【課題】ｎＡレベルのきわめて小さい電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析装置を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析装置１０は、真空チャンバーの内部に着脱可能に設置された蒸着源１４ａ〜１４ｃと、試料１１に形成された薄膜に向かって電子線２８を発射する電子銃１５と、薄膜の表面において反射した反射電子から生成される反射電子像回析パターンを映し出す蛍光スクリーン１８と、反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂとを有する。反射高速電子回析装置１０では、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜に向かって発射する。 （もっと読む）

【課題】試料表面の帯電現象を防止する為に複雑な形状を有する該試料のあらゆる面及び孔の内部にも出来るだけ均一に導電性薄膜微粒子を付着（コーティング）させる為の前処理装置。
【解決手段】スパッタされたターゲット２の原子がステージ１１上に載置された試料１０に付着することにより試料表面上に導電性薄膜が形成される。その際、該試料の表面ないしは側壁面上に存在する微細な突起の周囲や孔の内壁に出来るだけ均一な導電性薄膜を一様に形成せしめるべく該試料を載置するステージ１１を制御器７を用いて該ステージ面の中心から互いに離間した３つの保持位置の下部に取り付けられている３つのアクチュエータ１２を通して上下運動させることにより、該ステージ面上の試料を回転させることなく３６０度方位全域で該試料を一定傾斜状態のまま保持することで該ステージ上に載置された非導電性試料の表面ないしは側壁面に一様にコーティングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】試料を変形させずに試料そのものの形状を観察することのできる手段を提供する。
【解決手段】開口部を有する試料保持部材（例えば、マイクログリッドやメッシュ等）にイオン液体を保持し、そこに試料を投入することによってイオン液体中に試料を浮かして観察する。さらに、試料保持部材の近傍に、イオン液体を注入する機構（イオン液体導入機構）及び／又は電極を設けている。電極に電圧を印加すると、試料がイオン液体中で移動・変形でき、移動したり変形したりする様子を観察することができるようになる。また、試料保持部材の近傍に、蒸着装置を設けて蒸着しながらイオン液体内に試料を投入できるようにする。さらに、試料保持部材の近傍に、マイクロキャピラリーを設け、液体状の試料をイオン液体内に投入できるようにする。また、試料保持部材は回転できるようになっている。 （もっと読む）

【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面
観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および
微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と
電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 （もっと読む）

【課題】 高倍率でも明瞭なＳＥＭ像を得るための、非導電性試料の導電性付与方法、及び非導電性試料の観察方法の提供。
【解決手段】 一次粒子の直径が３ｎｍ以下であり、好ましくは白金、金、タングステンから選ばれる少なくとも１種以上の材料からなる導電性粒子を５ｎｍ以下の厚さでコーティングする、非導電性試料の導電性付与方法。前記方法により処理された非導電性試料を走査型電子顕微鏡で観察する、非導電性試料の観察方法。 （もっと読む）

【課題】ビームをワーク・ピースに向けずに、荷電粒子ビーム・システムにおいてコーティングをワーク・ピースに加えること。
【解決手段】コーティングは、荷電粒子ビーム真空室内において、または荷電粒子ビーム真空室外において、スパッタリングによって加えられる。一実施形態では、スパッタリングは、気体流入システムから針などのスパッタ材料源に荷電粒子ビームを向けることによって実施される。材料は、ビームをワーク・ピースに向けることを必要とせずに、たとえば、保護コーティングまたは導電コーティングを形成するために、スパッタ材料源からワーク・ピースの上にスパッタリングされ、それによりワーク・ピースに対する損傷を低減または排除する。 （もっと読む）

【課題】 短時間で良好な試料の断面観察を行うことが可能な収束イオンビーム加工観察装置を備える試料解析装置を提供する。
【解決手段】 試料６に対して収束イオンビームを照射して試料６を加工し観察する収束イオンビーム加工観察装置２と、蒸着手段を備え試料６の表面に蒸着膜を形成する真空蒸着装置３と、収束イオンビーム加工観察装置２と真空蒸着装置３とを連通し収束イオンビーム加工観察装置２と真空蒸着装置３の真空を破らずに試料６を収束イオンビーム加工観察装置２と真空蒸着装置３との間で移動させる連通路４と、連通路４の開閉を行う開閉手段５とを設ける。これにより、真空蒸着装置で蒸着膜を試料表面に積層して直ぐに該試料６を収束イオンビーム加工観察装置２に移動させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 断面観察用試料の観察面に残存する加工ダメージ層を簡単かつ迅速に除去する手段を備え、２次元キャリア分布測定を精度よく実施することが可能な断面観察用試料を作製する方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン基板上に不純物を導入したシリコン層を有する半導体デバイスの断面観察用試料片を作製する方法において、半導体デバイスの断面を露出させ、その断面を平坦化する加工を施した後、断面観察用試料をアルカリ金属水酸化物と過酸化水素とを含む強アルカリ性エッチング液に浸漬させ、さらに塩酸またはアンモニアと過酸化水素とを含む表面改質液に浸漬させて、加工ダメージ層を除去し、かつ、加工ダメージ層が除去された断面表面に均一なシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 真空下にて試料を分析および／または処理する際に必要とされる複数の機能を備えた器具を提供する。
【解決手段】 端子１および突起部６を有する基板１００、ならびに端子１と接触する電極３および突起部６を挿入するための凹部１０を有するホルダー２００を備える回路形成用カセットであって、突起部６が凹部１０へ挿入されることによって基板１００とホルダー２００とが固定される構成を有する回路形成用カセットを用いる。 （もっと読む）