【課題】正確なデータエラーに基づいてテストを実行することができるエラー訂正試験方法を提供する。
【解決手段】サーバ１が、特定のビットに第１の値が設定された第１のデータと、特定のビットに第１の値とは異なる第２の値が設定された第２のデータをＤＩＭＭ４に書き込む。疑似故障ツール３が、特定のビットに対応するＤＩＭＭ４の電極を第２の値を示すようにクランプする。サーバ１が、ＤＩＭＭ４から、第１のデータと第２のデータを読み出す。サーバ１が、エラー訂正回路が第１のデータのエラーを訂正することを確認する。 （もっと読む）

【課題】ソフトエラー等による一時的な論理アドレスと物理アドレスとの誤変換によるデータの位置誤算出を防ぐことができて信頼性を保てるストレージ制御装置を提供する。
【解決手段】ストレージシステムは、記憶装置と、ストレージ制御装置を備え、ストレージ制御装置が、ホストから書き込み指示を受け取ったとき、ホストからの書き込み指示に含まれる論理アドレスを含む読み込み指示を記憶装置へ送るデータ読み込み指示手段と、データ読み込み指示手段からの読み込み指示に基づき、記憶装置が読み取った該当位置のデータに論理アドレスが含まれている場合に、ホストから受け取った書き込み指示に含まれる論理アドレスと読み取ったデータに含まれた論理アドレスとが異なるとき、システム領域からアドレス変換情報を読み出し、読み出したアドレス変換情報をメモリに書き込むアドレス変換情報訂正手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】バーストエラーが発生したために、読み出されたデータに含まれる全てのビットの論理値が、“１”又は“０”になったときに、そのバーストエラーの発生を高い確率で検出すること。
【解決手段】ビットエラーを訂正するためのＥＣＣに符号化されたデータと共に、論理値０のビットと論理値１のビットの双方を複数ビットずつ含む整合性符号をフラッシュメモリ内のページに書き込む。そして、そのデータをフラッシュメモリから読み出したときに、そのデータ及びそのデータと共に書き込まれた整合性符号に含まれる全てのビットが論理値０のビットであるとき、又は、その全てのビットが論理値１のビットであるとき、ＥＣＣに基づいて訂正不能エラーの発生が検出されなかった場合でも、訂正不能エラーが発生したと判断し、ホストシステムにその旨を通知する。 （もっと読む）

【課題】リード／ライトの高速化が図れるメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリシステムは、電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型ＥＥＰＲＯＭからなる第１のメモリ１３−１，…，１３−ｎと、強誘電体メモリ，磁気抵抗メモリ，及び相変化メモリの何れかからなり、第１のメモリよりも小容量で書き込み速度の速い第２のメモリ１４と、第１及び第２のメモリ１３，１４を制御するコントロール回路１５と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有する。第１のメモリ１３にはデータを記憶し、第２のメモリ１４にはデータを記憶するためのルート情報、ディレクトリ情報、データのファイル名称、データのファイルサイズ、データの記憶箇所を記憶するファイルアロケーションテーブル情報、及びデータの書き込み終了時間の少なくとも一つを記憶する。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能なメモリデバイスを提供する。
【解決手段】メモリデバイスは、半導体メモリと、半導体メモリを制御するコントローラとを含んでいる。コントローラは、第１コマンド発行部と、第２コマンド発行部と、エラー訂正部と、制御部と、を含んでいる。第１コマンド発行部は、半導体メモリに読み出しコマンドを発行する。第２コマンド発行部は、半導体メモリに第１コマンド発行部と独立して半導体メモリからのデータの読み出しを伴わない処理を指示するコマンドを発行可能に構成されている。エラー訂正部は、半導体メモリから供給されたデータに含まれるエラーを訂正する。制御部は、エラー訂正部、および第１、第２コマンド発行部を制御する。 （もっと読む）

【課題】 不揮発メモリを備えた端末装置で、不揮発メモリを脱着する場合でも、不揮発メモリの再書き込みを行う最適な時期を検出し、再書き込みを行う手段を提供する。
【解決手段】 端末装置は、装置内部の温度を検出し、検出した温度に応じて割り込み信号を出力する高温検出カウンタ回路を備え、不揮発メモリのブロックの管理領域には、データが書き込まれた時、及び装置が停止される直前のシステム時間とストレス加速時間とが記録され、装置が再起動される時には、装置が停止される直前のストレス加速時間から継続してストレス加速時間をカウントすることで、不揮発メモリを脱着する場合でも、不揮発メモリの再書き込みを行う最適な時期を検出し、再書き込みすることができる。 （もっと読む）

【課題】メモリデバイスのメモリアレイに情報を書き出す処理、及び／またはメモリアレイから情報を読み取る処理のエラーに対応する安全機能を余剰コストをかけずに備える。
【解決手段】メモリデバイス及びメモリデバイスの操作方法に関するものであり、エラー修正、及び／または、読み取り処理及び／または書き出し処理を再開始する機能を実現するために、メモリアレイ１８０，１９５に情報をプログラムすることにフェイルした後に利用可能な情報を保持するメモリバッファ１７０，１８５を具備する。 （もっと読む）

【課題】消去を許さないパラメタ装置依存パラメタを有するファイルシステムにおいても、ウェアレベリングのために論物変換テーブルの初期化を行えるようにする。
【解決手段】半導体メモリ装置１１０は、フラッシュメモリ１４０を管理しているファイルシステムがユーザ独自に利用可能な装置依存パラメタ領域を有するかを判断するＩＤ検出手段１５２と、フラッシュメモリ１４０の物理アドレスと外部からアクセスする際の論理アドレスとを対応づける論物変換テーブルを初期化するテーブル初期化手段１５４とを含むメモリ情報管理手段１５０と、を具備し、テーブル初期化手段１５４による論物変換テーブルの初期化前に、フラッシュメモリ１４０上の装置依存パラメタを取得してカード依存パラメタ記憶手段１５５に記録し、論物変換テーブルの初期化後に、カード依存パラメタ記憶手段１５５中の装置依存パラメタをフラッシュメモリ１４０に書き込む。 （もっと読む）

【課題】既存のコマンド体系のままであっても、エラーの詳細な内容などのコマンド処理結果の詳細な情報を追加情報として外部装置に通知できる携帯可能電子装置を提供する。
【解決手段】携帯可能電子装置は、実行部Ｓ１３と、生成部Ｓ１７と、記憶部Ｓ１８と、第１の処理部Ｓ１９、Ｓ１６と、第２の処理部Ｓ２０、Ｓ１６とを有する。実行部は、外部装置から受信したコマンドに応じたコマンド処理を実行する。生成部は、実行部により実行したコマンド処理の結果に関連する追加情報を生成する。記憶部は、生成部により生成した追加情報を記憶する。第１の処理部は、記憶部により生成部が生成した追加情報を記憶した場合、実行部によるコマンド処理の結果とともに、追加情報が有ることを示す情報を含むレスポンスを外部装置へ送信する。第２の処理部は、外部装置から追加情報を要求するコマンドを受信した場合、記憶部に記憶している追加情報を外部装置へ送信する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリの記憶領域に対する書き込み回数の平準化の程度を一層高めることで、フラッシュメモリの寿命を実質的に延長することができる、書き込み装置、書き込み方法、及び書き込みプログラムを提供すること。
【解決手段】フラッシュメモリ４における連続する記憶領域に順に情報を書き込む書き込み装置１であって、フラッシュメモリ４に情報を書き込む場合、当該フラッシュメモリ４において情報が最後に書き込まれた記憶領域を特定し、当該特定した記憶領域の次の記憶領域から順に、情報を連続して書き込みが可能な空き記憶領域を検索する検索部３ａと、この検索部３ａによって検索された空き記憶領域に対応する記憶領域に情報を書き込む書き込み部３ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】不揮発性記憶装置内部のコントローラが不揮発性メモリに印加されている電圧変動に起因する動作状態を正しく認識する。
【解決手段】不揮発性メモリ外部より読み出し可能なステータスを保持するステータス保持部とメモリセルアレイと読み書き制御部と外部インターフェース部と電源電圧検知部とリセット部を備え、不揮発性メモリに印加される電圧が、電源電圧検知部で所定の電圧値よりも小さいときにはリセット部は不揮発性メモリ全体をリセットし、不揮発性メモリに対するデータの書き込みおよび消去が不能になり、不揮発性メモリに印加される電圧が、電源電圧検知部で所定の電圧値以上であるときには、第二の状態に遷移するコマンドを受け付けた場合に不揮発性メモリに対するデータの書き込みおよび消去が可能になる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリへのデータ書き込みの際に、代替ブロックの残量を的確に通知する。
【解決手段】メモリへのデータの書き込みを制御すると共に、代替ブロックの残量が記憶された閾値情報で指定される閾値以下になると通信手段により外部機器に通知する制御手段を備えた記憶装置において、制御手段は通信手段により外部機器から受信した閾値情報を用いて制御手段が通知のために使用する閾値情報を更新する。 （もっと読む）

【課題】特に高いデータ保持信頼性が要求される読み出し専用のデータに対し、データ保持信頼性向上のためのリフレッシュ処理が適用された場合に、データ保持信頼性を維持する。
【解決手段】論理アドレスを複数の領域に分割し、分割された領域のデータに対しレベリング処理の適用を許可／禁止を示す領域指定テーブル１１２と、読み出し専用の物理ブロックのデータのリフレッシュ時に使用する物理ブロックのアドレスを登録した無劣化ブロックテーブル１１３と、アドレス変換テーブル１０９と、制御部１０８とＥＣＣ回路１０７を有する不揮発性記憶装置１０１において、レベリング処理を禁止する領域の読み出し時に、ＥＣＣ訂正ビット数が所定ビット数以上であることを検出した場合は、無劣化ブロックテーブルの物理ブロックを選択してデータをコピーするリフレッシュ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣカード処理装置からのコマンドに応じてＩＣカードが不揮発性メモリ上のデータ格納領域へのデータの書き込みを行う処理に要する時間を短縮することができる。
【解決手段】 外部装置から受信したコマンドに基づいてデータを不揮発性メモリ上のデータ格納領域に書き込む必要がある場合、不揮発性メモリ上のバッファ領域に当該データを書き込み、上記バッファ領域へのデータの書き込みが終了した際にバッファ領域への書き込み完了を示す応答データを外部装置へ出力し、当該データをデータ格納領域に書き込むようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリカードに応じて、適切なアクセス性能を引き出すことが困難であるという課題がある。
【解決手段】メモリカード制御装置１００は、データを記録する際に、データに関するエラー訂正情報を生成し、データをエラー訂正情報とともに記録するエラー訂正情報生成手段１０８と、取得したデータに対してエラーが発生した場合に、エラー訂正に必要なエラー訂正情報を取得し、訂正するエラー訂正手段１０４と、メモリカード１１０中のフラッシュメモリ１１２等に関する情報とメモリカード１１０内で実施可能なエラー訂正に関する情報とを基に、エラー訂正情報生成手段１０８及びエラー訂正手段１０４を動作させるかを決定するステータス情報リード手段１０６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】不測の電源遮断に対応する設定情報の保持方法について工夫する。
【解決手段】記憶装置として不揮発性記憶手段を有する画像形成装置を前提として、上記不揮発性記憶手段の記憶領域を少なくとも三つの領域に分割する記憶領域分割手段と、上記分割された記憶領域の内の二つの領域を使用して、同じ情報を記憶させるデータ書き込み手段と、上記二つの領域へのデータの書き込み中に不測の電源遮断が発生することにより、データが壊れたことを検知する異常検知手段(S22,S24)と、上記データが壊れた領域とは別の領域に保持されている正常なデータを、上記分割された記憶領域の内の使用していない領域にコピーすることにより、データを復帰させる復帰処理手段(S26)とを備える。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリへの負担を軽減させつつ、所定のプログラミング言語で記述されたプログラムを処理することができるＩＣチップ、ＩＣカード、制御方法及び制御プログラムを提供すること。
【解決手段】不揮発性メモリ２１と、所定の処理を実行する第１の実行部２２と、所定のプログラミング言語で記述されたプログラムを逐次的に解釈し、第１の形式のコードに変換するコード変換部２３と、コード変換部２３により変換されたコードを、第１の実行部２２により所定の処理が実行される環境に基づいて第２の形式のコードに変換し、変換後の第２の形式のコードに基づいて所定の処理を実行する第２の実行部２４を備える。第２の実行部２４は、第２の形式のコードに基づいて所定の処理を実行する際に、最後の命令コードのみを命令コードとして実行する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリへのデータ書き込み処理全体としてのパフォーマンスの向上を図る。
【解決手段】半導体集積回路装置（１０）は、不揮発性メモリ（１０８）と制御部（１０１）とＲＡＭ（１０７）とを含む。上記制御部は、アドレス変換テーブルを、電源投入時の初期設定により上記ＲＡＭに形成し、このアドレス変換テーブルを参照して、上記不揮発性メモリにおけるブロックへのデータ書き込みを制御する。論理／物理アドレス変換テーブルがＲＡＭ内に設けられているため、不揮発性メモリ内のアドレス変換テーブル更新のための不揮発性メモリへの書き込み動作が不要になり、不揮発性メモリへのデータ書き込み時間が短縮される。 （もっと読む）

【課題】論理物理変換テーブルに何らかの異常が生じてもデータアクセスを可能とする。
【解決手段】フラッシュメモリーの各物理ブロックの先頭に設けられた管理データ領域にインデックス情報（論理アドレス）を記録しておき、ホスト側から論理アドレスの指定を伴ってコマンドを受信した場合に論理アドレスを論理物理変換テーブルを参照して物理アドレスに変換し（Ｓ１２０）、物理アドレスが示す物理ブロックの管理データ領域からインデックス情報を読み出して論理物理変換テーブルが正常か否かを判定し（Ｓ１３０，Ｓ１４０）、正常でない場合には各物理ブロックの管理データ領域からインデックス情報を読み出して論理物理変換テーブルを修復すると共に（Ｓ１５０）、論理アドレスを修復した論理物理変換テーブルを参照して物理アドレスに変換し物理アドレスが示す物理ブロックにアクセスしてコマンドに応じた処理を実行する（Ｓ１２０〜Ｓ１６０）。 （もっと読む）

【課題】ＲＡＩＤコントローラ部で障害が発生した場合にもシステムの停止を引き起こすことの無いようにする。
【解決手段】ノードコントローラが、前記演算処理装置からメモリ書き込み要求を受けつけた場合には、自身に接続されている前記複数のメモリコントローラのそれぞれと、自身に接続されている他のメモリ障害処理装置のノードコントローラと、に当該メモリ書き込み要求を転送し、自身に接続されている他のメモリ障害処理装置のノードコントローラからメモリ書き込み要求を転送された場合には、自身に接続されている前記複数のメモリコントローラのそれぞれに当該メモリ書き込み要求を転送し、複数のメモリコントローラのそれぞれは、前記メモリ書き込み要求が転送されてきた場合であって、当該書き込み要求が自配下のメモリＤＩＭＭへのものである場合に当該書き込み要求に従ってデータの格納をする。 （もっと読む）