【課題】動作速度及び電力消耗を減らすことができるメモリシステム及びそれの動作方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態によるメモリシステムは不揮発性メモリ装置と、前記不揮発性メモリ装置を制御するように構成されたメモリ制御器と、を含み、前記メモリ制御器は前記不揮発性メモリ装置から読み出されたデータのエラーの位置情報を含むエラーフラッグ情報を前記不揮発性メモリ装置へ提供する。 （もっと読む）

【課題】読出動作の精度を向上させた不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】メモリストリングは、半導体基板の上方に設けられ、複数のメモリセルを含む。制御回路は、複数のメモリセルのうち、選択メモリセルに保持されたデータを読み出す読出動作を実行する。メモリストリングは、半導体層、電荷蓄積層、及び導電層を有する。半導体層は、半導体基板に対して垂直方向に延びメモリセルのボディとして機能する。電荷蓄積層は、半導体層の側面に設けられ、電荷を蓄積可能とされる。導電層は、半導体層と共に電荷蓄積層を挟むよう設けられメモリセルのゲートとして機能する。制御回路は、読出動作の実行前に、選択メモリセル及び非選択メモリセルを導通状態としてメモリストリングの一端から他端へと電流を流すリフレッシュ動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】新たなリードパラメータで不揮発性メモリ装置をリードするリードリトライを行う方法、該方法を行う装置を提供する。
【解決手段】リードリトライ動作及び／またはその部属的なリードリトライ動作は、リードリトライ動作が保証（ｗａｒｒａｎｔｅｄ）されるか否かを判断する前に初期化されるか、完了することができる。例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置のページは、新たなリード電圧レベルをページのワードラインに印加して、リードリトライ動作でリードされうる。例えば、リードリトライ動作は、エラー訂正動作でターゲットページのデータの以前リードページのエラーを訂正不能と判断される前に、ターゲットページで行われる。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性半導体記憶装置の信頼性を、より向上させる技術が望まれている。
【解決手段】 閾値レベルの相違によって少なくとも４つのデータ状態が定義され、複数のデータ状態の各々に、複数ビットで構成される値が割り当てられるメモルセルがメモリ部に複数配置される。コントローラが、メモリセルの各々が記憶する複数ビットのうち、少なくとも１つのビットを、「正常」及び「異常」のいずれかの状態を表すエラー訂正ビットとし、他のビットを、データを記憶するためのデータビットとする。複数のデータ状態を、閾値レベルの大きさの順番に並べたとき、連続する４つのデータ状態のうち、閾値レベルが最小及び最大のデータ状態のエラー訂正ビットに「正常」を割り当て、閾値レベルが中間の２つのデータ状態のエラー訂正ビットに「異常」を割り当てる。周期的にメモリセルのエラー訂正ビットのデータを読み出し、読み出された値が「異常」である場合には、当該メモリセルのエラー訂正ビットを「正常」に再設定する。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリ素子の特性に応じてセルしきい電圧に変動を生じることで発生する種々のエラー不良を防ぐためにセルしきい電圧を補償できるようにした不揮発性メモリ素子とその自己補償方法を提供する。
【解決手段】 入力アドレスに応じて動作のためのメモリセルを前記メモリセルアレイから選択するＸデコーダおよびＹデコーダと、前記ＸデコーダおよびＹデコーダによって選択されたメモリセルにデータをプログラムし、またはプログラムされたデータを読み出すためのページバッファと、前記メモリセルアレイのブロックに備わるメモリセルに対して周期的な読み出し動作を行うように制御し、エラーの発生したメモリセルの数が設定数以上か否かを判断して、メモリセルの変化したしきい電圧を補償するように前記メモリセルアレイ、前記ＸデコーダおよびＹデコーダ、前記ページバッファを制御する制御部と、を含んでなっていることを特徴とする。
【選択図】 図７
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【課題】フラッシュメモリの動作速度及び耐久性を向上させる技術の提供。
【解決手段】メモリが、行及び列を含むメモリセルのアレイを有している。該メモリは、アレイ内の単数又は複数のワード線上の第１の離隔位置のセットに第１のバイアス電圧を印加するとともに、単数又は複数のワード線上の第２の離隔位置のセットに第１のバイアス電圧とは異なる第２のバイアス電圧を印加する、ワード線に結合された回路部を有し、第１の離隔位置のセットにおける位置は、第２の離隔位置のセットの位置の間に介在しており、それにより、第１の離隔位置のセットにおける位置と第２の離隔位置のセットにおける位置との間に、単数又は複数のワード線の加熱をもたらす電流の流れが誘導される。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ装置において、ブロック間で最新値をコピーしている間にリセットが発生した場合であっても、真の最新値を認識することにある。
【解決手段】ブロック管理値をアクティブ状態とする際に、ブロック管理値がブロック毎に異なるとともに順に大きくなるように設定される。例えば、ブロック管理値として第１のブロックＢ１には「＄１１１１」が、第２のブロックＢ２には「＄１１１２」が記憶される。このため、たとえ、アクティブ状態であるブロックが複数存在する場合であっても、ブロック管理値が大きいブロックの最新値を読み出すことで、真の最新値を読み出すことができる。 （もっと読む）

【課題】画像処理装置に設けられた不揮発性メモリに対して、比較的に簡素な構成で適切にリフレッシュを行うことができるようにする。
【解決手段】画像処理装置は、自装置で用いられるデータを保存する不揮発性メモリと、自装置の動作状況を認識する認識手段１０１と、認識手段１０１が認識した動作状況をと、記憶部に予め記憶された自装置の動作状況ごとの温度変化を示す動作温度情報とを用いて、不揮発性メモリのリフレッシュの要否を判定する判定手段１０２と、リフレッシュが必要であると判定手段１０２が判定した場合、不揮発性メモリをリフレッシュするリフレッシュ手段１０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】リードディスターブを効率良く回避するための技術を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置（１）は、不揮発性記憶部（１１）と、上記不揮発性記憶部の消去単位とされるブロック毎のデータを、当該ブロックとは異なるブロックに書き直すためのリフレッシュ処理を制御可能なコントローラ（１２）とを含む。上記コントローラは、上記不揮発性記憶部に、第１領域とそれとは異なる第２領域とを設定し、上記第１領域のデータについてのリフレッシュ頻度が、上記第２領域のデータについてのリフレッシュ頻度に比べて高くなるように、リフレッシュトリガが発生される毎に上記第１領域及び上記第２領域についてのリフレッシュ処理を実行する。これにより、リードアクセスが繰り返される場合のリードディスターブを効率良く回避することができる。 （もっと読む）

【課題】処理速度の低下を防止でき、要求されるパフォーマンスでのタスク実行を行うことが可能で、状況に応じた的確なリフレッシュ動作を実現することが可能なメモリ装置、メモリ制御方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】メモリ装置２０は、ブロック単位にデータの消去が行われ、このブロックに対するデータの書き込みおよび読み出しが行われる不揮発性メモリ２３と、不揮発性メモリのアクセス動作を制御し、不揮発性メモリのデータ変化状態のレベルを監視して不揮発性メモリのリフレッシュ動作を制御する制御部２１と、を有し、制御部２１は、タスクを優先度に応じて処理し、前記リフレッシュ動作を低優先度タスクとして処理する。 （もっと読む）

【課題】グローバルタイムを参照してデータリテンション動作を実行する使用者装置、格納装置、及びそれのデータリテンション方法を提供する。
【解決手段】本発明のデータ格納装置の駆動方法は、データ格納装置をオフライン状態でオンライン状態に転換する段階と、オンライン状態の間にホストから現在のグローバルタイム（Ｇｌｏｂａｌ ｔｉｍｅ）を受信する段階と、オンライン状態の間に現在のグローバルタイム（Ｃｕｒｒｅｎｔ ｇｌｏｂａｌ ｔｉｍｅ）を参照してデータ格納装置に格納されたデータを少なくとも１つのノーマルデータリテンション動作を通じてリフレッシュする段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ペアセル各々が有する閾値電圧がデータを保持するだけ確保できているか否かを判定可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２のビット線にそれぞれ接続され、互いに電圧値の異なる閾値電圧を有してデータを保持する第１及び第２のメモリセルとから構成されるペアセルの電流差を検出し、データを読み出す差動センスアンプＤｉｆｆＳＡと、第１及び第２のビット線各々に対応して設けられ、ワード線により選択されたメモリセルに書き込むデータまたはメモリセルから読み出したデータを記憶するラッチを含む第１及び第２のページバッファＰＢＵＦ＿Ｌ、ＰＢＵＦ＿Ｒと、ラッチＬＴＬに読み出したデータと、ラッチＬＴＲに読み出したデータとを比較し、ペアセル各々が有する閾値電圧がペアセルのデータを保持するだけ確保できているか否かを判定するコンパレータＣＯＭＰ１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＮＯＲフラッシュメモリの劣化早期検知を提供する。
【解決手段】ここに開示する本発明の実施形態は、読み込み動作中にＮＯＲフラッシュメモリセルの組の閾値電圧（Ｖ_Ｔ）の分散を推定することによりＮＯＲフラッシュメモリの劣化を早期警告する技術を記述する。発明の一実施形態において、メモリセルの読み込み動作の完了時間（ＴＴＣ）値を閾値電圧（Ｖ_Ｔ）の分散の代替値として用いる。測定されたＴＴＣの分散が基準分散値と選択された量よりも大きく異なる場合、メモリの当該ページがかなり劣化したことを示す警告信号が出力される。システム内のより高次の要素が当該警告信号を用いて適切な措置をとることができる。理想的な分布における全てのセルのＶ_Ｔ位置を推定することができるため、理想的な分布の平均からの発散に基づいて各セルからのデータに信頼レベルを割り当てることができる。 （もっと読む）

【課題】処理速度の低下を防止でき、状況に応じた的確なリフレッシュ動作を実現することが可能なメモリ装置、メモリ制御方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】メモリ装置２０は、ブロック単位にデータの消去が行われ、このブロックに対するデータの書き込みおよび読み出しが行われる不揮発性メモリ２３と、不揮発性メモリのアクセス動作を制御し、不揮発性メモリのデータ変化状態のレベルを監視して不揮発性メモリのリフレッシュ動作を制御する制御部２１と、を有し、制御部２１は、複数設定されたリフレッシュ動作実行の緊急度とデータ変化状態のレベルとの比較結果に応じたリフレッシュ動作を行う。 （もっと読む）

【課題】ガベージコレクション処理による処理負荷を軽減し、ガベージコレクション処理の処理時間を短縮する。
【解決手段】フラッシュメモリ１０は、予め定められたデータサイズ領域を示すページ単位でデータを書き込み可能な不揮発性記憶部１１と、不揮発性記憶部１１の指定された領域であって、複数のページを含む該指定された領域における有効データを一時記憶する記憶部１２と、不揮発性記憶部１１のページに有効なデータがあるか否かを示すアドレスマップ情報に基づいて、指定された領域における有効データを記憶部１２に記憶させた後に、記憶部１２に記憶された有効データを連続したページに書き込むガベージコレクション処理、及びガベージコレクション処理によって変更されたアドレスマップ情報を出力する処理を実行するコントロールロジック部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体ディスク３ａ、３ｂによりデータを記録する半導体ディスク装置１において、高信頼性を維持し、処理量およびオーバーヘッドを少なくする。
【解決手段】複数の半導体ディスク３ａ、３ｂによりミラーリング構成を成し、一の半導体ディスク３ａの任意のアドレスにてセクタエラーを検出したときに、他の半導体ディスク３ｂから当該アドレスのデータを読み出して、前記一の半導体ディスク３ａの前記アドレスに上書きするとともに、バックグラウンドにて一の半導体ディスク３ａまたは３ｂの全アドレスのセクタエラーを検出しセクタエラーが検出されたときは他の半導体ディスク３ｂまたは３ａから当該アドレスのデータを読み出して前記一の半導体ディスク３ａまたは３ｂの前記アドレスに上書きするベリファイ動作を全ての半導体ディスクについて行うようにした。 （もっと読む）

【課題】 より簡易な構成でかつ高精度に無電源期間のデータ保持状態をモニタすることができる不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】 不揮発性記憶装置１を、データ記憶部２と、参照メモリセル部３と、状態検出部４と、制御回路部５とを備える構成とし、各部の構成及び機能を次のようにする。参照メモリセル部３は、非動作期間のデータ保持状態を検出するための参照メモリセル３ａを含む。状態検出部４は、参照メモリセル３ａの状態を検出する。そして、制御回路部５は、状態検出部４での検出結果に基づいて、非動作期間のデータ保持状態を特定する。 （もっと読む）

【課題】データ保持特性を向上することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルをそれぞれ含む複数のブロックを有し、前記複数のブロックのうちの通常ブロックに、通常のデータが記憶され、前記複数のブロックのうちのタイムコードブロックに、前記通常ブロック毎に設定され且つ前記通常ブロックの最後の書き込み動作を実行した時間に対応する時間データを含むタイムコードが記憶されたメモリセルアレイを備える。前記不揮発性半導体記憶装置は、前記タイムコードブロックから前記タイムコードを読み出し、現在の時間を取得し、読み出された前記タイムコードの時間データの時間と前記現在の時間との時間差が規定値よりも大きくなる選定された前記通常ブロックに対して、データを読み出し、消去し、且つ、読み出されたデータを書き込み、前記現在の時間の時間データに対応する新たなタイムコードを、選定された前記通常ブロックに対応させて、前記タイムコードブロックに書き込む。 （もっと読む）

【課題】 高温時に特性の劣化するデバイスを備えた装置で、その装置内部が高温になった場合に、簡易な方法で、処置を行う最適な時期を検出する手段を提供する。
【解決手段】 端末装置は、装置温度を検出し、検出した温度に応じて重み付けしたストレス加速時間をストレスカウント値として積算し、ストレスカウント値が設定された値以上になったときに割り込み信号を出力する高温検出カウンタ回路と、装置の動作を制御するＣＰＵとを備え、ＣＰＵが高温検出カウンタ回路からの割り込み信号を累積カウントした累積ストレス加速時間と、タイマ回路からのシステム時間との合計値が、設定されたストレス管理時間を超えた場合に不揮発性メモリに再書き込みを行う。 （もっと読む）

【課題】特に高いデータ保持信頼性が要求される読み出し専用のデータに対し、データ保持信頼性向上のためのリフレッシュ処理が適用された場合に、データ保持信頼性を維持する。
【解決手段】論理アドレスを複数の領域に分割し、分割された領域のデータに対しレベリング処理の適用を許可／禁止を示す領域指定テーブル１１２と、読み出し専用の物理ブロックのデータのリフレッシュ時に使用する物理ブロックのアドレスを登録した無劣化ブロックテーブル１１３と、アドレス変換テーブル１０９と、制御部１０８とＥＣＣ回路１０７を有する不揮発性記憶装置１０１において、レベリング処理を禁止する領域の読み出し時に、ＥＣＣ訂正ビット数が所定ビット数以上であることを検出した場合は、無劣化ブロックテーブルの物理ブロックを選択してデータをコピーするリフレッシュ処理を行う。 （もっと読む）