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Fターム[5C024GX16]の内容

光信号から電気信号への変換 (72,976) | 撮像素子の細部(構造) (7,971) | セル構造 (7,384) | 回路素子 (2,124) | 3端子能動素子 (1,174)

Fターム[5C024GX16]に分類される特許

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【課題】 駆動回路をTFTプロセスで基板上に一体形成した検出装置において、駆動配線の電位変動に起因するS/N比の低下を抑制する。
【解決手段】 検出装置は、開始信号に応じてクロック信号に含まれる電圧に基づく画素110のスイッチ素子112の導通電圧を駆動配線160に供給する第1回路と、終了信号に応じてスイッチ素子112の非導通電圧を駆動配線160に供給する第2回路と、を含む単位回路121が、複数の駆動配線160の夫々に対をなして複数配置された駆動回路部120と、クロック信号を駆動回路部120に供給する制御部150と、を含み、制御部150は制御電圧を複数の単位回路121に供給し、単位回路121は制御電圧に応じて駆動配線160への非導通電圧の供給を維持する第3回路を更に含む。 (もっと読む)


【課題】グローバル露光を用いて、ダイナミックレンジが広く、かつ、ノイズが少ない画像を得る。
【解決手段】画素アレイ部は、受光した光量に応じた光電荷を生成しかつ蓄積する光電変換部、埋め込み型MOSキャパシタからなる第1の電荷蓄積部、及び、第2の電荷蓄積部を有する単位画素が複数配置され、複数の単位画素の一括露光が可能である。垂直駆動部及びシステム制御部は、露光期間中に光電変換部により生成された光電荷を光電変換部、第1の電荷蓄積部及び第2の蓄積部に蓄積する第1の駆動、又は、露光期間中に光電変換部により生成された光電荷を光電変換部及び第1の電荷蓄積部に蓄積する第2の駆動を行う。本技術は、例えば、固体撮像素子に適用できる。 (もっと読む)


【課題】信号遷移速度の低下防止と、クロストーク抑制が両立された固体撮像装置と、その駆動方法を提供する。
【解決手段】入射された光を光電変換して、信号電荷を蓄積させる複数の光電変換部と、前記各光電変換部に蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョン領域に読み出す為の転送信号が入力される複数の転送信号線と、複数の転送信号線にそれぞれ所望の信号を入力する駆動回路と、転送信号線の駆動回路が接続される側とは反対側に接続され、転送信号線のうち所望の転送信号線に転送信号が入力されるタイミングよりも前から、所望の転送信号に隣接する転送信号線を一定電圧に固定させるための制御信号が入力される終端回路とを備えた固体撮像装置である。 (もっと読む)


【課題】複数枚のチップを接続することによって構成される固体撮像装置において、それぞれのチップの大きさの差を少なくすることによって、固体撮像装置のチップ面積(実装面積)の縮小化とコストの削減を図ることができ、かつ、高品質の画像が得られる固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置を提供する。
【解決手段】第1の基板と第2の基板とを電気的に接続する接続部によって、第1の基板と第2の基板とを電気的に接続する固体撮像装置であって、光電変換素子は第1の基板内に配置し、読み出し回路は第2の基板内に配置して光電変換素子で発生し接続部を経由した信号を読み出し、読み出された信号に対して信号処理を行う素子や回路を具備した信号処理回路は、一部の素子や回路を第1の基板内に配置し、残りの素子や回路を第2の基板内に配置し、接続部を介して第1の基板と第2の基板とに配置された素子や回路を電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】接続部間のクリアランスを確保する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の画素を備え、当該画素を構成する回路要素が配置された第1の基板と第2の基板とが接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、前記画素は、前記第1の基板に含まれる光電変換素子と、前記光電変換素子で発生し、前記接続部を経由した信号を前記画素から出力する、前記第2の基板に含まれる出力回路と、を有し、前記第1の基板において、前記複数の画素が配列された領域は、前記画素を複数含む画素セルを複数含み、当該画素セルに対応して前記接続部が設けられており、いずれかの前記画素セルに対応する前記接続部と接続する第1の接続領域は、他の前記画素セルに対応する前記接続部と接続する第2の接続領域の位置に応じた位置にあることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】小さい回路規模で、十分なオートフォーカス性能を確保しつつ、高精細動画像の撮影時においても、高画質の撮像画像を得る。
【解決手段】 撮像装置は、撮像用画素が2次元状に配列されると共に、該配列の一部に複数の焦点検出用画素が配列された撮像素子と、上記撮像素子の所定画素間隔の複数の画素の画素値を加算する画素値加算回路と、上記複数の画素が上記焦点検出用画素を含む場合の上記画素値加算回路の第1の画素加算結果を、上記複数の画素が上記焦点検出用画素を囲む場合の上記画素値加算回路の第2の画素加算結果に従って、補正した結果を出力する補正回路と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】撮影によって得られた放射線画像の画像ムラの発生を抑制することのできる放射線検出器、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システムおよび配線容量調整方法を得る。
【解決手段】複数の信号配線3の少なくとも1つに接続された調整素子(コンデンサ5)により、当該複数の信号配線3の各々の配線容量の差が小さくなるように調整する。 (もっと読む)


【課題】飽和信号レベルの低下を抑制しつつ、ブルーミングを低減する。
【解決手段】画素アレイ部1は、光電変換した電荷を蓄積する画素PCがマトリックス状に配置され、垂直駆動回路2は、各画素のPCの蓄積期間に画素PCを複数のラインごとに一括して駆動し、画素PCに蓄積された所定レベル以上の電荷を排出させる。前記垂直駆動回路は、前記画素の読み出し期間に前記画素を1ラインごとに駆動し、前記画素に蓄積された全ての電荷を読み出させる。 (もっと読む)


【課題】 変換素子の不純物半導体層への有機材料の混入を低減し、且つ、変換素子の電極の剥離を低減し得る検出装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素11を基板100の上に有し、画素11が、スイッチ素子13と、スイッチ素子13の上に配置され画素毎に分離されスイッチ素子13と接合された透明導電性酸化物からなる電極122の上に設けられた不純物半導体層123を含む変換素子12と、を有し、複数のスイッチ素子13を覆うように複数のスイッチ素子13と複数の電極122との間に設けられた有機材料からなる層間絶縁層120を有する検出装置の製造方法であって、層間絶縁層120に接する複数の電極122の間において層間絶縁層120を覆うように配置された無機材料からなる絶縁部材121を形成する工程と、絶縁部材121と複数の電極122とを覆うように不純物半導体膜123’を成膜する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 ウェルコンタクトが配される画素の補正を容易にする。また、線状のノイズを低減する。
【解決手段】 複数の画素毎にウェルコンタクトを配した増幅型の撮像装置において、第1の配線によって電圧が供給されるウェルコンタクトを有する第1の画素に近接した、ウェルコンタクトが配されていない第2の画素に、第2の配線を配する。 (もっと読む)


【課題】 所望の回数の非破壊読み出しを行うことが出来ないフレームレート要求による動画像撮影を防止する放射線撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 入射した放射線を電気信号に変換して放射線画像を取得する放射線検出手段と、前記放射線検出手段で放射線動画像を取得する際のフレームレートの設定要求を取得する取得手段と、前記放射線検出手段による単位フレームごとの非破壊読み出し回数を設定する設定手段と、前記設定要求されたフレームレートにおいて、前記非破壊読み出し回数の読み出しが可能か否かを判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果を出力する出力手段と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 変換素子の不純物半導体層への有機材料の混入を低減し得る検出装置を提供する。
【解決手段】 画素11がスイッチ素子13と電極122の上に設けられた不純物半導体層123を含む変換素子12とを有し、複数のスイッチ素子13と複数の電極122との間に設けられた無機材料からなる保護層137と有機材料からなる層間絶縁層120とに設けられたコンタクトホールにおいてスイッチ素子13と電極122とが接続されている検出装置の製造方法であって、複数の電極122の間に層間絶縁層120を覆うように無機材料からなる絶縁部材121を形成する工程と、絶縁部材121と複数の電極122とを覆う不純物半導体膜123’を成膜する工程と、絶縁部材121を形成する際に層間絶縁層120のコンタクトホール内に位置する電極122の段差の部分の正射影が位置する保護層137の領域が被覆されるように、被覆層160を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】信号品質の劣化を低減すると共にチップ面積の増大を抑制する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、画素を構成する回路要素が配置された第1の基板と第2の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、前記画素は、前記第1の基板に配置された光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した信号を増幅して増幅信号を出力する増幅回路と、前記第2の基板に配置され、前記増幅回路から出力された前記増幅信号を蓄積する信号蓄積回路と、前記信号蓄積回路に蓄積された前記増幅信号を前記画素から出力する出力回路と、を有する。 (もっと読む)


【課題】光センサ1のフォトダイオード10の受光強度を精度良く検出する。
【解決手段】光センサ1では、フォトダイオード10のカソード端子とグランドとの間の電圧が一定電圧Vref1に比べて小さいとコンパレータ12が判定してからフォトダイオード10のカソード端子とグランドとの間の電圧が一定電圧Vref2に比べて小さいとコンパレータ13が判定するまでの時間差を示す信号として検出信号を出力するAND回路14とを備える。フォトダイオード10の容量が原因で、フォトダイオード10のカソード端子とグランドとの間のリセット電圧が変動しても、その変動の影響が上記時間差には加わらない。 (もっと読む)


【課題】信号品質の劣化を低減すると共にチップ面積の増大を抑制する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、画素を構成する回路要素が配置された第1の基板と第2の基板とが電気的に接続されている固体撮像装置であって、前記画素は、前記第1の基板に配置された光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した信号を増幅して増幅信号を出力する増幅回路と、前記第2の基板に配置され、前記増幅回路から出力された前記増幅信号を蓄積する信号蓄積回路と、前記信号蓄積回路に蓄積された前記増幅信号を前記画素から出力する出力回路と、を有し、複数の光電変換素子は1以上のグループのいずれかに分類されており、同一グループ内の第1〜第n(nは2以上の整数)の光電変換素子が1つの増幅回路を共有する。 (もっと読む)


【課題】画質の劣化を抑え、かつ、高速に画素信号の読み出しができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置は、複数の単位画素3と、複数の垂直信号線53とを備え、所定の単位画素3と接続された所定の垂直信号線53の電位は、所定の単位画素3の転送トランジスタがオンされる電荷転送時において、所定の単位画素3のフローティングディフュージョンの電位をリセットした時の所定の垂直信号線53の電位であるリセット電位より低い。 (もっと読む)


【課題】接続部に不具合が生じた場合に同時に欠陥画素となる画素数を低減する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の画素を備え、当該画素を構成する回路要素が配置された第1の基板と第2の基板とが複数の接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、前記画素は、前記第1の基板に含まれる光電変換素子と、前記光電変換素子で発生し、前記接続部を経由した信号を前記画素から出力する、前記第2の基板に含まれる出力回路と、を有し、前記第1の基板において、前記複数の画素が配列された領域は、前記画素を複数含み形状が十字形である複数の部分領域を含み、前記部分領域に対応して前記接続部が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】グローバルシャッタ方式で電荷の蓄積を行うイメージセンサにおいて、蓄積期間
終了時から最後の行を読み出すまでの期間、蓄積電荷保持部からの電荷の流出を極力抑制
することのできる半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】画素がマトリクス状に複数配置されたCMOSセンサ型のイメージセンサに
おいて、画素部の電荷蓄積制御トランジスタ及びリセットトランジスタにチャネル形成領
域が酸化物半導体で形成されたトランジスタを使用し、マトリクス状に配置された全ての
画素で信号電荷蓄積部のリセット動作を行った後、全ての画素でフォトダイオードによる
電荷の蓄積動作を行い、行毎に画素から信号の読み出し動作を行うことで歪みの無い撮像
を可能とする。 (もっと読む)


【課題】改善された性能パラメータを有するイメージ・センサ、および、そのイメージ・センサを動作させる方法を提供する。
【解決手段】本実施例に従って、イメージ・センサのピクセルは、第1ステージ、およびそれに結合された第2ステージを含む。第2ステージは、サンプリング・キャパシタおよび減算キャパシタを含む。 (もっと読む)


【課題】CMOS撮像装置は印加するパルスを変えることにより比較的自由なタイミングで映像を出力することができるが、このときの課題の一つは、浮遊拡散層の暗電流であり、浮遊拡散層に映像信号電荷を保持しているときに発生する暗電流が画素ごとにばらついて面ザラ状の固定パターン雑音が発生する点である。もう一つの問題点は、浮遊拡散層をリセットするときに発生するkTC雑音で、こちらはランダム雑音である。
【解決手段】暗電流量が保持時間に比例することに着目し、信号出力に含まれる暗電流を、事前に出力した暗電流を時間比で補正して差し引く。kTC雑音については、1度のリセットで複数種類の出力を行い、その複数の出力間の演算でkTC雑音を除去する。 (もっと読む)


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