【課題】データごとに必要なデータ保持期間を確保できる記憶装置を提供することを課題とする。
【解決手段】データを記憶する機能を有し、データの書き換え回数に応じて記憶されたデータを保持できる期間が短くなる複数のブロックと、複数のブロック毎のデータ書き換え回数を平準化させるウェアレベリングを行うウェアレベリング手段１２を有する記憶装置１０であって、記憶装置１０を複数のブロック群に分割するブロック群分割手段１２を有し、ウェアレベリング手段１２は分割されたブロック群の範囲内でウェアレベリングを行うことを特徴とし、ブロック群分割手段１２がアプリケーション毎に使用するブロック群を割り当てると好適である。 （もっと読む）

【課題】冗長性を持たせつつ、かつフラッシュＲＯＭにデータを即時記憶させる場合であっても、必要なブロック数の増加を抑制する、あるいは低減する
【解決手段】２つのブロックＢＬ−Ａ，ＢＬ−Ｂを内蔵したフラッシュＲＯＭ５を有し、車載電子制御装置１の電源オン時に、ブロックＢＬ−Ａ，ＢＬ−Ｂの中から選択されたブロック（以下、第１ブロックともいう）の第１記憶領域ＭＲ１に記憶されている記憶データをＲＡＭ４に記憶させる。その後に、ＭＩＬ２２が点灯すると、ＭＩＬ２２に対応する永久故障コードを、ＲＡＭ４の第１記憶領域ＭＲ３内の永久故障コード記憶領域ＭＲＰと、第１ブロックの第１記憶領域ＭＲ１とは別に予め設けられた第２記憶領域ＭＲ２に記憶させる。そして、車載電子制御装置１のシャットダウン時に、ＲＡＭ４の第１記憶領域ＭＲ３に記憶されているデータを、第１ブロックと異なるブロック内の第１記憶領域ＭＲ１に記憶させる。 （もっと読む）

【課題】装置のコストを削減しつつ、迅速な車両システムの始動を実現すること。
【解決手段】読み書き可能な不揮発性の第１の記憶手段と、読み書き可能な揮発性の第２の記憶手段と、第２の記憶装置に記憶された制御情報に基づき車載機器の制御を行なうと共に車載機器の制御において学習した制御情報を車両システムのオフ時に第１の記憶手段に記憶させる制御手段と、を備える車両用制御装置であって、制御手段は、車両システムの始動時に、第１の記憶手段に記憶された制御情報を一括して第２の記憶手段における第１の記憶領域に転送し、その後、第２の記憶手段における第１の領域に記憶された制御情報を短縮化して、第２の記憶手段における前記第１の領域と異なる第２の記憶領域に記憶させ、更にその後、第２の記憶手段における第１の記憶領域を解放する処理を実行する車両用制御装置。 （もっと読む）

【課題】 車両のバッテリ交換時に車載システムの電源系統が遮断される場合に、揮発性メモリに記録していた車載機器のデータを不揮発性メモリに書き換えるとき、不揮発性メモリへの書き換え回数を減少する「車載機器用データ記録システム」とする。
【解決手段】車両の現在位置を検出し、予め設定した車両のバッテリ交換場所近傍を走行していることを検出したとき、車載機器のデータを記憶している揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに書き換える。その際、バッテリ交換場所近傍を走行していることを検出したときに、予め車載機器の揮発性メモリに記録しているデータの内不揮発性メモリに書き換えるデータを収集しておき、実際にバッテリ交換を行う操作信号を検出したときに、収集しておいたデータを不揮発性メモリに書き換えるようにする。また、その書き換え処理状態やバッテリ交換の操作状態等の種々の案内を行う。 （もっと読む）

【課題】プログラムの暴走により、意図しないメモリへの書き込みを防止する。
【解決手段】メモリ書き込み制御装置は、命令を実行する処理部１７と、処理部１７から不揮発性メモリ１１への書き込み命令信号が入力されると、電源電圧に基づいて、不揮発性メモリ１１への書き込みを許可するプロテクト部（プロテクト回路１０）と、を備える。処理部１７のＣＰＵ５がユーザプログラムの命令を実行する電圧と、メモリへの書き込みの命令を実行する電圧とを異なる範囲に設定し、電源電圧に応じて、不揮発性メモリ１１への書き込みを制御する。 （もっと読む）

【課題】ユーザに制御結果を誤解させない学習制御の技術を提供する。
【解決手段】車両の電源から導かれる第１系統より電力の供給を受け、不揮発性の第１記憶部にデータを書き込むデータ書込装置は、書込要求に応答して、電源から導かれる第２系統より電力の供給を受け、データを記憶可能な第２記憶部に記憶された書き込みの対象データを、第１記憶部に書き込み、主電源からの電力供給が停止した後に開始する際は所定の初期表示を行う表示装置に、第１記憶部へのデータの書込結果を表示させ、第１記憶部に書込む際に、第１系統からの電力供給が停止された後に開始された場合は、第２記憶部に記憶された対象データを第１記憶部に書き込む第２書込手段は、書込要求を制御手段から受け付けたときに有効化し、書込要求をユーザから受け付けたときに有効化しない。このため、ユーザに制御結果を誤解させない学習制御を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】記憶媒体に記憶されている情報が読み取り不能になることを抑制できる記憶媒体に記憶される情報の管理方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】情報処理装置は、地図情報がメモリカードに記憶されてから又はメモリカードに記憶される地図情報が最後に更新されてからの経過時間Ｔ１が、地図情報の読み取りが可能な期間として設定された経過時間閾値ＫＴ以上であるか否かを判定する（ステップＳ１３）。この判定結果が肯定判定（Ｔ≧ＫＴ）である場合、情報処理装置は、メモリカードの地図情報を再書き込みさせる（ステップＳ１４）。 （もっと読む）

【課題】消去回数のばらつきを抑えることができ、より超寿命で、かつ、記憶領域をより有効に活用することができる記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶装置において、複数のフラッシュメモリパッケージを備えるフラッシュメモリ部と、フラッシュメモリ部へのデータの書き込みを制御する書き込み制御部と、外部機器とのデータの授受を行なう物理インターフェース部と、を有し、書き込み制御部は、受け取ったデータを複数に分割し、分割された複数のデータをフラッシュメモリ部に書き込む際、複数のフラッシュメモリパッケージのうち、少なくともいずれかのフラッシュメモリパッケージにデータの書き込みを行なわない。 （もっと読む）

【課題】伝送帯域幅を増大させうるとともに、データのバックアップ能力を得ることができるデュアルチャネルフラッシュメモリセットを得るためのフラッシュメモリのアクセス装置を提供する。
【解決手段】フラッシュメモリのアクセス装置は、コントローラと、第１のチャネルのメモリセットと、第２のチャネルのメモリセットとを具える。第１のチャネルのメモリセットは、第１のフラッシュメモリと、少なくとも１つの第１のメモリ拡張用ソケットとを有する。第２のチャネルのメモリセットは、第２のフラッシュメモリと、少なくとも１つの第２のメモリ拡張用ソケットとを有する。コントローラは、第１のメモリ拡張用ソケット及び第２のメモリ拡張用ソケット内にフラッシュメモリが挿入されているかどうかに応じて第１のフラッシュメモリ及び第２のフラッシュメモリに関して実行すべきアクセス方法を決定する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリの高集積化が進んだとしても、フラッシュメモリがデータを保持できる期間を算出することで、フラッシュメモリに保持されたデータが不用意に消失してしまうといった事態を回避する。
【解決手段】電子機器２００は、フラッシュメモリへの書き換え回数と、そのフラッシュメモリに記憶されたデータの保持可能期間との関係を示す参照情報を予め保持し、所定の時点におけるフラッシュメモリへの書き換え回数と、そのフラッシュメモリに記憶されたデータの所定の時点における必要保持期間とを取得する取得部２２０と、参照情報を参照して、取得部が取得した書き換え回数から保持可能期間を導出する導出部２２４と、取得部が取得した必要保持期間と、導出部が導出した保持可能期間とを比較する比較部２２６と、必要保持期間が保持可能期間を超えている場合に警告する警告部２２８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリのアクセス装置を提供する。
【解決手段】フラッシュメモリのアクセス装置は、メモリコントローラ110と、第１のオープンＮＡＮＤフラッシュインターフェース（ＯＮＦＩ）120と、拡張用フラッシュメモリモジュール131とを有する。第１のＯＮＦＩはメインフラッシュメモリモジュール121を接続するのに用いる。メモリコントローラ110は、メインフラッシュメモリモジュール121及び拡張用フラッシュメモリモジュール131が片面であるか両面であるかを検出することにより、検出結果を得る。メモリコントローラ110は更に、この検出結果に応じて、メインフラッシュメモリモジュール121及び拡張用フラッシュメモリモジュール131のアクセス方法を設定する。 （もっと読む）

【課題】処理速度を低減させることなく、読み出し専用のデータを格納した半導体記憶装置の長寿命化を図ることの可能な情報処理装置、半導体記憶装置、及びプログラムを提供することを課題とする。
【解決手段】読み出し専用のデータをデータの読み出し頻度に応じて、ROM１２中の複数の物理ブロックに格納する。読み出し頻度の低いデータより読み出し頻度の高いデータに多くの物理ブロックを割り当て、割り当てられた物理ブロックに同一のデータを格納し、データの読み出しの際にはこの複数の物理ブロックを順に使用していく。複数回読み出しが行われたとき、これらの複数の物理ブロックの読み出し回数は平滑化されている。また、読み出し頻度に応じて物理ブロックの割り当て数を異ならせることで、半導体記憶装置全体として読み出し回数が平滑化され、長寿命化を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】製品コストの増加及び大型化を抑えたＭＲＡＭを用いて、磁気メモリのプログラムが破壊されたとしても、その磁気が解消しさえすれば、再び正常に動作するカメラシステムを提供できるようにする。
【解決手段】強い磁場等の影響によりＭＲＡＭ記憶部６ｂに記憶しているプログラムが破壊される可能性があることを検出する磁気破壊可能性判定部１ａを配設して、ＭＲＡＭ記憶部６ｂが破壊される恐れがあると判定した場合には、ＭＲＡＭ記憶部６ｂに記憶しているプログラムをバックアップ記憶部７ｂへ退避させるとともに、その磁気が解消した場合には、前記バックアップ記憶部７ｂへ退避させたプログラムを前記ＭＲＡＭ記憶部６ｂへ復帰させるようにして、外界からの強い磁気によって磁気メモリのプログラムが破壊されたとしても、その磁気が解消しさえすれば、再び正常に動作することができるようにする。 （もっと読む）

【課題】 メモリの利用効率を向上させることが可能な端末装置を提供する。
【解決手段】 端末装置（１）は、少なくともＮＡＮＤデバイスからなる不揮発メモリ［不揮発メモリ（＃１）１３］と、不揮発メモリのデータのエラーの訂正を行うＥＣＣ訂正回路（１４）と、ＥＣＣ訂正回路で訂正を行ったエラービット数とＮＡＮＤデバイスのリード回数とを記録する記録用テーブル［揮発メモリ１２］と、記録用テーブルに記録されたエラービット数及びリード回数が、エラービット数及びリード回数が不揮発メモリのデータの用途別に予め定義された管理レベルを満たすか否かを判定する判定手段（ＣＰＵ１１）と、判定手段の判定結果に基づいて不揮発メモリのデータの書込み先でありかつＮＡＮＤデバイスのイレース最小単位を示すブロックを決定する決定手段（ＣＰＵ１１）とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置において、処理性能の向上が可能な制御技術を提供する。
【解決手段】命令解釈部６０は、コマンドを解釈し、セクタアドレスを抽出する。アドレス変換テーブル記憶部７０は、セクタアドレスの集合とページアドレスと管理情報とを対応付けて記憶する。特殊セクタ記憶部８０は、特殊セクタアドレスを記憶する。アドレス変換テーブル管理部６１は、コマンドがデータのアクセスを要求する場合、セクタアドレスを用いてアドレス変換テーブル記憶部７０の管理情報を参照して、ページ内に特殊セクタがあるか否かを判定する。判定結果が否定的であれば、アクセス制御部６４は、フラッシュメモリ素子にアクセスし、判定結果が肯定的であれば、特殊セクタ管理部６２は、セクタアドレスが特殊セクタアドレスとして特殊セクタ記憶部８０に記憶されているか否かを判定し、判定結果に応じて、特殊応答データ作成部６３は、応答データを作成する。 （もっと読む）

【課題】二重化したファームウェアの両方が破損してしまった場合でもリカバリすることができる。
【解決手段】二重化したファームウェアそれぞれについて、そのプログラム本体であるプログラム部５０を、複数のプログラムブロック１〜ｎ（５１）に分割して記憶する。また、ヘッダ部４０には各プログラムブロック５１毎に対応するＳＵＭ４５を記憶し、このＳＵＭ４５を用いて各プログラムブロック５１毎に破損したか否かをチェックする。二重化したファームウェアの両方が破損してしまった場合でも、一方において破損したプログラムブロック５１が、他方においては破損していない場合には、他方のプログラムブロック５１を用いてリカバリすることができる。 （もっと読む）

【課題】書き換え回数又は読み出し回数に制限のある不揮発性メモリを効果的に利用可能とする。
【解決手段】本発明の一例のメモリ管理装置１を含む情報処理装置は、第１のメモリ８と、不揮発性の第２のメモリ９とを含む混成メモリ２に対する書き込み位置を指定する書き込み先論理アドレスと、書き込み対象データとを、プロセッサ６ｂから受け付ける受付手段１８と、第２のメモリ９へのアクセス回数が第１のメモリ８へのアクセス回数より少なくなるように、書き込み先論理アドレスに対応する書き込み先物理アドレスを決定するアドレス決定手段１９と、書き込み先論理アドレスと書き込み先物理アドレスとを関連付けたアドレス変換データ１３を、記憶手段１７に記憶するアドレス管理手段２０と、混成メモリ２における書き込み先物理アドレスの示す位置に、書き込み対象データを書き込む書き込み手段２１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】パソコンに保存されたＳＰＤデータをパソコンに接続できない検査装置に保存する作業を短時間で簡単に行い、ＤＩＭＭ等の基板検査の作業効率を向上させることができる低コストで構築可能な検査システムを提供する。
【解決手段】パソコン１に接続されたマスタ基板作成装置１０を用いて該パソコン内のＳＰＤデータをそのＥＥＰＲＯＭに記録したマスタ基板２を作成し、該マスタ基板を検査装置のソケットに装着して該マスタ基板から該ＳＰＤデータをダウンロードする。上記マスタ基板作成装置は、パソコンと接続するセントロコネクタ１１と、ＤＩＭＭを装着可能な２つのソケット１３ａ，１３ｂと、該セントロコネクタを介して入力されたＳＰＤデータを該ソケットに装着されたＤＩＭＭ上のＥＥＰＲＯＭに書き込む書込制御部が設けられている。 （もっと読む）

エラーデータを追跡するシステムおよび方法を開示する。この方法が、第１のエラー訂正コード演算のエラー場所に関連づけられた第１のチェックサムを受信するステップと、第２のエラー訂正コード演算のエラー場所に関連づけられた第２のチェックサムを受信するステップとを含む。第１のチェックサムは、第２のチェックサムと比較され、その比較結果に基づいてメモリアレイの領域に動作が開始される。
（もっと読む）

【課題】半導体装置に内蔵されたフラッシュメモリでＥＥＰＲＯＭエミュレーションを行うにあたって、フラッシュメモリはＥＥＰＲＯＭよりもデータ保持期間が短い。フラッシュメモリはブロック単位でデータを管理している。そこで、フラッシュメモリのデータ保持期間のスペック超過前にブロックチェンジを確実に実行する必要がある。
【解決手段】フラッシュメモリのＥＥＰＲＯＭ代替領域において、内部ベリファイ電圧と読み出し電圧との間にデータレベルチェック電圧を設定する。データレベルがデータレベルチェック電圧を下回った場合にブロックチェンジを行う。 （もっと読む）