【課題】不揮発性記憶装置の中にある不揮発性メモリの特性に起因して権利情報が読み出せなくなったのか、悪意のあるユーザーによって意図的に権利情報のデータを破壊したり、改竄を試みたりしたために権利情報が読み出せなくなったのか、区別がつかないため、正当なユーザーに対して適切な補償を行うことができないという課題がある。
【解決手段】メモリコントローラ２５では、権利情報読み出し処理を「失敗」した原因が、不揮発性メモリ２７が原因であるか判断し否かの分析処理を行い、不揮発性メモリの特性に起因して権利情報が読み出せなくなった場合を的確に検出する。そして、メモリコントローラ２５が取得した検出結果を、コンテンツ利用システム等で用いることで、不揮発性メモリの特性に起因して権利情報が読み出せなくなったのか、悪意のあるユーザーによって改竄もしくは意図的な破壊によって権利情報が読み出せなくなったのかを明確に区別することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置において、電源断や書き込みエラーで既に書き込みを完了していたセル共有部分のデータが破壊されないようにすること。
【解決手段】ホスト機器２００Ａにデータバッファ２５０を備える。既に物理ブロックの一部にデータが書き込まれており、更にその物理ブロックにデータを書き込む際に、データバッファにその物理ブロックの書き込み済みのデータが保持されているかどうかを識別する。データが保持されている場合にはそのまま書き込み、エラーがあれば物理ブロック単位での再書き込みを行う。又データバッファにデータが保持されていない場合には、新物理ブロックの確保を要求した後にデータの書き込みを行う。こうすれば、書き込み途中に電源が遮断されたりエラーが生じても、以前に書き込みを完了していたデータが破壊されることはなくなる。 （もっと読む）

【課題】管理情報へのアクセス集中やメモリ特性の悪化に対して、メディア内で管理情報をユーザデータよりも安全に記録、保存し、データエラーを防ぐようにする。
【解決手段】ホスト装置から入力される前記ユーザデータ及び前記管理情報に対する処理内容を記述したコマンドを受信し、前記受信したコマンドがいずれに対するものであるかを判別する。その判別の結果に応じて、前記ユーザデータ及び該ユーザデータをファイルシステム上で管理するための管理情報を記憶する不揮発性メモリ手段に対する制御方式を切り換える。そして、切り換え後の制御方式に従い、前記ユーザデータ又は前記管理情報を前記不揮発性メモリ手段に記録する。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置において、突然の電源断、書き込みエラーで過去に書き込みを完了していたセル共有部分のデータが破壊されないようにすること。
【解決手段】コマンド解析手段１６０にタイマ１６１を備える。書き込みコマンドが与えられたときに、前回の書き込みの完了から計測を開始していたタイマ１６１の値が所定の時間を超えたときに、新ブロック確保判断手段１７０が新たに物理ブロックを確保して書き込みを行う。こうすれば、書き込み途中に突然の電源断が発生したとしても、所定時間以前に書き込みを完了していたデータが破壊されることはなくなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メモリにおいて後発欠陥が発生したとしても、多くのブロックに渡って論物変換の対応関係を変更する必要がないメモリシステムを提供する。
【解決手段】本発明に係るメモリシステムは、ユーザ情報を記憶するために設けられ、互いに重複しない第１物理アドレスが個々に割り当てられる複数の第１ブロック４２と、複数の第１ブロック４２のうちの初期欠陥ブロックの第１物理アドレスを個々に記憶するために設けられる複数の第２ブロック５２ｂａと、複数の第１ブロック４２のうちの後発欠陥ブロックの第１物理アドレスを個々に記憶するために設けられる複数の第３ブロック５２ｂｂとを備えている。さらに、論理アドレスと、第２ブロック５２ｂａに格納される情報と、第３ブロック５２ｂｂに格納される情報とに基づいて、論理アドレスに対応する第１物理アドレスを求める演算装置５０を、備えている。 （もっと読む）

ここに開示するアーキテクチャーは、アドレスマッピングを使用して、ホストインターフェイスにおけるブロックアドレスを不揮発性メモリ（ＮＶＭ）装置の内部ブロックアドレスへマップする。ブロックアドレスは、そのブロックアドレスで識別される同時アドレス可能なユニット（ＣＡＵ）を選択するための内部チップセレクトへとマップされる。ここに開示するアーキテクチャーは、読み取り、書き込み、消去及び状態取得オペレーションのための一般的なＮＶＭコマンドをサポートする。又、このアーキテクチャーは、複数のＣＡＵアーキテクチャーをレバレッジする読み取り及び書き込みオペレーションをサポートするための拡張コマンドセットもサポートする。 （もっと読む）

【課題】管理情報などを格納する特定領域のデータ信頼性を向上させる。
【解決手段】メモリシステム１は、第１の記憶領域２２と第２の記憶領域２１とを有する不揮発性メモリと、第２の記憶領域２１への書き込み時に、第１の記憶領域２２よりもエラー訂正能力を高くするコントローラ１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】安定した書き込み性能でリアルタイム記録を可能にする。
【解決手段】本発明の例に係る追記型メモリデバイスは、不揮発性半導体メモリ５と、不揮発性半導体メモリ５を追記方式で制御するコントローラ４とを備える。不揮発性半導体メモリ５は、ホスト１からの直接アクセスが可能とされるユーザエリアと、コントローラ４により管理されるシステムエリアとを有する。そして、再フォーマットされた不揮発性半導体メモリ５のユーザエリアに対するデータ書き込みは、再フォーマット直前にユーザエリア内に記録された旧追記データの最終の物理アドレスの後方のある未使用領域を開始点とし、またその開始点がユーザエリアの最終の物理アドレスを超えた場合はユーザエリアの先頭の物理アドレスを開始点として順に書き込む。 （もっと読む）

【課題】たとえメモリ書込途中に電源途絶が生じたとしても、不揮発性メモリ上の全セクタ領域のデータや、未書込みデータの正当性を保証することができる情報処理装置を提供する。
【解決手段】情報処理装置１００は、装置全体を制御する制御部１０２と、プログラム等を記憶するＲＯＭ１０３と、制御部１０２が処理を実行する上でデータを一時的に記憶するＲＡＭ１０４と、主にアプリケーションプログラムが利用し、データの保管を行うための不揮発性メモリ１０５と、装置全体への電力供給を行う電源１０１と、を備える。制御部１０２は、データの保証を行うために必要な署名コードを生成する署名コード生成手段１０２１を有し、またセンタ等(図示せず)から通信部１０６を介して受信したアプリケーションプログラムを実行可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】記録途中にメモリカードを強制的に取り出された場合に発生する書き込み情報の欠陥を、時間経過があっても、修復前にファイルを記録されても修復できるメモリカード記録装置を、安価に提供することである。
【解決手段】本発明は、メモリカードへの書き込みと同時に、該メモリカードの情報記録単位毎のデータの上書き禁止を示す情報を記録するファイル配置テーブルを有し、該メモリカード内の書き込み済みデータの上書きを防止し、書き込みエラー発生以降は、補助記憶装置に残りの書き込みコマンド又は残りの書き込みデータなどの修復情報をメモリカードの個体識別情報とセットで保存する手段を有することを主要な特徴とする。 （もっと読む）

【課題】書き込みエラーが多発した場合においても、連続して書き込みが可能な信頼性の高い半導体記録装置を提供する。
【解決手段】書き込むべきデータをＥＣＣ符号として不揮発性メモリを構成する複数の物理ブロックに記録し、書き込みエラーが発生した場合は、直前に発生した書き込みエラーと現書き込みエラーとの時間間隔を検出する。そして、時間間隔が第１の基準時間以内であれば誤り位置管理手段に、書き込みエラー発生ブロック番号と、書き込みエラー発生ブロックとＥＣＣのグループになっているブロック番号とを登録する。そして、所定のタイミングで、誤り位置管理手段に登録された書き込みエラーを読み出し、ＥＣＣ符号により誤り訂正することによって復元し、再書き込みを行う。これにより、ホスト機器のバッファメモリのオーバーフローを防止できるため、書き込みエラーが頻発した場合においても、映像信号のリアルタイム記録が可能である。 （もっと読む）

【課題】ホスト装置のデータ管理単位とメモリセルアレイのデータ管理単位との間のミスマッチに起因するシステムのオーバーヘッドを抑制することを可能にした半導体記憶システムを提供する。
【解決手段】メモリセルアレイは、１つのメモリセルＭＣ中に３ビットの情報を記憶することが可能に構成されている。ＥＣＣ回路は、メモリセルアレイから読み出されたデータを冗長データに基づいて訂正する。１つのワード線ＷＬを共有し一度に書き込み又は読み出しが可能なメモリセルＭＣの数が２のべき乗である。また各メモリセルＭＣがそれぞれ複数ページのデータを格納する。複数ページＵＰＰＥＲ，ＭＩＤＤＬＥ、ＬＯＷＥＲに格納される実効データの合計のデータ量が２のべき乗のビット数に設定され、複数ページの残余の部分に冗長データが格納される。 （もっと読む）

【課題】記憶されたデータについて高い信頼性を確保可能とする記憶装置、及びその記憶装置を装着して使用される電子機器を提供すること。
【解決手段】電子機器２０に装着して使用される記憶装置であるＳＤメモリカード１０であって、不揮発性メモリであるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１５と、誤り訂正回路であるＥＣＣ回路１６と、を有し、誤り訂正回路は、電子機器２０により発行された信頼性チェック要求に応じて、不揮発性メモリから読み出されたデータのエラーを検出し、不揮発性メモリの第１のブロックから読み出されたデータについて、閾値以上、或いは閾値より大きい数のエラーを誤り訂正回路が検出した場合に、誤り訂正回路による訂正を経た第１のブロックのデータを不揮発性メモリの第２のブロックへ移すとともに、アドレス変換テーブルに保持されている第１のブロックの物理アドレスを第２のブロックの物理アドレスへ変更する。 （もっと読む）

【課題】物理ブロック単位でデータ保持特性のばらつきが発生した場合においても、その特性ばらつきを吸収し、データ保持性能を改善すること。
【解決手段】データの書き込み時には、Ｎワードのデータに対してＭワードのパリティを付加し、第１のＥＣＣ符号とする。各ワードを（Ｎ＋Ｍ）個の各物理ブロックに分配し、Ａ個の前記第１のＥＣＣ符号の各１ワードを構成要素とする第2のＥＣＣ符号を付して物理ブロックの各ページに書き込む。データの読み出しにおいては、第２のＥＣＣ符号によってエラー訂正を実施し、第２のＥＣＣ符号でエラー訂正できなかった場合は、第１のＥＣＣ符号で消失訂正を実施する。訂正された物理ブロックを警告ブロックとし、書き込み対象の物理ブロックとしての優先順位を下げる。所定のタイミングで警告ブロックのデータを読み出し、ＥＣＣ訂正して別の物理ブロックに書き込む。 （もっと読む）

【課題】コマンドの先行発行が可能な不揮発性記憶システムにおいて、アクセス装置が電源遮断時のファイルの整合性を保ちつつ、ユーザーデータおよび管理情報データの制御を実施するのは困難であった。
【解決手段】コマンドスケジューラ１６２は、ユーザーデータおよび管理情報データにＳｅｑ番号を付与し、同一Ｓｅｑ番号をもつユーザーデータの書き込み完了後に、同一Ｓｅｑ番号を有する管理情報データの書き込みを実行するように制御する。これにより、書き込み中に電源遮断が発生してもファイルの整合性を保つことができる。 （もっと読む）

【課題】チェックコードを必要とする正誤判定処理を繰り返すことに起因したメモリ消費及び処理時間の増加を防ぎ、また、想定外異常に対する適応力を高めて信頼性向上に貢献し得る。
【解決手段】上位装置２０からコマンドを受信して、コマンドに従って処理を実行するカードリーダ１であって、カードリーダ１の各種動作に必要な作業データが格納される、書換え不可能な外部ＲＯＭ１１と、カードリーダ１が処理を実行する際に必要な作業データがコピーされる、書換え可能な外部ＲＡＭ１２と、外部ＲＯＭ１１及び外部ＲＡＭ１２にアクセス可能なＣＰＵ１０と、を有し、ＣＰＵ１０は、カードリーダ１が待機状態のときに、外部ＲＯＭ１１に格納されている作業データにより、外部ＲＡＭ１２内の作業データを更新する。 （もっと読む）

【課題】メモリチップの高コスト化、及びチップ面積の増大を抑制しつつ、メモリの信頼性を高める。
【解決手段】この不揮発性半導体記憶システムは、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリセルを配列してなるメモリセルアレイを備えたメモリチップ２１と、不揮発性メモリでの各動作の制御を行うメモリコントローラ２２とを備えている。メモリチップは、データ読み出し、書き込み又は消去の動作に関するメモリセルのステータスを示すステータス情報を出力する。メモリコントローラ２２は、ステータス情報に基づき制御信号の切替を指示する。 （もっと読む）

【課題】インテグリティチェックデータが格納されているフラッシュメモリの劣化対策を実現するデータ格納装置を提供する。
【解決手段】コンテンツ再生装置１０００は、再生履歴情報の改ざんの有無を確認するためのインテグリティチェックデータ（確認データ）として、再生履歴情報のハッシュ値を用いる。そして、第１のアドレス計算部１００４及び第２のアドレス計算部１００６は、インテグリティチェックデータの読込先アドレス及び格納先アドレスを、そのハッシュ値を用いて決定する。これにより、フラッシュメモリにおけるインテグリティチェックデータの格納先を分散させ、フラッシュメモリの劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリのデータページを更新する記憶装置及びその方法を提供する。
【解決手段】記憶装置は、フラッシュメモリと、誤り訂正符号（ＥＣＣ）検出器と、コントローラとを含む。フラッシュメモリのデータページ毎は、データ及び前記データに対応するＥＣＣを記憶する。ＥＣＣ検出器は、毎のデータページのスペア領域のＥＣＣに用いるビット数を検出する。コントローラは、前記複数のデータページ中の第１データページのＥＣＣに用いるビット数が予定値より高い時、前記第１データページに記憶したデータ及び前記ＥＣＣを、ＥＣＣに用いるビット数が前記予定値より低い第２データページに記憶する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリシステムにおいて摩耗一様化を実施する方法および装置を提供する。
【解決手段】メモリシステムの不揮発性メモリに含まれる要素を処理する方法が、複数の消去要素に関連付けられた消去カウントを得ることを含む。複数の要素に含まれる各要素は、要素が消去された回数を示す関連付けられた消去カウントを有する。方法は、また、複数の要素に含まれるいくつかの消去カウントを第１セットにグループ分けすることと、第１セットに関連付けられた消去カウントをメモリシステムのメモリ構成要素に記憶することとを含む。その数の要素を第１セットにグループ分けすることは、通常、複数の要素に関連付けられた消去カウントの最高の関連付けられた消去カウントを有する複数の要素に含まれる消去要素を選択することを含む。 （もっと読む）