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Fターム[5B018MA24]の内容

記憶装置の信頼性向上技術 (13,264) | 対象 (1,668) | ICカード、メモリカード (351)

Fターム[5B018MA24]に分類される特許

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【課題】不揮発性半導体メモリに対する繰り返し読み出しにより、意図せずしてデータが書き変わる現象に対して、正しいデータを出力可能とする技術を提供することを課題とする。
【解決手段】メモリの各ページのデータには、初期段階で、第1ECC51が付加されている。メモリコントローラがデータを読み出すと、第1ECC51を利用してエラー検出が行われる。エラーが検出された場合、第1のエラー訂正アルゴリズムを利用してエラー訂正を行い、訂正したデータをホストシステムに出力する。その後、メモリコントローラは、第1のエラー訂正アルゴリズムよりも訂正能力の高い第2のエラー訂正アルゴリズムを利用し、訂正したデータに対する第2ECC52を生成する。そして、第1ECC51に代えて第2ECC52をメモリに格納する。 (もっと読む)


【課題】フラッシュメモリに対して読み出し処理が多数発生した場合に、意図せずデータが書き換えられることを回避する。
【解決手段】メモリ4に対するデータアクセスをコントロールするメモリコントローラ3は、リフレッシュ制御部33を備える。リフレッシュ制御部33が備える読み出し回数記憶部331は、メモリ4の各ページに対する読み出し回数をカウントして記憶している。リフレッシュ制御部33は、読み出し回数が所定回数を超えるページが発生した場合、当該ページに格納されているデータのメモリ4に対する再書き込み処理を実行する。 (もっと読む)


【課題】装置の操作者が、エラーを容易に認識でき、その対処を即座に実施できる画像処理装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】着脱可能な不揮発性メモリを装着可能なメモリ装着手段と、不揮発性メモリの使用時に発生するエラーを検知するエラー検知手段と、不揮発性メモリの使用時に発生するエラーの内容を示すエラー内容情報、及び、エラーの対処法を示すエラー対処法情報が予め格納されるエラー情報格納手段と、エラー内容情報及びエラー対処法情報を通知するエラー情報通知手段と、を有し、エラー検知手段が所定のエラーを検知した場合、エラー情報通知手段は、エラー情報格納手段に格納されているエラー内容情報及びエラー対処法情報を通知する。 (もっと読む)


【課題】不揮発性メモリからデータが繰り返し読み出されることにより、データが書き換えられる可能性を回避または低減する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】アドレス比較部33は、ホストシステム1が読み出したデータのアドレスを格納する。また、バッファ部37は、そのデータをメモリ4から読み出して格納する。ホストシステム1が新たに読み出そうとするデータのアドレスが、アドレス比較部33がすでに格納しているアドレスに含まれている場合には、ホストシステム1は、新たに読み出そうとするデータを、メモリ4からではなく、バッファ部37から読み出す。以上の手段により、データが繰り返し読み出されることにより、データが意図せず書き換えられる可能性を回避または低減することができる。 (もっと読む)


【課題】電源瞬断に対して僅かな時間でアドレス変換テーブルの再構築が可能な記憶装置およびコンピュータシステム、並びに記憶装置の管理方法を提供する。
【解決手段】制御部22は、コマンドに応じてユーザーデータの書き込みが実施される際、ユーザーデータをフラッシュメモリデバイス29内の適当な空き領域に、ページ単位で格納しその際入力アドレスに基づく論理ページアドレスとフラッシュメモリデバイス上の格納先ページアドレスとの対応を、アドレス変換テーブル32に記録し、各ページの予備領域に対応する論理ページアドレスを特定するための情報を格納し、記憶装置を起動する際、少なくとも直近のテーブル保存以降にユーザーデータの書き込みが行われたページ群を検出し、このページ群の予備領域を検査し、テーブル保存以降のテーブル更新状態を再生することでテーブルを再構築する。 (もっと読む)


【課題】不揮発性メモリの動作方法を提供する。
【解決手段】ローカルバックアップデータを提供するために不揮発性メモリの第1ブロックの第1ターゲットページに成功的にプログラムされた第1データをバックアップする段階と、第1ターゲットページでの第2データのプログラミングの成敗を決定する段階と、ローカルバックアップデータを不揮発性メモリの第2ブロックの第2ターゲットページにプログラミングする段階と、を含む不揮発性メモリの動作方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】フラッシュメモリのリードディスターブを抑制することができるメモリシステムおよびその制御方法を実現する。
【解決手段】本発明のメモリシステムおよびその制御方法は、リードディスターブによりデータが読み出される回数に制限があるフラッシュメモリ11と、フラッシュメモリ11からデータが読み出されるたびに更新され、リードディスターブを判定する基準値との比較結果に基づいてフラッシュメモリ11をリフレッシュするための読み出し回数を保持する不揮発性メモリ12と、ホストPC15からのアクセスコマンドに基づいて、フラッシュメモリ11からデータ読み出し、および不揮発性メモリ12の読み出し回数の更新を制御する制御手段を有する。 (もっと読む)


【課題】シリアル番号を使用することなく、フラッシュメモリを搭載したメモリカードの製造日や製造ロットを特定することが可能な方法を提供する。
【解決手段】メモリカードに搭載されたフラッシュメモリ内にある全ての先天性不良ブロックの物理ブロックアドレスを含む不良ブロック情報を、メモリカードを特定するための情報として登録しておき、メモリカードの特定を行うときには、特定対象のメモリカードから不良ブロック情報を読み出し、読み出した不良ブロック情報と登録されている不良ブロック情報とを比較する。登録されている複数の不良ブロック情報から特定対象のメモリカードから読み出した不良ブロック情報と一致するも検出することにより、メモリカードの特定を行う。 (もっと読む)


【課題】不必要にデータ書き込み処理の速度を低下させることなく、簡単な構成(低コスト)で電源遮断対策のできるメモリコントローラ、不揮発性記憶装置、及び不揮発性記憶システムを提供すること。
【解決手段】アクセス装置に、ロック機構など、カードが電源遮断対策に対応した機構があるかないかを入力する電源遮断対策情報入力手段301を備える。書き込みコマンドに先立ち、アクセス装置から不揮発性記憶装置100に電源遮断対策の要否を通知する。これにより、電源遮断対策を具備せず高速に記録を行うことが可能な第1の不揮発性メモリ制御手段303を用いてデータの書き込みを行うか、電源遮断対策を具備した第2の不揮発性メモリ制御手段304を用いてデータの書き込みを行うかを切り替える。 (もっと読む)


【課題】 従来のファイルシステムと親和しやすく、大容量で且つ高速な書き込みを実現できるホスト装置を提供する。
【解決手段】 ホスト装置は、半導体メモリと半導体メモリを制御するコントローラとを具備するメモリシステムを挿入される。ホスト装置は、書き込みデータにFATファイルシステムにおいて定義されたクラスタを割り当て且つFATファイルシステムにおいて定義されたファイルアロケーションテーブルとディレクトリエントリとを含む管理データを用いてクラスタに割り当てられたデータを管理するファイル管理システムを搭載している。ディレクトリエントリは最上層のルートディレクトリのエントリ情報であるルートディレクトリエントリと、ルートディレクトリに属するサブディレクトリのエントリ情報であるサブディレクトリエントリと、を含む。ファイルシステムは、管理データに対して、アドレスが連続する所定範囲の複数のクラスタを割り当てる。 (もっと読む)


【課題】記憶素子を実装した記憶素子基板がメインボードのスロットに正常に接続されたか否かを、正確かつ効率的に検査できるようにする。
【解決手段】RAM-DIMM2の配線パターンとDIMMスロット5のピンとがオープン状態か否かをアドレス線について検査する際、検査対象の1本のアドレス線のみ選択信号レベルにした第1のアドレス線信号状態でアドレッシングして所定のデータを書き(S1)、さらに全アドレス線の信号レベルを選択信号レベルとは逆相の信号レベルにした第2の信号状態でアドレッシングして前記所定のデータとは違うデータを書き(S2)、次に第1の信号状態でアドレッシングしてデータを読み出し(S3)ヴェリファイチェックを行なう(S4)。このような動作をアドレス線の線数分繰り返す(S6〜S9)ことにより検査する。 (もっと読む)


【課題】用途に応じて装置寿命と記憶容量との優先度を変更可能な半導体記憶装置管理システム、半導体記憶装置、半導体記憶装置管理システムの制御方法およびプログラムを提供すること。
【解決手段】データを記憶する半導体メモリ領域21と、当該半導体メモリ領域21内の不良ブロックを代替する不良ブロック代替領域22と、を有する半導体記憶装置2を管理する半導体記憶装置管理システム1であって、半導体メモリ領域21の総ブロック数と不良ブロック代替領域22の総ブロック数との割合を変更する割合変更手段と、割合変更手段による変更に基づいて、半導体メモリ領域21または不良ブロック代替領域22の内、消費されていない一部の未消費ブロックを他方の領域に割り当てる割当手段と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】メモリミラーリングによるデータの冗長性を全く損なうことなく、メモリからデータを読み出すのに要する時間を短縮すること
【解決手段】メモリコントローラ4は、上位装置2から指定されたアドレス範囲のデータを一対のメモリモジュール6から読み出す際に一方のメモリモジュールからのデータの読み出し順と他方のメモリモジュールからのデータ読み出し順が異なるように読み出しコマンドを発行する機能と、読み出しコマンドに応じて一対のメモリモジュールからアドレス範囲のデータがすべて出力された時点でECCコードを用いてエラーチェックを行い、訂正不能なエラーがない場合には、アドレス範囲のデータを上位装置に出力する機能と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】記憶媒体が故障に至る前にその劣化を検出し、その旨の通知を可能とする。
【解決手段】記憶媒体40に書き込んだ所定データを記憶媒体40から読み出した読み出しデータと前記所定データとの比較結果に基づいて記憶媒体40の異常の有無を判定する診断手段12aと、診断手段12aが異常有りと判定した診断情報に基づいて記憶媒体40の故障の有無を判定する故障検出手段12bと、該判定に応じて故障を通知する故障通知手段12cと、を有する記憶媒体故障検出システムにおいて、故障検出手段12bが故障無しと判定した診断情報を、記憶媒体40に関連づけて時系列的に記憶する診断情報記憶手段54と、該診断情報に基づいて、あらかじめ定められた記憶媒体40の劣化パターンを検出する劣化検出手段51aと、該劣化パターンの検出に応じて記憶媒体40の劣化を通知する劣化通知手段51bと、を有する。 (もっと読む)


【課題】アドレス変換を用いてOTPメモリを備えた不揮発性記憶装置に対する擬似的な上書きをする場合において、ファイルシステム管理情報の書き換えを頻繁に行うと、実際に記録可能なメモリ容量が減るという課題があった。
【解決手段】アクセス装置から不揮発性記憶装置に対してファイルデータを書き込む前に、書き込み開始位置情報を通知し、ファイルシステム管理情報を書き込む。またファイルデータの書き込みが完了した後に、書き込んだファイルデータの量に応じてファイルシステム管理情報を書き換え、書き込み完了情報を通知する。また、アクセス装置は、書き込みが正常に終了したかどうかの情報を不揮発性記憶装置から取得し、異常であった場合に書き込み終了位置情報と、事前に記憶していた書き込み開始位置情報を取得し、書き込んだファイルデータの量に応じてファイルシステム管理情報を書き換える。 (もっと読む)


【課題】有限の書き込み寿命を有する記録媒体に対して寿命以下の書き込み回数でデータの書き込み量を確保可能とすること。
【解決手段】データの書き込み回数が有限であるCFカード14に対するデータ書き込み方法において、一方のバッファ18に複数回分のデータを書き込み、当該バッファ18に書き込んである複数回分のデータをCFカード14に1回で書き込む一方、CFカード14への複数回分のデータの書き込み中に次のデータが入力されるときは、バッファ20に次のデータを書き込む。 (もっと読む)


【課題】従来の情報記録方法では、消去回数に制限のある携帯型メモリカードを効率的に利用することが困難であった。
【解決手段】本発明にかかる情報記録方法は、論理ブロック番号と論理ブロックに関連付けられた物理ブロックの物理ブロック番号とが関連付けて登録される論理物理変換テーブルと、論理ブロックに関連付けされていない物理ブロックの物理ブロック番号が登録される空き物理ブロックテーブルとを作成し、所定の論理ブロック番号に対して情報の書き込みが指定された場合に、空き物理ブロックテーブルに登録された物理ブロックのうち前記消去回数が最も少ない物理ブロックを検索し、当該最も消去回数が少ない物理ブロックに情報を記録し、空き物理ブロックテーブルに登録され情報が記録された物理ブロックの物理ブロック番号と情報の書き込みが指定された論理ブロック番号に関連付けられて登録された物理ブロック番号とを入れ替えるものである。 (もっと読む)


【課題】効率の良い書き込み及び読み出しを行う。
【解決手段】不揮発性半導体メモリから構成される記憶領域22を含む記憶装置の制御方法であって、ファイルを論理アドレス順に追記するファイルシステムを用いて、記憶領域22にファイルを追記するステップと、前記ファイルの記録位置を示す論理アドレスと前記ファイルの仮想的な記録位置を示す仮想アドレスとの対応関係を示す割り当てテーブルVATと、この割り当てテーブルVATの管理情報VAT ICBとを、記憶領域22に記録するステップと、管理情報VAT ICBの記録位置を示す位置情報を、記憶領域22内の位置情報領域22Bに記録するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】データ破損防止に有効なUSBメモリ装置及びUSBメモリ装置制御方法を提供する。
【解決手段】USBメモリ装置8は、PC等の外部装置のUSBポートに着脱自在に接続されるUSBコネクタ22と、制御手段としてのCPU31を内蔵した主制御チップ23等を有する。CPU31は、PC等とデータ転送中か否かを監視し、監視の結果に応じて音声発生手段を構成するスピーカ26による音声発生の動作を制御する。 (もっと読む)


【課題】 1回のダウンロード作業にて、ブートセクタを含むフラッシュメモリの各セクタに格納されたデータの書換えを実現可能とする。
【解決手段】 フラッシュメモリ101は、起動ブートデータを格納する起動ブートセクタ201と、ブートデータを格納する少なくとも2のブートセクタ(202、203)と、メインデータを格納するメインセクタとを有して構成される。ブートデータ判定部301は、ブートセクタのそれぞれに格納されたブートデータの中からブートデータ更新判定データに基づいて起動ブートデータにより実行すべきブートデータを選択する。書換え部(302、303)は、ブートデータ判定部301によって選択されたブートデータの機能によって、当該選択されたブートデータが格納されたブートセクタを除くブートセクタ、起動ブートセクタ及びメインセクタに格納されたデータを受信した更新データに基づいて書換える。 (もっと読む)


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