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Fターム[5C024GX16]の内容

光信号から電気信号への変換 (72,976) | 撮像素子の細部(構造) (7,971) | セル構造 (7,384) | 回路素子 (2,124) | 3端子能動素子 (1,174)

Fターム[5C024GX16]に分類される特許

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【課題】スイッチ素子であるTFTに裏面光の入射を抑え、光電変換素子に裏面からの光を効率よく照射可能な構成とする。
【解決手段】絶縁基板の第1面上に配置された第1の電極と、該第1の電極上に配置された第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置された半導体層と、により構成された電磁波を電気信号に変換する変換素子と、該変換素子に接続されたスイッチ素子と、を有する画素が複数設けられた電磁波検出装置であって、前記第1の電極は前記絶縁基板の前記第1面と対向する第2面側に配置された光源から発せられた光を透過する光透過性導電材料によって構成され、且つ、前記スイッチ素子は前記光源からの前記光が前記スイッチ素子へ入射することを防ぐ遮光部材を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置において、ゴーストなどの発生を抑制して、画像品質を向上させる。
【解決手段】入射光Hを受光する複数の画素PXが半導体基板101の上面に配列されているセンサ基板100と、前記センサ基板の上面に下面が対面しており、前記入射光が透過する透明基板300と、前記透明基板の上面と前記センサ基板の上面との間のいずれかの位置に設けられており、前記入射光が透過する回折格子601とを有し、前記回折格子は、前記半導体基板の上面にて前記複数の画素が配列された画素領域PAに前記入射光が入射し回折されることで生ずる反射回折光を回折するように形成する。 (もっと読む)


【課題】回路規模を抑えつつ任意画素ごとに加算処理ができ、かつデジタル変換処理期間の短縮を可能にした撮像素子、撮像装置を提供する。
【解決手段】入射光を電荷に変換する光電変換素子を含み、電荷に応じたアナログ信号を生成する単位画素が2次元配置された画素部と、画素部において生成されたアナログ信号を列方向に出力するための列信号線と、列信号線に出力された複数行のアナログ信号を列方向において加算する第1の加算部と、列アンプ回路により増幅されたアナログ信号を列ごとにデジタル信号に変換するA/D変換器と、A/D変換器により変換されたデジタル信号を行方向に出力するための行信号線と、行信号線に出力された複数列のデジタル信号を行方向において加算する第2の加算部と、任意の行の画素部において生成されたアナログ信号を列信号線に読み出す第1の走査部とを備える。 (もっと読む)


【課題】ダイナミックレンジをより拡張することができるようにする。
【解決手段】
画素は、受光した光に応じた電荷を発生するフォトダイオードと、所定の容量を有し、フォトダイオードから転送されてくる電荷を蓄積するフローティングディフュージョンと、フローティングディフュージョンの容量に付加される付加容量と、フローティングディフュージョンと付加容量との接続を切り替える薄膜トランジスタとを備える。そして、付加容量および薄膜トランジスタは、フォトダイオードが形成されるシリコン基板から層間絶縁膜を介して配置される配線層中に形成される。本技術は、例えば、撮像装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】データ出力部への転送線上の配線遅延による影響を低減でき、データ出力部におけるデータの取り込みを的確かつ高精度に行うことが可能で、ひいては走査の高速化を図ることが可能なデータ転送回路、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】基本的に、列走査回路13は、クロック供給回路21から供給されるマスタクロックMCKを所定の配線を通してシフトレジスタ131を構成するラッチ131−0〜131−nに、たとえば最遠端側のラッチ131−0から順番に供給し、データ出力回路17−0〜17−nは、マスタクロックMCKを基準とするクロックが位相調整された取り込みクロックSACKによりセンスアンプ回路171−0〜171−nの出力データを取り込む。 (もっと読む)


【課題】色ずれを生じることなく、ダイナミックレンジの拡大を可能にする固体撮像装置を提供する。
【解決手段】電磁波を電荷に変換し、電荷量に応じた信号を出力する画素10を含み、画素10が2次元配置され、隣接する画素10において、電磁波を電荷に変換する、フォトダイオードPD及び転送トランジスタ21の部分の構成は同一であるが、電荷量と信号量との関係を異ならせることが可能である、画素部とを含む固体撮像装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】従来に比べて、検査が行い易く、かつ精度よく放射線を検知することができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素20は、センサ部103Aとセンサ部103Bとを備えている。画像取得用画素20Aでは、センサ部103Aとセンサ部103Bとが接続配線32により接続されており、センサ部103Aで発生した電荷及びセンサ部103Bで発生した電荷がTFTスイッチ4により読み出されて信号配線3に出力される。放射線検知用画素20Bでは、センサ部103Aで発生した電荷がTFTスイッチ4により読み出されて信号配線3に出力される。また、放射線検知用画素20Bでは、センサ部103Bと信号配線3とが直接、接続配線34により接続されており、センサ部103Bで発生した電荷はそのまま信号配線3に出力される。 (もっと読む)


【課題】黒レベルを目標値に一致させるクランプ電圧を迅速に算出する。
【解決手段】ADクランプ回路102は、所定のクランプ電圧が与えられた時に遮光画素から読み出された黒レベルのAD変換値とクランプ電圧との関係を外挿することにより、遮光画素から読み出された黒レベルの目標値に対するクランプ電圧を算出する。ADクランプ回路は、前記遮光画素から読み出された黒レベルのAD変換値と前記クランプ電圧との関係を1次関数で与え、前記所定のクランプ電圧として2点以上のクランプ電圧を与える。基準電圧は、クランプ電圧発生期間とランプ波発生期間とに時分割で切り替えられる。ADC回路は、前記ランプ波発生期間において、前記信号成分のレベルが前記ランプ波のレベルに一致するまでのクロックのカウント結果に基づいて、前記信号成分をAD変換する。 (もっと読む)


【課題】改善されたカラークロストークを有する、小型ピクセルを有するイメージセンサ
を提供すること。
【解決手段】本発明のイメージセンサは、第1導電型の基板と、該第1導電型の基板にア
レイされた第1ピクセル及び第2ピクセルと、該第2ピクセルに該当する前記基板内には
配置されることなく、前記第1ピクセルに該当する前記基板内に配置されたポテンシャル
障壁とを備える。ここで、前記第2ピクセルは、前記第1ピクセルに対応するカラーより
も相対的に長波長を有するカラーに対応するものである。また、前記ポテンシャル障壁は
、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記P型エピタキシャル層のエピ
タキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 (もっと読む)


【課題】感度を低下させることなく、画像信号の取得及び通信信号の取得が可能な画素を提供する。
【解決手段】画素10は、第1電位障壁B1を形成する第1障壁領域21、及び第2電位障壁B2を形成する第2障壁領域27の間に設けられたフォトダイオードPDと、第1障壁領域21に並設され、フォトダイオードPDにおいて生成された第1電荷が転送される第1浮遊拡散領域F1と、第2障壁領域27に並設され、光電変換領域PDにおいて生成された第2電荷が流入し、流入した第2電荷の一部を蓄積する第2浮遊拡散領域F2と、を備える。第2電位障壁B2は、第1電位障壁B1より低い。 (もっと読む)


【課題】雑音が小さい積層型の固体撮像装置を実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素11と、列ごとに形成された垂直信号線141と、垂直信号線と接続された負荷部23とを備えている。画素11は、増幅トランジスタ113、アドレストランジスタ115、リセットトランジスタ117及び光電変換部111を有している。光電変換部111は、半導体基板の上に形成された光電変換膜と、光電変換膜の基板側の面に形成された画素電極及び光電変換膜の画素電極と反対側の面に形成された透明電極とを含む。リセットトランジスタ117は、ソースが画素電極と接続され、ドレインが増幅トランジスタ113のドレインと共に電源線と接続され、負荷部23は、負性抵抗23Bを含む。 (もっと読む)


【課題】固体CMOSイメージセンサに関し、更に具体的には、1つのピクセルに2つの
ロウラインのみを有し、光を感知するためのピンフォトダイオード、及び1つ又は2つの
カラムラインを有するCMOSイメージセンサピクセル並びにそのアレイに関する。
【解決手段】ピクセルは、アドレッシングトランジスタを有さず、感知トランジスタとリ
セットトランジスタは、何れもpチャネル型MOSトランジスタである。結果的に、この
ような構造は、極めて低いノイズ動作をもたらす。そして、この新たなピクセル構造は、
標準CDS信号処理動作を許容し、ピクセル−ピクセルの不均一性を減少させて、kTC
リセットノイズを最小化する。ピクセルは、高感度、高い変換利得、高い応答均一性及び
低ノイズを有し、これは効率的な3Tピクセルレイアウトによって可能になる。 (もっと読む)


【課題】 複数の画素の電荷を同時にリセットする構成の撮像装置においても、固定パターンノイズを除去するための補正用信号の精度を保ちつつ、レリーズタイムラグを短縮する。
【解決手段】 撮像素子14の開口画素部220を含む領域の複数の画素203に蓄積されている電荷を一括してリセットする処理を行う(複数画素同時リセット状態502)。これが終了してから、遮光されている画素203の画像信号の読み出し(補正用データ読み出し状態503)と、当該画素203以外の画素203に対する電荷の蓄積(蓄積状態504)とを同時に開始し、これらを並行して行う。 (もっと読む)


【課題】放射線画像撮影装置自体で放射線の照射開始を検出する場合に、検出処理における電力消費を抑制することが可能な放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】放射線画像撮影システム50は、放射線画像撮影前に読み出したリークデータdleakに基づいて放射線の照射開始を検出する制御手段22を備える放射線画像撮影装置1と、放射線画像撮影装置1に、各放射線検出素子7のリセット処理を開始させるための信号を入力する第1トリガー入力手段58と、放射線画像撮影前のリークデータdleakの読み出し処理を開始させるための信号を入力する第2トリガー入力手段58とを備え、放射線画像撮影装置1の制御手段22は、第1トリガー入力手段58から信号を受信すると各放射線検出素子7のリセット処理を開始させ、第2トリガー入力手段58から信号を受信すると、放射線画像撮影前のリークデータdleakの読み出し処理を開始させる。 (もっと読む)


【課題】撮像素子からの画像信号に対してサイズ変更する処理を加えた後に欠陥画素の補正を行う場合であっても、欠陥画素の補正精度の低下を抑制する。
【解決手段】撮像装置は、画素データを出力する複数の画素が配列された撮像素子と、画素データに基づいて、撮像素子の画素数に対応する第1の画素数の第1画像データを生成する第1生成手段と、画素データに対して所定の処理を施して、第1の画素数とは異なる第2の画素数の第2画像データを生成する第2生成手段と、複数の画素のうち欠陥画素の位置と欠陥度合とを記録する記録手段と、記録された欠陥画素の位置および欠陥度合と、所定の処理とに基づいて、第2画像データにおける、欠陥画素に起因する複数の欠陥データを検出する検出手段と、複数の欠陥データのうち、所定個数の欠陥データを補正対象データとして抽出する抽出手段と、補正対象データに対して、画素欠陥補正処理を施す補正手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】 駆動回路をTFTプロセスで基板上に一体形成した検出装置において、駆動配線の電位変動に起因するS/N比の低下を抑制する。
【解決手段】 検出装置は、開始信号に応じてクロック信号に含まれる電圧に基づく画素110のスイッチ素子112の導通電圧を駆動配線160に供給する第1回路と、終了信号に応じてスイッチ素子112の非導通電圧を駆動配線160に供給する第2回路と、を含む単位回路121が、複数の駆動配線160の夫々に対をなして複数配置された駆動回路部120と、クロック信号を駆動回路部120に供給する制御部150と、を含み、制御部150は制御電圧を複数の単位回路121に供給し、単位回路121は制御電圧に応じて駆動配線160への非導通電圧の供給を維持する第3回路を更に含む。 (もっと読む)


【課題】カウンタ信号の配線上に設置されるバッファ及びその配線の配置により画素の峡ピッチ化に対応することを目的とする。さらに隣接コラム間誤差を減少させる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置であって、複数の画素(11)と、参照電圧を発生する電圧発生部(26)と、一方向に沿って並んで配置され、複数の画素からそれぞれ出力される電圧を参照電圧とそれぞれ比較する複数の比較器(36)と、電圧発生部が発生する参照電圧の変化に連動してカウントを行うカウンタ(34)と、カウンタに直列に接続され、各々はカウンタの出力を順次受ける複数のバッファ回路と、複数の比較器からそれぞれ出力されるトリガ信号に応じてその入力に入力される値を取り込む複数のラッチ回路(80)と、複数のラッチ回路のそれぞれ入力に共通に接続される共通信号線と、複数のバッファ回路の出力にそれぞれ接続され、カウンタの出力を伝搬させる複数の信号線とを備える。 (もっと読む)


【課題】放射線画像撮影前に読み出されるリークデータや照射開始検出用の画像データに周期的な変動があっても、それにより放射線の照射開始の誤検出が生じることを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置1の制御手段22は、放射線画像撮影前にリークデータdleakの読み出し処理を繰り返し行わせ、読み出したリークデータdleakが閾値dleak_thを越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出するとともに、放射線画像撮影前に読み出すリークデータdleakが、放射線が照射されていないにもかかわらず周期的に変動する場合には、少なくともリークデータdleakが変動する期間ΔTpを含む期間においては、予め取得しておいたリークデータdleakの変動パターンdleak_patを、読み出したリークデータdleakから減算した値が閾値dleak_thを越えたか否かを判断する。 (もっと読む)


【課題】フレームレートに応じた出力ビット数でAD変換を行う。
【解決手段】物理量を検知する画素が行列状に2次元に配置されてなる画素アレイ部と、画素アレイ部から読み出したアナログの画素信号に対してAD(Analog to Digital)変換を行うAD変換部と、レジスタに記憶されているレジスタ値に基づいて、AD変換部を制御する制御部とを備える固体撮像装置において、制御部は、画素信号を処理するためのクロック周波数に応じて、レジスタ値のうちの、AD変換の出力ビット数を設定するための出力ビット情報を設定する。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 (もっと読む)


【課題】ダイナミックレンジの拡大を図り得る構成を、画素のサイズを抑制しつつ、且つ画素間での増倍のばらつきを抑えつつ、より簡易に実現する。
【解決手段】撮像装置1には、撮像部2における複数の画素10からそれぞれ電荷を読み出し可能な電荷読み出し部10と、撮像部2の各画素3から電荷を順次転送する電荷転送部20とが設けられており、更に、電荷転送部20によって順次転送される各画素の電荷を、共通の経路で増倍する電荷増倍部30が設けられている。また、撮像部2の各画素の出力として、電荷読み出し部10によって読み出される電荷、又は電荷転送部20によって転送され且つ電荷増倍部20によって増倍される電荷、のいずれかを選択する選択部と、選択部によって選択された各画素の出力に基づいて、各画素の画素値を算出する算出部とが設けられている。 (もっと読む)


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