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Fターム[5B018KA15]の内容

記憶装置の信頼性向上技術 (13,264) | エラー処理 (1,086) | 障害回復 (704) | 障害領域の非選択 (78)

Fターム[5B018KA15]に分類される特許

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【課題】記憶部に半導体メモリを利用する情報記憶装置において、情報の記憶に利用できない記憶領域の発生を抑制すること。
【解決手段】本実施形態にかかる情報記憶装置は、半導体メモリと、管理手段と、を具備して構成される。この半導体メモリは、情報を記憶するための記憶領域を有する。また、管理手段は、半導体メモリの記憶領域のうちリードエラーの発生する回数が2以上となった記憶領域を情報の記憶の利用から除外するように管理する。 (もっと読む)


【課題】ページ閉塞されたメモリエリアアドレス空間の再使用を可能にするとともに、障害の潜在化を防止することが可能なメモリ試験装置を提供する。
【解決手段】情報処理装置の運用中にメモリに訂正可能障害の発生を検知した際に、障害が発生したメモリアドレスが含まれているメモリエリアアドレス空間を障害発生ページとして登録しておき、当該情報処理装置の次の立ち上げ時に、登録された障害発生ページに対して所定の特別なメモリ試験を実施して(ステップB105)、障害が検知された場合(ステップB106のYes)、該障害発生ページを立ち上げ後のOSが使用不可能なページ閉塞状態に設定し(ステップB107)、障害を検知したテスト情報を保持し(ステップB108)、一方、障害が検知されなかった場合(ステップB106のNo)、該障害発生ページを正常なメモリエリアアドレス空間として立ち上げ後のOSが使用可能な状態に復帰させる。 (もっと読む)


【課題】複数のフラッシュメモリダイを含むデバイス内の欠陥フラッシュメモリダイを動作不能化する製品ならびに関連する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】動作不能化されていないフラッシュメモリダイに基づくフラッシュメモリのデータ記憶容量を示すラベルを、複数のフラッシュメモリダイを含むパッケージに付すことができる。ダイレベル、パッケージレベル、および/またはボードレベルにおいて、様々な動作不能化方法を適用することができる。 (もっと読む)


【課題】複数サーバで構成されるNUMA(Non-Uniform Memory Access)構成やSMP(Symmetric Multi Processing)構成では、ひとつのLPARが使用するメモリ領域が複数サーバのDIMMに分散されることがあり、CPUのメモリアクセスにおいて性能を低下させていた。
【解決手段】 ハイパバイザが、ローカルメモリとリモートメモリとCPUとの配置関係を管理するメモリモジュール配置情報に基づき、各仮想計算機に割当てたCPUと各仮想計算機に割当てたメモリモジュールとの配置関係を検知する。仮想計算機に割当てられたCPUにとってリモートメモリとなる仮想計算機を停止し、停止させた仮想計算機に割当てられていたリモートメモリとなるメモリモジュールに記憶されている情報を、ローカルメモリに移動させる。 (もっと読む)


【課題】フラッシュメモリに対してリアルタイムデータを記録する機器において、書き込みエラーが発生したときに、書き込みを継続するための手段が、ファイルシステムとは無関係な独自形式であるため、ファイルシステムによりデータを記録するシステムには適合できない。
【解決手段】複数のアクセスユニットで構成されるメモリを有する記録装置であって、前記メモリにデータをアクセスユニット単位で記録する記録手段と、前記記録手段で前記データを前記メモリに書き込んでいるときに、書き込みエラーを検出する書き込みエラー検出手段とを備え、前記記録手段は、前記書き込みエラー検出手段で書き込みエラーが検出されたときに、ファイルの書き込みを終了する。 (もっと読む)


【課題】代替ブロックを有する記録媒体へのデータ記録において、バッファメモリのオーバーフロー等の異常の発生を防止する。
【解決手段】ブロック単位でのデータの書き込みが可能なフラッシュメモリを有し、記録領域の一部を正常なデータの書き込みができない不良ブロックの代替ブロックとして用いてデータの書き込みを行う記録媒体に、データを記録するデータ記録装置は、第1の記録モードと、第1の記録モードよりも処理するデータ量が大きい第2の記録モードとを含む複数の記録モードの一つをユーザに選択させ、選択された記録モードでデータを取得し、記録媒体に記録する。データ記録装置は、記録媒体から取得された代替ブロックの残量が閾値以下であった場合に、第1の記録モードでの記録を許可するが、第2の記録モードでの記録を禁止する。 (もっと読む)


【課題】効率良く欠陥領域を避けてデータを書き込むことが可能なデータ書き込み装置を提供すること。
【解決手段】データ書き込み装置は、データ領域と冗長領域を有する物理ブロックを含む記憶領域により構成された記憶手段と、前記物理ブロックの前記データ領域に、データが分割されたデータブロックを書き込む書き込み手段とを備え、前記書き込み手段は、第1のデータブロックを第1の物理ブロックのデータ領域である第1のデータ領域に書き込み、前記データを読み出す際に第1のデータブロックの前に読み出されるべきデータブロックである第2のデータブロックを第2の物理ブロックのデータ領域である第2のデータ領域に書き込み、前記第2の物理ブロックの冗長領域に対して前記第1の物理ブロックを指し示す情報を書き込む。 (もっと読む)


【課題】複数のエリアを有する半導体システムにおいて不使用エリアにおける消費電力を削減する。
【解決手段】内部電源発生回路70b〜70dを其々有する複数のコアチップCC0〜CC7と、コアチップCC0〜CC7を制御するインターフェースチップIFと、を備えた半導体システムであって、前記インターフェースチップIFはコアチップCC0〜CC7の不使用チップ情報DEFを保持する不使用チップ情報保持回路33を備える。コアチップCC0〜CC7は其々対応する不使用チップ情報DEFを不使用チップ情報保持回路33から受け、該不使用チップ情報DEFが不使用状態を示すときには内部電源発生回路70b〜70dを非活性とし、使用状態を示すときには内部電源発生回路70b〜70dを活性とする。これにより、不使用チップにおける無駄な電力消費が削減される。 (もっと読む)


【課題】コントローラ側に特別な制御を要求することなく、正常な一部のコアチップだけに有効なチップ識別番号を割り当てて正常なコアチップのみを動作させる。
【解決手段】半導体装置10は、複数のコアチップCC0〜CC7及びインターフェースチップIFを備え、各コアチップCC0〜CC7は、第1のチップアドレスの値をインクリメントした第2のチップアドレスを生成する層アドレス発生回路46と、インターフェースチップIFから供給される第3のチップアドレスと第2のチップアドレスとを比較し、両者が一致した場合にチップ選択信号を活性化させる層アドレス比較回路47を備えている層アドレス発生回路は46、不使用チップ信号DEFが非活性状態である場合には、第2のチップアドレスを他のコアチップに供給し、不使用チップ信号DEFが活性状態である場合には、第1のチップアドレスをそのまま他のコアチップに供給する。 (もっと読む)


【課題】半導体記憶装置において、処理性能の向上が可能な制御技術を提供する。
【解決手段】命令解釈部60は、コマンドを解釈し、セクタアドレスを抽出する。アドレス変換テーブル記憶部70は、セクタアドレスの集合とページアドレスと管理情報とを対応付けて記憶する。特殊セクタ記憶部80は、特殊セクタアドレスを記憶する。アドレス変換テーブル管理部61は、コマンドがデータのアクセスを要求する場合、セクタアドレスを用いてアドレス変換テーブル記憶部70の管理情報を参照して、ページ内に特殊セクタがあるか否かを判定する。判定結果が否定的であれば、アクセス制御部64は、フラッシュメモリ素子にアクセスし、判定結果が肯定的であれば、特殊セクタ管理部62は、セクタアドレスが特殊セクタアドレスとして特殊セクタ記憶部80に記憶されているか否かを判定し、判定結果に応じて、特殊応答データ作成部63は、応答データを作成する。 (もっと読む)


データストレージデバイスは、第1のメモリボード及び第2のメモリボードを含むことができ、第1のメモリボード及び第2のメモリボードは各々、複数のメモリチップを備える。データストレージデバイスは、第1のメモリボード及び第2のメモリボードに機能的に接続するように配置され構成されるコントローラボードを含むことができ、コントローラボードは、高速インターフェイスと、高速インターフェイスを使用してホストからコマンドを受信し、コマンドを実行するように配置され構成されるコントローラとを含み、第1のメモリボード及び第2のメモリボードは各々、コントローラボードから別個に取り外し可能である。 (もっと読む)


【課題】記憶装置の良好ブロックをより有効に利用すること。
【解決手段】記憶領域を複数のメモリブロックに区切られたフラッシュメモリ14に対して、所定のメモリブロック群ごとにデータの書き込みを行うアクセス制御装置であって、メモリブロックごとに、当該メモリブロックが、データの記録が可能な良好ブロックであるか或いはデータの記録が不可能な不良ブロックであるかを示す記録可否情報を記憶し、この記録可否情報に基づき、当該メモリブロック群の良好ブロックに対してのみデータを書き込む。 (もっと読む)


【課題】マルチコアCPUモジュールを搭載し、メインCPU上で動作しているアプリケーション処理を中断することなく、サブCPUでメモリ診断を行う計算機システムを得る。
【解決手段】計算機システム1は、マルチコアCPUモジュール4を搭載し、メインCPU2とサブCPU3上で、それぞれ、OS1とOS2が動作し、OS1はアプリケーション11と障害対処処理を行う障害対処処理部14を動作させ、OS2は、定期的にメモリ5の診断を行うメモリ診断処理部13と、メモリ診断処理部13の診断結果を障害対処処理部14に通知する障害監視処理部12とを動作させ、障害対処処理部14は、メモリ障害の通知を受けると、計算機システム1を停止させるようにする。 (もっと読む)


積層メモリダイ及びロジックダイを含むメモリ装置及び方法が記載される。記載される方法及び装置は、積層メモリダイを再分配し、メモリマップ内に新たな区画を格納することを提供する方法及び装置を含む。選択された構成に再分配することにより、メモリ装置の残りに影響を与えることなく、メモリの部分を利用から除外することができる。追加の装置、システム、及び方法が開示される。 (もっと読む)


【課題】DRAMアクセス時にエラーが発生する頻度を可及的に低減したメモリシステムを提供する。
【解決手段】不揮発性の第1メモリ2と、揮発性の第2メモリ4と、第2メモリ4を介してホスト装置と第1メモリ2との間でデータ転送を行う転送コントローラ3と、を備え、転送コントローラ3は、第2のメモリ4の記憶領域を複数に分割した分割単位毎に、各分割領域に対するデータの入出力の際のパリティエラーを求め、パリティエラーの累積回数をカウントするエラーカウント手段14、15と、エラーカウント手段によるカウント値が所定の回数を越える分割領域を使用不可状態とする手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、メモリにおいて後発欠陥が発生したとしても、多くのブロックに渡って論物変換の対応関係を変更する必要がないメモリシステムを提供する。
【解決手段】本発明に係るメモリシステムは、ユーザ情報を記憶するために設けられ、互いに重複しない第1物理アドレスが個々に割り当てられる複数の第1ブロック42と、複数の第1ブロック42のうちの初期欠陥ブロックの第1物理アドレスを個々に記憶するために設けられる複数の第2ブロック52baと、複数の第1ブロック42のうちの後発欠陥ブロックの第1物理アドレスを個々に記憶するために設けられる複数の第3ブロック52bbとを備えている。さらに、論理アドレスと、第2ブロック52baに格納される情報と、第3ブロック52bbに格納される情報とに基づいて、論理アドレスに対応する第1物理アドレスを求める演算装置50を、備えている。 (もっと読む)


【課題】仮想ブロックを形成して複数個のフラッシュメモリに並行したデータの書き込みや読み出しを行うように構成されたフラッシュメモリシステムにおいて、効率良く仮想ブロックの管理を行う。
【解決手段】仮想ブロックに含まれるいずれか1個以上の物理ブロックが不良化したときに、不良化した物理ブロックが属する仮想ブロックの使用を禁止し、使用が禁止された仮想ブロックを保留仮想ブロックとして管理する。複数個の保留仮想ブロック間で、不良化した物理ブロックと良品の物理ブロックとを交換することにより、不良化した物理ブロックが含まれていない仮想ブロックを再形成し、再形成された仮想ブロックの使用を解禁する。 (もっと読む)


【課題】物理ブロック単位で、データ保持特性のばらつきが発生した場合においても、その特性ばらつきを吸収し、データ保持性能を改善できる半導体記録装置を提供する。
【解決手段】データの書き込み時には、ECC符号を構成してフラッシュメモリの物理ブロックに書き込む。読み出しにおいて、ECC符号によるエラー訂正で、エラー訂正された数が基準数以上存在する物理ブロックを警告ブロックとし、警告ブロックテーブルに登録する。書き込み時に新規物理ブロックを抽出するときに、警告ブロックの優先順位を下げて抽出する。これにより、警告ブロックが以後の書き込みにおいて選択されることが抑制されるため、各物理ブロックのデータ保持特性劣化を平均化することができる。 (もっと読む)


【課題】不揮発性メモリが劣化した場合において、その不揮発性メモリを用いたシステムの動作を、簡易な構成により継続できるようにする。
【解決手段】半導体メモリ装置1を、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ2と、データの書き込みおよび消去等の制御を行う制御部3と、データの入出力を行うためのインターフェース4とにより構成する。不揮発性メモリ2の記憶領域を第1および第2のバンクB1,B2に分け、バンクB1の状態を表すフラグおよびバンクB1のデータブロックの正常、異常を表すフラグをバンクB2に、バンクB2の状態を表すフラグおよびバンクB2のデータブロックの正常、異常を表すフラグをバンクB1に書き込む。 (もっと読む)


【課題】 OSが切り離したページにおけるメモリパトロールで検出された障害による障害通報/通知を抑止する。
【解決手段】 訂正可能障害が発生したページに対するアクセスが、通常アクセスであるか否かを検出する検出手段と、該ページが、OSにより切り離されたものであるか否かの判定を、検出手段による検出結果にもとづいて行う切り離し判定手段と、障害が発生したことを保守部門における情報処理装置へ通報し、及び/又は、OSへ通知する報知手段とを有し、切り離し判定手段が、該障害が発生したときに、該ページがOSにより既に切り離されたページであるか否かの第一の判定を行い、該障害がメモリパトロールにより検出された障害であるか否かの第二の判定を行い、該ページがOSにより既に切り離されたページであり、かつ、該障害がメモリパトロールにより検出された障害の場合、報知手段が、障害が発生したことの通報及び通知を抑止する。 (もっと読む)


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