【課題】不揮発性メモリに記憶されたデータがビット破壊しているか否かを検出する不揮発性メモリのデータ破壊検出装置を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ５は、アプリケーションの動作に使用するプログラムが書き込まれた使用アドレスとプログラムが書き込まれていない未使用アドレスとからなる。不揮発性メモリ５のデータ破壊検出装置６は、未使用アドレスに０／１の混合値と混合値の０／１が反転されたミラー値とを交互に書き込む書き込み部１１と、混合値とミラー値とを読み出してデータが破壊されているか否かを判定するデータ破壊判定部１２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリのアクセス時間とＳＤＲＡＭのアクセス時間との整合を図り、大容量フラッシュメモリを含むメモリモジュールとコントローラを提供する。
【解決手段】フラッシュメモリと、ＳＤＲＡＭと、フラッシュメモリ及びＳＤＲＡＭの夫々のアクセスを制御し、外部からのストア命令に従って、ＳＤＲＡＭに記憶されるデータをフラッシュメモリに転送するための制御回路とそれに結合された複数の入出力端子を含む。制御回路は、ストア命令に従ってＳＤＲＡＭに記憶されるデータをフラッシュメモリに転送している間に、ＳＤＲＡＭからのデータ読出し命令が入力された場合において、そのデータ転送を中断し、読み出し命令に従ってＳＤＲＡＭに記憶されるデータを外部に出力するよう制御する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の低減と、データ読み出し時間の削減とを両立することが可能なメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリシステム１０は、不揮発性メモリセル群からなりかつデータの書き込み単位であるページを複数個有するメモリセルアレイ３０と、１ページの記憶容量を有する揮発性のデータレジスタ３１とを含み、データレジスタ３１を介してメモリセルアレイ３０にページデータを書き込むＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１１と、揮発性のＲＡＭ１２と、ＲＡＭ１２の消費電力を低減するパワーセービングモードを有し、パワーセービングモードに入る前に、ＲＡＭ１２のデータをデータレジスタ３１に転送するコントローラ１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリからのそれぞれのアクセスに要求される時間を最小化する。
【解決手段】フラッシュメモリ列の異なる部分を用いて使用するためのフラッシュバス待機状態のための待機状態メモリレジスタ１３８を持つ。待機状態は、フラッシュメモリアクセスユニットが読出し動作によるデータの検索まで待機しなければならないような、フラッシュメモリバスの周期の数を指定する。異なる待機状態値は、フラッシュメモリ列の異なる品質低下の度合いを適応させるためにフラッシュメモリ列の異なる部分に設けられる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリに対してリアルタイムデータを記録する機器において、書き込みエラーが発生したときに、書き込みを継続するための手段が、ファイルシステムとは無関係な独自形式であるため、ファイルシステムによりデータを記録するシステムには適合できない。
【解決手段】複数のアクセスユニットで構成されるメモリを有する記録装置であって、前記メモリにデータをアクセスユニット単位で記録する記録手段と、前記記録手段で前記データを前記メモリに書き込んでいるときに、書き込みエラーを検出する書き込みエラー検出手段とを備え、前記記録手段は、前記書き込みエラー検出手段で書き込みエラーが検出されたときに、ファイルの書き込みを終了する。 （もっと読む）

【課題】書き込み回数、読み出し回数、消去回数のうちの少なくとも一つに上限のある不揮発性半導体メモリを効率的に使用する。
【解決手段】本発明の一例のメモリ管理装置１は、外部から接続された不揮発性半導体メモリ３２ａの所定領域毎の消去回数を含むメモリ使用情報１１を管理するメモリ使用情報管理部２２と、メモリ使用情報１１に基づき、不揮発性半導体メモリ３２ａの消去回数が、当該不揮発性半導体メモリ３２ａの消去可能上限回数に達する前に、不揮発性半導体メモリ３２ａに警告を通知する通知部３５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体記憶チップを備える半導体記憶装置において、各半導体記憶チップにおける使用可能な記憶領域の容量のばらつきに対応しながら、半導体記憶チップへの書き込み回数が増大するのを抑制しつつ、半導体記憶チップの故障に対応して信頼性を向上可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、複数の半導体記憶素子５８Ａ〜５８Ｆを備え、ホストからのデータの書き込みの要求に応じて、物理ブロックテーブルを参照して、所定の数以下のチャネルの各物理ブロックを使って論理ブロックを構成し、ページ単位の書き込み対象データと、所定の数以下の書き込み対象データを使って計算され当該所定の数以下の書き込み対象データの誤りを訂正するために使われる冗長情報とを、各々異なる半導体記憶素子５８Ａ〜５８Ｆに書き込むことによって、誤り訂正符号を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＲＯＭ診断を効率よくかつ制御演算に与える影響を抑えながら実施することのできる車載制御装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る車載制御装置は、制御プログラム外の処理が完了するのを待機する待機時間中に、読取専用メモリのうち一部の領域に対してメモリ診断を実施する。 （もっと読む）

【課題】迅速な処理でウェアレベリングを実現する記憶装置を提供すること。
【解決手段】不揮発性メモリ５２は、アドレスが付されたブロックを複数有し、当該複数のブロックに当該ブロックの数よりも少ない数のユーザデータを記憶するユーザデータ領域５２Ａと、ユーザデータ領域５２Ａへのユーザデータの記憶を制御するデータを含む管理データを記憶する管理データ領域５２Ｂとを備え、管理データ領域５２Ｂは、制御部により最も新しく記憶されたユーザデータが記憶されているユーザデータ領域５２Ａのブロックに付されているアドレスを管理データとして記憶するアドレス記憶部５２１Ｂを有し、制御部は、新たにユーザデータを記憶させる場合、アドレス記憶部５２１Ｂに記憶されたアドレスより大きいアドレスが付されたユーザデータ領域５２Ａのブロックにユーザデータを記憶させた後、当該ブロックに付されたアドレスをアドレス記憶部５２１Ｂに記憶させる。 （もっと読む）

【課題】データ書き換え回数を増加させると共に、フラッシュメモリを有効活用する。
【解決手段】フラッシュメモリ制御装置は、演算部と、フラッシュメモリとを具備している。フラッシュメモリは、複数の領域ＤＡ１〜ＤＡ３、ＰＡ１〜ＰＡ３を有している。複数の領域ＤＡ１〜ＤＡ３、ＰＡ１〜ＰＡ３は、演算部により実行されるプログラムが格納され、データの書き換えが行われないプログラム領域ＰＡ１〜ＰＡ３と、データが格納され、データの書き換えが行われるデータ領域ＤＡ１〜ＤＡ３とを含んでいる。演算部は、データ領域ＤＡ３／ＤＡ１／ＤＡ２として割り当てられた第１領域に対して、データが書き込まれた累積回数が最大書き換え回数に達したときに、入れ替え処理を実行する。入れ替え処理では、第１領域と、プログラム領域ＰＡ３／ＰＡ２／ＰＡ１として割り当てられた第２領域とを入れ替える。 （もっと読む）

【課題】データを不揮発性メモリに書き込む際、不揮発性メモリへの書き込み回数の増加を抑制することのできるマイクロコンピュータ及び車両を提供する。
【解決手段】複数のセルを電気的に接続した組み電池とセルの状態を計測する監視回路とを有する電池パックを備えた車両に搭載される、スタティックＲＡＭ３１を有するマイクロコンピュータ３０であって、監視回路から複数の計測した情報をそれぞれの周期で取得し、所定期間の情報を管理情報として編集してスタティックＲＡＭに書き込む際、このスタティックＲＡＭに必要な空き領域が不足しているときは、新たに編集した管理情報と既に保存されている管理情報とを不揮発性メモリに書込む動作を実行し、車両がイグニッションオフされた際は、計測した情報を取得するそれぞれの周期をイグニッションオンのときよりも長い周期で実行するようになされたマイクロコンピュータである。 （もっと読む）

【課題】 １つ前の更新プログラムで動作を可能とすることで、これまでの更新の全てを無効にすることのないフラッシュメモリを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】 本発明になるフラッシュメモリを備えた電子機器は、２つのプログラム格納領域とこの格納領域の指定情報を格納する指定情報格納領域とを含むフラッシュメモリを備え、前記指定情報に予め優先順位を付しておき、プログラム起動時には優先順位第１位の指定情報で指定されるプログラム格納領域からプログラムを読み出して実行する電子機器であって、前記プログラムの更新時には、優先順位第２位の指定情報で指定されるプログラム格納領域のプログラムを更新し、更新後に指定情報に付された優先順位第１位を第２位に、第２位を第１位に更新する更新手段を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 復電時から業務再開までの時間を短縮すること。
【解決手段】 停電時に、メモリコントローラ７０は、共有メモリ４６のシステム構成情報とディレクトリ情報を不揮発性メモリ３２に退避させ、キャッシュメモリ４４のデータを不揮発性メモリ３２に退避させる。停電からの復電時に、メモリコントローラ７０は、イニシャライズ時間が経過するまでの間に、不揮発性メモリ３２の情報を共有メモリ４６に戻して更新可能とし、マイクロプロセッサ３８は、共有メモリ４６の情報を基にオンライン処理を実行し、イニシャライズ時間が経過しても、バッテリ３６のバッテリ容量が徐々に上昇している過程では、メモリコントローラ７０は、バッテリ３６のバッテリ容量に応じて、キャッシュメモリ４４の記憶領域を段階的に書き込み可能に制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶チップへの書き込み回数が増大するのを抑制しつつ、半導体記憶チップの故障に対応して信頼性を向上可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置５０は、複数の半導体記憶素子５８Ａ〜５８Ｆを備え、ホストからのデータの書き込みの要求に応じて、ページ単位の書き込み対象データを半導体記憶素子５８Ａ〜５８Ｅに各々書き込み、冗長情報を半導体記憶素子５８Ｆに書き込むことによって、誤り訂正符号を構成する。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧分布の改善のためのアルゴリズムの適用に適合するビットパターン順序と均一のエラー確率分布／読み出しレイテンシの具現に適合するビットパターン順序とを採用する。
【解決手段】メモリシステムは第１ビットパターン順序に基づいてデータを変換するように構成された制御器と、そして第１ビットパターン順序に対応するプログラム方法によって変換されたデータをプログラムするように、そして第１ビットパターン順序と異なる第２ビットパターン順序に対応する読み出し方法によってデータを読み出すように構成された不揮発性メモリ装置を含む。 （もっと読む）

【課題】アプリケーションプログラムで扱われるデータを効率的に保護することができ、且つアプリケーションプログラムの動作性、応答性を効果的に向上し得る携帯端末を提供する。
【解決手段】携帯端末１は、不揮発性メモリと、規定条件成立時に不揮発メモリに保護すべきデータを保存するデータ保護手段と、アプリケーションプログラムを記憶するプログラム記憶手段と、アプリケーションプログラムを実行する実行手段とを備えている。更に、アプリケーションプログラムの内容及び状態の少なくともいずれかを、決められた項目毎に評価し、項目毎に安定度算出に反映させるべき評価値を決定する評価値決定手段と、その決定された項目毎の評価値に基づいて、アプリケーションプログラムの安定度を算出する安定度算出手段と、その算出された安定度に基づいて、データ保護手段を有効状態及び無効状態のいずれかに設定する設定手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】代替ブロックを有する記録媒体において、ファイルシステム情報の正常な更新をより確実に行える記録装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】不良ブロックのための代替ブロックを含む複数のブロックを有する記録媒体に対して、データと、前記データを含むファイルを所定のファイルシステムに従って管理するためのファイルシステム情報とを記録する記録装置は、第１の閾値と第２の閾値とを設定し、記録媒体における代替ブロックの残量が第１の閾値以下の場合には記録媒体に対するデータの記録を禁止し、代替ブロックの残量が第２の閾値以下の場合には記録媒体に記録された前記ファイルシステム情報の更新を禁止する。ここで、第２の閾値はファイルシステム情報を更新するために必要なデータ量に相当する代替ブロックが確保されるように設定され、第１の閾値は前記第２の閾値よりも大きく設定される。 （もっと読む）

【課題】 回路規模の増加を抑えながら信頼性の高い故障検出を行う集積回路装置等を提供する。
【解決手段】 集積回路装置１であって、入力データ４００が書き込まれる複数のブロック１００、１０２を含む不揮発性メモリー１０と、ブロックのそれぞれに対応付けられ、ブロックに書き込まれたデータ（メモリーデータ）のそれぞれが所与のタイミングで書き込まれる複数のレジスター２０、２２と、メモリーデータおよびレジスターに書き込まれたデータ（レジスターデータ）を受け取り、比較処理を行う比較部３０とを含む。比較部３０は、全てのメモリーデータが一致するか否か判定するための第１の比較処理と、複数のブロックの各ブロックについて当該ブロックのメモリーデータと当該ブロックに対応づけられたレジスターに書き込まれたレジスターデータとが一致するか否かを判定するための第２の比較処理を行う。 （もっと読む）