説明

電子機器装置及びメモリのデータ更新方法

【課題】チェックコードを必要とする正誤判定処理を繰り返すことに起因したメモリ消費及び処理時間の増加を防ぎ、また、想定外異常に対する適応力を高めて信頼性向上に貢献し得る。
【解決手段】上位装置20からコマンドを受信して、コマンドに従って処理を実行するカードリーダ1であって、カードリーダ1の各種動作に必要な作業データが格納される、書換え不可能な外部ROM11と、カードリーダ1が処理を実行する際に必要な作業データがコピーされる、書換え可能な外部RAM12と、外部ROM11及び外部RAM12にアクセス可能なCPU10と、を有し、CPU10は、カードリーダ1が待機状態のときに、外部ROM11に格納されている作業データにより、外部RAM12内の作業データを更新する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、書換え不可能なメモリと書換え可能なメモリを有し、後者のメモリ上のデータを使用して処理を実行する電子機器装置及びメモリのデータ更新方法に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、電子機器装置としては、カード状媒体に対して所定の処理を実行するカードリーダがある。このカードリーダなどの電子機器装置では、給電が遮断されても記憶内容を保持することができる電気的に書換え不可能なメモリ(EPROMやフラッシュROMなど)が利用されている。例えば、書換え不可能なメモリには、プログラムデータあるいは電子機器装置自身の様々な機能動作を設定するデータ(排出リトライ回数や磁気リードリトライ回数)などが保持される。
【0003】
カードリーダでは、書換え不可能なメモリから書換え可能な別のメモリ(例えばS−RAMなど)へとデータ転送(データコピー)が行われた後、書換え可能なメモリ上のデータが使用される。
【0004】
このとき、従来の電子機器装置は、書換え可能なメモリ上のデータを使用するにあたって、そのデータが正しい値であるか否かを判定しながら使用する。そして、(データが壊れてしまった等の原因で)書換え可能なメモリ上のデータが、書換え不可能なメモリに保持されているデータと異なっている場合には、書換え不可能なメモリから書換え可能なメモリに再び正しいデータをコピーしなおす。例えば、特許文献1に開示された技術によれば、装置の異常を検知した等の所定条件が成立した場合に、再び正しいデータをコピーしなおすようにしている。なお、データが壊れる原因としては、ソフトエラーによる場合やバグ等によるプログラムエラーによる場合等がある。このソフトエラーの原因としては、静電気、電源/信号線ノイズ、放射線、電源電圧の低下、瞬断等が挙げられる。
【0005】
【特許文献1】特開平10−3433号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、データが正しい値であるか否かの正誤判定処理を行うためには、チェックコード(SUM値やCRC値)の分だけメモリ領域を確保しなければならない。また、正誤判定処理を頻繁に繰り返すとなると、それに起因した処理時間の増加によって電子機器装置の動作遅延も考えられる。さらには、ノイズ等によって想定外の異常が発生し、正誤判定処理で異常検出できなかった場合には、データ復旧は行われない。これは、上述した特許文献1の技術においても同様で、所定条件が成立しないような想定外の異常が発生したときには、データの復旧は行われない。このように、従来の電子機器装置は、想定外の異常が発生した場合に信頼性に欠ける面がある。
【0007】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、その目的は、チェックコードを必要とする正誤判定処理を繰り返すことに起因したメモリ消費及び処理時間の増加を防ぎ、また、想定外異常に対する適応力を高めて信頼性向上に貢献し得る電子機器装置及びメモリのデータ更新方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
以上のような課題を解決するために、本発明は、以下のものを提供する。
【0009】
(1) 上位装置からコマンドを受信して、当該コマンドに従って処理を実行する電子機器装置であって、当該電子機器装置の各種動作に必要な作業データが格納される、書換え不可能な第一メモリと、前記電子機器装置が処理を実行する際に必要な前記作業データがコピーされる、書換え可能な第二メモリと、前記第一メモリ及び前記第二メモリにアクセス可能な制御部と、を有し、前記制御部は、前記電子機器装置が待機状態のときに、前記第一メモリに格納されている前記作業データにより、前記第二メモリ内の前記作業データを更新することを特徴とする電子機器装置。
【0010】
本発明によれば、電子機器装置に、書換え不可能な第一メモリと、書換え可能な第二メモリと、これらのメモリにアクセス可能な制御部と、を設け、この制御部によって、電子機器装置が待機状態のときに、第一メモリに格納されている作業データにより第二メモリ内の作業データを更新することとしたので、チェックコードを必要とする正誤判定処理を行うことなく、メモリ更新を行うことができる。したがって、正誤判定処理を繰り返すことに起因したメモリ消費を防ぐことができる。また、正誤判定処理が行われないので、これを繰り返すことに起因した処理時間の増加も防ぐことができる。また、処理時間に関しては、第二メモリ内の作業データを更新するタイミングを、電子機器装置が待機状態のときとすることで、電子機器装置が通常の処理を実行する際の処理時間の増加(本来の動作の遅延)を防ぐことができる。
【0011】
さらに、本発明は、想定外異常に対する適応力を高めることができる。すなわち、本発明では、データ復旧が行われるための条件として、正誤判定処理で異常検出されることや、所定条件が成立すること等は必要とされず、想定外の異常が発生した場合であっても、電子機器装置が待機状態に遷移すればデータ復旧が自動的に行われるため、想定外異常に対する適応力が高まり、ひいては信頼性向上に貢献することができる。
【0012】
ここで、本発明における「第一メモリ」及び「第二メモリ」は、それぞれ書換え不可能及び書換え可能なものであれば、如何なる種類のメモリであってもよい。例えば「第二メモリ」については、外部RAMは勿論、CPU内のRAMを用いることも可能である。
【0013】
(2) 前記作業データは、所定のデータ数に分割されていて、前記第二メモリにコピーされることを特徴とする電子機器装置。
【0014】
本発明によれば、上述した作業データは、所定のデータ数に分割されていて、第二メモリにコピーされることとしたので、作業データの更新を、電子機器装置が待機状態のときに一度に全て行う必要がない。したがって、電子機器装置が上位装置からコマンドを受信した場合には、現在更新中の作業データが第二メモリにコピーされた後、速やかに、そのコマンドに従って処理を実行することができるので、電子機器装置が通常の処理を実行する際の処理時間の増加を防ぐことができる。
【0015】
(4) 前記電子機器装置は、上位装置に電気的に接続されたカードリーダであって、前記制御部は、前記電子機器装置が待機状態のときに、前記第一メモリに格納されている前記作業データにより、前記第二メモリ内の前記作業データを更新し続けることを特徴とする電子機器装置。
【0016】
本発明によれば、上述した電子機器装置は、上位装置に電気的に接続されたカードリーダであり、上述した制御部によって、電子機器装置が待機状態のときに、第一メモリに格納されている作業データを元に、第二メモリ内の作業データが更新され続けることとしたので、カードリーダにおいて自動的なデータ復旧を実現し、信頼性を高めることができる。すなわち、カードリーダは、自身が待機状態(上位装置からのコマンドを待っている状態)のときに、上位装置と通信を行う場合があるが、この通信処理中にエラーが発生しても、第二メモリ内の作業データが更新され続けることで自動的なデータ復旧を実現でき、ひいては信頼性を高めることができる。
【0017】
(5) 各種動作に必要な作業データが格納される書換え不可能な第一メモリと、各種処理を実行する際に必要な当該作業データをコピーする書換え可能な第二メモリと、当該第一メモリ及び当該第二メモリにアクセス可能な制御部と、を有し、上位装置からコマンドを受信して、当該コマンドに従って処理を実行する電子機器装置で実行されるメモリのデータ更新方法において、前記電子機器装置が前記上位装置から前記コマンドを受信するまでの間、前記制御部が、前記第一メモリに格納されている前記作業データにより、前記第二メモリ内の前記作業データを更新するデータ更新ステップと、前記電子機器装置が前記上位装置から前記コマンドを受信したとき、前記コマンドに従って処理が実行されるコマンド処理ステップと、を含むとともに、前記コマンド処理ステップが終了した後、再び前記データ更新ステップが実行されることを特徴とするメモリのデータ更新方法。
【0018】
本発明によれば、書換え不可能な第一メモリと、書換え可能な第二メモリと、これらにアクセス可能な制御部と、を有する電子機器装置で実行されるメモリのデータ更新方法において、電子機器装置が上位装置からコマンドを受信するまでの間、制御部によって、第二メモリ内の作業データが更新され、電子機器装置が上位装置からコマンドを受信したとき、コマンドに従って処理が実行され、このコマンド処理が終了した後、再び作業データの更新が行われることとしたので、チェックコードを必要とする正誤判定処理を行うことなく、第二メモリ内の作業データを更新することができる。したがって、正誤判定処理を繰り返すことに起因したメモリ消費や処理時間の増加を防ぐことができる。また、コマンド処理が終了した後に、作業データの更新が行われるので、電子機器装置が通常の処理を実行する際の処理時間の増加(本来の動作の遅延)を防ぐことができる。加えて、想定外の異常が生じた場合であっても、電子機器装置が待機状態に遷移すれば(コマンド処理が終了した後)、データ復旧が自動的に行われるため、想定外異常に対する適応力が高まり、ひいては信頼性向上に貢献することができる。
【発明の効果】
【0019】
以上説明したように、本発明に係る電子機器装置及びメモリのデータ更新方法によれば、書換え可能なメモリ上の作業データが正しい値であるか否かの正誤判定処理を行うことなく、データ更新を行うことができるので、正誤判定処理を繰り返すことに起因したメモリ消費及び処理時間の増加を防ぐことができる。また、想定外の異常があったとしても、電子機器装置が待機状態に遷移すれば自動的にデータ復旧が行われるため、電子機器装置の信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0020】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。
【0021】
図1は、本発明の実施の形態に係るカードリーダ1の電気的構成を示すブロック図である。図2は、本発明の実施の形態に係るカードリーダ1で用いられるプログラムの構成を示す図である。なお、本実施形態では、電子機器装置の一例としてカードリーダ1を採用するが、本発明はこれに限られない。
【0022】
図1において、カードリーダ1は、CPU10と、外部ROM11と、外部RAM12と、センサー回路13と、センサー14と、R/W(Read/Write)回路15と、(磁気)ヘッド16と、モータ駆動回路17と、モータ18と、インターフェース回路19と、を有している(点線枠内)。また、カードリーダ1は、インターフェース回路19を介して上位装置20と電気的に接続されており、CPU10等により、上位装置20からのコマンドを受信して、そのコマンドに従って処理を実行する機能を有する。なお、カードリーダ1は、インターフェース回路19を備えることで、上位装置20との間でUSB通信などの各種通信を行うことができる。
【0023】
CPU10は、カードリーダ1の総合的な電気的制御を司るものである。外部ROM11は、カードリーダ1の各種動作に必要な作業データが格納される書換え不可能なメモリ(第一メモリの一例)であって、排出リトライ回数や磁気リードリトライ回数、或いはプログラムなどが格納される。RAM12は、カードリーダ1が処理を実行する際に必要な作業データがコピーされる書換え可能なメモリ(第二メモリの一例)であって、CPU10のワーキングエリアとしても機能する。CPU10は、これら外部ROM11及び外部RAM12にアクセス可能であり、制御部の一例として機能する。
【0024】
なお、本実施形態では、第二メモリの一例として外部RAM12を採用していることから、十分な記憶容量(RAM容量)を確保することができる(記憶容量の大きな外部RAM12を用いればよい)。また、第二メモリとして、例えばCPU10内のRAMを採用することもでき、この場合、外部からのアクセスを困難にすることでセキュリティ性を高めることができる。
【0025】
CPU10には、センサー回路13を介してセンサー14が接続されており、搬送路内を移動するカード位置を検出する。また、R/W回路15を介してヘッド16が接続されており、搬送路内に挿入されたカードの磁気情報を読み取ったり、そのカードに磁気情報を書き込んだりする。なお、ヘッド16及びR/W回路15は、カード表面の磁気ストライプに接触・摺動することによって、磁気情報の記録又は再生を行う。R/W回路15には、ヘッド16によって検出された磁気情報を復調する復調回路などが含まれている。
【0026】
また、CPU10には、モータ駆動回路17を介してモータ18が接続されており、搬送路に挿入されたカードを所定の位置まで移動させることができる。このときCPU10は、上述したセンサー回路13からの検出信号に基づいて、モータ駆動回路17に各種コマンドを送信し、モータ18の回転を制御して、カードを所望の位置まで移動させる。
【0027】
次に、カードリーダ1で用いられるプログラムの構成について説明する。図2に示すように、CPU10内の内蔵ROMには、初期化処理のプログラムや、実行プログラムをコピーするプログラムなどが格納されている。また、外部ROM11には、実行プログラム本体や設定データなど(作業データの一例)が格納されている。これらは、製品製造時に予め格納しておくことができる。ただし、セキュリティを確保する観点から、外部ROM11に格納される実行プログラムや設定データは、暗号化されている。CPU10は、カードリーダ1の動作時に、外部ROM11から実行プログラムを読み出して、外部RAM12上で復号化した後、これを実行される。実行プログラムが外部RAM12上で実行されることにより、処理速度を速くすることができる。
【0028】
外部RAM12は、上述したように、実行プログラム等がコピーされ、実際に動作するエリア(記憶領域)として機能するとともに、CPU10のワーキングエリアとしても機能する。
【0029】
ここで、実行プログラムが外部RAM12上で実行される場合、外部RAM12はリード/ライト可能であるため、次のような影響でデータが破壊される虞がある。例えば、外部RAM12としてS−RAMを採用している場合、ソフトエラーの問題により、外部RAM12のデータは確率的に壊れる可能性がある。ここでいうソフトエラーとは、S−RAM内のメモリセルが反転しても、電源の再投入やリセットにより復旧する一過性の誤動作をいう。このソフトエラーが生ずる原因としては、静電気、電源/信号線のノイズ、又は放射線等があるが、よく問題となるのは放射線である。主な放射線としては、デバイスのパッケージ材料や配線材料に微量に含まれるウラン(U)やトリウム(Th)などの原子核の崩壊過程で放出されるα粒子であったり、地上に到達する宇宙線(主に中性子)であったりする。その他、外部環境からのノイズや静電気、電源電圧の低下や遮断などによって、外部RAM12条のデータが破壊され、値が変わってしまう可能性もある。
【0030】
一方で、このような様々な要因により外部RAM12上のデータが破壊されてしまった場合であっても、実行プログラム等の外部RAM上のデータは、カードリーダ1の起動時に一度外部RAM12へ展開されると、それ以後の動作中に頻繁に変更はされないような構成の場合、データが破壊されると、その悪影響が拡大していく虞がある。
【0031】
そこで、本実施形態に係るカードリーダ1では、データ破壊の影響を最小限にするために、外部RAM12上の実行プログラムを、カードリーダ1が起動された後も、正しいデータへと更新する処理を行うようにしている。なお、外部RAM12上の実行プログラム中の復旧処理部分が壊れてしまって、全く動作できない状態になってしまった場合には、正常動作への復旧は困難である。しかし、逆に、一部のデータが壊れているものの通常の動作を実行できるとなると、大きな問題が発生する。図3を用いて具体的に説明する。
【0032】
図3は、一部のデータは壊れているが通常の動作を実行できる具体例を示す図である。図3に示すように、処理実行(ステップS1)により、処理A(ステップS2)と処理B(ステップS3)と処理C(ステップS4)とのいずれかが実行されるとする。そして、処理Cの一部は壊れてしまっているとする(図中の×印)。このような状態で、CPU10により処理Cが実行されると、処理結果を誤ったり、誤ったエラーコードを発生させたりする。しかし、その後、ステップS2又はステップS3の処理が続けば、これら処理結果の誤りやエラーコードの問題を外部から認識するのは難しい。すなわち、一部のデータは壊れているにも拘わらず、カードリーダ1は一見正常に動作しているように見える(カードリーダ1が全く動かなくなれば、外部から認識することができる)。
【0033】
図4は、本発明の実施の形態に係るメモリのデータ更新方法を説明するためのフローチャートである。図5は、実行プログラム(プログラムデータ)を更新するタイミングについて説明するための説明図である。
【0034】
図4(a)において、まず、カードリーダ1の電源がONされる、或いは、CPU10がリセットされると、初期化処理が行われる(ステップS11)。具体的には、CPU10は、自己に内蔵のROMから初期化プログラムを読み出して、これを実行する。その結果、CPU10は初期化される。
【0035】
次に、CPU10は、外部ROM11からプログラムデータを読み出し、外部RAM12へコピーする(ステップS12)。コピーされるプログラムデータは、所定のデータ数(プログラムが処理可能なサイズであって、本実施形態では256バイトとする)である。なお、この際プログラムデータの復号も行われる。このような処理を繰り返すことによって、必要なプログラムデータの全てが外部RAM12にコピーされる。
【0036】
次に、CPU10は、外部RAM12上のプログラムを実行して(ステップS13)、カードリーダ1の初期化(ステップS14)を行う。これにより、カードリーダ1は通常の動作を開始する。通常の動作時は、CPU10は、上位装置20からコマンドを受信したか否かを監視する(ステップS15)。コマンドを受信すれば(ステップS15:受信あり)、そのコマンドを実行する(ステップS16)。なお、図中の点線枠は、カードリーダ1本来の動作部分を示す。
【0037】
一方で、コマンドを受信していなければ(ステップS15:受信なし)、プログラムデータの更新を行う(ステップS17)。このステップS17の処理については、図4(b)を用いて詳述する。
【0038】
図4(b)に示すように、まず、CPU10は、アドレス更新を行う記憶領域を特定した後(ステップS21)、外部ROM11より256バイトのプログラムデータを読み出す(ステップS22)。そして、そのデータを復号化した後(ステップS23)、復号されたデータを外部RAM12へとコピーする(ステップS24)。最後に、更新した外部RAM12のアドレスを保管しておき(ステップS25)、次にアドレス更新を行う記憶領域を特定する際(ステップS21の処理)に用いる。
【0039】
このようにして、図4(b)の更新処理は終了するが、図4(a)に示すように、上位装置20からコマンドを受信していない待機状態が続く限り、プログラムデータの更新処理は継続する(再びステップS15へ)。プログラムデータの更新処理が待機状態に行われることで、コマンド実行処理時間が延びてしまう弊害を防ぐ(カードリーダ1の動作への悪影響を小さくする)ことができる。
【0040】
また、コマンド受信した場合に(ステップS15:受信あり)、速やかにコマンド実行へ移ることができるように、プログラム更新は全体を一括して行うのではなく、小さいサイズ(本実施形態では256バイト)に分割して行っている。具体的には、図5に示すように、256バイトごとに分割された各ブロックデータを更新している最中、上位装置20からコマンドを受信したとき、現在更新中のブロックデータ(ブロックn)の更新が終了すると直ちに、そのコマンドが実行される。256バイトの1ブロックデータの処理時間は数msecなので、コマンドを受信してからコマンド実行開始までの間に遅延が発生するが、これはシステム全体に大きな悪影響を与えないレベルである。このようにして、ブロックデータごとのプログラムデータの更新処理時間(また、コマンドを受信してコマンド実行に移るまでの時間)を短くすることができる。なお、作業データ(プログラムデータ)をどの程度まで分割するかは、カードリーダ1が設置される環境に応じて最適に選定すればよい。
【0041】
また、図5に示すように、最終ブロックデータのデータ更新が終了すると、再びブロック1のブロックデータから更新処理が行われる。このように、本実施形態では、プログラムデータの更新が複数回実行されるようにしている。特に、カードリーダ1が待機状態である限り、外部RAM12のプログラムデータを更新し続けるようにしている。これにより、カードリーダ1の待機処理(カード監視処理等)中に、データにエラーが生じたとしても、自動的にデータ復旧することができる。
【0042】
また、作業データの更新は、カードリーダ1が待機状態のときに、複数回実行するようにしてもよい。このようにすれば、カードリーダ1の信頼性を更に高めることができる。詳細には、例えば、複数回作業データを更新しても不具合が直らなければ、プログラム本体にバグがあることを検知することができるし、また、カードリーダ1が通常の処理を連続してN回実行すると不具合が発生するような場合には、通常の処理を連続してN回実行する前に作業データの更新が行われることで、不具合の発生回数を減らすことができる。
【0043】
また、本実施の形態では、所定のデータ数毎に分割して更新するようにしたが、これに限定されるものではなく、例えば、(1)データ数ではなく、ある機能単位(例えば、初期化処理、カード搬送処理、磁気R/W処理というような)でデータを更新する。この場合、コマンド実行時間に影響しなければ、どのような単位で更新してもよい。さらに、(2)データは分割せず、データ全体を連続して更新する、コマンドを受信したら更新処理を直ちに中断してコマンド実行し、終了したらコマンド受信前の続きから更新処理を行う。
【0044】
[実施形態の主な効果]
以上説明したように、本実施形態に係るカードリーダ1によれば、CPU10によって、カードリーダ1が待機状態のときに(図4(a)のステップS15:受信なし)、外部ROM11に格納されている作業データ(本実施形態ではプログラムデータ)により、外部RAM12内の作業データを更新することとしているので、正誤判定処理を必要としない。より具体的には、カードリーダ1が上位装置20からコマンドを受信するまでの間(図4(a)のステップS15:受信なし)、CPU20が外部ROM11に格納されている作業データにより、外部RAM12内の作業データを更新し(図4(b)参照)、カードリーダ1が上位装置20からコマンドを受信したとき(図4(a)のステップS15:受信あり)、そのコマンドに従って処理が実行され(図4(a)のステップS16)、コマンド処理が終了すると、再び作業データの更新が行われるので(図4(a)のステップS17:)、正誤判定処理を必要としない。したがって、正誤判定処理を繰り返すことに起因したメモリ消費や処理時間の増加を防ぐことができる。
【0045】
また、作業データの更新を、カードリーダ1が待機状態のときに行うことで、本来のカードリーダ1の動作が遅延するのを防ぐことができる。この点、カードリーダ1の動作時に正誤判定処理等によってデータ復旧した場合には、その処理に時間がかかり、通常動作の遅延を招来する虞もあるが、本実施形態に係るカードリーダ1によれば、この問題を解決することができる。
【0046】
また、正誤判定処理で異常検出されたり、所定条件が成立したりしなくても(予期せぬことが原因でプログラムデータが一部壊れてしまっても)、カードリーダ1が待機状態に遷移すれば自動的にデータが復旧していくので(図5参照)、想定外異常に対する適応力が高まり、ひいてはカードリーダ1の品質(信頼性)向上に貢献することができる。
【0047】
さらには、カードリーダ1は待機状態であっても、上位装置20と通信を行う場合があるが、この通信処理中にエラーが発生しても、作業データの更新をし続けることで、自動的にデータ復旧することができ、ひいてはカードリーダ1の品質向上に寄与することができる。
【産業上の利用可能性】
【0048】
本発明に係る電子機器装置及びメモリのデータ更新方法は、電子機器装置の信頼性を高めるものとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【0049】
【図1】本発明の実施の形態に係るカードリーダの電気的構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の実施の形態に係るカードリーダで用いられるプログラムの構成を示す図である。
【図3】一部のデータは壊れているが通常の動作を実行できる具体例を示す図である。
【図4】本発明の実施の形態に係るメモリのデータ更新方法を説明するためのフローチャートである。
【図5】実行プログラム(プログラムデータ)を更新するタイミングについて説明するための説明図である。
【符号の説明】
【0050】
1 カードリーダ
10 CPU
11 外部ROM
12 外部RAM
13 センサー回路
14 センサー
15 R/W回路
16 ヘッド
17 モータ駆動回路
18 モータ
19 インターフェース回路
20 上位装置

【特許請求の範囲】
【請求項1】
上位装置からコマンドを受信して、当該コマンドに従って処理を実行する電子機器装置であって、
当該電子機器装置の各種動作に必要な作業データが格納される、書換え不可能な第一メモリと、
前記電子機器装置が処理を実行する際に必要な前記作業データがコピーされる、書換え可能な第二メモリと、
前記第一メモリ及び前記第二メモリにアクセス可能な制御部と、を有し、
前記制御部は、前記電子機器装置が待機状態のときに、前記第一メモリに格納されている前記作業データにより、前記第二メモリ内の前記作業データを更新することを特徴とする電子機器装置。
【請求項2】
前記作業データは、所定のデータ数に分割されていて、前記第二メモリにコピーされることを特徴とする請求項1記載の電子機器装置。
【請求項3】
前記電子機器装置は、上位装置に電気的に接続されたカードリーダであって、
前記制御部は、前記電子機器装置が待機状態のときに、前記第一メモリに格納されている前記作業データにより、前記第二メモリ内の前記作業データを更新し続けることを特徴とする請求項1又は2のいずれか記載の電子機器装置。
【請求項4】
各種動作に必要な作業データが格納される書換え不可能な第一メモリと、各種処理を実行する際に必要な当該作業データをコピーする書換え可能な第二メモリと、当該第一メモリ及び当該第二メモリにアクセス可能な制御部と、を有し、上位装置からコマンドを受信して、当該コマンドに従って処理を実行する電子機器装置で実行されるメモリのデータ更新方法において、
前記電子機器装置が前記上位装置から前記コマンドを受信するまでの間、前記制御部が、前記第一メモリに格納されている前記作業データにより、前記第二メモリ内の前記作業データを更新するデータ更新ステップと、
前記電子機器装置が前記上位装置から前記コマンドを受信したとき、前記コマンドに従って処理が実行されるコマンド処理ステップと、を含むとともに、
前記コマンド処理ステップが終了した後、再び前記データ更新ステップが実行されることを特徴とするメモリのデータ更新方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【公開番号】特開2010−44514(P2010−44514A)
【公開日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−207205(P2008−207205)
【出願日】平成20年8月11日(2008.8.11)
【出願人】(000002233)日本電産サンキョー株式会社 (1,337)
【Fターム(参考)】