本発明の実施形態は、消去カウントが少なくとも１つのブロックのソリッドステートメモリのために維持される方法とデバイスに関する。エラーはメモリブロックの消去カウントに関連するソリッドステートメモリから読み出されるデータで修正される。いくつかの実施形態では、データが読み出されるメモリブロックの関連する消去カウントにしたがって、（ｉ）デコーダおよび／またはデコーダモードが選択され、（ｉｉ）より軽い重さの重みデコーダ（モード）、より重い重みデコーダ（モード）、より速いデコーダ（モード）、および／またはより遅いデコーダ（モード）を使用してエラー修正を試行するという決定がなされ、（ｉｉｉ）モード遷移および／またはエラー修正試行リソースバジェットが決定され、（ｉｖ）ソフトビット数が決定され、かつ（ｖ）デコーダバス幅のサイズが選択されるというエラー修正操作の１つ以上を実行することができる。
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【課題】長期間のデータ保持でデータを損失することを防ぎ、かつ所望するデータ保持期間に応じて半導体記憶装置を有効に使えるようにするために、データを正しく保持できる期間を求めることを目的とする。
【解決手段】計数手段２４は、不揮発性メモリの書き換え回数を求める。保持期間算出手段２５Ａは、予め保持した書換え回数とデータ保持可能期間との関係を用いて、計数手段２４が求めた書き換え回数からデータ保持可能期間を算出する。表示手段２６は、保持期間算出手段２５Ａが算出したデータ保持可能期間を表示する。 （もっと読む）

【課題】より少ないメモリ容量かつ簡単な構成で、故障したＩＣタグに格納した情報を確実に復元でき、かつメモリ容量を簡単に増加できるＩＣタグ装置を用いて、より信頼性の高い情報管理システムを実現する。
【解決手段】ＩＣタグ装置２は、それぞれＩＣチップ７_１〜７_３、アンテナ部及び電源部を有する３個のＩＣタグモジュール５_１〜５_３を共通のベース６上に有する。各ＩＣチップはＩＣタグモジュールの動作を制御する制御部１０_１〜１０_３と不揮発性のメモリからなるメモリ部１１_１〜１１_３とを有する。各メモリ部は、１つのパリティブロックと２つのデータブロックとからなる３つのメモリブロック１２_１１〜１２_３３に分割されている。データは６つのサブデータＤａ〜Ｄｆに分割され、それらに基づいて計算したパリティデータと共に各メモリブロックに割り当てて格納される。 （もっと読む）

【課題】基板の比較的高温になる領域の温度を測定することができる多値型半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体メモリドライブ１０は、基板１００と、基板１００上に設けられた複数の多値型の不揮発性半導体メモリ１０４と、複数の多値型の不揮発性半導体メモリ１０４のうち１つの不揮発性半導体メモリ１０４に隣接して設けられた温度センサ１０１と、基板１００に設けられ、ホスト装置と接続するためのコネクタ１０２と、基板１００に設けられ、ホスト装置からの要求及び温度センサ１０１により検出された温度に基づいて、不揮発性半導体メモリ１０４に格納されたデータのアクセスを制御するメモリコントローラ１０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の不揮発性半導体メモリを基板上に効率良く配置することができる不揮発性半導体メモリドライブを提供する。
【解決手段】不揮発性半導体メモリドライブ１０は、矩形状の基板１００と、基板１００上に設けられ、長辺と短辺からなる外形を有する複数の不揮発性半導体メモリ１０４と、基板１００上に設けられて複数の不揮発性半導体メモリ１０４の動作を制御するメモリコントローラ１０３と、複数の不揮発性半導体メモリ１０４のうち少なくとも２つの不揮発性半導体メモリ１０４は、長辺と短辺とが互いに隣接するように基板１００に実装され、少なくとも２つの不揮発性半導体メモリ１０４の一方の不揮発性半導体メモリ１０４の長辺に隣接した領域に、他の電子部品（１０１）又は固定用の貫通穴１００ｇを配置して構成される。 （もっと読む）

【課題】欠陥ブロックとして識別される、潜在的に使用可能なブロックが予備ブロックとして用いられることを可能にする。
【解決手段】本発明は、不揮発性メモリ１２４内で欠陥があるとして識別された少なくとも１つの物理ブロックに試験を受けさせる工程であって、該試験は、欠陥がある物理ブロックが使用可能であるか否かを判定するように構成される、工程と、欠陥があるとして識別された該物理ブロックが該試験に合格した場合を判定する工程と、欠陥があるとして識別された該物理ブロックが該試験に合格したことが判定された場合、欠陥があるとして識別された該物理ブロックを使用可能な物理ブロックとして識別する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】複数のページ間でパリティに使用するビット数を有効に割り振り、ビットエラー発生率が高いページに対して訂正能力の高い誤り訂正を行える半導体記憶装置及び不揮発性メモリを提供することである。
【解決手段】半導体記憶装置３００はメモリコントローラ１００と不揮発性メモリ２００を備える。不揮発性メモリは、複数のページで構成され、データとそのパリティが記憶される。メモリコントローラは、不揮発性メモリへのデータ書込み時は、ホスト機器から入力したデータにパリティを付加して不揮発性メモリに記憶し、データ読出し時は、不揮発性メモリからデータとそのパリティを読み出して誤り箇所を検出し、データ誤り訂正を行う機能を有する。メモリコントローラは、不揮発性メモリに記憶可能な複数のページのうちの所定数のページで使用可能な全てのパリティのビット数を、各ページのエラー発生率の大きさに応じて各ページ毎に割り振る。 （もっと読む）

【課題】ハウスキーピング操作は繰り返される消去および再プログラミングを通して累積する個々のブロックの損耗を均す。
【解決手段】メモリセルが同時に消去可能なセルのブロックをなすようにグループ分けされているフラッシュＥＥＰＲＯＭ（登録商標）システムのような再プログラム可能な不揮発性メモリシステムはホストコマンドの実行中にメモリシステムのハウスキーピング操作をフォアグラウンドで行うように操作され、そのハウスキーピング操作はホストコマンドの実行とは関連しない。１つ以上のそのようなハウスキーピング操作とホストコマンドの実行との両方が、その特定のコマンドを実行するために確立された時間割り当て内で行われる。１つのそのようなコマンドは、受信されたデータのメモリへの書き込みである。 （もっと読む）

チェックポイントデータを不揮発性メモリに保存するための方法及びシステムが説明される。一実施形態によれば、データ保存方法は、処理回路部を使用してアプリケーションを実行すること、及び、実行中に、アプリケーションの実行によって生成されたデータを揮発性メモリに書き込むことを含む。データを書き込んだ後に、チェックポイントの表示が提供される。表示が提供された後、この方法は、揮発性メモリから不揮発性メモリへデータをコピーすること、及び、コピー後に、アプリケーションの実行を続行することを含む。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの動的なデータ保持期間の変化に対応し、無電源状態であってもリフレッシュ実行を促しデータ消失を回避できるメモリコントローラ、不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶システムを提供する。
【解決手段】読み書き制御部１３２は、不揮発性メモリ１４０への書き換え回数をメモリ状態判断部１３１へ通知する。メモリ状態判断部１３１では、得られた書き換え回数から不揮発性メモリ１４０の現在のデータ保持期間Ｔｒｅｔｅｎｔを決定し表示制御部１２０へ通知する。表示制御部１２０は、データ保持期間Ｔｒｅｔｅｎｔを基に、メモリ状態表示部１１０がデータ保持期間と同じ期間だけ表示を保持するようメモリ状態表示部１１０へ駆動電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】メモリデバイスに記憶されるデータを安全に更新できるデータの更新方法を提供する。
【解決手段】ホストデバイス２と接続可能なメモリデバイス１で、メモリ部５とメモリコントローラ６とを有し、メモリ部５が、複数の異なる属性を有するパーティションに分割可能である第１のメモリ部３と、メモリコントローラ６が管理するワークスペース４とからなるメモリデバイス１に記憶されるデータの更新方法であって、パーティションにデータを書き込むための複数の異なる書き込み方法の中から、パーティションの属性に応じて選択された一の書き込み方法を用いて更新処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのアクセス回数による劣化を回避することができるメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリシステムは、ブロックが複数配設された不揮発性メモリと、不揮発性メモリへ書き込むデータあるいは不揮発性メモリから読み出したデータを一時的に記憶するランダムアクセスメモリと、不揮発性メモリおよびランダムアクセスメモリを制御する制御部とを備え、不揮発性メモリは、論理アドレスによって指定される第１の管理単位によってブロックが分割されたメインメモリ領域と、論理アドレスによって指定され第１の管理単位よりも小さな第２の管理単位によってブロックが分割されたキャッシュ領域とを含み、制御部は、不揮発性メモリ内においてメインメモリ領域のブロック数とキャッシュ領域のブロック数とを動的に変更する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリのメモリ容量を消費することなくリード専用のデータを有効に保護することができるフラッシュメモリ制御システムおよび制御方法を提供する。
【解決手段】フラッシュメモリ制御システムは、フラッシュメモリ１１４のデータ領域１１４に仮想機能としてのリードライト部１１７と仮想機能としてのリード専用部１１８とが設けられ、リードライト部１１７にアクセスするためのリードライト部ドライバ１０８と、リード専用部１１８にアクセスするためのリード専用部ドライバ１０９と、データのリードあるいはライト指示をいずれかのドライバへ送るエイリアス部１０６と、を有し、リード専用部ドライバ１０９はリード指示に対してのみリード専用部１１８へのアクセスを実現する。 （もっと読む）

【課題】効率の良いリフレッシュ処理を行うことが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】データ消去の単位であるブロックにデータを記憶することが可能な不揮発性メモリを備えた半導体記憶装置であって、前記ブロックのうちから選択された監視対象ブロックに記憶されたデータの誤り数を監視し、前記データの誤り数が所定の閾値以上である監視対象ブロックに対してリフレッシュを行うことにより効率の良いリフレッシュ処理を行うことが可能な半導体記憶装置。 （もっと読む）

【課題】コンピュ−タシステムの設計又は製造不良により正常に複数チャネルで動作していないケースを正確に判定できるコンピュータシステムのメモリ試験方法を提供する。
【解決手段】複数のメモリを同時にメモリコントローラに接続してデータ転送速度を増加させるデュアルチャネル構造のコンピュータシステムのメモリ試験方法において、前記コンピュータシステムのメモリの転送元領域から、前記メモリの転送先領域にデータを転送するステップと、すべての転送が完了するまでの時間を測定するステップと、前記測定結果から、複数チャネルモードで動作していることを判定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】汎用メモリモジュールの障害情報を専用の記憶手段を設けることなく安価にメモリモジュール上に格納保持する事で永続的なモリモジュール故障のトレーサビリティ手法を提供する。
【解決手段】コンピュータシステム運用中に発生したメモリモジュール障害を障害発生した汎用メモリモジュール上に実装されているＥＥＰＲＯＭの空き領域に障害履歴として格納する。 （もっと読む）

【課題】データの書き込み中に電源遮断が発生した場合でも、データの書き換え回数を低減する。
【解決手段】メモリシステム１は、複数のデータブロックと、複数のデータブロックの管理情報を格納する管理ブロックとを含み、各ブロックはデータ消去の単位でありかつ複数のページから構成される、不揮発性メモリ１１と、起動時に電源遮断による不揮発性メモリ１１への影響を確認し、電源遮断による影響がある場合、管理ブロック内の電源遮断による影響がないページに管理情報を書き込むコントローラ１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリの寿命を使い切りつつ、信頼性の高い記憶装置を提供する。
【解決手段】複数の記憶セルを備える不揮発性記憶装置であって、前記各記憶セルは、フローティングゲートを備える電界効果トランジスタであり、前記複数の記憶セルは、複数の消去単位である消去ブロックに分割され、前記不揮発性記憶装置は、第１消去ブロックに格納されたデータを読み出し、前記読み出されたデータに含まれる誤りを検出及び訂正し、検出された誤りビット数がしきい値を超える場合、前記訂正されたデータを第２消去ブロックに格納し、前記第１消去ブロックにおいて検出された誤りの頻度が高いほど、小さい値を前記しきい値として設定し、前記第１消去ブロックにおいて実行された消去処理の回数が多いほど、小さい値を前記しきい値として設定する。 （もっと読む）

【課題】ホスト装置の電源供給能力に応じて最適な動作を行う。
【解決手段】消費電流及びアクセス性能に応じた複数の動作モードを有するメモリシステム１であって、動作モードの遷移履歴を格納する不揮発性メモリ１１と、不揮発性メモリ１１との間で、同一動作モードにて一定量のデータをアクセスするごとに前記遷移履歴に当該動作モードを追加し、かつ前記遷移履歴を用いて現在の動作モードを決定するコントローラ１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】放射線によるソフトエラーの影響を低減し、信頼性を向上して稼働させる。
【解決手段】プログラムを構成するオペコードを含む各種データが記憶される第１ＦｅＲＡＭ１３Ａと、第１ＦｅＲＡＭ１３Ａと同一構成を有し、第１ＦｅＲＡＭ１３Ａに記憶したデータの複製データが記憶される第２ＦｅＲＡＭ１３Ｂと、外部からのデータ読出要求に基づいて、当該データ読出要求に対応する一対のデータを第１ＦｅＲＡＭ１３Ａ及び第２ＦｅＲＡＭ１３Ｂの双方から所定時間間隔を空けて複数回読み出し、各読み出し毎に第１ＦｅＲＡＭ１３Ａから読み出したデータと、第２ＦｅＲＡＭ１３Ｂから読み出したデータと、を比較し、複数回の読み出しに対して、全てのデータが一致した場合に、当該一致したデータをデータ読出要求に対応する出力データ読出データＤＥ２Ｘとして出力する。 （もっと読む）