【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置等を提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、光電変換素子により得られた電荷を画素から信号として読み出す読み出し動作と、画素内の電荷をリセットするための予備リセット動作および本リセット動作とがこの順序で行われるように各画素を駆動する駆動部とを備えている。この駆動部は、予備リセット動作時と本リセット動作時とで、互いに異なる電圧を光電変換素子に印加する。 （もっと読む）

【課題】撮像素子における欠陥画素を確実に検出するとともに、補正処理された撮像素子を効率的に検査することが可能な撮像素子検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】撮像素子検査装置２０は、画素データを取得する画素データ取得部２１と、信頼区間の区間幅Ｗｃを演算する区間幅演算部２２と、基準画素値Ｓｖから区間幅Ｗｃを差し引いた閾値Ｔｈを用いて欠陥画素を検出する欠陥画素検出部２３と、点滅画素が出力する下側画素値の変化特性を算出する変化特性算出部２４とを備える。画素データ取得部２１は、補正処理される撮像素子１２を用いて、変化特性において基準画素値Ｓｖに対応する露光時間Ｔｓ以上となる露光時間Ｔｉに設定された撮像条件で撮像して画素データを取得する。撮像素子検査装置２０は、閾値Ｔｈと補正処理された画素データの各画素値とを比較して、当該補正処理の適否を判定する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高精度かつ高速の変換が可能なカラムＡＤＣを内蔵した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置２００において、各変換部１２は、対応の垂直読出線９を介して出力された各画素の信号を第１〜第Ｎ（Ｎは３以上の整数）の変換ステージを順に実行することによってデジタル値に変換する。第１〜第Ｎ−１の変換ステージでは、各変換部１２は、画素の信号を保持する保持ノードＮＤ１の電圧を所定の電圧ステップずつ変化させながら参照電圧と比較することによって、デジタル値の最上位ビットを含む上位の複数ビットの値を決定する。第Ｎの変換ステージでは、各変換部１２は、第Ｎ−１の変換ステージにおける電圧ステップの範囲またはそれを超える範囲で、保持ノードＮＤ１の電圧を連続的に変化させながら参照電圧と比較することによって、残りの最下位ビットまでの値を決定する。 （もっと読む）

【課題】より適切な太陽黒点の補正を実現可能とする。
【解決手段】リセット期間とＰ相期間の間で、フローティングディフュージョンＦＤに接続されているリセットトランジスタＴＲ２に印加するリセット信号のレベルを、リセットオン電圧とリセットオフ電圧の中間的なＦＤクリップ電圧とすることにより、フローティングディフュージョンＦＤに流入するブルーミングに起因する相関２重サンプリングの失敗を回避し、ＡＤＣ回路が画素信号に対応した適切なデジタル信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】光電変換部の分割配置に伴って瞳強度分布に生じる低感度領域の影響を抑制する。
【解決手段】撮像素子１０７は、複数の画素２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂを有する。複数の画素の各々の画素は、マイクロレンズ３５０と、分離帯Ｓを間に挟んで互いに分離され、マイクロレンズを通過した光束を光電変換する複数の光電変換部３０６，３０７，３１０，３１１とを有する。該複数の光電変換部は、撮影光学系の異なる射出瞳を通過した複数の光束を光電変換する場合に、マイクロレンズは、光軸方向における分離帯上のレンズ部がレンズ部に入射する光束に対してパワーを持たない又は負のパワーを持つ。 （もっと読む）

【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、放電用トランジスタを設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、バイアス用トランジスタに接続されたバイアス側電源線の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】装置自体で放射線の照射開始を的確に検出可能であるとともに、本画像データの読み出し処理に非常に近接したタイミングで事前にオフセットデータ算出に必要なデータを読み出すことが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１の制御手段２２は、放射線画像撮影前に、各放射線検出素子７内に蓄積された電荷を暗画像データｄとして読み出し、読み出した暗画像データｄを記憶手段２３に保存させながら暗画像データｄに基づいて放射線の照射開始を検出し、放射線の照射開始を検出すると、電荷蓄積状態を経た後、本画像データＤの読み出し処理を行わせるとともに、記憶手段２３に保存されている各暗画像データｄのうち、放射線の照射開始を検出した時点より以前の１フレーム中に読み出された暗画像データｄを、各放射線検出素子７ごとのオフセットデータＯを算出するために抽出する。 （もっと読む）

【課題】チップ内の熱勾配を緩和することが可能で、ひいてはダークシェーディングを緩和することが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】第１チップは画素アレイ部が配置され、第２チップはロジック部およびレギュレータが配置され、レギュレータは、基準電圧を生成する基準電圧生成部と、複数の出力段トランジスタと、基準電圧と複数の出力段トランジスタの共通化された出力電圧を比較する演算増幅器とを含み、演算増幅器の出力は複数の出力段トランジスタのゲートに接続され、出力段トランジスタの出力経路は一つのノードに接続され、演算増幅器にフィードバックされ、複数の出力トランジスタの電源側端子は外部電源電圧が供給される供給電源端子に接続され、演算増幅器は、基準電圧と複数の出力段トランジスタのノードで共通化された出力電圧を比較して複数の出力段トランジスタのゲート電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】カウント値の伝搬遅延が異なることに起因する列毎の固定のノイズ成分を低減することができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】行列状に配列され、光電変換により信号を生成する複数の画素と、行列状に配列された複数の画素の各列に設けられ、複数の画素の信号を列毎に読み出す複数の読み出し回路と、複数の読み出し回路から出力される信号と時間的にレベルが変化する参照信号とを比較する複数の比較部と、参照信号のレベルが変化を開始してからの時間をカウントするカウンタと、カウンタのカウント値をバッファリングする第１のバッファ（９ｎ）と、カウンタのカウント値をバッファリングする第２のバッファ（９ｓ）と、複数の比較部に接続され、複数の読み出し回路から出力される信号と参照信号との大小関係が逆転したときのカウンタのカウント値を記憶する複数の記憶手段（６）とを有する。 （もっと読む）

【課題】オーバーサンプリング数を増やすことなく、低照度における低ノイズ化を図れる高画質化を実現することが可能な固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】光信号を電気信号に変換するフォトダイオードを含む画素が配列された画素アレイ部と、画素からのアナログ画像信号を信号線に読み出し、読み出したアナログ画素信号をカラム単位で処理する読み出し部と、を有し、読み出し部は、アナログ画素信号をデジタル信号に変換する機能を有するΔΣ変調器と、ΔΣ変調器の入力側に配置され、信号線に読み出されたアナログ画素信号を設定されるゲインをもって増幅して上記ΔΣ変調器に入力する増幅器と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 各画素が複数の光電変換部を有し、各画素からの信号を複数の読み出し系を介して読み出す撮像素子において、画素単位の加算読み出し及び光電変換部毎の独立読み出しを適切に行うこと。
【解決手段】 複数の光電変換部（２０１）と、複数の変換手段（２０２）とをそれぞれ含む単位画素が、行列状に配列された画素領域（２０）と、各列に配列された複数の単位画素それぞれに含まれる複数の変換手段の１つに共通に接続される信号線（ＶＬ、ＶＲ）を複数含み、複数の変換手段から出力された電圧信号を、複数の信号線を介してそれぞれ独立に第１の方向に転送する第１の読み出し手段と、当該電圧信号を、第２の方向に転送する複数の第２の読み出し手段とを有し、複数の信号線を、各列毎に、複数の第２の読み出し手段のいずれか１つに接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 画素の容量値を調節することが可能で高いＳ／Ｎ比が得られる検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１００の上に配置されたトランジスタ１３０と、トランジスタ１３０の上に配置され、トランジスタ１３０と接続された変換素子１１０と、変換素子１１０と接続されたオーミックコンタクト部１５１と、オーミックコンタクト部１５１と接続された半導体部１５２と、絶縁層１０１を介して半導体部１５２及びオーミックコンタクト部１５１と対向して配置された導電体部１５４と、を基板１００と変換素子１１０との間に有して、トランジスタ１３０に対して変換素子１１０と並列に接続された容量素子１５０と、半導体部１５２にキャリアを蓄積させる第１電位と、半導体部１５２を空乏化させる第２電位と、を導電体部１５４に供給する電位供給手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素を有する撮像部と、トランジスタのオン動作およびオフ動作を切り替えることにより、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。リセット駆動を１フレーム期間内で間欠的に複数回行い、トランジスタのゲートに対し、１フレーム期間の１回目のリセット駆動時には第１の電圧、他の回のリセット駆動時には、第１の電圧よりも低い第２の電圧を印加してトランジスタのオン動作を行う。各画素において光電変換がなされ、信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。リセット駆動時に生じるチャージインジェクションを低減する。 （もっと読む）

【課題】画素信号のダイナミックレンジが変わった場合でも、AD変換部に入力される画素信号に対する、AD変換部から出力されるデジタル信号の特性をより高精度に補正することができる固体撮像装置および内視鏡装置を提供する。
【解決手段】補正部106は、AD変換部103に入力される画素信号に対する、AD変換部103から出力されるデジタル信号の特性を補正するための、AD変換部103から出力されるデジタル信号を変数とした補正関数に基づいて、AD変換部103から出力されるデジタル信号を補正する。補正方法切り替え部108は、画素信号のダイナミックレンジの変化に応じて、補正関数における変数の次数を1次と1次以外の間で切り替える。 （もっと読む）

【課題】連携方式でも非連携方式でも放射線画像撮影を行うことができる放射線画像撮影装置を備え、放射線にとって使い勝手の良い放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】放射線画像撮影システム５０は、撮影方式を連携方式と非連携方式との間で切り替え可能とされた放射線画像撮影装置１を備え、放射線画像撮影装置１の制御手段２２は、非連携方式で撮影を行う場合には、撮影前に読み出したリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始を検出し、コンソール５８は、撮影可能モードに切り替えられる等して放射線画像撮影装置１が撮影可能な状態になった後、放射線を照射させることが許容されるまでの待機時間ＷＴを、連携方式の場合と非連携方式の場合とで同じ時間として処理し、画像処理装置５８は、待機時間ＷＴが同じ時間されることに伴って非連携方式で放射線画像撮影が行われる場合に画像データＤ中に生じる輝度の段差を補正する。 （もっと読む）

【課題】被写体の撮像と並行して、Ａ／Ｄ変換器に供給されるカウント信号の検査を行うことができる光電変換システムを提供することを課題とする。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数の画素と、ランプ信号を生成する参照信号生成部と、列毎に配置され、画素からの信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器と、ランプ信号の出力に合わせてカウント動作を行い、カウント信号をカウント信号線を介してＡ／Ｄ変換器に供給するカウンタと、Ａ／Ｄ変換器とは独立して設けられ、カウント信号の期待値とカウント信号線を介して供給されるカウンタからのカウント信号とを照合することによりカウンタの検査を行うカウンタ検査回路を備え、被写体の撮像と並行に、カウント信号の検査を行えるようにする。 （もっと読む）

【課題】光電変換機能を有するｐｎ接合の逆方向電流がショットキ接合の逆方向電流ほど大きくならない技術を提供をする。
【解決手段】光電変換機能を有するｐｎ接合と電界効果トランジスタとから少なくとも構成され、電界効果トランジスタのソースが接続されているｐｎ接合の１方の半導体領域が他方の半導体領域に対してゼロまたは逆バイスとなる電位となった場合に、電界効果トランジスタが導通するゲート電位を供給することにより、２つの異なる導電型の半導体領域のいずれかに光が照射されても、ｐｎ接合が深い順方向電圧にバイアスされないよう飽和制御する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードに入射する光の多様な入射角に対する対応能力を提供する。
【解決手段】３次元構造を持つイメージセンサの分離型単位画素は、半導体物質の導電型とは反対の不純物を含有しているフォトダイオード１４および、前記フォトダイオードの光電荷量を外部に転送するためのパッド１７を備える第１のウエハ１０と、前記フォトダイオードを除いたトランジスタ構成の規則的な配列を持つ画素アレイ領域、前記画素アレイ以外のイメージセンサの構造を持つ周辺回路領域、及び前記各画素を接続するためのパッド２１を備える第２のウエハ２０と、前記第１のウエハのパッドと前記第２のウエハのパッドとを接続する連結手段３０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】集光効率を高めて、光の減衰や混色を抑制させることができるようにする。
【解決手段】イメージセンサには、入射面に入射された光を光電変換するフォトダイオードを有する半導体基板が設けられている。フォトダイオードの入射面がレンズ形状に形成されている。本技術は、撮像素子に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】列回路に係る電源線の電圧降下の違いに依存した横引きノイズや横スミアの発生を抑制することができる固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】アレイ状に配置された複数の画素と、画素の列毎に配置されて画素からの信号を増幅する増幅回路と、ソースに電源電圧が供給され増幅回路にバイアス電流を供給する電流源トランジスタとを備える固体撮像装置にて、電流源トランジスタが飽和領域で動作しているときに、バイアス線より供給される電流源トランジスタのゲート電圧をサンプリングして保持し、電源電圧に対する電流源トランジスタのゲート電圧をサンプリングされた電圧に制御するようにして変動を抑制し、列回路に係る電源線における行毎の電圧降下の違いによる横引きノイズや横スミアの発生を抑制できるようにする。 （もっと読む）