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Fターム[5B018MA24]の内容

記憶装置の信頼性向上技術 (13,264) | 対象 (1,668) | ICカード、メモリカード (351)

Fターム[5B018MA24]に分類される特許

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【課題】不揮発性メモリにおいて第1の誤り訂正符号の訂正能力を超えるエラーが発生した場合でも、格納したデータを正しく読み出すことが可能で、かつ、小さいサイズの書き込みが効率的な不揮発性記憶装置、及びメモリコントローラを提供する。
【解決手段】不揮発性記憶装置1は、データを記憶する不揮発性メモリ12と、不揮発性メモリ12の制御を行うメモリコントローラ11とを備え、メモリコントローラ11は、データと同一ページに格納する第1の誤り訂正符号とは別に、第2の誤り訂正符号をも格納する。第2の誤り訂正符号の単位となるパリティグループよりもサイズの小さい書き込みにおいては、パリティグループとは別の領域に暫定的な第2の誤り訂正符号を格納する。データの読み出し時にはデータに付与された第1及び/または第2の誤り訂正符号を用いてエラー訂正を行う。 (もっと読む)


【課題】不揮発性メモリへの書き込み処理が中断された場合であっても、書き換え対象の情報毎に元に戻すか否かを切り分けることが可能なICチップを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリは、情報を記憶する記憶領域とバックアップ領域を有し、書き込み手段は、前記記憶領域への書き込み処理が中断された場合には、前記バックアップ領域にバックアップされている前記情報を前記記憶領域に書き戻す処理を行うものであって、前記書き込み処理直前に前記記憶領域に記憶されている情報に書き戻すことが許容されない情報を含むデータブロックに対して前記書き込み処理を行う場合には、前記データブロックに含まれる複数の情報のうち、前記書き戻すことが許容されない情報については書き換え後の情報を前記バックアップ領域にバックアップする一方、前記書き戻すことが許容される情報以外の情報については書き換え前の情報を前記バックアップ領域にバックアップする。 (もっと読む)


【課題】より少ないステータス情報領域で、ステータス異常に対応することができる不揮発性半導体記憶装置およびメモリ管理方法を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリに対し、メモリセルブロック単位での一括消去処理、予め定められたアドレス数の記憶領域単位またはビット単位での書き込み処理、および、メモリセルブロック単位で、データ更新元メモリセルブロックからデータ更新先メモリセルブロックへ予め定められたデータを転送するデータ更新処理の制御を行うメモリ制御部と、を備え、複数のメモリセルブロックは、それぞれ、該メモリセルブロックの使用状態に関する情報を含むステータス情報を記憶するためのステータス情報記憶領域と、該メモリセルブロックのデータ更新処理における更新履歴を含む更新履歴情報を記憶する更新履歴情報記憶領域と、を備え、ステータス情報および更新履歴情報に基づいて、現在使用中のメモリセルブロックを特定する。 (もっと読む)


【課題】 より安定して動作する携帯可能電子装置、ICカード、及び携帯可能電子装置の制御方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係る携帯可能電子装置は、データを記憶する第1のメモリと、復元アドレスと復元データとを対応付けてメモリ保障データとして記憶する第2のメモリと、外部機器から送信された書込みコマンドを受信する受信部と、前記書込みコマンドからアドレス及び書込みデータを取得し、前記アドレスと、前記書込みデータのデータサイズと、に基づいて前記第1のメモリ上の領域を特定し、特定された前記領域のデータを復元データとして前記第2のメモリに記憶し、前記アドレスを復元アドレスとして前記第2のメモリに記憶する制御部と、特定された前記第1のメモリ上の領域に前記書込みデータを書込む書込み処理部と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】リフレッシュ処理中に発生した不測の電源断により、フラッシュメモリに保持されているデータが破損することを防止できるICカードを提供する。
【解決手段】ICカード1には、ICカード1に実装されたフラッシュメモリをリフレッシュ処理できるように、フラッシュメモリに保持されているデータをページ単位で取得し、フラッシュメモリにページ単位で該データを再書き込みするリフレッシュ処理を実行するリフレッシュモジュール12が実装され、コマンド実行中にリフレッシュ処理を行えるように、外部装置からコマンドを受信すると、該コマンドを処理した後、リフレッシュモジュール12を作動させるトリガー条件が成立していると、リフレッシュモジュール12を呼び出し、リフレッシュモジュール12の処理が終了すると、該コマンドのレスポンスを外部装置へ送信するコマンド管理モジュール10が実装される。 (もっと読む)


【課題】不揮発性メモリのデータ信頼性向上と読出アクセス時間の高速化及び安定化
【解決手段】不揮発性メモリに記憶されたデータについて、近い将来リフレッシュが必要となるか否か、つまりリフレッシュ機会が近接しているか否かを推測する。この推測にはアクセス時のビットエラー数などを記憶した評価用情報を用いる。そしてリフレッシュ機会が近接していると判定されるデータについて、そのデータをオリジナルデータとして、オリジナルデータと同一のクローンデータを、不揮発性メモリ内に生成する。その場合、アクセス実行の際にオリジナルデータとクローンデータのいずれか一方がアクセス対象となるように、管理情報を更新する。 (もっと読む)


【課題】データの保持期間を長くする。
【解決手段】コンピュータシステムは、パーソナルコンピュータなどのホスト10と、ホスト10に接続されるUSBメモリデバイス100とを備える。USBメモリデバイス100は、ユーザ用データを格納するためのNAND型フラッシュメモリ130と、OTPメモリ140とを備える。NAND型フラッシュメモリ130には、ユーザ用データ以外に、ユーザ用データに対応した第1次のエラー訂正用符号であるECC_Aとが格納される。一方、OTPメモリ140には、ECC_Aに対応した第2次のエラー訂正用符号であるECC_Bが格納される。 (もっと読む)


【課題】フラッシュメモリの劣化をより迅速に検出できる。
【解決手段】速度導出部180は、SSD136に対するデータの読み書き速度を導出する。速度保持部138は、速度導出部が導出した読み書き速度を保持する。劣化判定部182は、任意の時点のSSDに対するデータの読み書き速度の、速度保持部に保持されている任意の時点より前の読み書き速度に対する変化率を導出し、導出された変化率が所定の閾値以下となると、SSDが劣化していると判定する。報知部184は、劣化判定部が、SSDが劣化していると判定した場合、その旨報知する。 (もっと読む)


【課題】信頼性を向上させることができる不揮発性メモリ装置の提供。
【解決手段】メモリセルアレイの選択されたページからデータを読み出すか、或いはメモリセルアレイの選択されたページへ書き込むように構成されたページバッファ回路と、選択されたページに割り当てられたシードに基づいて、ページバッファ回路へ伝送されるか、或いはページバッファ回路から伝送されるデータをランダム化及びデランダム化するように構成されたランダム化及びデランダム化回路と、を有し、選択されたページは複数のセグメントで構成され、ランダム化及びデランダム化回路は、選択されたページに割り当てられたシードに基づいて選択されたページのアクセス要請されたセグメントの各々に対するランダムシークェンスを生成するように構成され、シードにしたがって反復的に生成されたランダムシークェンスに基づいて各アクセス要請されたセグメントのデータをランダム化及びデランダム化するように構成される。 (もっと読む)


【課題】長寿命化などを実現できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本半導体装置(メモリモジュールMM0)の制御回路(SC0)は、データ書込みの要求に対し、上書き可能な不揮発性メモリ装置(NVM)へのデータ書込みの際、上書き要求であっても上書き動作せずに、データの書込と消去のサイズを同じにして、メモリ(NVM)のアドレスを連続的に割当てて使用し、メモリ(NVM)の使用のバラツキを抑え平準化する仕組みにより、長寿命化などを実現する。制御回路(SC0)は、(a)第1のアドレスのデータの消去動作、またはフラグ値を無効に設定する動作と、(b)第1のアドレスとは別の第2のアドレスに対するデータの書込動作、またはフラグ値を有効に設定する動作との2種類の動作のセットによりデータ書込みを実現する。 (もっと読む)


【課題】複数の機器のソフトウェア環境を簡単にバックアップすることができる情報処理システムを提供する。
【解決手段】インターフェースボードとプリンターとで構成される装置と、装置に接続されるUSBメモリーと、から成る情報処理システムであって、USBメモリーは、インターフェースボードを制御するボード用OSと、ボード用OSの起動後に実行する処理を定義したコマンドファイルとを記憶し、インターフェースボードは、ボード用OSを起動するボード起動部と、ボード用OSの起動後、コマンドファイルに基づく処理を実行するコマンド実行部とを備え、コマンドファイルには、システム情報のバックアップ処理が定義され、コマンド実行部は、コマンドファイルに基づいてインターフェースボードおよびプリンターのシステム情報をバックアップする。 (もっと読む)


【課題】複数の情報処理装置のソフトウェア環境を簡単にバックアップすることができる情報処理システムを提供する。
【解決手段】複数の情報処理装置とUSBメモリーと、から成る情報処理システムであって、USBメモリーは情報処理装置を制御する外部OSと、情報処理装置で実行する処理を定義したコマンドファイルを記憶し、各情報処理装置は外部OSを起動する装置起動部と、コマンドファイルに基づく処理を実行するコマンド実行部を備え、コマンドファイルにはバックアップ処理が定義されており、USBメモリーが接続された情報処理装置は、コマンドファイルに基づいて自身のシステム情報をバックアップすると共に、他の情報処理装置にバックアップの実行要求を送信し、他の各情報処理装置はバックアップの実行要求に基づいて自身のシステム情報をバックアップする。 (もっと読む)


【課題】
ウエアレベリングを効率良く、かつ、合理的に行う。
【解決手段】
メモリ利用モジュール900から送られた書き込み要求WRQを受けた場合に、アクセス制御部150が、現在時刻TMD、書き込み対象の候補となったアクセス単位ブロックの現時点における検出エラービット数EBN、並びに、不揮発性メモリ200内の管理領域に記憶されている当該書き込み対象の候補となったアクセス単位ブロックに関する最新書込時刻、及び、最新の書き込み時における検出エラービット数を取得する。引き続き、アクセス制御部150は、これらの取得結果に基づいて、最新の書き込み時から現時点までの検出エラービット数の時間変化率を算出し、算出された時間変化率に基づいて、当該書き込み対象の候補となったアクセス単位ブロックが、不揮発性メモリ200に関する消去回数の平準化のために利用できるか否かを判定する。 (もっと読む)


【課題】読み出しデータの3bitエラーを考慮した上で、訂正可能エラーを判別することを可能にするメモリコントローラ及び情報処理装置を提供する。
【解決手段】ECC機能付きメモリモジュールに接続され、メモリモジュールへのアクセスを制御するメモリコントローラにおいて、メモリモジュールから読み出された複数の読み出しデータについて、読み出しデータに対応するECCの符号情報を、メモリモジュールより読み出して、エラービットの有無及びエラービットの位置の検出を行うエラー検出部と、複数の読み出しデータを一時的に格納するバッファと、バッファに格納された複数の読み出しデータに、エラー検出部によって訂正可能エラーが検出されたデータが複数含まれ、かつ、検出されたデータのエラー検出位置が同じ場合に、複数の読み出しデータ全体として訂正可能なエラーを含むと判定する判定部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】特別な温度範囲が広い高価な不揮発性メモリを使わずに、温度保証範囲が狭い安価な汎用品不揮発性メモリを用いて広範囲な温度保証を実現することが可能なメモリ装置、情報処理システム、メモリ制御方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】メモリ装置は、不揮発性メモリと、不揮発性メモリに対してアクセスを行うメモリコントローラと、メモリ装置の温度を検出する温度検出部と、を有し、メモリコントローラは、不揮発性メモリに対するアクセス開始時に不揮発性メモリに識別情報の転送を要求し、要求に対する応答がない場合であって、温度検出部の検出温度が第1の閾値より低い場合、不揮発性メモリの温度を上げるように温度上昇制御を行い、温度上昇制御により温度検出部の検出温度があらかじめ設定された仕様範囲内にある場合には、不揮発性メモリに対して識別情報の転送を再要求する。 (もっと読む)


【課題】CPUの要求するメモリアクセスを処理すること。
【解決手段】複数のメモリモジュール110のページのうち、過熱状態にあるメモリモジュール110のページを、過熱状態にないメモリモジュール110のページへ移動させるべく、過熱状態にあるメモリモジュール110のページの仮想アドレスと、過熱状態にないメモリモジュール110のページの仮想アドレスとを入れ替えるメモリ管理部150を備える。 (もっと読む)


【課題】単一パーティションのみを具備している従来のメモリカード又はモジュールであるメモリカード及びモジュールにおいてパーティショニングを実装する装置及び方法。
【解決手段】本発明による代表的なメモリカード/モジュールは、メモリ装置と、データバス、コマンドライン、及びクロックラインを含むメモリインターフェイスと、を含んでいる。メモリカード/モジュールは、1つ又は複数のメモリ装置及びメモリインターフェイスに結合されたメモリコントローラを更に含んでいる。メモリカード/モジュールは、1つ又は複数のメモリ装置のパーティショニングを制御する手段を含んでおり、メモリコントローラは、パーティション情報に従って1つ又は複数のメモリ装置を動作させるべく構成されている。 (もっと読む)


【課題】復号の処理速度が速いメモリカード3を提供する。
【解決手段】メモリカード3は、1個のメモリセルに記憶する、読み出し単位であるページが異なる3ビットのデータを、8個の閾値電圧分布に基づく確率を用いた反復計算により復号を行うときに、ハードビット読み出しのための7個の基準電圧のそれぞれと、ソフトビット読み出しのための、それぞれの基準電圧よりも低い電圧および高い電圧からなる複数の中間電圧と、からなる7組の電圧セットのうち、読み出すページに属する1ビットデータの読み出しに必要な電圧セットの電圧を選択し、選択した前記電圧セットの電圧を読み出し電圧として前記メモリセルに印加する制御を行うワード線制御部21と、対数尤度比を記憶する対数尤度比テーブル記憶部22と、読み出したデータを対数尤度比を用いてECCフレーム単位で復号をする復号器1と、を有する。 (もっと読む)


【課題】ブロック単位のメモリアクセス処理を、小容量のメモリ領域を用いた管理で高速に実行できるようにする。
【解決手段】実施形態によれば、コマンド生成手段は所定のアクセス処理において、チャネル別のアクセスコマンドの群をメモリインタフェースに逐次投機的に投入する。パージ手段は、複数のチャネルを介してのメモリアクセスのいずれかでエラーが発生した場合、既に投入されている未実行のアクセスコマンドの系列を返却する。コマンド進捗管理手段は、各チャネルにおけるコマンド進捗が、返却された未実行のアクセスコマンドの系列のうちの最も古い未実行のアクセスコマンドの指定する位置を指すようにコマンド進捗情報を更新する。コマンド生成手段は更新された情報に基づき、チャネル別のアクセスコマンドの群をメモリインタフェースに投入する。 (もっと読む)


【課題】グローバルタイムを参照してデータリテンション動作を実行する使用者装置、格納装置、及びそれのデータリテンション方法を提供する。
【解決手段】本発明のデータ格納装置の駆動方法は、データ格納装置をオフライン状態でオンライン状態に転換する段階と、オンライン状態の間にホストから現在のグローバルタイム(Global time)を受信する段階と、オンライン状態の間に現在のグローバルタイム(Current global time)を参照してデータ格納装置に格納されたデータを少なくとも1つのノーマルデータリテンション動作を通じてリフレッシュする段階と、を含む。 (もっと読む)


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