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Fターム[5C024GX16]の内容

光信号から電気信号への変換 (72,976) | 撮像素子の細部(構造) (7,971) | セル構造 (7,384) | 回路素子 (2,124) | 3端子能動素子 (1,174)

Fターム[5C024GX16]に分類される特許

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【課題】空間解像度および感度の低下を抑えつつ、露光時間を増大することができる固体撮像装置を得る。
【解決手段】複数の画素を行列状に配列してなるセンサーアレイ110を有するCMOSイメージセンサ100において、センサーアレイ110を構成する画素行を選択する行選択部130と、該センサーアレイを構成する画素列を選択する列選択部140と、該行選択部および該列選択部を制御するタイミング制御部150とを備え、該タイミング制御部150は、該センサーアレイを構成する複数の画素をグループ分けして得られる第1および第2の画素群から、各画素群毎に異なるタイミングで画素信号が読み出されるよう該行選択部および列選択部を制御する。 (もっと読む)


【課題】本発明の実施形態は、ピクセル、ピクセル配列及びピクセル配列を含む画像センサーに関する。
【解決手段】本発明の実施形態によるピクセルは、光電変換部と、光電変換部で変換された電荷を蓄積するためのコンデンサと、コンデンサに接続されてコンデンサの電位に応じてキャパシタンスが変化する可変コンデンサと、コンデンサの電位を出力するためのスイッチング素子と、を含む。 (もっと読む)


【課題】画素単位で多ビットによるAD変換ができ、画素から発生するノイズの圧縮が可能で、微細画素にて多ビット高速撮像が可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】画素は、埋め込み型フォトダイオード(PD)と、ゲートを入力として、ソースを出力とするソースフォロワ回路を形成する増幅トランジスタと、PDで光電変換された電荷を増幅トランジスタのゲートに転送する転送トランジスタと、を含み、増幅トランジスタは、埋め込み型PD、転送トランジスタが形成される基板から電気的に分離された半導体基板内に形成されて、増幅トランジスタの基板は浮遊状態になっており、読み出し部は、画素単位で画像信号を入出力するΔΣ変調器を含み、ΔΣ変調器の出力が画素の積分するための容量として機能する容量部にフィードバックされている。 (もっと読む)


【課題】画素電源用配線の寄生容量の影響を受けることなく、高速に画素信号を読み出すことができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】受光量に応じた信号を出力する画素セル2が2次元状に配列されて構成された撮像部1と、画素セル2を行単位で選択する行選択回路3と、行選択回路3で選択された画素セル2から出力される信号を、画素セル2の列ごとに、垂直信号線19を介して読み出す列回路7とを備え、列回路7は、信号を読み出すときに、画素セル2の列ごとに、垂直信号線19を介して、行選択回路3で選択された画素セル2に電流を供給する画素電流源回路4を備え、行選択回路3は、一行分の画素セル2からの信号の読み出し期間において、第1の行の画素セル2を選択することと、第1の行の画素セル2および第2の行の画素セル2を同時に選択することとを切り替える。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子で発生した光電子の転送の際に、光電変換素子に残留する光電子数を軽減させるとともに、光電子の転送の高速化を図る固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光を検知して光電子を発生する光電変換素子を有する単位画素と、前記単位画素を駆動する画素駆動部と、を備え、前記光電変換素子は、フォトゲート構造により形成され、前記画素駆動部は、3値の電圧のうち、いずれかの電圧を前記光電変換素子のフォトゲートに印加させることで、前記光電子の発生、転送を行い、前記3値の電圧は、少なくとも、第1電圧と、前記第1電圧より高い第2電圧と、前記第1電圧より大きく且つ前記第2電圧より小さい第3電圧とを有する。 (もっと読む)


【課題】画素の駆動精度を低下させることなく、グローバルシャッタ動作の高速化を図る固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光を検知して光電子を発生する光電変換素子と、1つ以上のMOSダイオード構造を構成する電極を有する単位画素と、前記電極に第1電圧を供給する第1電圧源側に設けられた第1接点と、前記電極に前記第1電圧より高い第2電圧を供給する第2電圧源側に設けられた第2接点と、前記第1接点と前記第2接点との間に設けられた第1コンデンサと、前記第1接点及び前記第2接点のどちらか一方に接続することで、前記電極に印加させる電圧を、選択的に前記第1電圧又は前記第2電圧に切り換える切換スイッチと、前記切換スイッチを駆動させて交互に前記第1電圧と前記第2電圧とを前記電極に印加させることで、前記光電子の発生、保持、転送、リセット、及び排出のいずれかを行う画素駆動部とを備える。 (もっと読む)


【課題】過大光が入射しても故障しない積層型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子100は、基板10上方の光電変換部Pと、光電変換部Pで発生した電荷に応じた信号を読みだす回路Sとを含む画素101を複数有する。回路Sは、基板10内に形成され画素電極21に移動した正孔が蓄積される電荷蓄積部10と、電荷蓄積部10の電位に応じた信号を出力する出力トランジスタ32とを含む。電荷蓄積部10は、画素電極21と電気的に接続される電荷蓄積領域11と、領域11の隣に離間して形成される電荷蓄積領域13と、領域11と領域13とを、断面ポテンシャルにおいて、所定の電位よりも高い電位においては電気的に分離し、前記所定の電位以下の電位においては電気的に接続する領域12とにより構成され、出力トランジスタ32は領域13の電位に応じた信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】色を正確に表すことができるようにする。
【解決手段】保持部により、入力された画素値が保持される。基本画素値演算部により、保持部により保持された画素値の注目画素の周辺に位置する周辺画素であって、注目画素と同じ色の複数の画素の画素値から基本画素値が演算される。異色画素変化量演算部により、周辺画素であって、注目画素と異なる色の画素の画素値の変化量である異色画素変化量が演算される。合成部により、基本画素値と異色画素変化量とを合成して、注目画素の画素値の推定値が演算される。補正部により、注目画素の画素値が推定値により補正される。 (もっと読む)


【課題】電源電圧変動を抑制するとともに、ストリーキングの発生を抑制する。
【解決手段】第1の保持部により、フォトダイオードから出力される電荷を保持し、リセット部により、第1の保持部に保持された電圧をリセットし、転送部により、フォトダイオードから出力される電荷を第1の保持部に転送する。スイッチング部により、画素電源の供給線より供給される直流電圧をスイッチングし、出力部により、第1の保持部により保持された電圧を信号出力線に出力し、第2の保持部により、スイッチング部を介して供給された直流電圧を保持し、駆動部により、第2の保持部により保持された直流電力を電源として供給を受けて出力部を駆動する。 (もっと読む)


【課題】低輝度レベルでの画像収集を行う電子増倍画像センサを提供する。
【解決手段】各ピクセルは、半導体能動層12の表面に、フォトダイオード領域(PHD)、電荷蓄積ノード18、およびフォトダイオードから蓄積ノードに電荷を転送するための転送構造を含んでいる。転送構造は、フォトダイオードに隣接する第1の転送ゲート(TR1)、蓄積ノードに隣接する第2の転送ゲート(TR2)、および第1と第2の転送ゲートの間に位置する電子増倍増幅構造(AMP)を含んでいる。増幅構造は、2個の別々の加速ゲート(GA、GB)、および2個の加速ゲートの間に位置し、固定された表面電位を有する中間ダイオード領域(DI)を含んでいる。電荷が蓄積ノードに転送される前に転送構造内で移動中に、一連の高および低電位が交互に加速ゲートに印加される。増幅は交替の数に依存する。 (もっと読む)


【課題】ダイナミックレンジを向上させた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】
列方向に隣接した少なくとも4つのフォトダイオード132a、132b、132c、132dを含んで1つの単位セルが構成され、半導体基板には単位セル毎に、少なくとも4つのフォトダイオードの各々に対応し、ドレインがフローティングディフュージョン138a、138bとして機能する少なくとも4つの転送トランジスタと、フローティングディフュージョンの電位をリセットするためのリセットトランジスタと、フローティングディフュージョンの電位に応じた電圧信号を出力する増幅トランジスタが形成され、配線層は2層構造であり、2層のうち下側の層は、列方向に隣接したフォトダイオードの間を行方向に延伸して形成された複数の配線を含み、複数の配線にはフローティングディフュージョンの電位を制御するためのフローティングディフュージョン制御配線211が存在する。 (もっと読む)


【課題】隣接画素間の光干渉によるイメージ特性の劣化を防止できるイメージセンサを提供する。
【解決手段】画素領域及びロジック領域を備えるイメージセンサにおいて、前記画素領域の基板に設けられるフォトダイオードPDと、前記画素領域の基板上に設けられる第1のメタルラインないし第Mのメタルライン(Mは、1より大きい自然数)と、前記ロジック領域の基板上に設けられる第1のメタルラインないし第Nのメタルライン(Nは、Mより大きい自然数)と、前記画素領域の前記第Mのメタルライン上において、前記フォトダイオードとオーバーラップされないように配置された少なくとも1つのダミーメタルラインDM1,DM2と、前記フォトダイオードとオーバーラップされるように、前記ダミーメタルライン上に配置されたマイクロレンズMLとを含むイメージセンサを提供する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で、読み出された画像データの不整合を防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】制御手段22は、放射線画像撮影前にゲートドライバ15bの端子のうち走査線5と接続する端子がアクティブな状態となる場合には、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、放射線の照射開始の有無を判定し、放射線画像撮影前にゲートドライバ15bの端子のうち非接続の端子tがアクティブな状態となる場合には、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせず、通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、通常シフト処理を各ブロック領域P1、P2で互いに異なるタイミングで開始し、高速シフト処理を各ブロック領域P1、P2で互いに同一のタイミングで開始する。 (もっと読む)


【課題】複数の受光素子によって単位画素を構成する撮像素子において、2つの画像信号を効率よく読み出せるようにするとともに、読み出し回路を効率良く配置できるようにする。
【解決手段】第1の画像を生成するための第1の受光素子と、第1の画像に対して視差を有する第2の画像を生成するための第2の受光素子とを含む受光素子群と、受光素子群の直上に配置されたマイクロレンズとを単位画素とし、単位画素を二次元に配置した固体撮像素子であって、第1の受光素子からの信号を第1の方向から読み出し、第2の受光素子からの信号を第2の方向から読み出すようにした。 (もっと読む)


【課題】 複数列設けられた信号線に電気的に接続された信号受信部をテストする時、信号線に信号受信部テスト回路を電気的に接続して行うことがある。信号受信部テスト回路から各列の信号線までのインピーダンスが異なる場合に、テスト信号が伝送される信号線の列毎に信号受信部に供給されるテスト信号の信号レベルが異なってしまうという問題があった。
【解決手段】 複数列設けられた信号受信部に信号線を介してテスト信号を供給するテスト信号供給部を有する信号受信部テスト回路であって、テスト信号供給部は電圧バッファもしくは電流バッファであって複数設けられており、テスト信号供給部の一つと電気的に接続される前記信号線とは異なる前記信号線に電気的に接続される別の前記テスト信号供給部を少なくとも一つ有することを特徴とする信号受信部テスト回路である。 (もっと読む)


【課題】ブルーミング現象による画質劣化を抑制することのできる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置は、素子部と供給電圧制御部とを備える。素子部は、物理情報の変化に基づき発生される電荷を検出する電荷検出部と電荷検出部で検出された信号電荷を転送する転送部とを含む単位構成要素が一定の方向に配されている。供給電圧制御部は、ブルーミング抑制用の制御電圧を転送部に供給して電荷検出部にて検出される電荷の一部を転送させることが可能であるとともに、ブルーミング抑制用の制御電圧とは異なる第1制御電圧を転送部に供給して電荷検出部で検出された信号電荷を転送させることが可能である。 (もっと読む)


【課題】異なる共通信号線から出力される信号のオフセットを低減すること。
【解決手段】光電変換部を含む画素が複数配置された画素部103と、画素部103から読み出された画素信号を記憶する第1の記憶部CTS(1)及び第2の記憶部CTS(2)と、第1の記憶部CTS(1)に記憶された画素信号を第1の共通信号線401aに読み出すための第1の読み出しスイッチ410と、第2の記憶部CTS(2)に記憶された画素信号を第2の共通信号線402aに読み出すための第2の読み出しスイッチ419と、入力端が第2の記憶部CTS(2)の出力端に電気的に接続され、出力端が第1の読み出しスイッチ410の出力端に電気的に接続され、第2の記憶部CTS(2)に記憶された画素信号を第1の共通信号線401aに読み出すための第3の読み出しスイッチ414と、を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体装置において、基板の表側に配置される回路素子及び導電線と、基板の裏側に配置される電子回路との間に生じる寄生容量を低減するための技術を提供する。
【解決手段】基板と、基板の上に配置された画素アレイと、基板の上に配置され、画素アレイの回路素子に電気的に接続された第1導電パッドと、電子回路を接続するために基板の下に配置された第2導電パッドと、基板と第1導電パッドとの間に配置された絶縁層と、基板と絶縁層との間に配置された第3導電パッドと、絶縁層を貫通する第1コンタクトホールを通り、第1導電パッドと第3導電パッドとを接続する第1導電部材と、基板を貫通する第2コンタクトホールを通り、第2導電パッドと第3導電パッドとを接続する第2導電部材とを備える半導体装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】一対の光電変換部を含む画素の1フレームの画素信号読み出し動作において、画像表示用の画素信号と焦点検出用の画素信号とを同時に得る。
【解決手段】撮像素子は、第1の転送スイッチが第1の光電変換部によって蓄積された電荷を電荷保持部に転送し、信号出力部が電荷保持部によって保持されている第1の電荷量に応じた電気信号に基づく第1の信号を出力し、第2の転送スイッチが第2の光電変換部によって蓄積された電荷を第1の電荷量を保持する電荷保持部に転送し、該電荷に対応する第2の電荷量と第1の電荷量との加算値に等しい第3の電荷量に応じた電気信号に基づく第2の信号を信号出力部が出力する第1の処理を制御する制御手段を有する。 (もっと読む)


【課題】オーバーフローバリアを低下させ、リセット電圧を低減でき、ピンチ領域にかかる電界を抑制で、また、チャネルでのディップやバリアの形成を抑制し、線形性の劣化を防止しすることが可能な固体撮像装置およびカメラを提供する。
【解決手段】画素セルCelは、基板100に形成された第1導電型(n型)の第1ウェル110と、第1ウェル110より第2基板面102側に形成された第2導電型(p型)の第2ウェル120とを有し、第1ウェル110は光を受光する受光部として機能し、受光した光の光電変換機能および電荷蓄積機能を有し、第2ウェル120は、第1ウェル110の受光部における蓄積電荷を検出し、閾値変調機能を有するMOS型トランジスタ130が形成され、トランジスタ130は、ゲート電極131がソース側主ゲート131Mとドレイン側サブゲート131Sに分離されている。 (もっと読む)


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