【課題】 ソフトウェアを格納する不揮発性メモリを有効利用することができる携帯端末装置を得る。
【解決手段】 不揮発性メモリ１２は複数のブロックに分割され、各ブロックはメイン領域とスペア領域を含む。制御部１１は、ソフトウェア更新用の差分データを基にブロック単位でソフトウェアの書き換えを行う際、メモリ１２内の書き換え対象ブロックが不良ブロックである場合、メモリ１２の代替領域のブロックに差分データを書き込むと共に、この代替ブロックのスペア領域に書き換え対象ブロックの論理ブロック番号を書き込む。 （もっと読む）

【課題】データバッファ上の全てのデータを、短い時間でフラッシュメモリに書き込むことが可能な記憶装置、その制御方法及びその記憶装置を用いた電子装置を提供する。
【解決手段】ホストから書き込み要求された書き込みデータを、フラッシュメモリに消去動作させることなく、フラッシュメモリに全て書き込めるか判断する書き込み判断部と、書き込み判断部により書き込めると判断された場合に、フラッシュメモリに書き込みデータを書き込む前に一時的に書き込みデータを記憶するデータバッファに、ホストから書き込み要求された書き込みデータを受信させるデータ受信制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＮＶＲＡＭを含むメモリシステム及びその磨耗度管理方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態によるＮＶＲＡＭの仮想アドレス及び物理アドレスのマッピング情報を含むページテーブルで、ページテーブルのエントリーは、ページの磨耗度を表わす寿命情報を含む。寿命情報は、ページについての残りの書き込み回数情報であり得る。各ページにデータが書き込まれる度に、書き込まれるページに対応するページテーブルエントリーに記載の寿命情報に含まれた各ページについての残りの書き込み回数情報を指示する値が減少する。 （もっと読む）

【課題】分割ブロック単位で一括消去を行ってから書込が行われる不揮発データメモリの一括消去回数を削減する。
【解決手段】各種の制御定数が格納される不揮発データメモリとして、ブロック単位で一括消去が可能なフラッシュメモリが使用され、各分割ブロックは複数のデータ格納領域に仕分けされており、どれかのデータ格納領域において空セクションが無くなると、予め一括消去された他の分割ブロックの該当データ格納領域の先頭セクションに新たなデータが書込まれ、元の分割ブロックの中の他のデータ格納領域に書込まれていた最新のデータは、新たな分割ブロックの該当データ格納領域の先頭セクションに転送格納され、一つの分割ブロックに異なるデータ格納領域を混在させ、各データ格納領域は書込み頻度に対応した複数のセクションによって構成することによって分割ブロックの個数を削減し、しかも一括消去回数を削減することができるようにした。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリに対するドライバのアクセスを保護することができるフラッシュメモリの動作保護装置及びフラッシュメモリの動作保護方法を提供する。
【解決手段】フラッシュメモリ６がデータ消去単位として持つ複数のブロック７〜１０のうち特定の１つ（本例は、Ｄブロック１０）を、ローテーションに使用しない固定ブロック１０として使用し、この固定ブロック１０に、アプリケーション１１を動作させるのに最低限必要な初期動作情報として製品固有値１４や初期値１５を保存する。そして、電源リセット等によりドライバ１３がアクセス先を見失った際には、固定ブロック１０に保存された製品固有値１４や初期値１５をローテーションブロックに書き込み、これらデータによってドライバ１３を動作させることによって、ドライバ１３を継続動作させる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリにおいてデータ消失を発生し難くすることができるフラッシュメモリのデータ消失防止装置及びフラッシュメモリのデータ消失防止方法を提供する。
【解決手段】フラッシュメモリ６の対をなす２ブロックのうちの一方を、通常のデータ書き込み時において用いるローテーションブロックとして使用し、もう一方を、ローテーションブロックと同じデータを書き込みミラーブロックとして使用する。そして、使用中のローテーションブロックに書き込みエラーが発生した際には、その後のデータ読み書きをミラーブロックにおいて実行し、書き込みエラー発生後のデータ読み書きを継続する。また、電源再投入後の初期化時、ミラーブロックに書き込んだデータ群をローテーションブロックにコピーし、ミラーを再構築する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性記憶装置の中にある不揮発性メモリの特性に起因して権利情報が読み出せなくなったのか、悪意のあるユーザーによって意図的に権利情報のデータを破壊したり、改竄を試みたりしたために権利情報が読み出せなくなったのか、区別がつかないため、正当なユーザーに対して適切な補償を行うことができないという課題がある。
【解決手段】メモリコントローラ２５では、権利情報読み出し処理を「失敗」した原因が、不揮発性メモリ２７が原因であるか判断し否かの分析処理を行い、不揮発性メモリの特性に起因して権利情報が読み出せなくなった場合を的確に検出する。そして、メモリコントローラ２５が取得した検出結果を、コンテンツ利用システム等で用いることで、不揮発性メモリの特性に起因して権利情報が読み出せなくなったのか、悪意のあるユーザーによって改竄もしくは意図的な破壊によって権利情報が読み出せなくなったのかを明確に区別することができる。 （もっと読む）

【課題】簡単に記録装置の寿命を判定できるようにする。
【解決手段】記録メディア１のコントローラ１１は、メモリ１２への書き込み系の処理が行われた場合、メモリ１２のユーザ領域の各消去ブロックからブロック属性情報を取得する。コントローラ１１は、ブロック属性情報に基づいて、ユーザ領域の各消去ブロックにおける、最大消去回数のうち現在までにデータを消去した回数の割合の相加平均であるECR、および、ユーザ領域の予備ブロックが使用されている割合であるURRを算出し、メモリ１２の寿命情報領域に記録させる。本発明は、IC記録メディアに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】ブロック単位に消去が行われる不揮発性メモリの信頼性向上を図る。
【解決手段】制御部１０は、タイマ１２，１３を用いて、フラッシュメモリ２０（不揮発性メモリ）の第１のブロックへのデータの最初の書き込みからの経過時間に周囲温度を加味した実効的なデータ保持時間を求める。ブロックの書き換え回数と実効的なデータ保持時間とに応じて当該ブロックのデータ保持保証時間を予め定めたデータ保持保証値テーブル２１を参照し、第１のブロックについて求められた実効的なデータ保持時間を、当該ブロックの書き換え回数に応じたデータ保持保証時間と比較する。この比較の結果、前記求められた実効的なデータ保持時間が当該ブロックの書き換え回数に応じたデータ保持保証時間以上となったとき、データ保持時間第１のブロックのデータを第２のブロックに書き換える。 （もっと読む）

本開示は、メモリシステムコントローラのための方法およびデバイスを含む。１つ以上の実施形態において、メモリシステムコントローラは、システムコントローラに通信可能に結合されたホストインターフェースを含む。システムコントローラは多数のメモリインターフェースを有し、多数のメモリインターフェースに通信可能に結合された複数のインテリジェント記憶ノードを制御するように構成される。システムコントローラは、物理メモリアドレスと論理メモリアドレスとの間をマップするように構成される論理、および複数のインテリジェント記憶ノードにわたるウェアレベルを管理するように構成される論理を含む。
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【課題】不揮発性半導体メモリにおける局所的な書換回数の増大による劣化を防ぐメモリシステムを提供する。
【解決手段】揮発性の第１の記憶部と、不揮発性の第２の記憶部と、コントローラと、を備え、コントローラは、特定パターンのデータが第１の記憶部に書込まれたと判定された場合に、書込まれたデータに対応する第１の管理情報に、特定パターンであることを示す特定パターン識別情報を付し、第１の記憶部に書込まれたデータを第２の記憶部に追い出す場合に、データに特定パターン識別情報が付されている場合に、データを第２の記憶部に書込む処理を行わず、データに対応する第２の管理情報に、第２の記憶部で使用されない無効なアドレス値を設定する処理を行う。 （もっと読む）

【課題】管理情報へのアクセス集中やメモリ特性の悪化に対して、メディア内で管理情報をユーザデータよりも安全に記録、保存し、データエラーを防ぐようにする。
【解決手段】ホスト装置から入力される前記ユーザデータ及び前記管理情報に対する処理内容を記述したコマンドを受信し、前記受信したコマンドがいずれに対するものであるかを判別する。その判別の結果に応じて、前記ユーザデータ及び該ユーザデータをファイルシステム上で管理するための管理情報を記憶する不揮発性メモリ手段に対する制御方式を切り換える。そして、切り換え後の制御方式に従い、前記ユーザデータ又は前記管理情報を前記不揮発性メモリ手段に記録する。 （もっと読む）

【課題】メモリに記録されるデータの種類に応じて要求される信頼度を考慮し、様々な誤り訂正符合（ＥＣＣ）方式を用いることによって、効率的なメモリ管理が可能なメモリコントローラおよびメモリ管理方法を提供すること。
【解決手段】データの種類に応じて選定された要求信頼水準に基づいて前記データに対する誤り訂正符合情報を生成し、前記ＥＣＣ情報に基づいて前記データに対するＥＣＣコードを演算した後、前記ＥＣＣコードをメモリに記録するメモリコントローラが開示される。
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【課題】殆ど書き換えが行われないデータが記憶されている物理ブロック（ＰＢ）が存在するときだけ、そのＰＢを含めたウェアー・レベリング制御が行われるようにする。
【解決手段】ＣＴＬは、ＰＢに対する新たな論理ブロック（ＬＢ）の割り当てを基にカウンタのカウント値（ＣＶ）を更新し、そのＣＶを基に決定されるカウント情報（ＣＩ）を、新たなＬＢが割り当てられたＰＢに書き込む。ＣＴＬは、ＣＶとＰＢ内のＣＩとを基に、そのＰＢ内のデータを別のＰＢに転送するか否かを判断し、肯定的な判断をしたときにはそのＰＢ内のデータを別のＰＢに転送する。但し、ＣＴＬは、肯定的な判断をした場合（ＰＢ内のＣＩを基に、殆ど書き換えが行われないデータが記憶されているＰＢであると判断した場合）であっても、そのＰＢの消去回数が所定基準回数以上の場合、否定的な判断をしてデータ転送を行わない。 （もっと読む）

【課題】メモリの利用効率がよく、破損したカウントデータを修復可能なカウントデータ記録装置を提供する。
【解決手段】Ｎ個（Ｎは、４以上の整数）の記憶領域と、カウントデータを記憶領域に書き込むデータ書込部と、カウントデータを読み出すデータ読出部と、カウントデータの破損を検出して該破損を修復するデータ修復部とを有し、データ書込部は、Ｍ個（Ｍは、３以上Ｎ未満の整数）の記憶領域を小ループ範囲に定め、該小ループの範囲の記憶領域を順に使用してカウントデータを記録し、該小ループ範囲の最後尾の記憶領域を使用してカウントデータを記録すると、該小ループ範囲を、所定の順に沿って後方へずらして小ループ範囲を変更する、ようにして、カウントデータを記憶部に記録し、データ修復部は、カウントデータをソートした被ソートカウントデータ列と該データ列の差分値列とに基づいて破損を修復するカウントデータ記録装置。 （もっと読む）

【課題】殆ど書き換えが行われないデータが記憶されている物理ブロック（ＰＢ）が存在するときだけ、そのＰＢを含めたウェアー・レベリング制御が行われるようにする。
【解決手段】ＣＴＬは、ＰＢに対する新たな論理ブロック（ＬＢ）の割り当てに基づいてカウンタのカウント値（ＣＶ）を更新し、そのカウント値を基に決定されるカウント情報（ＣＩ）を、新たなＬＢが割り当てられたＰＢに書き込む。ＣＴＬは、ＣＶとＰＢ内のＣＩとを基に、そのＰＢ内のデータを別のＰＢに転送するか否かを判断し、肯定的な判断をしたときはそのＰＢ内のデータを空きブロック検索により検出された空きブロックに転送する。但し、ＣＴＬは、肯定的な判断をした場合（殆ど書き換えが行われないデータが記憶されているＰＢであると判断した場合）であっても、データの転送先の空きブロックの消去回数が所定基準回数未満の場合、否定的な判断をしてデータ転送を行わない。 （もっと読む）

【課題】本構成を有さない場合に比べ、メモリに対する異常データの書込みに対処することができるメモリ制御装置及びメモリ制御プログラムを提供する。
【解決手段】生成した識別子をＩＤレジスタ３２に設定し、データバス３０に出力された合成データに含まれる識別子とＩＤレジスタ３２に設定されている識別子が一致する場合は、比較回路３４により出力された、ＬレベルのＷＥ信号によりＮＶＭ２０に書込データが書込まれ、記憶される。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリを構成するブロックにおいて、複数のエラーデータが検出されたブロックに記憶されたデータを、そのフラッシュメモリの別のブロックに退避することができるフラッシュディスク装置を提供する。
【解決手段】フラッシュメモリからデータを読み出すときに、フラッシュメモリを構成する複数のページを有するブロックから、ページ毎にエラーデータを検出し、最初に検出した１ビットのエラーであれば訂正し、訂正ページを記憶部に記憶させるフラッシュディスク装置であって、エラーページ情報取得手段と、ブロック複製手段と、ブロック修正手段と、を備える。そして、ブロック複製手段により、ブロックのデータを複製してフラッシュメモリの別のブロック（複製先ブロック）に記憶させる。そして、ブロック修正手段により、エラーデータを含むページを削除して、エラーデータを訂正後のページを記憶させる。 （もっと読む）

【課題】ＥＣＣによる訂正可能なビット数以上のエラー訂正を行うことを可能にする。
【解決手段】本発明によるエラー訂正方法は、記憶領域からデータを読み込んだ際、誤り訂正符号を用いてビットエラーの検出を行い、また、前記ビットエラー検出ステップにより検出されたビットエラーの場所及び正しい値の情報を含むビットエラー情報を所定の代替領域に書き込む。次に前記記憶領域からデータを読み込んだ際（ステップＳ１０１）、前記代替領域を検索して前記ビットエラー情報があると判断する場合に（ステップＳ１０２／ある）前記ビットエラー情報に基づきデータを修正する（ステップＳ１０４）。 （もっと読む）

【課題】 読み出し要求から読み出しデータを出力するまでの遅延時間の短縮化が可能な誤り検出訂正処理を利用したメモリシステムを提供する。
【解決手段】 記憶装置１０とメモリコントローラ２０と演算処理装置３１を備え、メモリコントローラ２０が、演算処理装置３１から主データの読み出し要求を受け付けると、記憶装置１０から主データ及び検査データからなる符号化データを読み出し、主データを演算処理装置３１に出力する出力処理と並行して或いはその後に、誤り検出訂正処理の内、符号化データを用いて主データの誤りを検出すると共に、訂正用データを生成して演算処理装置３１に出力する訂正予備処理を実行し、演算処理装置３１が、誤りが検出された主データについて、誤り検出訂正処理の内の訂正処理を実行するか否かを判定し、訂正処理を実行すると判定した主データに対し対応する訂正用データを用いて訂正処理を実行する。 （もっと読む）