【課題】揮発性メモリからアドレステーブルが消失された場合であっても、予備ブロックに対してデータのアクセスを行うことができる記憶装置を提供すること。
【解決手段】データブロック領域と予備ブロック領域とを備える不揮発性メモリ４４ｂと、不良ブロックの先頭アドレスと当該不良ブロックを代替する予備ブロックの先頭アドレスとを対応させて構成されるアドレス対を記憶する揮発性メモリ４４ａと、アドレス対を参照することによって不良ブロックに代替された予備ブロックにアクセスする制御部４５と、を備える。制御部４５は、揮発性メモリ４４ａからアドレス対が消失している場合、予備ブロック領域へアクセスし、予備ブロックの先頭アドレスと当該予備ブロックに記憶されている不良ブロックの先頭アドレスを読み出し、予備ブロックの先頭アドレスと不良ブロックの先頭アドレスのアドレス対を生成し、生成したアドレス対を揮発性メモリ４４ａに記憶する。 （もっと読む）

【課題】より確実に複数のメモリーに同一データが書き込まれるようにすることにより信頼性を向上させることができる集積回路装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】集積回路装置１は、データ取得部２と、１つのバッファー３と、書き込み制御部４と、を含み。データ取得部２は、記憶素子６に書き込まれる書き込みデータを含むシリアルデータ８１を受け取り、書き込みデータ８２を取得する。バッファー３は、データ取得部２が取得した書き込みデータ８２を取り込んで一時的に保持する。書き込み制御部４は、互いに異なるアドレスが割り当てられた複数の記憶素子６に、バッファー３に保持された書き込みデータ８３を重複して書き込むための書き込み制御信号８５を生成する。 （もっと読む）

【課題】アプリケーションプログラムがバッドブロックを意識せずにデータの書き込みや読み出しを効率的に行うことができる電子機器を提供すること。
【解決手段】不揮発性メモリ４４ｂと、不揮発性メモリ４４ｂの所定のブロックに対してアクセスを行う複数のアクセス制御部４５ａと、不良ブロックの先頭アドレスと、当該不良ブロックを代替する正常なブロックの先頭アドレスとが対応付けて構成されるアドレス対を記憶する揮発性メモリ４４ａと、複数のアクセス制御部４５ａのいずれかによって所定のアドレスが指定されて不揮発性メモリ４４ｂの所定のブロックに対してアクセスが行われたときに、当該ブロックが不良ブロックであった場合、アドレス対を参照して当該ブロックに代替する正常なブロックのアドレスを取得し、取得した当該アドレスが付されているブロックにアクセスを実行するアクセス実行部４５ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】フラッシュＲＯＭ内の制御プログラムを書き換えた際に、ＥＥＰＲＯＭの初期化の時、継続使用可能なデータと初期化するデータを区別することができる電子制御装置を得る。
【解決手段】ＥＣＵ１００において、フラッシュＲＯＭ２には、制御プログラムの書き換え時に、新プログラムと共に、そのプログラムがＥＥＰＲＯＭ２０に保存する学習値等の並びがどのように変わるのかを示すデータ配列変換情報が書き込まれる。そして、フラッシュＲＯＭ２内の制御プログラムによる最初の初期化処理にて、データ配列変換情報を参照してＥＥＰＲＯＭ２０に保存されているデータを新プログラムで使用する並び順に並び替えを行い、以前のデータを継続使用することによって、制御プログラムの書き換え前後で、ＥＥＰＲＯＭ２０に保存するデータの並びが変わったとしても、走行フィーリングの悪化や変速ショックが継続することを防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】２ビット以上のデータを多値化して記憶する記憶装置において、データ書込み処理の信頼性を改善する。
【解決手段】記憶装置１は、ページ単位でのデータ書き込みが可能な複数のページを有し、各ページに複数ページ分の書込みデータを多値化して記憶可能なメモリ１６と、メモリ１６に対してデータを書き込む場合、メモリ１６の複数のページから書き込み先のページを選択し、選択したメモリ１６のページに、当該書込みに係るデータのページを含む複数のページによる２ビット以上のデータを多値化して書き込む制御部１２，１４とを有する。複数ページ分の書込みデータをメモリ１６に書き込む場合、制御部１２，１４は、当該複数ページ分の書込みデータを、ページ毎に別々に多値化し、メモリ１６の互いに異なる未使用の複数のページに１ページずつ書き込む。 （もっと読む）

【課題】可用性を向上させ、かつ、価格を抑制することが可能なミラー構成のＳＳＤ装置を提供する。
【解決手段】ＳＳＤ装置１は、Ａ系とＢ系とからなるミラー構成の不揮発データ記憶部２０および不揮発データ記憶制御部１０を備え、不揮発データ記憶制御部１０は、ページ・リード・ライト制御部１１、アドレス変換処理部１３、物理アドレス選択処理部１４、アドレス変換テーブル１５を備える。ページ・リード・ライト制御部１１は、ＮＶＭチップ２１の故障を検出したとき、その故障したＮＶＭチップ２１とミラー関係にあるＮＶＭチップ２１からページデータを読み出し、その読み出したページデータを、故障したＮＶＭチップ２１およびそれとミラー関係にあるＮＶＭチップ２１以外の、Ａ系およびＢ系の不揮発データ記憶部２０のそれぞれに属し、互いにミラー関係にあるＮＶＭチップ２１へコピーする。 （もっと読む）

【課題】移動体端末の記憶媒体中の全領域をウエアレベリング対象にすると、メモリデバイスの寿命を伸ばせる。しかし、信頼性が要求されるデータと信頼性が要求されないデータが同じ度合で保護されるため、信頼性が要求されるデータの信頼性が確保できない。
【解決手段】移動体端末におけるデータを、保護対象データと保護対象でないデータに分類し、ブロックの消去回数と保護対象データ、保護対象でないデータの種別に応じてウエアレベリング対象範囲を変更する。また、保護対象データを持ち、かつ、消耗度が高いブロックをウエアレベリング対象から除外する。 （もっと読む）

【課題】代替ブロックを有する記録媒体へのデータ記録において、バッファメモリのオーバーフロー等の異常の発生を防止する。
【解決手段】ブロック単位でのデータの書き込みが可能なフラッシュメモリを有し、記録領域の一部を正常なデータの書き込みができない不良ブロックの代替ブロックとして用いてデータの書き込みを行う記録媒体に、データを記録するデータ記録装置は、第１の記録モードと、第１の記録モードよりも処理するデータ量が大きい第２の記録モードとを含む複数の記録モードの一つをユーザに選択させ、選択された記録モードでデータを取得し、記録媒体に記録する。データ記録装置は、記録媒体から取得された代替ブロックの残量が閾値以下であった場合に、第１の記録モードでの記録を許可するが、第２の記録モードでの記録を禁止する。 （もっと読む）

メモリアレイへ結合されたコントローラは、誤り訂正コード（ＥＣＣ）エンジンと、ＥＣＣエンジンへ結合されたＥＣＣ強化圧縮モジュールとを備える。ＥＣＣ強化圧縮モジュールは、ＥＣＣエンジンへ提供されて符号化される制御データを受信しかつ圧縮するように構成される。ＥＣＣエンジンで生成された圧縮済み符号化済み制御データはコードワードとしてメモリアレイに蓄積される。
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【課題】
本発明は、簡便な方法で、消去回数の記憶容量を低減可能なメモリシステムを提供する。
【解決手段】
データの消去の単位であるブロックにデータを記憶可能な記憶部と、前記記憶部に記憶されるデータが消去されるたびに保存される消去演算回数を記憶するカウンタ記憶部３３と、前記記憶部に記憶される前記データが消去されるとき、乱数を取得する乱数取得部３０と、前記乱数が、所定の条件を満たすか否かを判定する条件判定部３１と、前記条件判定部３１により前記乱数が所定の条件を満たすと判定されたとき、前記消去演算回数を歩進させる消去回数歩進部３２と、前記記憶部に記憶された消去演算回数が所定の回数を超えたときに、前記所定の条件を変更する変更部３４とを備えたことを特徴とするメモリシステム。 （もっと読む）

【課題】冗長系を持ちつつ、なお、データ転送速度の要求と書換回数に抗した信頼性の維持が可能とする。
【解決手段】複数のバス（バス０〜３）の各々に接続される複数の不揮発性半導体素子（ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈ７）で構成される系をＡ系とＢ系の両方の系を有し、Ａ系の不揮発性半導体素子（ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈ７）が接続されるバス（バス０〜３）が異なるとＢ系の不揮発性半導体素子が接続されるバス（バス４〜７）が異なるように対応づけ、書込要求或いは読出要求に対して、同じバスに接続された不揮発性半導体素子（ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈ７）が続けて選択されないようにＡ系とＢ系の一方の系における不揮発性半導体素子（ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈ７）を選択し、選択された不揮発性半導体素子（ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈ７）に対して前記対応付けに基づいて他方の系における不揮発性半導体素子（ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈ７）を選択する。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリの書き込み回数を従来より減らすことができる画像形成装置を提供する。
【解決手段】 複合機は、変更データが本来書き込まれるべき領域であるマスタープレーンと、変更データが仮に書き込まれる領域であるサブプレーンとを備えたＥＥＰＲＯＭと、変更データが都度書き込まれるＲＡＭと、所定の期間にＲＡＭに変更データが書き込まれたとき（Ｓ４２）にその期間にＲＡＭに書き込まれた変更データをＥＥＰＲＯＭに書き込む処理（Ｓ４６）を期間毎に行う制御部とを備えており、制御部は、マスタープレーンに変更データを書き込み、マスタープレーンへの変更データの書き込み中に新たな変更データをＥＥＰＲＯＭに書き込むとき、サブプレーンに新たな変更データを書き込み、マスタープレーンへの変更データの書き込みが完了したとき、サブプレーンに書き込まれた変更データをマスタープレーンに反映することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】データチェックによりエラーとなったメモリ領域に対して、不揮発性メモリの故障によるエラーなのか、電源の瞬断等により偶然生じたエラーなのか判別することが可能な電子制御装置を提供する。
【解決手段】中央演算処理装置１０は、第２の不揮発性メモリ１３の領域から制御データを読み出す場合、この制御データを読み出す領域の１つ前の領域のステータスデータを参照して、正常に記憶がされていないと判定したとき、１つ前の領域の故障履歴を参照して、故障の可能性があると判定したとき第２の不揮発性メモリ１３が故障したと判定し、故障の可能性がないと判定したとき１つ前の領域の故障履歴に故障の可能性があることを書き込む。 （もっと読む）

【課題】連続するコンテンツのリアルタイム記録を継続しつつ、不揮発性メモリ上に設けられたキャッシュの対象領域を変更するための処理を効率的に実施し、かつ電源断等によるデータの内容の不整合を回避可能にする。
【解決手段】不揮発性記憶装置１は、キャッシュ領域（ＭＩＣ）のデータを有効化するタイミングとキャッシュ領域のデータを記憶領域に移動するタイミングをアクセス装置２から指定可能とする。さらに、移動処理は、所定時間を超えないように分割して実施し、各々の分割処理の開始タイミングもアクセス装置２から指定可能とする。第１キャッシュ領域１２２と第２キャッシュ領域１２３を切り替えることで、移動処理を実施中にキャッシュ書き込みの受付けを可能とする。 （もっと読む）

【課題】画像データを記憶するフラッシュメモリの寿命の延伸が可能な画像処理装置および画像形成装置ならびに画像データ記憶方法を提供する。
【解決手段】入力される画像データを処理する画像処理部と、前記画像処理部で処理される前記画像データを“０”もしくは“１”に対応する値で記憶するフラッシュメモリを有する記憶部と、を備えた画像処理装置であって、前記フラッシュメモリは、消去状態において“１”を保持するように構成されており、前記記憶部は、複数の画素からなる所定単位の画像データに“０”が“１”より多い場合には、該所定単位の画像データの“０”と“１”とを反転させて記憶する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】効率良く欠陥領域を避けてデータを書き込むことが可能なデータ書き込み装置を提供すること。
【解決手段】データ書き込み装置は、データ領域と冗長領域を有する物理ブロックを含む記憶領域により構成された記憶手段と、前記物理ブロックの前記データ領域に、データが分割されたデータブロックを書き込む書き込み手段とを備え、前記書き込み手段は、第１のデータブロックを第１の物理ブロックのデータ領域である第１のデータ領域に書き込み、前記データを読み出す際に第１のデータブロックの前に読み出されるべきデータブロックである第２のデータブロックを第２の物理ブロックのデータ領域である第２のデータ領域に書き込み、前記第２の物理ブロックの冗長領域に対して前記第１の物理ブロックを指し示す情報を書き込む。 （もっと読む）

【課題】 情報保存デバイスに入りきらず、溢れて保持出来ない情報が存在し、基板交換などで引き継がれない。
【解決手段】 メインの不揮発メモリと、バックアップ用の不揮発メモリを備え、加えて、外部に存在する他の機器と通信を行うための外部インタフェースを備え、メインの不揮発メモリの情報のうちバックアップ用の不揮発メモリに格納されないあふれ情報については外部インタフェースを経由して他の機器に保存するように機器を構成し、メインの不揮発メモリを搭載した部材を交換した後に、あふれ情報を保持する他の機器を外部インタフェース経由で検索し、発見されたあふれ情報とバックアップ用の不揮発メモリの情報とを合わせて、交換された部材のメイン前記第一の不揮発メモリに書き込むようにする。 （もっと読む）

【課題】不揮発性記憶手段へのデータ書き込みが異常となった場合であっても、最新のデータの読み出しを行い、商品性および信頼性の向上を図ることができる車載制御装置を提供する。
【解決手段】ＥＥＰＲＯＭのバンク２ａと、バンク２ｂとの記憶データを比較し、一致しないと判定されたバンク２ａの記憶データのうち、関連性を有さないと判定された記憶データを最新データとしてＲＡＭに読み出す一方、一致しないと判定されたバンク２ａの記憶データが関連性を有すると判定された場合であっても、関連性を有すると判定された全ての記憶データが一致しないと判定された場合には、関連性を有すると判定されたバンク２ａの記憶データを最新データとしてＲＡＭに読み出すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子機器では、フラッシュメモリなどの不揮発性半導体メモリを電子機器の記憶部として実用可能にすることが求められている。
【解決手段】電子機器１は、データ書込み処理において既に書込まれたデータに対する上書きが禁止されている不揮発性半導体メモリ１６を有し、実データおよび当該実データに対応した管理データを記憶する第１記憶部５３と、データ書込み処理において任意の値へのデータ上書きが可能な第２記憶部５４と、第１記憶部５３に対するデータアクセスを制御する制御部５２とを有する。制御部５２は、第１記憶部５３に記憶されている管理データを、第２記憶部５４にコピーし、第２記憶部５４に記憶されている管理データを参照して、第１記憶部５３の実データにアクセスする。 （もっと読む）

【課題】ＮＡＮＤ型フラッシュメモリとＲＡＭとの間で高速にデータ転送を行うことができるメモリ装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、複数の実データを記憶するための実データエリアと複数のスペアデータを記憶するためのスペアデータエリアを含む不揮発性メモリ７０１と、
複数の実データを記憶するための実データエリア７１２と複数のスペアデータを記憶するためのスペアデータエリア７１３を含む揮発性メモリ７１１と、不揮発性メモリ７０１及び揮発性メモリ７１１の間のデータ転送を行うコントローラ７２１とを有するメモリ装置である。 （もっと読む）