【課題】 記憶容量が不足する事態を抑制しながら、メモリにおける情報保持性能の信頼性を高める。
【解決手段】 更生部２を備える。当該更生部２は、メモリから読み出された情報に含まれるビット誤りの数を誤りビット数として前記メモリにおける予め定められたメモリ領域毎に計数する機能を備えている。また、更生部２は、その誤りビット数が予め定められた閾値以上である前記メモリ領域には、当該メモリ領域とは別のメモリ領域に事前に書き込まれていたバックアップ情報を上書きする機能を備えている。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリのデータ信頼性向上と読出アクセス時間の高速化及び安定化
【解決手段】不揮発性メモリに記憶されたデータについて、近い将来リフレッシュが必要となるか否か、つまりリフレッシュ機会が近接しているか否かを推測する。この推測にはアクセス時のビットエラー数などを記憶した評価用情報を用いる。そしてリフレッシュ機会が近接していると判定されるデータについて、そのデータをオリジナルデータとして、オリジナルデータと同一のクローンデータを、不揮発性メモリ内に生成する。その場合、アクセス実行の際にオリジナルデータとクローンデータのいずれか一方がアクセス対象となるように、管理情報を更新する。 （もっと読む）

【課題】画像処理装置に設けられた不揮発性メモリに対して、比較的に簡素な構成で適切にリフレッシュを行うことができるようにする。
【解決手段】画像処理装置は、自装置で用いられるデータを保存する不揮発性メモリと、自装置の動作状況を認識する認識手段１０１と、認識手段１０１が認識した動作状況をと、記憶部に予め記憶された自装置の動作状況ごとの温度変化を示す動作温度情報とを用いて、不揮発性メモリのリフレッシュの要否を判定する判定手段１０２と、リフレッシュが必要であると判定手段１０２が判定した場合、不揮発性メモリをリフレッシュするリフレッシュ手段１０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】グローバルタイムを参照してデータリテンション動作を実行する使用者装置、格納装置、及びそれのデータリテンション方法を提供する。
【解決手段】本発明のデータ格納装置の駆動方法は、データ格納装置をオフライン状態でオンライン状態に転換する段階と、オンライン状態の間にホストから現在のグローバルタイム（Ｇｌｏｂａｌ ｔｉｍｅ）を受信する段階と、オンライン状態の間に現在のグローバルタイム（Ｃｕｒｒｅｎｔ ｇｌｏｂａｌ ｔｉｍｅ）を参照してデータ格納装置に格納されたデータを少なくとも１つのノーマルデータリテンション動作を通じてリフレッシュする段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】データ保持特性を向上することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルをそれぞれ含む複数のブロックを有し、前記複数のブロックのうちの通常ブロックに、通常のデータが記憶され、前記複数のブロックのうちのタイムコードブロックに、前記通常ブロック毎に設定され且つ前記通常ブロックの最後の書き込み動作を実行した時間に対応する時間データを含むタイムコードが記憶されたメモリセルアレイを備える。前記不揮発性半導体記憶装置は、前記タイムコードブロックから前記タイムコードを読み出し、現在の時間を取得し、読み出された前記タイムコードの時間データの時間と前記現在の時間との時間差が規定値よりも大きくなる選定された前記通常ブロックに対して、データを読み出し、消去し、且つ、読み出されたデータを書き込み、前記現在の時間の時間データに対応する新たなタイムコードを、選定された前記通常ブロックに対応させて、前記タイムコードブロックに書き込む。 （もっと読む）

【課題】退避したデータと同じアドレスに読み出しが発生した場合には、退避した訂正済みデータを出力することが可能な不揮発性メモリおよびメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリ領域２１０へのアクセスを制御する制御部２２０を有し、制御部２２０は、データ領域から読み出したデータの誤りを検出して訂正機能を有する誤り検出訂正機能と、指定されたアドレスのデータおよびＥＣＣをメモリ領域から読み出し、誤りを検出した場合には、そのアドレスと訂正済みデータを保持する退避領域２２７と、退避領域に保持しているアドレスと訂正済みデータが有効であるか無効であるかを示す有効無効提示部と、を含み、新たなアドレスと訂正済みデータが退避領域に登録された場合には、有効無効提示部を有効に設定し、退避領域に保持されているデータが不要になった場合には、有効無効提示部を無効に設定する。 （もっと読む）

【課題】メモリに格納されるデータの信頼性を向上させるようにメモリを制御するメモリ制御装置を提供すること。
【解決手段】ブロック領域判定部３１は、ＭＲＡＭに対するアクセスが、ＭＲＡＭの複数の領域のどの領域に対するアクセスであるかを判定する。アクセス頻度カウンタ更新部３２は、ブロック領域判定部３１によって判定された領域情報に基づいて、複数の領域ごとにアクセスされなかった頻度をカウントする。リフレッシュ領域判定部３３は、アクセス頻度カウンタ更新部３２によって複数の領域ごとにカウントされたアクセスされなかった頻度に応じて、リフレッシュが必要な領域を判定する。したがって、データの訂正が不可能となる前に誤ったデータを訂正して書き戻すことができ、ＭＲＡＭに格納されるデータの信頼性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】キャッシュメモリにおけるソフトエラーの発生確率を減少させる。
【解決手段】キャッシュメモリ３０が、タグメモリ４０を用いて管理され、ライトスルー方式で運用される。そして、キャッシュメモリ３０へのアクセス時刻を監視する監視部５１Ａと、この監視部５１Ａによる監視結果に応じてキャッシュメモリ３０の一以上のキャッシュラインにおけるデータをメインメモリから再度読み出して保存するリフレッシュ部５１Ｂとがそなえられている。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリに格納されたプログラムを自動でリフレッシュすることにより、経年変化によるデータ化けを防止し、長期保証を可能とした組み込み機器を提供することである。
【解決手段】提案する組み込み機器は、前記不揮発性メモリのリード／ライト可能な固定サイズのブロックに分割して格納された前記プログラムを、前記不揮発性メモリ内でリフレッシュするリフレッシュ実行部（ＣＰＵ１、ＳＤＲＡＭ４）、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＲＡＩＤ構成とされた複数の不揮発性半導体記憶装置を有効に活用することが可能な記憶制御装置及び記憶制御方法を提供する。
【解決手段】複数の不揮発性半導体記憶装置を用いて、当該不揮発性半導体記憶装置に記憶されるデータを復元可能なＲＡＩＤを構成し、外部から入力されるデータの読み込み要求に応じ、前記ＲＡＩＤを構成する不揮発性半導体記憶装置からデータを読み込み、この読み込み時にエラーが発生した場合には、当該読み込みエラーが発生したデータを復元し、前記読み込みエラーが発生した前記不揮発性半導体記憶装置上の領域に書き戻す。 （もっと読む）

【課題】デバイスのコントローラに過大な負荷を掛ることのない、NAND型フラッシュメモリデバイスのリフレッシュ方法の提供。
【解決手段】ホストが有する所定のインターフェースを介して指定されたアドレスをNANDフラッシュメモリの論理ブロックアドレスとして、該論理ブロックアドレスに対応する物理ブロックに対してデータの書き込みや読み出しを実行するNAND型フラシュメモリデバイスに対し、前記ホストが、該ホストと前記NAND型フラッシュメモリデバイスとの間で定義されてなるリフレッシュコマンドを前記NAND型フラッシュメモリデバイスに発行し、前記NANDフラッシュメモリのコントローラに前記リフレッシュコマンドを解釈するコマンド解釈手段を設けておき、該コマンド解釈手段による解釈に基づき前記リフレッシュを実行する。 （もっと読む）

【課題】効率の良いリフレッシュ処理を行うことが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】データ消去の単位であるブロックにデータを記憶することが可能な不揮発性メモリを備えた半導体記憶装置であって、前記ブロックのうちから選択された監視対象ブロックに記憶されたデータの誤り数を監視し、前記データの誤り数が所定の閾値以上である監視対象ブロックに対してリフレッシュを行うことにより効率の良いリフレッシュ処理を行うことが可能な半導体記憶装置。 （もっと読む）

【課題】ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのリフレッシュ動作を実行する際に、データの書込み、読出し動作の性能が低下することを防ぐメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリシステムは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０と、メモリコントローラ２０と、ホストプロセッサ３１とを備える。メモリコントローラ２０は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０が保持するデータの再書込みを実行するリフレッシュコントローラ２６を備える。ホストプロセッサ３１は、リフレッシュ動作の可否を判断するリフレッシュ動作判断部３２と、リフレッシュ動作が可能であると判断された場合にリフレッシュ許可信号を送信する許可信号送信部３３とを備える。リフレッシュコントローラ２６は、ホストプロセッサ３１から送信されたリフレッシュ許可信号に基づいて、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０のリフレッシュ動作を開始する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、書き込み回数やデータ破壊の程度に応じたデータの保護が可能になるデータリフレッシュ装置、データリフレッシュ方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の記憶領域からなる記憶装置に記憶されたデータのリフレッシュを行うデータリフレッシュ装置であって、記憶領域に記憶されたデータに発生しているエラーの個数を検出するエラー検出手段と、記憶領域に記憶されたデータのエラー訂正を行うエラー訂正手段と、エラー訂正手段によって訂正された訂正データを記憶領域のいずれかに書き込むリフレッシュ手段と、記憶領域に対する書き込み回数に応じて、リフレッシュ手段の動作周期を制御するリフレッシュ制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリに対して読み出し処理が多数発生した場合に、意図せずデータが書き換えられることを回避する。
【解決手段】メモリ４に対するデータアクセスをコントロールするメモリコントローラ３は、リフレッシュ制御部３３を備える。リフレッシュ制御部３３が備える読み出し回数記憶部３３１は、メモリ４の各ページに対する読み出し回数をカウントして記憶している。リフレッシュ制御部３３は、読み出し回数が所定回数を超えるページが発生した場合、当該ページに格納されているデータのメモリ４に対する再書き込み処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】本発明のストレージシステムは、フラッシュメモリデバイスのようなメモリデバイスを用いてデータを長期保存する。
【解決手段】ストレージ装置１のフラッシュメモリ搭載部５は、複数のフラッシュメモリデバイス５Ａを備える。フラッシュメモリデバイス５Ａの記憶領域に論理デバイスが設定される。起動スケジューラ３Ａは、内部リフレッシュ処理４Ａ及び外部リフレッシュ処理２Ａの起動を制御する。リフレッシュ機能管理テーブル３Ｂは、フラッシュメモリデバイス５Ａに記憶されているデータのリフレッシュ方法及びリフレッシュ時期を各論理デバイス毎にそれぞれ管理する。起動スケジューラ３Ａは、リフレッシュ時期の到来した論理デバイスを発見すると、ストレージ装置１または外部装置２のいずれかに起動コマンドを送信し、内部リフレッシュ処理４Ａまたは外部リフレッシュ処理２Ａを起動させる。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリから揮発性メモリに転送が開始されてから揮発性メモリ内のデータがアクセス可能になるまでの時間を短縮する。
【解決手段】 揮発性メモリＳＤＲＡＭは、不揮発性メモリＦＬＡＳＨ用のエラー訂正コードを記憶する揮発付加領域Ｅ２を有する。不揮発性メモリＦＬＡＳＨに記憶されたデータをエラー訂正することなく、エラー訂正コードとともに揮発性メモリＳＤＲＡＭに転送することで、不揮発性メモリＦＬＡＳＨから揮発性メモリＳＤＲＡＭへのデータの転送時間を短くできる。この結果、不揮発性メモリＦＬＡＳＨから揮発性メモリＳＤＲＡＭに転送が開始されてからデータがアクセス可能になるまでの時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックメモリデバイスのリフレッシュおよびエラースクラビングの方法およびシステムを提供すること。
【解決手段】ダイナミックメモリデバイスに格納されたデータの保全性を保持するための方法は、ダイナミックメモリデバイスのリフレッシュ速度要件およびエラースクラビング速度要件に基づき、複数のメモリ素子を有するダイナミックメモリデバイスのリフレッシュ−スクラブアクセス時間間隔を決定するステップと、リフレッシュ−スクラブアクセス時間間隔を超えない周期でダイナミックメモリデバイスの各メモリ素子にエラースクラビング機能を実行するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路構成で記憶装置上のデータを失わせることなく、記憶装置のセルフリフレッシュ状態の解除を好適なタイミングで行うことができる制御装置を提供する。
【解決手段】記憶保持にリフレッシュ動作が必要であり且つセルフリフレッシュ状態にあるときに単体で自動的にリフレッシュ動作を行うＳＤＲＡＭ１２と、メインコントロールユニット（ＭＣＵ）１０との間に、論理積回路２０を設け、ＭＣＵ１０の省電力モードから非省電力モードへの移行時には、ＲＥＳＥＴ＿ＩＣ１８から出力されたＭＣＵ１０を初期化させるためのLowレベルのMCU_Reset信号と、MCU_CKE信号とを論理積した論理積信号(CKE信号）を出力することによって、LowレベルのMCU_Reset信号が出力されている期間は、MCU_CKE信号の出力レベルに拘わらずＳＤＲＡＭ１２のセルフリフレッシュ状態を維持する。 （もっと読む）

フラッシュメモリの隣接する領域でのフラッシュメモリの動作による外乱に対して感受性が強いフラッシュメモリに蓄積されるデータの完全性を保持するために、有効データが破損され回復不能になる前に、外乱を引き起こすイベントに起因してデータの読み出し、修正、および書き換えが行われる。メモリシステムが実行すべき別の高い優先順位の処理がある場合、修正アクションのうちのいくつかの実行指令を保留することによって、データの完全性とシステムパフォーマンスとを保持するという、時として相矛盾する必要性のバランスがとられる。非常に大きな消去単位を利用するメモリシステムでは、消去単位の容量よりもずっと少ないデータ量の効率的な書き換え処理に一致するように修正アクションが実行される。
（もっと読む）