【課題】プログラムコードの自己診断が特定のコマンド処理時間に影響を与えることを避けるための分散処理、および、本装置がほとんど非活性化〜（再）活性化されない利用シーンにおける、プログラムコード自己診断の定期実施を可能とする携帯可能電子装置およびＩＣカードを提供する。
【解決手段】ＲＯＭに格納されたプログラムコードを自己診断する自己診断機能を持つＩＣカードにおいて、プログラムコードの自己診断を１つのコマンド処理内で全て実行するのではなく、複数のコマンド処理に分けて分散実行する。 （もっと読む）

【課題】再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対する負荷を抑えつつ、リードディスターブ現象により生じるエラーに対処する技術を提供することを課題とする。
【解決手段】メモリ４は、ページ単位での読み出しと、ブロック単位で消去が可能である。リードカウンタ５は、メモリ４に対するリード回数ＲＣをブロック単位でカウントする。メモリコントローラ３は、リード回数ＲＣがリード回数閾値ＲＣｔｈを上回る検査対象ブロックが存在するか否かを判定する。メモリコントローラ３は、検査対象ブロックが検出された場合、検査対象ブロックに含まれる各ページに対してエラー検出処理を行い、エラー閾値ＥＢｔｈを超えるエラーが検出されたエラーページが存在するか否かを検査する。エラーページが検出された場合、検査対象ブロックに対してデータの再書き込み処理を実行する。再書き込み処理終了後、検査対象ブロックのリード回数ＲＣを初期化する。 （もっと読む）

【課題】データを、相対的に迅速に各込まれるようにすることを目的とする。
【解決手段】例えば、スマート・カードのようなデータ・プロセッサは、ファイルを管理するためのコントローラを具備し、複数のレコードが逐次記憶されることができる。コントローラは、レコードがファイルに正しく書き込まれたか調べる。コントローラは、正しく書き込まれた最後のレコードに続くレコードを、ユーザ関連ソフトウェアが読み取るのを防止する。 （もっと読む）

【課題】処理速度の低下を防止でき、状況に応じた的確なリフレッシュ動作を実現することが可能なメモリ装置、メモリ制御方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】メモリ装置２０は、ブロック単位にデータの消去が行われ、このブロックに対するデータの書き込みおよび読み出しが行われる不揮発性メモリ２３と、不揮発性メモリのアクセス動作を制御し、不揮発性メモリのデータ変化状態のレベルを監視して不揮発性メモリのリフレッシュ動作を制御する制御部２１と、を有し、制御部２１は、複数設定されたリフレッシュ動作実行の緊急度とデータ変化状態のレベルとの比較結果に応じたリフレッシュ動作を行う。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの状態を安定させることで信頼性を向上させることが可能なメモリシステムを提供する。
【解決手段】実施形態のメモリシステム１は、ワード線当たりのメモリセル群がｎ（ｎ≧２）ページ分の記憶容量を有する不揮発性メモリと、ホストが指定する論理アドレスと前記不揮発性メモリ上のデータの位置を指定する物理アドレスとの対応を示すアドレス変換テーブルを管理するランダムアクセスメモリと、前記アドレス変換テーブルを前記ランダムアクセスメモリから前記不揮発性メモリにコピーするデータ確定処理を実行する前に、同一のワード線に対応する前記ｎページへの書き込みの書き込み順序におけるページ数単位での最大距離以上のページ分のダミーデータを、有効データを書き込んだ前記不揮発性メモリに引き続き書き込むメモリコントローラとを備える。 （もっと読む）

【課題】大容量データストレージシステムの性能を常に最大に維持する。
【解決手段】実施形態に係わる記憶装置は、モジュール基板１１上に直接実装される第１の不揮発性半導体メモリＭ１〜Ｍ８と、モジュール基板１１上に実装され、第２の不揮発性半導体メモリＭ９〜Ｍ１２が実装されたメモリモジュール１３Ａ，１３Ｂの取り付け／取り外しを可能にするメモリソケット１２Ａ，１２Ｂとを備える。メモリコントローラ１４は、メモリソケット１２Ａ，１２Ｂにメモリモジュール１３Ａ，１３Ｂが取り付けられているか否かを判定する手段と、メモリソケット１２Ａ，１２Ｂにメモリモジュール１３Ａ，１３Ｂが取り付けられているときに第２の不揮発性半導体メモリＭ９〜Ｍ１２に書き換え回数を集中させる手段と、所定の交換条件を満たしたときにその旨を示唆する表示を行う手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】レジスタチップを搭載するためのコストを抑えつつ、メモリモジュールとメモリコントローラの間の通信を安定化させることのできる技術を提供する。
【解決手段】本発明に係るサーバ装置は、複数のメモリモジュールに対する命令を格納する共用レジスタを備える。メモリコントローラは、複数のメモリモジュールに対する命令を共用レジスタに格納し、共用レジスタは、メモリコントローラから受け取った命令を複数のメモリモジュールに対して並列出力する。 （もっと読む）

【課題】メモリモジュールの故障に対して早急な処置を行うことを可能とし、情報処理システムの信頼性を向上させることを可能にするメモリコントローラ及び情報処理システムを提供する。
【解決手段】メモリコントローラ及び情報処理システムにおいて、メモリモジュールから読出されたデータのエラー検出を行うエラー検出部と、メモリコントローラを通常モードから故障検査モードに切り替え、複数の単位メモリ領域におけるそれぞれの検査対象のデータ記録済アドレスからデータを読出し、該読出しデータのエラーを前記エラー検出部により検出させて、故障検査を実行させる故障検査制御部と、故障検査制御部による検査結果における各単位メモリ領域のエラー検出状況に基づいて、メモリモジュール内部の故障に起因するメモリ故障と、メモリモジュール外部のデータ伝送路の故障に起因する伝送路故障を判定する判定部を備える。 （もっと読む）

【課題】 第１演算部と挿脱可能な外部メモリに接続される第２演算部とを備え、外部メモリの不具合を検出してユーザに通知することができる画像処理装置を提供する。
【解決手段】 プリンタ装置１の画像処理装置２は、メインＣＰＵ５と、サブＣＰＵ６と、外部メモリ１１を挿脱可能なメモリスロット１０とを備え、メモリスロット１０は、外部メモリ１１のＳＰＤ領域１１ｂにアクセス可能な端子１０ｂを有し、該端子１０ｂはメインＣＰＵ５に接続されている。そして、メインＣＰＵ５は、サブＣＰＵ６の起動に先立ち、端子１０ｂを介してＳＰＤ領域１１ｂにアクセスし、外部メモリ１１のエラーチェックを行うように構成されている。 （もっと読む）

【課題】セクターが形成される不揮発性メモリーにおいて、セクターの使用効率を向上する。
【解決手段】フラッシュメモリー２８の記憶領域に、複数のセクターを形成し、これら複数のセクターに、バンク単位で巡回的にデータを書き込み、複数のセクターうち１のセクターに対してバンクを書き込む際に、書き込みエラーが発生した場合、１のセクターに既に正常に書き込みが終了しているバンクを他のセクターにコピーし、新たなバンクの書き込みは、他のセクターに対して行うようにした。 （もっと読む）

【課題】製品寿命の長いメモリカード２を提供する。
【解決手段】実施形態のメモリカード２は、ＳＬＣ領域２２Ａと、ＭＬＣ領域２２Ｂと、を有するメモリ部２２と、ＭＬＣ領域２２Ｂに記憶されたデータの誤りを訂正する誤り訂正部２０と、誤り訂正部２０が誤りを検出したデータを記憶していた多値メモセルの位置情報をＳＬＣ領域２２Ａに記憶し前記位置情報にもとづき消失訂正を行う消失訂正部２１と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減出来る半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置１は、データを保持可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２２と、データについての誤りを検出・訂正する誤り訂正部３８と、データ毎に、使用される誤り訂正方式についての情報を有するテーブル３５、３６とを具備する。誤り訂正部は、前記テーブル内の前記情報に従って、適用する誤り訂正方式を前記データ毎に選択する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ等の不揮発性メモリの誤書き込み、誤消去を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】内部リセット信号を正論理で保持するレジスタと負論理で保持するレジスタとを複数設け、これらの出力信号と、外部リセット信号とを入力し、これらの信号のいずれかがリセット状態である場合に活性化し、これらの信号のいずれもリセット状態でない場合に非活性化するメモリリセット信号を出力するメモリリセット信号を出力するメモリリセット信号生成回路と、メモリリセット信号を入力し、メモリリセット信号が活性化しているときにリードライトアクセス、消去動作が禁止される不揮発性メモリと、を備える。 （もっと読む）

【課題】アドレス変換テーブルのエントリデータに誤り訂正符号を付与することなく、そのエントリデータに生じたビット異常の訂正を可能とする。
【解決手段】半導体記憶装置２は、論理アドレスに対応する物理アドレスへの変換にかかるアドレス変換テーブル３１のエントリデータに付与された誤り検出符号をもとに、エントリデータに生じたビット異常を検出するアドレス変換テーブル異常検出部２１と、ビット異常が検出されたエントリデータに含まれる所定のビットを反転させたデータが、正常なエントリデータであるか否かを検査するエントリデータ検査部２２と、ビット異常が検出されたエントリデータを、検査された正常なエントリデータに置き換えるエントリデータ置換部２３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの特定部分に格納したファイル管理情報の更新を不要とする。
【解決手段】ＲＯＭ２２には、ＦＡＴファイルシステムにおけるデータ領域に二つの設定ファイル及びｎ個のデータファイルが格納された場合におけるＦＡＴ領域及びルートディレクトリ領域の具体的内容が、予め記憶されている。メモリマネージャ３４は、メモリカードスロット１５に装填されたメモリカード１７のＦＡＴ領域及びルートディレクトリ領域の内容が、ＲＯＭ２２に格納されている具体的内容通りでない場合にのみ、ＲＯＭ２２に格納されている各領域の具体的内容をメモリカード１７の各領域に書き込み、それ以外の場合には、メモリカード１７のＦＡＴ領域及びルートディレクトリ領域の更新を行わない。 （もっと読む）

【課題】電池残量を気にすることなく情報閲覧装置を使用することができる管理装置及び管理システム並びに管理方法の提供。
【解決手段】電池で駆動する複数の情報閲覧装置を挿抜可能に保持するスロットを備える管理装置であって、所定の情報閲覧装置が前記スロットに挿入された場合に、前記所定の情報閲覧装置の電池残量に応じて、当該所定の情報閲覧装置に記憶されているデータを、前記スロットに挿入されている他の情報閲覧装置に移動する制御部を備え、前記制御部は、前記所定の情報閲覧装置の電池残量と前記他の情報閲覧装置の電池残量とを比較し、前記他の情報閲覧装置の電池残量が前記所定の情報閲覧装置の電池残量よりも多い場合に、前記データを移動する。 （もっと読む）

【課題】ハードウェアの誤動作などによるデータの誤書込みや誤読出しを未然に防止することができる携帯可能電子装置およびＩＣカードを提供することである。
【解決手段】実施形態に係る携帯可能電子装置は、揮発性メモリおよび不揮発性メモリを備え、外部から入力される命令を解釈して所定の処理を実行し、その結果を外部へ出力する携帯可能電子装置において、命令を解釈して実行するプログラムのうち一部のプログラムを除く残りのプログラムは前記不揮発性メモリにあらかじめ格納され、かつ、前記一部のプログラムは前記不揮発性メモリの特定領域にあらかじめ格納されており、外部から命令が入力されると、前記不揮発性メモリの特定領域に格納されている一部のプログラムを前記揮発性メモリの特定領域に展開し、当該命令を解釈して実行するプログラムの実行中に前記揮発性メモリの特定領域に格納された一部のプログラムが参照あるいは呼び出される。 （もっと読む）

【課題】エラー耐性を改善しつつ、高速リード転送と低消費電力の双方を満足する半導体記録装置を提供する。
【解決手段】半導体記録再生装置１０は、外部機器とユーザデータを送受信する外部インタフェイス部１と、ユーザデータに対するパリティデータを生成するとともに、パリティデータを用いてユーザデータのエラーを訂正する第１のＥＣＣ処理部３と、ユーザデータを複数に分割し、分割したユーザデータおよびパリティデータを、フラッシュメモリ６ａ〜６ｅに記録するとともに、パリティデータを除くユーザデータを読み出す第１の再生モードと、パリティデータを含むユーザデータを読み出す第２の再生モードを有し、何れかのモードでフラッシュメモリ６ａ〜６ｅからユーザデータを読み出して再生するＥＣＣ制御部２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製品寿命の長い半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】半導体メモリ装置２は、書き替え頻度が高い第１の領域と、書き替え頻度が低い第２の領域と、フリーブロック領域と、に分類される半導体メモリ部３０と、所定のタイミングで、第２の領域のブロックに記憶されたデータをフリーブロック領域の最上位エントリのブロックにコピーするとともに、データが記憶されていたブロックを前記第２の領域から解放してフリーブロック領域の最下位にエントリするように制御するメモリコントローラ１０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】正確なデータエラーに基づいてテストを実行することができるエラー訂正試験方法を提供する。
【解決手段】サーバ１が、特定のビットに第１の値が設定された第１のデータと、特定のビットに第１の値とは異なる第２の値が設定された第２のデータをＤＩＭＭ４に書き込む。疑似故障ツール３が、特定のビットに対応するＤＩＭＭ４の電極を第２の値を示すようにクランプする。サーバ１が、ＤＩＭＭ４から、第１のデータと第２のデータを読み出す。サーバ１が、エラー訂正回路が第１のデータのエラーを訂正することを確認する。 （もっと読む）