【課題】画素からの電気信号を保持するための回路（記憶部）を小面積で実現することができる固体撮像素子および固体撮像素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１００は、複数の画素１ａと、列信号線２１と、列信号線２１毎に設けられ、対応する列の複数の画素１ａから転送された電気信号を記憶する第１記憶部２ａとを備え、第１記憶部２ａは、ゲートが行選択線４０に接続され、ソースまたはドレインの一方が入力信号線２１に、他方が記憶ノードに接続された第１トランジスタ３１と、ゲートが記憶ノードに接続され、ソースまたはドレインの一方が行電源線４１に、他方が出力信号線３４に接続された第２トランジスタ３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】撮像センサから並列に出力される複数の色成分信号を並列に処理し得る低コスト、低消費電力及び小回路規模の装置を提供する。
【解決手段】ＳＰＵ（画像処理装置）１２は、制御信号ＴＳに従って撮像センサにおける欠陥画素に対応する色成分信号を補正する複数の欠陥画素補正回路４９，５０，５１と、複数の色成分信号の入力に合わせてメモリから転送された欠陥補正データＤＣＤを受信する入力制御回路６３と、欠陥補正データＤＣＤに基づいて制御信号ＴＳを生成するタイミング生成回路５２とを備える。欠陥画素補正回路４９，５０，５１は、同一の制御信号ＴＳで同一の欠陥画素に対応する色成分信号を並列に補正する。 （もっと読む）

【課題】装置自体で放射線の照射開始を的確に検出可能で、かつ、撮影前の読み出し処理における電力消費を低減することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１の制御手段２２は、放射線画像撮影前に、走査駆動手段１５から全ての走査線５にオフ電圧を印加して各スイッチ手段８をオフ状態とした状態で読み出し回路１７に読み出し動作を行わせて、スイッチ手段８を介して放射線検出素子７からリークした電荷ｑをリークデータｄleakに変換するリークデータｄleakの読み出し処理と、各放射線検出素子７のリセット処理とを交互に繰り返し行わせ、読み出したリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出するとともに、放射線画像撮影前のリークデータｄleakの読み出し処理と交互に行う各放射線検出素子７のリセット処理を定期的に中止する。 （もっと読む）

【課題】高ダイナミックレンジイメージセンサを提供する。
【解決手段】第１の基板１２上に、複数の画素１８であって、各画素が光検出器を有する画素と、前記複数の光検出器に接続する複数の読み出し回路であって、各読み出し回路が、この読み出し回路に接続する少なくとも１つの光検出器の充放電装置を有し、各充放電装置は、充放電の作動信号によって制御して前記読み取り回路に接続する各画素の前記光検出器の積分時間を課す回路とを有する。第１の基板１２とは異なる第２の基板１４を有し、この第２の基盤上には充放電装置の制御電子回路３０、３２、３４を配置し、この回路は、第１の基板１２と第２の基板１４との間の電気接続１６を介して充放電装置に転送するための充放電の作動信号を生成するように設計し、各画素または画素群は作動信号に接続して固有かつ適切な積分時間をこの画素または画素群に課す。 （もっと読む）

【課題】出力特性のばらつきを抑えつつ、遅延効果による課題を解決することができる固体撮像装置、および固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】制御部６は、Ｍ行のうち或る行を構成する各画素Ｐ_ｍ、ｎの読出用スイッチＳＷ_１を接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路Ｓ_ｎに入力させ、積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値を第１の保持回路Ｈ_Ｏ１、ｎに保持させたのち、転送用スイッチＳＷ_３２を接続状態にして該電圧値を第２の保持回路Ｈ_Ｏ２、ｎに転送し、その後、該電圧値を第２の保持回路Ｈ_Ｏ２、ｎから順次に出力させる動作と、Ｍ行のうち他の行を構成する各画素Ｐ_{ｍ＋１、ｎ}の読出用スイッチＳＷ_１を接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路Ｓ_ｎに入力させる動作とを並行して実施する。 （もっと読む）

【課題】適切に光電変換素子の残留電荷を低減することができる、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法を提供する。
【解決手段】放射線が照射されると、当該放射線に応じて発生した電荷を、アンプ５２をサンプリング状態にし、さらにＴＦＴスイッチ４をオン状態にして、放射線画像の画像データを生成するための電荷を読み出させる。Ｓ／ＨスイッチＳＷ２を所定期間オン状態にして電荷をＡＤＣ５４に出力させた後、ＣＡサンプリング期間以外の期間に、再びＴＦＴスイッチ４をオン状態にして、ＴＦＴスイッチ４によりセンサ部１０３から読み出した電荷を、画像データの生成に用いずに読み捨てる。 （もっと読む）

【課題】フォトトランジスタの電流増幅率の低下が、製造要因などによりばらついた場合でも良好な光電変換特性を得ることができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により電流を生成する光電変換素子（２）と、前記光電変換素子により生成された電流をベースに入力し、前記入力された電流を増幅してエミッタより出力するフォトトランジスタ（１）と、前記フォトトランジスタより出力された電流を対数変換する対数変換部（３）と、前記フォトトランジスタのベースに電流を出力する電流発生部（５）と、前記光電変換素子の遮光状態で前記対数変換部により対数変換された信号に基づき、前記電流発生部の出力電流を制御する電流制御部（６）とを有することを特徴とする光電変換装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】
従来、ビデオカメラに比べて高解像度でサイズが大きい撮像素子が搭載された一眼レフカメラでは、消費電力や撮像素子の発熱量も大きくなるという問題があった。
【解決手段】
本発明では、二次元状に配置された複数の画素を電力供給の異なる予め設定された複数の領域に分け、前記画素に入射する光を電気信号に変換する画素部と、前記画素部から電気信号を読み出すための制御信号を前記画素部に出力する走査部と、前記走査部が出力する制御信号により前記各画素から読み出された電気信号を外部に出力する出力部と、前記画素部への電力供給を前記領域毎にオンオフを制御する電源部とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放射線源から照射される放射線の線量率が低い場合でも的確に放射線の照射を検出することが可能な放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】放射線画像撮影システム５０において、放射線画像撮影装置１の制御手段２２は、放射線画像撮影前に全ての走査線５にオフ電圧を印加して各スイッチ手段８をオフ状態とした状態で読み出し回路１７に周期的に読み出し動作を行わせて、スイッチ手段８を介して放射線検出素子７からリークした電荷ｑをリークデータｄleakとして読み出す処理を繰り返し行わせ、読み出したリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出するように構成されており、コンソール５８から送信されてきた被写体の撮影部位に対応して、放射線画像撮影前のリークデータｄleakの読み出し処理において、１回の読み出し処理にかける時間を設定する。 （もっと読む）

【課題】ストリーキングやシェーディングといった画像不良を発生させない固体撮像装置、カメラ及び固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、入射光量に応じたアナログの画素信号を生成する複数の画素部２がアレイ状に配列された画素アレイ領域３と、画素信号と参照信号とを比較する比較部１４ｂと、比較処理の開始時刻から画素信号が参照信号よりも大きくなる時刻までの時間をカウントするカウンタ部１５とを備え、比較部１４ｂは、画素信号が入力される第１トランジスタ３０３と、参照信号が入力される第２トランジスタ３０２とが差動対を構成するよう接続された差動部１４２と、差動部１４２の出力信号を増幅する増幅部１４３と、増幅部１４３の定電流源トランジスタ３１１に流れる電流を一定に保つためのクリップ部１４４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】メモリ効果による課題、遅延効果による課題、およびスイッチングノイズによる課題を解決することができる固体撮像装置、および固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】制御部６は、読出用スイッチＳＷ_１を接続状態とすることによりフォトダイオードＰＤの電荷を積分回路Ｓ_ｎに出力させたのち、読出用スイッチＳＷ_１を非接続状態とする。その後、積分回路Ｓ_ｎから保持回路Ｈ_ｎへ電圧値を出力させる。上記した出力動作を実施した後に、積分用容量素子Ｃ_２１に保持された電荷を放電させるとともに、読出用スイッチＳＷ_１を接続状態にしてフォトダイオードＰＤに保持された電荷を放電させる動作、および保持回路Ｈ_ｎに保持された電圧値を順次に出力させる動作を並行して実施する。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジの変更の自由度が高く、感度を上げることができ、画素数の向上が容易で、かつ画質の劣化を抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】導電性要素（配線層Ｍ１（ＦＤ）および導電層ＢＣ１）は、転送トランジスタＴｘのドレイン領域ＳＤと増幅トランジスタＡｍｉのゲート電極層ＧＥとを電気的に接続している。容量配線ＭＭ（Ｃｓ）は、転送トランジスタＴｘのドレイン領域ＳＤ、リセットトランジスタＲｅｓのソース領域ＳＤ、増幅トランジスタＡｍｉのゲート電極層ＧＥ、および導電性要素のうち少なくとも１つと容量Ｃｓを構成するように配置されている。容量配線ＭＭ（Ｃｓ）は、リセットトランジスタＲｅｓがオフ状態のときに、少なくとも２つの電位Ｖ１、Ｖ２を選択的に印加されるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換部へのエッチングによるダメージや金属汚染による光電変換特性の低下、等を低減する。
【解決手段】複数の光電変換素子と該光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための第１のＭＯＳトランジスタとが配された光電変換領域１０１と前記第１のＭＯＳトランジスタの駆動を行なう第２のＭＯＳトランジスタが配された周辺回路領域１０２とが同一の半導体基板に配され、前記光電変換素子の受光面に反射防止膜１０６が配された光電変換装置であって、前記第１のＭＯＳトランジスタのドレイン１１４の不純物濃度は、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレイン１１１の不純物濃度よりも低く、前記第２のＭＯＳトランジスタはゲート電極１１２に絶縁膜のサイドスペーサ１１３が配されたＬＤＤ構造を有しており、前記サイドスペーサの膜厚は前記反射防止膜と前記光電変換素子の受光面との間に配されたシリコン酸化膜より厚い。 （もっと読む）

【課題】リセット用トランジスタから光電変換素子の方へ漏れる電流の影響を小さくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】リセット用トランジスタと光電変換素子とリセット側電源線とダイオード側電源線を有する半導体装置において、リセット用トランジスタのゲート端子はリセット信号線に接続されており、光電変換素子の一方の端子は、ダイオード側電源線と電気的に接続されており、他方の端子は、リセット用トランジスタを介してリセット側電源線と接続されており、リセット用トランジスタが非導通状態のときに、リセット側電源線の電位をダイオード側電源線の電位に近づける。 （もっと読む）

【課題】 データバスラインの下流側への電流のリークに起因する欠損画素の過剰登録を防止することが可能なＸ線撮影装置および二次元アレイＸ線検出器の欠損検出方法を提供する。
【解決手段】 フラットパネルディテクタの変換膜にＸ線を照射していない状態でスイッチング素子を順次オン状態としたときの電荷信号を測定する暗電流値測定工程と、各画素の画素値に基づいて欠損画素塊を抽出する欠損画素塊抽出工程と、各欠損画素塊におけるゲートバスライン方向の寸法とデータバスライン方向の寸法との比に基づいて各欠損画素塊が正常画素を含む過剰欠損画素塊であるか否かを判定する欠損画素塊判定工程と、過剰欠損画素塊から正常画素を除外する正常画素除外工程と、正常画素を除外した過剰欠損画素塊を他の欠損画素とともに欠損登録する欠損登録工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】煩雑な製造工程を必要とする反射層を設けることなく、シンチレータで発生する光の利用効率を高めつつ残像を消去できる放射線撮影装置を提供する。
【解決手段】シンチレータ７１と光源９５からの光を導光する導光板６１との間に、シンチレータ７１により変換された光の少なくとも一部を反射し、光源９５からの光の少なくとも一部を透過するハーフミラー１０４を設ける。 （もっと読む）

【課題】飽和電荷量を大きくし、素子分離部の近傍における電界集中を緩和し、基板のエッチングダメージを低減し、暗電流を低減した固体撮像素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の電荷蓄積領域２と、第２導電型の不純物半導体領域からなる素子分離半導体領域７と、第２導電型の不純物半導体領域からなるチャネルストップ領域５と、前記チャネルストップ領域５の上に配置された絶縁体２０とを含み、前記絶縁体２０は、前記素子分離半導体領域７の上に前記チャネルストップ領域５を介して配置された第１絶縁部４と、前記第１絶縁部４の外側に隣接して配置されて前記第１絶縁部４から遠ざかるに従って厚さが薄くなる構造を有する第２絶縁部８とを含み、前記電荷蓄積領域２は、前記第２絶縁部８を介して前記半導体にイオンを注入することによって形成されて前記チャネルストップ領域５と接している周辺部２１を含む。 （もっと読む）

【課題】焦点検出が可能でありながら、撮像時に画素欠陥と同様の状態を引き起こすことがなく、しかも、撮像時の感度の低下を抑制する。
【解決手段】ゲート電極６７がハイであれば、埋め込みフォトダイオード４１，４２間が互いに電気的に連結される。このとき、ゲート電極６７の下方の領域は光電変換機能を持つ。一方、ゲート電極６７がローであれば、埋め込みフォトダイオード４１，４２間が電気的に分離される。このとき、ゲート電極６７の下方の領域は光電変換機能を持たない。 （もっと読む）

【課題】赤外光及び可視光に対する感度の高い光電変換素子を提供する。
【解決手段】第１のゲート電極と、第１のゲート電極を覆う第１のゲート絶縁層と、第１のゲート絶縁層上の結晶性半導体層と、結晶性半導体層上の非晶質半導体層と、非晶質半導体層上の不純物半導体層と、不純物半導体層に接するソース電極及びドレイン電極と、少なくともソース電極及びドレイン電極の間を覆う第２のゲート絶縁層と、第２のゲート絶縁層上の第２のゲート電極と、を有し、少なくともソース電極とドレイン電極の間に受光部が設けられ、第１のゲート電極は遮光性材料により結晶性半導体層及び非晶質半導体層のすべてと重畳し、第２のゲート電極は透光性材料により受光部と重畳し、第１のゲート電極は、ソース電極またはドレイン電極に電気的に接続されている光電変換素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】光ノイズの除去に用いる信号を取得することができる。
【解決手段】垂直制御回路２６は、静止画を撮像する際には、画素部２４が備える全ての画素２８の光電変換部を一括露光させ、露光終了のタイミングで、画素部２４が備える全ての画素２８の第１の転送部を駆動させて光電変換部が蓄積した光電荷を第１の蓄積部のみに一括転送させ、当該第１の蓄積部に蓄積された電荷を、第１の増幅部と、第１の接続部と、第１の出力信号線とを介して、光信号として読み出すとともに、第２の蓄積部に蓄積された電荷を、第２の増幅部と、第２の接続部と、第２の出力信号線とを介して、光ノイズ信号として読み出すように制御する。 （もっと読む）