憶装置の比較手段が出力する比較結果が、前記レジスタ及び前記ＭＲＡＭから出力されたデータが異なるものであったことを示す場合に、前記複数の構成機器のいずれか又は全部にエラーが生じたと推定して所定のエラー処理を行うことを特徴とする、マイクロコンピュータ。 （もっと読む）

【課題】データの更新頻度を考慮して、データを合理的に分散して書き込むことにより長寿命化を図る。
【解決手段】ＳＳＤ（Solid State Device）１にデータを書き込む際に、ホスト装置１００が当該データに関する更新頻度情報をＳＳＤ１に通知する。ＳＳＤ１は、更新頻度値が基準値以上であれば、フラッシュメモリ７におけるデータ書換回数が所定回数未満のブロックに当該データを書き込み、更新頻度値が基準値未満であれば、フラッシュメモリ７におけるデータ書換回数が所定回数以上のブロックに当該データを書き込む。 （もっと読む）

【課題】ＮＡＮＤ型フラッシュメモリをブートデバイス用として使用しながら、ソフトの起動が遅れてしまうことがない車両用ナビゲーション装置を提供する。
【解決手段】リセットシーケン３は、バックアップ電源からの給電により起動した場合は、電源スイッチ２をオンすることによりＳＤカード７に給電し、アクセサリオン信号を受信した場合はＣＰＵ５に給電して起動する。起動したＣＰＵ５は、リセットシーケンサ３のＢＵフラグ３ｂがオフしていたときはＳＤカード７にアクセスするのを待機する待機処理を実行してからＢＵフラグ３ｂをオンすると共にＳＤカード７からＩＰＬを読取るブート処理を実行し、ＢＵフラグ３ｂがオンしていたときは待機処理を実行することなくブート処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】 高温時に特性の劣化するデバイスを備えた装置で、その装置内部が高温になった場合に、簡易な方法で、処置を行う最適な時期を検出する手段を提供する。
【解決手段】 端末装置は、装置温度を検出し、検出した温度に応じて重み付けしたストレス加速時間をストレスカウント値として積算し、ストレスカウント値が設定された値以上になったときに割り込み信号を出力する高温検出カウンタ回路と、装置の動作を制御するＣＰＵとを備え、ＣＰＵが高温検出カウンタ回路からの割り込み信号を累積カウントした累積ストレス加速時間と、タイマ回路からのシステム時間との合計値が、設定されたストレス管理時間を超えた場合に不揮発性メモリに再書き込みを行う。 （もっと読む）

【課題】不良ブロックが発生しても、新たなデータの書き込みが可能な不揮発性メモリコントローラ及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】コントローラ１０２は、ホスト機器２００からの論理アドレスに基づいて物理ブロックに対するデータの書き込み及び／又は読み出しを制御する制御部１０８と、有効論理アドレス範囲内の１箇所以上の部分領域を論理不良クラスタとし、当該論理不良クラスタの論理アドレスの情報を格納する論理不良クラスタテーブル１１２と、物理ブロックに格納されるデータの、有効論理アドレス範囲の論理アドレスと物理ブロックの物理アドレスとの対応情報を格納するアドレス変換テーブル１０９とを備え、制御部１０８は、論理不良クラスタテーブル１１２に格納された論理アドレスに対するホスト機器２００からのデータの書き込み命令を受けた場合、当該論理アドレスに対するデータの前記物理ブロックへの書き込みの反映を不可とする。 （もっと読む）

【課題】 情報処理装置において、基準時間と蓄積時間とに基づき、記憶手段への電力供給を適切に制御すること。
【解決手段】 情報処理装置が省電力モードに移行されるべき条件が成立した場合において、蓄積時間が所定の値（基準時間未満）より大きい場合は、記憶手段への電力供給を第１のタイミングで減少させ、蓄積時間が所定の値より小さい場合は、記憶手段への電力供給を第１のタイミングより遅い第２のタイミングで減少させる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリへのアプリケーションデータのバックアップにおいて、フラッシュメモリ上のデータ管理をファイル形式でなくアドレス形式にした場合、バックアップ処理の管理が複雑であり、アプリケーションの変更に対し、冗長性が乏しい。
【解決手段】アプリケーションデータのＲＡＭ上でのアドレス１とフラッシュメモリ上のバックアップデータ４を対応付けるデータベース２を構築し、一変数に対してひとつの変数ＩＤを設ける。また、アプリケーションの変更に対応するためにバックアップデータから変数ＩＤを再構築する手段と変数ＩＤがアプリケーションに依存しないように変数を登録する手段とを用いている。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリのデータの保持期間を延ばし、また、フラッシュメモリのブロックの消去回数を減らして、フラッシュメモリの寿命を延ばす事のできるメモリ制御装置を提供する。
【解決手段】データを格納する不揮発性の記憶部と、前記記憶部と前記プロセッサに電力を供給する電源部と、前記記憶部に前記データが書き込まれたデータの更新日時を記憶する更新日時記憶部と、日時を刻む時計部と、を備え前記電源部が前記電力供給を停止する場合で、かつ前記時計部の日時と前記更新日時記憶部の日時との差が所定の閾値を超えた場合、前記データを前記記憶部に書き込み、その後に、前記電力供給を停止する電子機器、を備えた構成を有することで、無停電状態における記憶部のデータ保持期間を延ばす事ができる。 （もっと読む）