メモリの複数のブロックの寿命を向上させるシステム、方法、及びコンピュータプログラム製品を提供する。動作の際に、メモリの複数のブロックの寿命に影響を及ぼす少なくとも１つの因子を識別する。さらに、その少なくとも１つの因子に基づいて、書き込むための複数のブロックを選択する。 （もっと読む）

【課題】前のセッションでＥＥＰＲＯＭ内蔵型ＩＣタグへの書込処理が正常に終了したか否かを認識する。
【解決手段】データ書込時に、各ビットを「１」にリセットした後、本来のビットを記録する必要がある不揮発性メモリに対してデータの書き込みを行う。書込ルーチンを、管理ビット「１」を書き込む前処理段階、書込対象データを記録領域に書き込む本書込段階、管理ビット「０」を書き込む後処理段階の３段階によって構成する。各セッションの開始時に、管理ビットを読み出す確認段階を実行し、「０」であれば前のセッションは正常終了、「１」であれば異常終了と認識する。複数のアプリケーションを切り替えて利用する場合は、各アプリケーションごとに独立した管理ビットを用意し、各アプリケーションごとに正常終了・異常終了の判断を行う。 （もっと読む）

【課題】複数のメモリチップを並列動作させても、総メモリ容量を大きく確保することができるメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリシステムは、複数のメモリチップＭＣと、複数のメモリチップに接続された複数のＩＯ線群と、複数のメモリチップを制御するコントローラとを備え、同一のＩＯ線群に接続された複数のメモリチップがメモリグループを成し、ＩＯ線群のそれぞれにおいてメモリグループは第１から第ｎ（ｎは２以上の自然数）のサブメモリグループに分割されており、複数のメモリグループの第ｋ（ｋは１〜（ｎ−１）の自然数）のサブメモリグループ内においてバッドブロックの最も少ないメモリチップのバッドブロック数は、複数のメモリグループの第（ｋ＋１）のサブメモリグループ内においてバッドブロックの最も多い前記メモリチップのバッドブロック数より大きい。 （もっと読む）

【課題】リソース消費とＥＣＣ問題の両方を安価に解決することが可能なフレキシブルかつ効率的なメモリ構成を提供する。
【解決手段】一実施例による第１及び第２メモリ構成では、データとＥＣＣは同一のメモリバンクに備えられる。他の実施例による第１及び第２メモリ構成では、データとＥＣＣは異なるメモリバンクに備えられ、パラレルにアクセスされる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることのできるメモリシステム、及びそのウェアレベリング方法を提供する。
【解決手段】各々が複数のメモリセルで構成されるメモリユニットを有するフラッシュメモリ装置、及びフラッシュメモリ装置を制御するように構成されるメモリコントローラを含み、メモリコントローラは各メモリユニットの消去イベント情報及びＥＣＣイベント情報に基づいてメモリユニットに対するウェアレベリング動作を遂行するメモリシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリチップの故障等により、半導体メモリ蓄積装置に異常が発生した場合でも、メモリユニットを交換せずに、半導体メモリ蓄積装置の異常を解消できるようにする。
【解決手段】半導体メモリ蓄積装置は、入力された情報信号をエンコーダ１０で圧縮してメモリユニット１１に書き込む。また、メモリユニット１１から読み出した信号をデコーダ１２で復号して出力する。メモリユニット１１は、ＮＡＮＤ型半導体メモリチップ２１−１〜２１−２５６を搭載したサブ基板２０−１〜２０−２５６と、これらのサブ基板２０−１〜２０−２５６をそれぞれ着脱自在に装着するサブ基板差込口３１−１〜３１−２５６を備えたメイン基板３０との２種類の基板を具備する。そして、サブ基板に搭載されるＮＡＮＤ型半導体メモリチップが故障した場合、メイン基板３０に搭載されるＣＰＵ３４で、故障したＮＡＮＤ型半導体メモリチップを搭載するサブ基板を把握する。 （もっと読む）

【課題】メモリシステムにおいて、予備のメモリモジュールを必要とせず、メモリエラー発生時にメモリ交換を迅速に行えるようにする。
【解決手段】メモリモジュールの動作にエラーが発生したか否かを判断するエラー判断手段と、前記エラーが発生したと判断されたとき、前記キャッシュメモリのみを作業領域として使用する前記演算処理装置の制御により前記メモリモジュールに格納されたデータを所定の記憶媒体に退避させ、前記メモリモジュールの交換を検知すると前記キャッシュメモリのみを作業領域として使用する前記演算処理装置の制御により前記記憶媒体に退避したデータを交換後のメモリモジュールに格納し、前記キャッシュメモリに加えて前記交換後のメモリモジュールを前記演算処理装置の作業領域として使用可能とする交換処理手段と、を備えさせる。 （もっと読む）

【課題】リードディスターブによるビット誤りの発生を確実に防ぐことができるメモリーコントローラ、及びこれを用いた不揮発性記憶装置並びに不揮発性記憶システムを提供する。
【解決手段】複数の物理ブロック１４を有する不揮発性メモリ３に対し、ホスト機器５１からの論理アドレスを指定したデータの書き込み及び読み出しを行うコントローラ（メモリーコントローラ）２において、複数の各物理ブロック１４に含まれた複数の物理ページについて、物理ページ単位での読み出し回数を、対応する物理ブロック１４の読み出し回数として記録する読み出し回数テーブル１１、及び当該読み出し回数テーブル１１を参照して、不揮発性メモリ３に対するデータの読み出し動作を制限する主制御部４を設置する。 （もっと読む）

【課題】特定ページを反復して読む場合に読み出しディスターバンスによって発生するビットエラーを防ぐメモリシステム及びその読み出し方法を提供する。
【解決手段】本発明によるメモリシステムの読み出し方法は、フラッシュメモリを含むメモリシステムの読み出し方法であって、前記フラッシュメモリのメインページを読み出し、前記メインページの読み出し回数を増加させ、前記読み出し回数が基準値より大きい場合、前記メインページを含むブロックのデータを他のブロックにコピーバックする。 （もっと読む）

【課題】コストアップを防止又は抑制しつつ、電源の遮断による影響を受けることなく、書き換え回数が制限されているメモリの該書き換え回数が制限値に達するのをできるだけ遅延させることのできる電子機器を提供する。
【解決手段】画像形成装置１の電源がＯＮされるとフラッシュメモリ１０６内の設定値情報を複製し該設定値情報をＲＡＭ１０７に格納する設定値情報複製部１０８と、外部機器Ｘにより設定値情報の変更操作が行われると、ＲＡＭ１０７内の変更操作対象である設定値情報を操作内容に基づき変更する第１設定値情報変更部１０９と、この変更後、フラッシュメモリ１０６に変更内容情報を記録する変更内容記録部１１０と、前記設定値情報を変更してから所定時間経過後に、前記変更部１０９により変更を受けたＲＡＭ１０７内の設定値情報をフラッシュメモリ１０６に書き戻す設定値情報書き戻し部１１１とを備えた。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリからデータが繰り返し読み出されることにより、データが意図せず書き換えられる可能性を回避または低減する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】メモリコントローラ２は、全メモリセルアレイ領域のうち、読み出しアドレス以外の非読み出しアドレスについても、広範囲にエラー検出を行なう。すなわち、エラーが発生したアドレスについて、読み出しアクセスが行なわれるまでもなくエラー検出が行なわれることにより、そのアドレスにおいてエラーが発生したことを検出できる。そのため、ある読み出しアドレスにおいて繰り返し読み出しアクセスが行なわれることにより、その読み出しアドレス以外の非読み出しアドレスにおいてエラーが発生する可能性がある“Ｒｅａｄ Ｄｉｓｔｕｒｂ”現象を未然に防止できる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性ＲＡＭに適したメモリコントローラ、不揮発性記憶モジュール、及び不揮発性記憶システムを提供すること。
【解決手段】オーバーライトが可能であり、バイト単位等の小容量でのアクセス時間が短い不揮発性ＲＡＭ１３０を主記憶のメモリとする。不揮発性メモリ１３０を第１領域と第２領域に分割管理し、音声や画像などの比較的書き換え頻度の低い第１データを第１領域に記憶し、第１データの管理データなどを第２データとして第２領域に記憶する。アドレス管理部１２４が第２データの書き込み時に、該第２データの記憶エリアを第２領域において巡回的に移動させる。これにより、書き換え頻度の高い第２データが特定の物理アドレスに集中することが回避され、簡易なウェアレベリングを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】論理アドレスの指定を間違えた場合でも、アドレス領域を超えてメモリがアクセスされることがない半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】データを記憶するメモリ部と、外部から供給された論理アドレスをメモリ部の物理アドレスに変換する機能を有し、メモリ部の読み出し及び書き込みを制御するメモリコントローラと、を備え、 メモリコントローラは、外部から供給された論理アドレスがメモリ部のアドレス領域を超えたときにアドレス領域エラーを外部に通知するものである。 （もっと読む）

【課題】信頼性及びパフォーマンスを確保しつつ、記憶容量の増大を図る。
【解決手段】異なる特性のメモリ領域を必要とする複数種類のデータを記憶可能なメモリセルからなるメモリ部と、外部から供給された論理アドレスを前記メモリ部の物理アドレスに変換する機能を有し、メモリ部の読み出し及び書き込みを制御するメモリコントローラとを備えメモリコントローラは、メモリ部に複数種類のデータをそれぞれ記憶する複数のデータ記憶領域を設定し、外部から供給された論理アドレスを複数のデータ記憶領域の設定状態に基づいて物理アドレスに変換する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリなどの記憶媒体に対して、電源遮断対策などに加えて、複数のアプリケーション間で使用領域の排他制御や共用などの領域管理を行う制御回路、および領域管理方法を提供する。
【解決手段】処理装置１２０において、ＥＥＰＲＯＭ１４０の所定の領域をドメインとして設定し、ドメインの管理およびアクセス要件の管理を行うアドレス制御回路１３０であって、ＥＥＰＲＯＭ１４０にドメインの管理のための制御情報１５１を設定するためのドメイン設定レジスタ１３３と、現在の処理対象であるドメインについての情報を保持するドメイン制御レジスタ１３１とを有し、ドメイン設定レジスタ１３３の情報を用いてＥＥＰＲＯＭ１４０上のアドレスに制御情報１５１を設定し、プログラムによるアクセスの際に、該アドレスに設定されている制御情報１５１とドメイン制御レジスタ１３１の情報とに基づいて該アクセスの可否を判断する。 （もっと読む）

【課題】ＳＬＣ型のフラッシュメモリとＭＬＣ型のフラッシュメモリの両者のメリットを生かした記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶装置は、第１の記憶領域を有し、単セルあたり２種類の値を記憶可能な二値フラッシュメモリと、第２の記憶領域を有し、単セルあたり３種類以上の値を記憶可能な多値フラッシュメモリと、第１の記憶領域を先頭の領域に配置しつつ、第１の記憶領域と第２の記憶領域とを論理的に結合して、単一の記憶領域である結合領域としてデータの読み書きを行うコントローラとを備える。記憶領域の先頭には、所定のファイルシステムに基づいて、データの管理情報が記憶される。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣカードにおける自己診断処理を分散化して自己診断処理の占有時間を分散化することができ、ＩＣカードにおける処理全体を効率化することができる。
【解決手段】 制御プログラムあるいはハードウエア回路などで実現される種々の機能を有するＩＣカードが、ある１つの機能による処理を実行しようとする直前に、当該機能が正常であるか否かを診断する当該機能に対する自己診断処理を行い、その自己診断処理により当該機能が正常であると診断された場合に、当該機能による処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】外的な要因により誤動作させられた場合であっても、メモリに記憶しているデータを保護することができるセキュリティ性が高い携帯可能電子装置および携帯可能電子装置の制御方法を提供する。
【解決手段】ＩＣカードなどの携帯可能電子装置において、処理状態あるいは設定状態などの状態を示す情報としてフラグに格納するデータを、複数ビット長の第１のデータ、あるいは、前記第１のデータとは異なる複数ビット長の第２のデータの何れかとし、前記フラグを参照する場合、前記フラグに格納されているデータが前記第１のデータあるいは前記第２のデータのいずれかであるか否かを判断し、前記フラグに格納されているデータが前記第１のデータおよび前記第２のデータの何れでもないと判断した場合、前記第２の記憶手段に記憶されているデータが異常であると判断する。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクドライブが破損した場合でもシステムとして復旧を可能にする。
【解決手段】外部記憶装置としてハードディスクドライブ１６及び不揮発性半導体メモリ１８を有するコンピュータシステム１０であって、アプリケーションプログラムの実行に伴い、ユーザが作成したハードディスクドライブ１６内のファイルを更新する手段と、この更新されたファイルを不揮発性半導体メモリ１８にコピーする手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】サイズの大きいデータの書込み処理の途中で通信エラーなどのエラーが発生した場合であっても、未書込み状態の領域を容易に検出でき、効率的に書込み処理を再開することができるＩＣカード１およびＩＣカード処理システムを提供できる。
【解決手段】ＩＣカード１では、一度にバッファメモリとしてのワーキングメモリ１３に格納しきれないようなサイズの大きいデータをデータメモリ１４に書込む処理を行う場合、当該データを格納するデータ領域を複数のブロックに分けた各ブロックの書込み処理が完了するごとに各ブロックに対応づけて設けられている各フラグをセットする。上記データ領域における未書込み状態の位置を調査する場合、ＩＣカード１は、当該データ領域における各フラグをチェックすることにより未書込み状態の領域（ブロック）を判定する。 （もっと読む）