放射線画像撮影装置
【課題】簡易な構成で、読み出された画像データの不整合を防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】制御手段２２は、放射線画像撮影前にゲートドライバ１５ｂの端子のうち走査線５と接続する端子がアクティブな状態となる場合には、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、放射線の照射開始の有無を判定し、放射線画像撮影前にゲートドライバ１５ｂの端子のうち非接続の端子ｔがアクティブな状態となる場合には、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせず、通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、通常シフト処理を各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに異なるタイミングで開始し、高速シフト処理を各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに同一のタイミングで開始する。
【解決手段】制御手段２２は、放射線画像撮影前にゲートドライバ１５ｂの端子のうち走査線５と接続する端子がアクティブな状態となる場合には、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、放射線の照射開始の有無を判定し、放射線画像撮影前にゲートドライバ１５ｂの端子のうち非接続の端子ｔがアクティブな状態となる場合には、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせず、通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、通常シフト処理を各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに異なるタイミングで開始し、高速シフト処理を各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに同一のタイミングで開始する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に、放射線画像撮影装置が自ら放射線の照射を検出して放射線画像撮影を行う放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギーに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
【０００３】
このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られており、従来は支持台と一体的に形成された、いわゆる専用機型として構成されていた（例えば特許文献１参照）。そして、近年、放射線検出素子等を筐体内に収納し、持ち運び可能とした可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２、３参照）。
【０００４】
このような放射線画像撮影装置では、例えば後述する図７等に示すように、通常、複数の放射線検出素子７が、検出部Ｐ上に二次元状（マトリクス状）に配列され、各放射線検出素子７にそれぞれ薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下「ＴＦＴ」という。）８で形成されたスイッチ手段が接続されて構成される。
そして、通常、放射線画像撮影は、放射線発生装置の放射線源から放射線画像撮影装置に対して、被験者の身体等の所定の撮影部位（すなわち胸部正面や腰椎側面等）を介した状態で放射線が照射されて行われる。
【０００５】
その際、放射線画像撮影装置の走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加して全てのＴＦＴ８をオフ状態とした状態で放射線を照射することで、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷が、各放射線検出素子７内に的確に蓄積される。
そして、放射線画像撮影の後、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加して、各ＴＦＴ８を順次オン状態として、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生して蓄積された電荷を各信号線６に順次放出させて、各読み出し回路１７で画像データとしてそれぞれ読み出すように構成される。
【０００６】
ところで、上記のように、放射線画像撮影が的確に行われるためには、放射線画像撮影装置に放射線が照射される際に、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに適切にオフ電圧が印加され、スイッチ手段である各ＴＦＴ８がオフ状態になることが必要となる。
そこで、例えば従来の専用機型の放射線画像撮影装置等では、放射線発生装置との間でインターフェースを構築し、互いに信号等をやり取りして、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加して電荷蓄積状態になったことを確認したうえで、放射線源から放射線を照射させるように構成される場合が多い。
【０００７】
しかし、例えば、放射線画像撮影装置と放射線発生装置との製造メーカーが異なっているような場合には、両者の間でインターフェースを構築することが必ずしも容易でない場合がある。また、インターフェースを構築できない場合もある。
このように放射線画像撮影装置と放射線発生装置との間でインターフェースが構築されない場合、放射線画像撮影装置側から見ると、放射線源からどのようなタイミングで放射線が照射されるかが分からない。そのため、放射線源から放射線が照射されたことを、放射線画像撮影装置が自ら検出しなければならなくなる。
【０００８】
そこで、近年、このような放射線画像撮影装置と放射線発生装置との間のインターフェースによらずに、放射線が照射されたことを自ら検出するように構成された放射線画像撮影装置が種々開発されている。
例えば、特許文献４や特許文献５に記載の発明では、放射線画像撮影装置に対する放射線の照射が開始されて各放射線検出素子７内に電荷が発生すると、各放射線検出素子７から、各放射線検出素子７に接続されているバイアス線９（後述する図７等参照）に電荷が流れ出してバイアス線９を流れる電流が増加することを利用して、バイアス線９に電流検出手段を設けてバイアス線９内を流れる電流の電流値を検出し、その電流値に基づいて放射線の照射の開始等を検出することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平９−７３１４４号公報
【特許文献２】特開２００６−０５８１２４号公報
【特許文献３】特開平６−３４２０９９号公報
【特許文献４】米国特許第７２１１８０３号明細書
【特許文献５】特開２００９−２１９５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、本発明者らの研究で、上記の手法は、バイアス線９が各放射線検出素子７の電極に接続されているため、電流検出手段で発生したノイズがバイアス線９を介して各放射線検出素子７に伝わり、放射線検出素子７から読み出される画像データにノイズとして重畳される場合があるなど、必ずしも解決が容易でない問題があることが分かってきた。
そして、本発明者らは、放射線画像撮影装置自体で放射線が照射されたことを検出する別の手法について種々研究を重ねた結果、放射線画像撮影装置自体で放射線が照射されたことを的確に検出することが可能ないくつかの新たな手法を見出すことができた。
【００１１】
これらの新たな手法については本願出願時点では公知ではないが、後述するように、本発明者らが見出した新たな放射線の照射開始の検出方法のうちの一つでは、放射線画像撮影前に、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから全ての走査線５にオフ電圧を印加して各ＴＦＴ８をオフ状態とした状態で読み出し回路１７に読み出し動作を行わせ、ＴＦＴ８を介して放射線検出素子７からリークした電荷ｑ（後述する図１１参照）をリークデータｄleakに変換するリークデータ読み出し処理を行うように構成される。
そして、放射線画像撮影装置に放射線が照射されると、読み出されるリークデータｄleakの値が上昇するため、それを利用して、読み出されたリークデータｄleakの値に基づいて放射線画像撮影装置に対する放射線の照射開始を検出するように構成される。
【００１２】
その際、前述したように、リークデータ読み出し処理では各ＴＦＴ８がオフ状態とされるが、各ＴＦＴ８がオフ状態のままであると、放射線検出素子７自体の熱（温度）による熱励起等により常時発生している、いわゆる暗電荷が各放射線検出素子７内に蓄積されてしまう。
そのため、後述するように、ゲートドライバ１５ｂから走査線５にオン電圧を順次印加して各放射線検出素子７内から暗電荷を除去する各放射線検出素子７のリセット処理を、リークデータ読み出し処理と交互に繰り返し行うように構成される。
【００１３】
ところで、各放射線検出素子７のリセット処理においては、通常、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて、オン電圧を印加する走査線５をシフトさせながら、オン状態とするＴＦＴ８を順次切り替えて各放射線検出素子７を次々とリセットしていく。
その際、図１９に示すように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂに、走査線５が接続されていない、いわゆる非接続の端子ｔが存在する場合がある。このような場合、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加するために、アクティブな状態の端子をシフトさせてオン電圧を印加する端子を順次切り替えていくと、非接続の端子ｔにオン電圧が印加される期間が生じる。
【００１４】
しかし、非接続の端子ｔには走査線５が接続されていないため、非接続の端子ｔにオン電圧が印加されている間、すなわち非接続の端子ｔがアクティブな状態である間は、リセット処理を行ってアクティブな状態の非接続の端子ｔにオン電圧を印加しても、走査線５の何れのラインＬ１〜Ｌｘにもオン電圧が印加されない。すなわち、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行っても、何れの放射線検出素子７もリセットされない状態になる。そのため、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行うと、無駄にリセット処理を行うことになる。
【００１５】
また、リセット処理は、放射線検出素子７自体の熱による熱励起等により発生する暗電荷を各放射線検出素子７内から除去するために行われる。しかし、前述したように、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行っても、何れの放射線検出素子７もリセットされない状態になる。そのため、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行うと、その間に、暗電荷が各放射線検出素子７内に徐々に蓄積していくので、暗電荷が無駄に多く蓄積されてしまうことになる。
【００１６】
そのため、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合には、リークデータ読み出し処理もリセット処理も行わず、アクティブな状態の端子を高速にシフトさせて、何れの放射線検出素子７もリセットされない期間を短縮することが図られている。
【００１７】
放射線画像撮影装置が備えるセンサパネルＳＰでは、通常、基板４上に交差するように配設された複数の走査線５と複数の信号線６とにより区画された各小領域ｒにそれぞれ放射線検出素子７が配置され、複数の放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列されて検出部Ｐが形成される。そして、後述する図１８に示すように、検出部Ｐが複数のブロック領域（図１８の場合は上側ブロック領域Ｐ１および下側ブロック領域Ｐ２）から構成されている場合もある。
【００１８】
例えば図１８に示すように、検出部Ｐが上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで構成されている場合、図２６〜図２８に示すように、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに異なるタイミングで、リークデータ読み出し処理およびリセット処理を実行するように構成される場合が多い。
【００１９】
なお、図２６〜図２８において、「Ｌ」はリークデータ読み出し処理を表し、「Ｒ」は各放射線検出素子７のリセット処理を表す。
また、図２６〜図２８において、リークデータ読み出し処理（「Ｌ」）の後ろにある斜線部分は、読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かを判定する期間を表す。
また、図２６〜図２８において、「１〜６４」や「６５」などの数字は、アクティブな状態の端子の位置を表す。すなわち、「１〜６４」は、外側から１番目の端子、外側から２番目の端子、・・・、外側から６３番目の端子、外側から６４番目の端子の順にアクティブな状態の端子になることを表し、「６５」は、外側から６５番目の端子がアクティブな状態の端子であることを表す。
【００２０】
また、図２６〜図２８では、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において、アクティブな状態の端子が外側から内側へとそれぞれシフトするように構成されている場合について示す。
また、図２６〜図２８では、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において、ゲートドライバ１５ｂはそれぞれ１２８０個の端子を有し、１２８０個の端子のうち外側の６４個の端子が非接続の端子ｔである場合について示す。
また、図２６〜図２８では、上側ブロック領域Ｐ１におけるリークデータ読み出し処理およびリセット処理の開始タイミングよりも、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理およびリセット処理の開始タイミングが遅い場合について示す。
【００２１】
このような場合、図２６に示すように、上側ブロック領域Ｐ１においては、まず、アクティブな状態の端子が「上から１番目の端子（最も外側の端子）」から「上から６４番目の端子（非接続の端子ｔのうち最も内側の端子）」へとシフトする。その際、「上から１番目の端子」から「上から６４番目の端子」は非接続の端子ｔであるため、リークデータ読み出し処理もリセット処理も行わず、アクティブな状態の端子を高速にシフトさせる高速シフト処理が実行される。
次いで、上側ブロック領域Ｐ１においては、アクティブな状態の端子が「上から６５番目の端子（走査線５が接続されている端子のうち最も外側の端子）」から「上から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」へとシフトする。その際、「上から６５番目の端子」から「上から１２８０番目の端子」は走査線５が接続されている端子であるため、リークデータ読み出し処理およびリセット処理を行いながら、アクティブな状態の端子をシフトさせる通常シフト処理が実行される。
次いで、「上から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」の次は、再び「上から１番目の端子（最も外側の端子）」がアクティブな状態になり、再度「上から１番目の端子」から上記と同様の制御が繰り返し行われる。
【００２２】
一方、図２６に示すように、下側ブロック領域Ｐ２においては、上側ブロック領域Ｐ１における処理が開始されてから所定の待機時間が経過した後に、下側ブロック領域Ｐ２における処理が開始される。そして、まず、高速シフト処理が実行されて、アクティブな状態の端子が「下から１番目の端子（最も外側の端子）」から「下から６４番目の端子（非接続の端子ｔのうち最も内側の端子）」へとシフトする。
次いで、下側ブロック領域Ｐ２においては、通常シフト処理が実行されて、アクティブな状態の端子が「下から６５番目の端子（走査線５が接続されている端子のうち最も外側の端子）」から「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」へとシフトする。
次いで、「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」の次は、再び「下から１番目の端子（最も外側の端子）」がアクティブな状態になり、再度「下から１番目の端子」から上記と同様の制御が繰り返し行われる。
【００２３】
そして、上側ブロック領域Ｐ１におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定、或いは、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定で、放射線の照射開始が検出されると、電荷蓄積状態に移行され、その後、画像データ読み出し処理が開始される。
【００２４】
具体的には、例えば図２７に示すように、アクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたとする。
【００２５】
この場合、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたので、まず、下側ブロック処理Ｐ２における画像データ読み出し処理が開始される。そして、下側ブロック処理Ｐ２における画像データ読み出し処理が開始されてから所定の待機時間が経過した後に、上側ブロック処理Ｐ１における画像データ読み出し処理が開始される。
【００２６】
その際、図２７の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、放射線の照射開始を検出した時点で「下から１２９番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、当該「下から１２９番目の端子」から順にアクティブな状態の端子がシフトしながら、画像データ読み出し処理が行われる。
また、図２７の場合、上側ブロック領域Ｐ１においては、放射線の照射開始を検出した時点で「上から１３０番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、当該「上から１３０番目の端子」から順にアクティブな状態の端子がシフトしながら、画像データ読み出し処理が行われる。
【００２７】
一方、例えば図２８に示すように、アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」である際、すなわちアクティブな状態の端子が最終接続端子（後述）である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたとする。
ここで、処理が後から開始されるブロック領域（図２８では、下側ブロック領域Ｐ２）に配置された走査線５が接続されている端子のうち、非接続の端子ｔをアクティブな状態にする直前にアクティブな状態にされる端子（図２８では、下から１２８０番目の端子）を、「最終接続端子」と称する。
【００２８】
この場合、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたので、まず、下側ブロック処理Ｐ２における画像データ読み出し処理が開始される。そして、下側ブロック処理Ｐ２における画像データ読み出し処理が開始されてから所定の待機時間が経過した後に、上側ブロック処理Ｐ１における画像データ読み出し処理が開始される。
【００２９】
その際、図２８の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、放射線の照射開始を検出した時点で「下から１２８０番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、当該「下から１２８０番目の端子」から順にアクティブな状態の端子がシフトしながら、画像データ読み出し処理が行われる。
また、図２８の場合、上側ブロック領域Ｐ１においては、放射線の照射開始を検出した時点で「上から６５番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、当該「上から６５番目の端子」から順にアクティブな状態の端子がシフトしながら、画像データ読み出し処理が行われる。
【００３０】
すなわち、図２８の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、「下から１２８０番目の端子」→「下から１番目の端子」→・・・の順にアクティブな状態の端子がシフトしながら、画像データ読み出し処理が行われる。これに対し、上側ブロック処理Ｐ１においては、「上から６５番目の端子」→「上から６６番目の端子」→・・・の順にアクティブな状態の端子がシフトしながら、画像データ読み出し処理が行われる。そのため、図２８の場合、読み取った画像データを単に並べただけでは不整合が生じてしまう。
【００３１】
具体的には、図２７に示すように、最終接続端子以外の端子である「下から１２９番目の端子」が、アクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたとする。
この場合、画像データ読み出し処理では、検出部Ｐ全体で見れば、「下から１２９番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から１３０番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「下から１３０番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から１３１番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→・・・の順に画像データが読み出される。
したがって、この場合、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応しているので、画像データを読み出された順に並べるだけで、読み出された画像データを整合した状態に並べることができる。
【００３２】
一方、図２８に示すように、最終接続端子である「下から１２８０番目の端子」が、アクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたとする。
この場合、放射線の照射開始が検出された時点では、処理が後から開始されるブロック領域（図２８に示す例の場合は下側ブロック領域Ｐ２）では高速シフト処理は再開されていないが、処理が先に開始されるブロック領域（図２８に示す例の場合は上側ブロック領域Ｐ１）では当該高速シフト処理に対応する高速シフト処理が終了し、その後に行われる通常シフト処理が再開されている。そのため、当該検出の時点では、処理が後から開始されるブロック領域よりも、処理が先に開始されるブロック領域の方が、アクティブな状態の端子の位置が複数端子分（図２８に示す例の場合は６５端子分）進んでおり、その後に行われる画像データ読み出し処理の際に、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応しなくなる。
【００３３】
すなわち、その後に行われる画像データ読み出し処理では、検出部Ｐ全体で見れば、「下から１２８０番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から６５番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「下から１番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から６６番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→・・・の順に画像データが読み出され、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応していない。
したがって、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応していないので、画像データを読み出された順に並べただけでは、読み出された画像データを整合した状態に並べることができない。
【００３４】
そのため、読み出された画像データを整合した状態に並べるためには、最終接続端子が、アクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出された場合（図２８のような場合）のみ、読み出された画像データを特別な順に並べなければならず、処理が煩雑になるという問題がある。
【００３５】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、簡易な構成で、読み出された画像データの不整合を防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３６】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
電源回路と複数のゲートドライバとを備え、オン電圧を印加する前記各走査線を切り替えながら前記各走査線にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記信号線に接続され、前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子から前記画像データを読み出す画像データ読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、
前記検出部は、複数のブロック領域で構成され、
前記各ブロック領域には、前記ゲートドライバがそれぞれ配置され、
前記ゲートドライバは、何れの前記走査線とも接続されていない非接続の端子を含む複数の端子を有し、
前記制御手段は、
前記ゲートドライバが有する複数の端子内でアクティブな状態となる端子を順次シフトさせ、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記走査線と接続されている端子がアクティブな状態となる場合には、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で前記読み出し回路に読み出し動作を行わせて、前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータ読み出し処理と、前記各放射線検出素子のリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、読み出された前記リークデータが閾値を上回った時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記非接続の端子がアクティブな状態となる場合には、前記リークデータ読み出し処理と前記リセット処理とを行わせず、前記通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、
前記通常シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始するとともに、前記高速シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに同一のタイミングで開始することを特徴とする。
【００３７】
また、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
電源回路と複数のゲートドライバとを備え、オン電圧を印加する前記各走査線を切り替えながら前記各走査線にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記信号線に接続され、前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子から前記画像データを読み出す画像データ読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、
前記検出部は、複数のブロック領域で構成され、
前記各ブロック領域には、前記ゲートドライバがそれぞれ配置され、
前記ゲートドライバは、何れの前記走査線とも接続されていない非接続の端子を含む複数の端子を有し、
前記制御手段は、
前記ゲートドライバが有する複数の端子内でアクティブな状態となる端子を順次シフトさせ、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記走査線と接続されている端子がアクティブな状態となる場合には、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で前記読み出し回路に読み出し動作を行わせて、前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータ読み出し処理と、前記各放射線検出素子のリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、読み出された前記リークデータが閾値を上回った時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記非接続の端子がアクティブな状態となる場合には、前記リークデータ読み出し処理と前記リセット処理とを行わせず、前記通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、
前記通常シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始するとともに、前記高速シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始し、
前記高速シフト処理が後から開始される前記ブロック領域における前記リークデータ読み出し処理で読み出される前記リークデータのうち前記高速シフト処理の直前に行われる前記リークデータ読み出し処理で読み出された前記リークデータが、前記閾値を上回った場合には、放射線の照射開始を検出しないことを特徴とする。
【００３８】
また、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
電源回路と複数のゲートドライバとを備え、オン電圧を印加する前記各走査線を切り替えながら前記各走査線にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記信号線に接続され、前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子から前記画像データを読み出す画像データ読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、
前記検出部は、複数のブロック領域で構成され、
前記各ブロック領域には、前記ゲートドライバがそれぞれ配置され、
前記ゲートドライバは、何れの前記走査線とも接続されていない非接続の端子を含む複数の端子を有し、
前記制御手段は、
前記ゲートドライバが有する複数の端子内でアクティブな状態となる端子を順次シフトさせ、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記走査線と接続されている端子がアクティブな状態となる場合には、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で前記読み出し回路に読み出し動作を行わせて、前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータ読み出し処理と、前記各放射線検出素子のリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、読み出された前記リークデータが閾値を上回った時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記非接続の端子がアクティブな状態となる場合には、前記リークデータ読み出し処理と前記リセット処理とを行わせず、前記通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、
前記通常シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始するとともに、前記高速シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始し、
前記高速シフト処理が後から開始される前記ブロック領域における前記リークデータ読み出し処理で読み出される前記リークデータのうち前記高速シフト処理の直前に行われる前記リークデータ読み出し処理で読み出された前記リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合には、その後に行われる画像データ読み出し処理のうち前記高速シフト処理が先に開始される前記ブロック領域における前記画像データ読み出し処理で、前記高速シフト処理の際に最初にアクティブな状態となる端子から順次アクティブな状態の端子をシフトさせながら前記画像データを読み出させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３９】
本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、簡易な構成で、常に、各ブロック領域同士の間で画像データを読み出す位置を対応させることが可能となる。
したがって、簡易な構成で、画像データ読み出し処理で読み出された画像データの不整合を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】放射線画像撮影装置のコネクタにケーブルのコネクタを接続した状態を表す斜視図である。
【図４】放射線画像撮影装置の基板の構成を示す平面図である。
【図５】図４の基板上の小領域に形成された放射線検出素子やＴＦＴなどの構成を示す拡大図である。
【図６】フレキシブル回路基板やＰＣＢ基板などが取り付けられた基板を説明する側面図である。
【図７】放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。
【図８】検出部を構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【図９】各放射線検出素子のリセット処理における電荷リセット用スイッチやＴＦＴのオン／オフのタイミングを表すタイミングチャートである。
【図１０】画像データ読み出し処理における電荷リセット用スイッチ、パルス信号、ＴＦＴのオン／オフのタイミングを表すタイミングチャートである。
【図１１】ＴＦＴを介して各放射線検出素子からリークした各電荷がリークデータとして読み出されることを説明する図である。
【図１２】リークデータ読み出し処理における電荷リセット用スイッチやＴＦＴのオン／オフのタイミングを表すタイミングチャートである。
【図１３】放射線画像撮影前にリークデータ読み出し処理とリセット処理とを交互に行うように構成した場合の電荷リセット用スイッチ、パルス信号、ＴＦＴのオン／オフのタイミングを表すタイミングチャートである。
【図１４】放射線の照射開始の検出の仕方を説明するための図である。
【図１５】読み出されるリークデータを時系列的にプロットしたグラフである。
【図１６】放射線の照射終了の検出の仕方を説明するための図である。
【図１７】放射線の照射が終了するとリークデータが減少することを示すグラフである。
【図１８】検出部が２つのブロック領域で構成される場合の放射線画像撮影装置の基板の構成例を示す平面図である。
【図１９】非接続の端子を説明するための図である。
【図２０】アクティブな状態となる端子のシフトのさせ方について説明するための図である。
【図２１】第１実施形態の場合における、高速シフト処理および通常シフト処理の開始のタイミングを説明するための図である。
【図２２】第１実施形態の場合における、最終リークデータ以外のリークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合に行われる処理を説明するための図である。
【図２３】第１実施形態の場合における、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合に行われる制御を説明するための図である。
【図２４】第２実施形態の場合における、最終リークデータが閾値を上回った場合に行われる制御を説明するための図である。
【図２５】第３実施形態の場合における、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合に行われる制御を説明するための図である。
【図２６】従来の場合、第２実施形態の場合、第３実施形態の場合における、高速シフト処理および通常シフト処理の開始のタイミングを説明するための図である。
【図２７】従来の場合、第２実施形態の場合、第３実施形態の場合における、最終リークデータ以外のリークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合に行われる処理を説明するための図である。
【図２８】従来の場合における、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合に行われる制御を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。ただし、本発明を適用可能な実施形態はこれに限定されるものではない。また、本発明は図示例に限定されるものでもない。
【００４２】
なお、以下では、放射線画像撮影装置として、シンチレータ等を備え、放射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得る、いわゆる間接型の放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレータ等を介さずに放射線を放射線検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。
【００４３】
＜第１実施形態＞
まず、第１実施形態に係る放射線画像撮影装置について説明する。
以下、放射線画像撮影装置の基本的な構成について説明し、本実施形態に特有の構成については、基本的な構成を説明した後で説明する。
【００４４】
［放射線画像撮影装置の基本的な構成について］
図１は、放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。また、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体２内にシンチレータ３や基板４などで構成されるセンサパネルＳＰが収納されて構成されている。
【００４５】
本実施形態において、筐体２のうち、放射線入射面Ｒを有する中空の角筒状のハウジング本体部２Ａは、放射線を透過するカーボン板やプラスチックなどの材料で形成されている。このハウジング本体部２Ａの両側の開口部を蓋部材２Ｂ、２Ｃで閉塞することで筐体２が形成されている。
なお、筐体２をこのようないわゆるモノコック型として形成する代わりに、例えば、フロント板とバック板とで形成された、いわゆる弁当箱型とすることも可能である。
【００４６】
本実施形態において、筐体２の一方側の蓋部材２Ｂには、電源スイッチ３７や切替スイッチ３８などが配置されている。
また、本実施形態において、蓋部材２Ｂには、バッテリ状態や放射線画像撮影装置１の稼働状態などを表示するＬＥＤ等で構成されたインジケータ４０が配置されている。
【００４７】
また、本実施形態において、蓋部材２Ｂには、例えば図３に示すように、ケーブルＣａの先端に設けられたコネクタＣが接続され、ケーブルＣａを介してコンソール等の外部装置との間で有線通信を行うためのコネクタ３９が配置されている。放射線画像撮影装置１は、コンソール等の外部装置との間で有線通信を行って、信号等を送受信したり、画像データ等を送信したりするようになっている。
なお、コネクタ３９の設置位置は蓋部材２Ｂに限定されず、放射線画像撮影装置１の適宜の位置に設置することが可能である。
【００４８】
また、図示を省略するが、例えば筐体２の他方側の蓋部材２Ｃ等には、コンソール等の外部装置との間で無線通信を行うためのアンテナ装置４１（後述する図７参照）が、例えば蓋部材２Ｃに埋め込む等して設けられている。放射線画像撮影装置１は、コンソール等の外部装置との間で無線通信を行って、信号等を送受信したり、画像データ等を送信したりするようになっている。
なお、アンテナ装置４１の設置位置は蓋部材２Ｃに限定されず、放射線画像撮影装置１の任意の位置にアンテナ装置４１を設置することが可能である。また、設置するアンテナ装置４１は１個に限らず、複数設けることも可能である。
【００４９】
図２に示すように、筐体２の内部には、基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置されている。この基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３やバッテリ２４などが取り付けられている。
また、基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒ側の面には、それらを保護するためのガラス基板３４が配設されている。
また、本実施形態においては、センサパネルＳＰと筐体２の側面との間に、それらがぶつかり合うことを防止するための緩衝材３５が設けられている。
【００５０】
シンチレータ３は、基板４の検出部Ｐ（後述）に対向する位置に設けられている。本実施形態において、シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。
【００５１】
本実施形態において、基板４は、ガラス基板で構成されている。この基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、図４に示すように、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。なお、図４に示す基板４の構成は、放射線画像撮影装置１の基本的な構成を説明するためのものであり、本実施形態に特有の構成については後で説明する。
【００５２】
基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６とにより区画された各小領域ｒには、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。
このように、走査線５と信号線６とで区画された各小領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７が設けられた小領域ｒの全体、すなわち図４に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。
【００５３】
本実施形態においては、放射線検出素子７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。
各放射線検出素子７は、図４の拡大図である図５に示すように、スイッチ手段であるＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。
【００５４】
放射線検出素子７は、放射線画像撮影装置１の筐体２の放射線入射面Ｒから放射線が入射し、シンチレータ３で放射線から変換された可視光等の電磁波が照射されると、その内部で電子正孔対を発生させる。放射線検出素子７は、このようにして、照射された放射線（本実施形態ではシンチレータ３で放射線から変換された電磁波）を電荷に変換するように構成されている。
【００５５】
そして、ＴＦＴ８は、走査駆動手段１５（後述）から、接続された走査線５を介してゲート電極８ｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、ソース電極８ｓやドレイン電極８ｄを介して放射線検出素子７内に蓄積されている電荷を信号線６に放出させるように構成されている。
また、ＴＦＴ８は、走査駆動手段１５（後述）から、接続された走査線５を介してゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７内に電荷を蓄積させるように構成されている。
【００５６】
本実施形態においては、図４や図５に示すように、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子７に１本のバイアス線９が接続されており、各バイアス線９はそれぞれ信号線６に平行に配設されている。また、図４に示すように、各バイアス線９は、基板４の検出部Ｐの外側の位置で結線１０に結束されている。
【００５７】
また、本実施形態において、各走査線５や各信号線６、バイアス線９の結線１０は、図４に示すように、それぞれ基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子（「パッド」ともいう。）１１に接続されている。各入出力端子１１には、図６に示すように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂ（後述）を構成するゲートＩＣ１５ｃ等のチップがフィルム上に組み込まれたフレキシブル回路基板（「Chip On Film」等ともいう。）１２が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）などの異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。
【００５８】
そして、フレキシブル回路基板１２は、基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側でＰＣＢ基板３３に接続されている。このようにして、放射線画像撮影装置１のセンサパネルＳＰが形成されている。なお、図６では、電子部品３２等の図示が省略されている。
【００５９】
ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。
図７は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路を表すブロック図である。また、図８は、検出部Ｐを構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【００６０】
基板４の検出部Ｐの各放射線検出素子７は、その第２電極７ｂにそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７ｂにそれぞれバイアス電圧を印加するように構成されている。
また、バイアス電源１４は、制御手段２２（後述）に接続されており、制御手段２２によって、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧が制御されるように構成されている。
【００６１】
図７や図８に示すように、本実施形態においては、バイアス電源１４から、放射線検出素子７の第２電極７ｂにバイアス線９を介してバイアス電圧として放射線検出素子７の第１電極７ａ側にかかる電圧以下の電圧（すなわちいわゆる逆バイアス電圧）が印加されるように構成されている。
【００６２】
走査駆動手段１５は、配線１５ｄを介してゲートドライバ１５ｂにオン電圧とオフ電圧とを供給する電源回路１５ａと、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて各ＴＦＴ８のオン状態とオフ状態とを切り替えるゲートドライバ１５ｂとを備えている。本実施形態において、ゲートドライバ１５ｂは、複数のゲートＩＣ１５ｃ（図６参照）が並設されて構成されている。
【００６３】
図７や図８に示すように、各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に内蔵された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。
読み出しＩＣ１６内には、主に、増幅回路１８と相関二重サンプリング回路１９などで構成される読み出し回路１７と、アナログマルチプレクサ２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とが設けられている。なお、図７や図８中では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。また、図８中では、アナログマルチプレクサ２１は省略されている。
【００６４】
本実施形態において、増幅回路１８は、オペアンプ１８ａと、オペアンプ１８ａにそれぞれ並列に接続されたコンデンサ１８ｂおよび電荷リセット用スイッチ１８ｃと、オペアンプ１８ａ等に電力を供給する電源供給部１８ｄとを備えたチャージアンプ回路で構成されている。
増幅回路１８のオペアンプ１８ａの入力側の反転入力端子には信号線６が接続されており、増幅回路１８の入力側の非反転入力端子には基準電位Ｖ０が印加されるように構成されている。
なお、基準電位Ｖ０は適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば０［Ｖ］が印加されるようになっている。
【００６５】
また、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃは、制御手段２２に接続されており、制御手段２２によりオン／オフが制御されるように構成されている。
また、オペアンプ１８ａと相関二重サンプリング回路１９との間には、電荷リセット用スイッチ１８ｃと連動して開閉するスイッチ１８ｅが設けられており、スイッチ１８ｅは、電荷リセット用スイッチ１８ｃのオン／オフ動作と連動してオフ／オン動作するように構成されている。
【００６６】
放射線画像撮影装置１では、各放射線検出素子７内に残存する電荷を各放射線検出素子７内から除去して各放射線検出素子７をリセットするためのリセット処理が行われる場合がある。
各放射線検出素子７のリセット処理の際には、図９に示すように、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃがオン状態（およびスイッチ１８ｅがオフ状態）とされた状態で、各ＴＦＴ８がオン状態とされる。
すると、オン状態とされた各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７から電荷が信号線６に放出され、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃを通過して、オペアンプ１８ａの出力端子側からオペアンプ１８ａ内を通り、非反転入力端子から出てアースされたり、電源供給部１８ｄに流れ出したりする。このようにして、各放射線検出素子７のリセット処理が行われる。
【００６７】
一方、各放射線検出素子７から画像データを読み出すための画像データ読み出し処理の際には、図１０に示すように、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフ状態（およびスイッチ１８ｅがオン状態）とされた状態で、各ＴＦＴ８がオン状態とされる。
すると、オン状態とされた各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７から電荷が信号線６に放出され、増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに蓄積される。
増幅回路１８では、コンデンサ１８ｂに蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ１８ａの出力側から出力されるように構成されている。すなわち、各放射線検出素子７から流出した電荷は、増幅回路１８によって電荷電圧変換される。
【００６８】
増幅回路１８の出力側には、相関二重サンプリング回路（ＣＤＳ）１９が設けられている。
相関二重サンプリング回路１９は、各放射線検出素子７から電荷が流出する前に制御手段２２からパルス信号Ｓｐ１（図１０参照）が送信されると、その時点で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖinを保持し、各放射線検出素子７から流出した電荷が増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに蓄積された後に制御手段２２からパルス信号Ｓｐ２が送信されると、その時点で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖfiを保持する。
【００６９】
そして、相関二重サンプリング回路１９は、２回目のパルス信号Ｓｐ２で電圧値Ｖfiを保持すると、電圧値の差分Ｖfi−Ｖinを算出し、算出した差分Ｖfi−Ｖinをアナログ値の画像データとして下流側に出力する。このアナログ値の画像データは、アナログマルチプレクサ２１を介して順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信されて、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データに変換される。そして、記憶手段２３に出力されて順次保存される。
【００７０】
なお、１回の画像データ読み出し処理が終了すると、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃがオン状態とされ（図１０参照）、コンデンサ１８ｂに蓄積された電荷が放電されて、上記と同様に、放電された電荷がオペアンプ１８ａの出力端子側からオペアンプ１８ａ内を通り、非反転入力端子から出てアースされたり、電源供給部１８ｄに流れ出したりする等して、増幅回路１８がリセットされる。
【００７１】
制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各機能部の動作等を制御する。
具体的には、制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェースなどがバスに接続されたコンピュータ、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。なお、制御手段２２は、専用の制御回路で構成されていてもよい。
また、図７等に示すように、制御手段２２には、ＳＲＡＭ（Static ＲＡＭ）やＳＤＲＡＭ（Synchronous ＤＲＡＭ）などで構成される記憶手段２３が接続されている。
【００７２】
また、本実施形態では、制御手段２２には、アンテナ装置４１が接続されている。
さらに、制御手段２２には、検出部Ｐや走査駆動手段１５、読み出し回路１７、記憶手段２３、バイアス電源１４などの各機能部に電力を供給するためのバッテリ２４が接続されている。このバッテリ２４には、図示しない充電装置からバッテリ２４に電力を供給してバッテリ２４を充電する際の接続端子２５が取り付けられている。
【００７３】
前述したように、制御手段２２は、走査駆動手段１５や読み出し回路１７などを制御して、各放射線検出素子７から画像データを読み出すための画像データ読み出し処理や各放射線検出素子７をリセットするためのリセット処理などを行わせたり、バイアス電源１４を制御してバイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧を設定したり可変させたりする等して、放射線画像撮影装置１の各機能部の動作を制御するように構成されている。
【００７４】
［放射線の照射開始の検出について］
本実施形態においては、放射線画像撮影装置１と放射線発生装置との間でインターフェースが構築されず、放射線画像撮影装置１自体で放射線発生装置の放射線源から放射線が照射されたことを検出するように構成されている。以下、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１で行われる放射線の照射開始の検出の仕方について説明する。
【００７５】
本実施形態においては、放射線画像撮影に際し放射線画像撮影装置１に放射線が照射される前に、リークデータ読み出し処理を繰り返し行うように構成されている。
ここで、リークデータｄleakとは、図１１に示すように、各走査線５にオフ電圧を印加した状態で、オフ状態になっている各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７からリークする電荷ｑの信号線６ごとの合計値に相当するデータである。
【００７６】
リークデータ読み出し処理では、図９に示した各放射線検出素子７のリセット処理や図１０に示した画像データ読み出し処理の場合と異なり、図１２に示すように、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加して各ＴＦＴ８をオフ状態とした状態で、制御手段２２から各読み出し回路１７の相関二重サンプリング回路１９にパルス信号Ｓｐ１、Ｓｐ２が送信される。
【００７７】
相関二重サンプリング回路１９は、制御手段２２からパルス信号Ｓｐ１が送信されると、その時点で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖinを保持する。そして、増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７からリークする電荷ｑが蓄積されて増幅回路１８から出力される電圧値が上昇し、制御手段２２からパルス信号Ｓｐ２が送信されると、相関二重サンプリング回路１９は、その時点で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖfiを保持する。
【００７８】
そして、相関二重サンプリング回路１９は電圧値の差分Ｖfi−Ｖinを算出して出力するが、この差分Ｖfi−Ｖinがリークデータｄleakとなる。リークデータｄleakが、その後、Ａ／Ｄ変換器２０でデジタル値に変換されることは、前述した画像データ読み出し処理の場合と同様である。
【００７９】
しかし、リークデータ読み出し処理のみを繰り返し行うように構成すると、各ＴＦＴ８がオフ状態のままとなってしまい、各放射線検出素子７内で発生した暗電荷が各放射線検出素子７内に蓄積され続ける状態になってしまう。
そのため、放射線画像撮影前に、リークデータ読み出し処理を繰り返し行うように構成する場合には、図１３に示すように、各走査線５にオフ電圧を印加した状態で行うリークデータ読み出し処理と、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加して行う各放射線検出素子７のリセット処理とを交互に繰り返し行うように構成することが望ましい。
【００８０】
このように、放射線画像撮影前にリークデータ読み出し処理と各放射線検出素子７のリセット処理とを交互に繰り返し行うように構成した場合、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されると、シンチレータ３で放射線から変換された電磁波が、各ＴＦＴ８に照射される。そして、それにより、各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７からリークする電荷ｑがそれぞれ増加することが本発明者らの研究で分かった。
【００８１】
例えば図１４に示すように、放射線画像撮影前にリークデータ読み出し処理と各放射線検出素子７のリセット処理とを交互に繰り返し行う場合、図１５に示すように、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始された時点で読み出されたリークデータｄleakが、それ以前に読み出されたリークデータｄleakよりも格段に大きな値になる。
【００８２】
なお、図１４および図１５では、図１４で走査線５のラインＬ３にオン電圧が印加されてリセット処理が行われた後の４回目のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが、図１５の時刻ｔ１におけるリークデータｄleakに対応する。
また、図１４において、「Ｌ」はリークデータ読み出し処理を表し、「Ｒ」は各放射線検出素子７のリセット処理を表す。
【００８３】
そこで、本実施形態においては、制御手段２２によって、放射線画像撮影前のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakを監視し、読み出されたリークデータｄleakが、例えば予め設定された所定の閾値ｄleak_th（図１５参照）を上回った時点で、放射線の照射開始を検出するように構成する。
【００８４】
制御手段２２は、放射線の照射開始を検出すると、図１４に示したように、その時点で各走査線５へのオン電圧の印加を停止する。そして、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加させ、各ＴＦＴ８をオフ状態にして、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷を各放射線検出素子７内に蓄積させる電荷蓄積状態に移行させる。
【００８５】
そして、例えば放射線の照射開始を検出してから所定時間が経過した後、或いは、後述するように放射線の照射終了を検出した後に、制御手段２２は、放射線画像撮影前のリークデータ読み出し処理で放射線の照射が開始されたことを検出した時点でオン電圧が印加されていた走査線５（図１４の場合は走査線５のラインＬ３）からオン電圧の印加を開始し、各走査線５にオン電圧を順次印加させて、各放射線検出素子７から画像データを読み出すための画像データ読み出し処理を行うように構成されている。
【００８６】
［放射線の照射終了の検出について］
図１４に示したように、放射線の照射開始を検出した後、各走査線５にオン電圧を順次印加して行う各放射線検出素子７のリセット処理は停止して、電荷蓄積状態に移行する。
【００８７】
その際、例えば図１６に示すように、電荷蓄積状態で、各走査線５にオフ電圧を印加して行うリークデータ読み出し処理を続行するように構成して、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射終了を検出するように構成することも可能である。
【００８８】
放射線の照射開始を検出した後、リークデータ読み出し処理を続行するように構成すると、電荷蓄積状態では既に放射線の照射が開始されているため、図１７に示すように、読み出されるリークデータｄleakは大きな値になっているが、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が終了すると、リークデータｄleakは元の小さな値に戻る。
【００８９】
そのため、読み出されたリークデータｄleakが、例えば予め設定された所定の閾値ｄleak_th＊を下回った時点（図１７では時刻ｔ２）で、放射線の照射終了を検出するように構成することができる。
【００９０】
なお、放射線の照射終了を検出するための閾値ｄleak_th＊は、放射線の照射開始を検出するための閾値ｄleak_thと同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。
また、図１７では、時刻ｔ２で放射線の照射の終了を検出した後もリークデータ読み出し処理を引き続き行ってリークデータｄleakを読み出す場合が示されているが、実際には、放射線の照射終了を検出するとリークデータ読み出し処理は停止される。
【００９１】
そして、リークデータｄleakが閾値ｄleak_th＊を下回り、放射線の照射終了が検出された時点で、各走査線５へのオン電圧の順次の印加を開始して、各放射線検出素子７から画像データを読み出すための画像データ読み出し処理を開始するように構成することが可能となる。
【００９２】
このように構成すれば、図１６に示したように、放射線の照射終了を検出した後、直ちに画像データ読み出し処理を開始することが可能となり、画像データ読み出し処理以降の処理を早期に行うことが可能となるといった利点がある。
【００９３】
［検出手法の改良について］
放射線画像撮影装置１の検出部Ｐには、通常、数千本から数万本の信号線６が配線されており、各信号線６にそれぞれ読み出し回路１７が設けられている。そのため、１回のリークデータ読み出し処理で読み出されるリークデータｄleakの数は、数千個から数万個の数になる。
【００９４】
それら全てのリークデータｄleakについて、上記のように閾値を上回るか（或いは、下回るか）否かを判断する処理を各リークデータ読み出し処理ごとに行うように構成すると、処理が重くなり、リアルタイムで放射線の照射開始（或いは、照射終了）を検出することができなくなる虞れがある。そこで、以下のような検出手法Ａ等を採用することが可能である。
【００９５】
［検出手法Ａ］
読み出しＩＣ１６内には、例えば、１２８個や２５６個の読み出し回路１７が形成されて内蔵されている。すなわち、１個の読み出しＩＣ１６には、１２８本や２５６本の信号線６が接続されている。そして、１回のリークデータ読み出し処理で、１個の読み出しＩＣ１６から各信号線６ごとに１２８個や２５６個のリークデータｄleakが出力される。
【００９６】
いま、仮に信号線６が４０９６本設けられており、１個の読み出しＩＣ１６に２５６個の読み出し回路１７が内蔵されている（すなわち、１個の読み出しＩＣ１６に２５６本の信号線６が接続されている）とすると、読み出しＩＣ１６の数は、全部で１６個（＝４０９６÷２５６）になる。
【００９７】
そこで、例えば、１回のリークデータ読み出し処理で１つの読み出しＩＣ１６から出力されたリークデータｄleakの合計値や平均値、中間値、最大値など（以下、これらを代表して「平均値」という。）を算出し、各読み出しＩＣ１６から出力されたリークデータｄleakの平均値ｄleak_ave(z)が、それぞれ閾値を上回るか（或いは、下回るか）否かを判断するように構成することが可能である。
【００９８】
なお、平均値ｄleak_ave(z)中の“ｚ”は、読み出しＩＣ１６の番号であり、例えば、上記の例では、読み出しＩＣ１６は１６個設けられているため、“ｚ”は１から１６までの値をとる。
【００９９】
この検出手法Ａのように構成すれば、制御手段２２は、上記の例で言えば、１回のリークデータ読み出し処理で読み出される４０９６個のリークデータｄleakについて各々閾値を上回るか（或いは、下回るか）否かを判断する必要がなくなり、各読み出しＩＣ１６から出力されたリークデータｄleakの１６個の平均値ｄleak_ave(z)について閾値を上回るか（或いは、下回るか）否かを判断するだけで済む。そのため、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射開始（或いは、照射終了）の判断処理が軽くなる。
【０１００】
なお、上記の検出手法Ａ以外にも、放射線画像撮影装置１における放射線の照射開始（或いは、照射終了）の検出方法については種々の改良が可能である。
【０１０１】
［検出部の構成について］
本実施形態において、検出部Ｐは、複数のブロック領域で構成されている。
具体的には、例えば図１８に示すように、検出部Ｐ上で各信号線６および各バイアス線９をその延在方向の途中で分断し、検出部Ｐを２つのブロック領域Ｐ１、Ｐ２に分割している。本実施形態において、各信号線６および各バイアス線９は、その延在方向の中央部分でそれぞれ等分するように分断されている。
【０１０２】
そして、検出部Ｐの各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２の各走査線５は、図１９に示すように、それぞれ別々のゲートドライバ１５ｂ（ゲートドライバ１５ｂａ、１５ｂｂ）に接続されている。また、検出部Ｐの各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２の各信号線６も、それぞれ別々の読み出しＩＣ１６（読み出しＩＣ１６ａ、１６ｂ）に接続されている。なお、図１９では、入出力端子１１等の図示が省略されている。
以下、説明の便宜上、「上」、「下」、「左」、「右」を用いて説明するが、この「上」、「下」、「左」、「右」に特に意味はない。図１８や図１９、後述する図２０などにおいて図示した状態を便宜的に「上」、「下」、「左」、「右」と呼ぶだけである。
【０１０３】
図１８に示すように、本実施形態において、検出部Ｐは、当該検出部Ｐにおける上下方向略中央よりも上側の上側ブロック領域Ｐ１と、当該検出部Ｐにおける上下方向略中央よりも下側の下側ブロック領域Ｐ２とから構成されている。すなわち、検出部Ｐは、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２との上下２つのブロック領域で構成されている。
【０１０４】
また、本実施形態において、信号線６は、上下方向に沿って延在しており、検出部Ｐにおける上下方向略中央の位置で、上側ブロック領域Ｐ１に配置される信号線６と、下側ブロック領域Ｐ２に配置される信号線６とに分断されている。
そして、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている信号線６は、図１８に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも上側に延設されて、検出部Ｐよりも上側の位置でそれぞれ入出力端子１１に接続されている。
また、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている信号線６は、図１８に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも下側に延設されて、検出部Ｐよりも下側の位置でそれぞれ入出力端子１１に接続されている。
【０１０５】
また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数の信号線６は、所定の本数ごと（例えば、１２８本や２５６本ごと）に組になっている。同じ組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１は、互いに近接して配置されている。
同じ組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１は、１つのフレキシブル回路基板１２に接続されるようになっている。そして、同じ組に属する複数の信号線６は、１つの読み出しＩＣ１６に接続されるようになっている。すなわち、上側ブロック領域Ｐ１には、複数の読み出しＩＣ１６ａが配置され、下側ブロック領域Ｐ２には、複数の読み出しＩＣ１６ｂが配置されている。
【０１０６】
また、本実施形態において、バイアス線９は、上下方向に沿って延在しており、検出部Ｐにおける上下方向略中央の位置で、上側ブロック領域Ｐ１に配置されるバイアス線９と、下側ブロック領域Ｐ２に配置されるバイアス線９とに分断されている。
そして、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている各バイアス線９は、図１８に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも上側に延設されて、検出部Ｐよりも上側の位置でそれぞれ結線１０に結束されている。
また、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている各バイアス線９は、図１８に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも下側に延設されて、検出部Ｐよりも下側の位置でそれぞれ結線１０に結束されている。
【０１０７】
また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数のバイアス線９は、所定の本数ごと（例えば、１２８本や２５６本ごと）に組になっている。
具体的には、バイアス線９は、同じ組に属する複数の信号線６に接続されている各放射線検出素子７と接続するバイアス線９ごとに組になっている。すなわち、同じ組に属する複数の信号線６に接続されている各放射線検出素子７は、同じ組に属する複数のバイアス線９と接続している。
【０１０８】
また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数のバイアス線９は、所定の本数ごとに１本の結線１０で結束されている。
具体的には、図１８に示すように、同じ組に属する複数のバイアス線９のうち、左側の所定本数分が、１本の結線１０に結束されている。当該１本の結線１０は、対応する組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１のうち最も左側に位置する入出力端子１１の左側に近接して配置された入出力端子１１に接続されている。そして、この入出力端子１１、すなわち当該１本の結線１０に接続する入出力端子１１は、例えば、対応する組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１と同一のフレキシブル回路基板１２に接続されるようになっている。
【０１０９】
また、図１８に示すように、同じ組に属する複数のバイアス線９のうち、右側の所定本数分が、１本の結線１０に結束されている。当該１本の結線１０は、対応する組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１のうち最も右側に位置する入出力端子１１の右側に近接して配置された入出力端子１１に接続されている。そして、この入出力端子１１、すなわち当該１本の結線１０に接続する入出力端子１１は、例えば、対応する組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１と同一のフレキシブル回路基板１２に接続されるようになっている。
【０１１０】
また、本実施形態において、走査線５は、左右方向に沿って延在している。走査線５のうち、検出部Ｐにおける上下方向略中央よりも上側に配設されている走査線５は、上側ブロック領域Ｐ１に配置されており、検出部Ｐにおける上下方向略中央よりも下側に配設されている走査線５は、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている。
そして、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている走査線５と、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている走査線５とはともに、図１８に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも左側に延設されて、検出部Ｐよりも左側の位置でそれぞれ入出力端子１１に接続されている。
【０１１１】
また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数の走査線５は、所定の本数ごと（例えば、１２８本や２５６本ごと）に組になっている。同じ組に属する複数の走査線５に接続された各入出力端子１１は、互いに近接して配置されている。
同じ組に属する複数の走査線５に接続された各入出力端子１１は、１つのフレキシブル回路基板１２に接続されるようになっている。そして、同じ組に属する複数の走査線５は、１つのゲートＩＣ１５ｃに接続されるようになっている。すなわち、上側ブロック領域Ｐ１には、複数のゲートＩＣ１５ｃが並設されて構成されるゲートドライバ１５ｂａが配置され、下側ブロック領域Ｐ２には、複数のゲートＩＣ１５ｃが並設されて構成されるゲートドライバ１５ｂｂが配置されている。
【０１１２】
なお、本実施形態では、上側ブロック領域Ｐ１に５組の複数の走査線５が配置されているとともに、下側ブロック領域Ｐ２に５組の複数の走査線５が配置され、走査線５が２５６本ごとに１組とされていることとする。すなわち、上側ブロック領域Ｐ１に配置されているゲートドライバ１５ｂａは５つのゲートＩＣ１５ｃが並設されて構成されているとともに、下側ブロック領域Ｐ２に配置されているゲートドライバ１５ｂｂは５つのゲートＩＣ１５ｃが並設されて構成されており、各ゲートＩＣ１５ｃには２５６本の走査線５が接続されていることとするが、これに限定されるものではない。
【０１１３】
［アクティブな状態の端子について］
次に、本実施形態における走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂの構成や駆動のさせ方について説明する。
図２０は、本実施形態に係る走査駆動手段１５の構成およびゲートドライバ１５ｂに対する配線などを表す図である。なお、図２０では、入出力端子１１等の図示が省略されている。
【０１１４】
本実施形態において、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂは、複数のゲートＩＣ１５ｃが並設されて構成されている。
各ゲートＩＣ１５ｃには、電源回路１５ａからオン電圧を供給する配線Ｌonを介してオン電圧が供給される。また、各ゲートＩＣ１５ｃには、電源回路１５ａから図示しない別の配線を介してオフ電圧が供給される。そして、この配線Ｌonとオフ電圧を供給する配線とで、配線１５ｄ（図７参照）が構成されている。
【０１１５】
また、図２０に示すように、本実施形態において、各ゲートＩＣ１５ｃの両端部には、それぞれ配線Ｌse１と配線Ｌse２とが接続されている。そして、各配線Ｌse１、Ｌse２は、それぞれ制御手段２２に接続されている。
また、各ゲートＩＣ１５ｃには、制御手段２２からの配線Ｌshがそれぞれ接続されている。
【０１１６】
各ゲートＩＣ１５ｃの配線Ｌse１からシード信号が入力されると、各ゲートＩＣ１５ｃの図中上端の端子がアクティブな状態となる。そして、電源回路１５ａから配線Ｌonを介してオン電圧が供給されると、アクティブな状態の端子にオン電圧が印加され、当該端子に走査線５が接続されていれば、その走査線５にオン電圧が印加される。
【０１１７】
次いで、配線Ｌshを介してシフト信号が入力されると、アクティブな状態となる端子が、この場合は図中の１つ下側の端子に移動する。そして、その状態で、電源回路１５ａから配線Ｌonを介してオン電圧が供給されると、アクティブな状態の端子にオン電圧が印加され、当該端子に走査線５が接続されていれば、その走査線５にオン電圧が印加される。
【０１１８】
このようにして、各ゲートＩＣ１５ｃは、配線Ｌse１を介してゲートＩＣ１５ｃにシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力することで、アクティブな状態の端子を１つずつ移動させることができるように構成されている。
また、各端子がアクティブな状態となるごとに配線Ｌonを介して電源回路１５ａからオン電圧を供給することで、各端子にオン電圧を順次印加し、各端子に接続されている各走査線５にオン電圧を順次印加することができるように構成されている。
【０１１９】
そして、本実施形態においては、配線Ｌse１側から各ゲートＩＣ１５ｃにシード信号を入力すると、各ゲートＩＣ１５ｃの図中下端の端子がアクティブな状態とされた次のタイミングで配線Ｌse２からシード信号が出力されるように構成されている。
【０１２０】
これにより、例えば、図２０中の最も上側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１からシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態の端子を下側にシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse２を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、上から２番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１を介してシード信号を入力する。
そして、配線Ｌshを介して上から２番目のゲートＩＣ１５ｃにシフト信号を次々と入力してアクティブな状態の端子を下側にシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse２を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、上から３番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１を介してシード信号を入力する。
このような制御を繰り返すことで、各ゲートＩＣ１５ｃの各端子に接続されている走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに、上側のラインから順に下側のラインに向けてオン電圧を順次印加することができるように構成されている。
【０１２１】
また、本実施形態においては、上記とは逆に、配線Ｌse２側から各ゲートＩＣ１５ｃにシード信号を入力して、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力すると、今度は、各ゲートＩＣ１５ｃの図中下側の端子から順にアクティブな状態の端子が上側にシフトしていくように構成されている。
【０１２２】
これにより、例えば、図２０中の最も下側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２からシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態の端子を上側にシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse１を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、下から２番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２を介してシード信号を入力する。
そして、配線Ｌshを介して下から２番目のゲートＩＣ１５ｃにシフト信号を次々と入力してアクティブな状態の端子を上側にシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse１を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、下から３番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２を介してシード信号を入力する。
このような制御を繰り返すことで、各ゲートＩＣ１５ｃの各端子に接続されている走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに、下側のラインから順に上側のラインに向けてオン電圧を順次印加することができるように構成されている。
【０１２３】
なお、本実施形態では、例えば図１９に太矢印で示すように、上側ブロック領域Ｐ１において、アクティブな状態の端子が上側から下側へとシフトし、下側ブロック領域Ｐ２において、アクティブな状態の端子が下側から上側へとシフトするように構成されている。すなわち、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において、アクティブな状態の端子が外側から内側へとそれぞれシフトするように構成されているが、これに限ることはなく、アクティブな状態の端子が内側から外側へとそれぞれシフトするように構成することも可能である。
【０１２４】
［非接続の端子について］
ところで、ゲートドライバ１５ｂを構成する各ゲートＩＣ１５ｃの１つ（或いは複数）に、走査線５が接続されていない、いわゆる非接続の端子ｔが複数（或いは１つ）存在する場合がある。
【０１２５】
なお、本実施形態では、図１９や図２０に示すように、上側ブロック領域Ｐ１に配置されているゲートドライバ１５ｂａを構成するゲートＩＣ１５ｃのうち最も上側のゲートＩＣ１５ｃに非接続の端子ｔが存在するとともに、下側ブロック領域Ｐ２に配置されているゲートドライバ１５ｂｂを構成するゲートＩＣ１５ｃのうち最も下側のゲートＩＣ１５ｃに非接続の端子ｔが存在することとする。
すなわち、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において、最も外側のゲートＩＣ１５ｃに非接続の端子ｔが存在することとするが、これに限定されるものではなく、非接続の端子ｔを有するゲートＩＣ１５ｃの位置や個数は任意である。
【０１２６】
また、本実施形態では、各ゲートＩＣ１５ｃは２５６個の端子を有し、上側ブロック領域Ｐ１における最も上側のゲートＩＣ１５ｃが有する２５６個の端子のうち上側の６４個の端子が非接続の端子ｔであるとともに、下側ブロック領域Ｐ２における最も下側のゲートＩＣ１５ｃが有する２５６個の端子のうち下側の６４個の端子が非接続の端子ｔであることとする。
すなわち、各ゲートドライバ１５ｂはそれぞれ５個のゲートＩＣ１５ｃにより構成されるので、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において、ゲートドライバ１５ｂはそれぞれ１２８０個（＝２５６×５）の端子を有し、１２８０個の端子のうち外側の６４個の端子が非接続の端子ｔであることとするが、これに限定されるものではなく、ゲートドライバ１５ｂが有する端子の個数、ゲートドライバ１５ｂにおける非接続の端子ｔの位置や個数は任意である。なお、図１９や図２０では、便宜上、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において外側の８個の端子が非接続の端子ｔとなっている。
【０１２７】
したがって、本実施形態において、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている走査線５の本数は、１２１６本（＝１２８０−６４）であり、そのうち上側の１９２本（＝２５６−６４）の走査線５は、１９２本で１組となっている。
すなわち、各ゲートＩＣ１５ｃは２５６個の端子を有しているが、上側ブロック領域Ｐ１に配置されているゲートドライバ１５ｂａを構成するゲートＩＣ１５ｃのうち、最も上側のゲートＩＣ１５ｃには１９２本の走査線５が接続され、他のゲートＩＣ１５ｃには２５６本の走査線５が接続されている。
【０１２８】
また、本実施形態において、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている走査線５の本数は、１２１６本（＝１２８０−６４）であり、そのうち下側の１９２本（＝２５６−６４）の走査線５は、１９２本で１組となっている。
すなわち、各ゲートＩＣ１５ｃは２５６個の端子を有しているが、下側ブロック領域Ｐ２に配置されているゲートドライバ１５ｂａを構成するゲートＩＣ１５ｃのうち、最も下側のゲートＩＣ１５ｃには１９２本の走査線５が接続され、他のゲートＩＣ１５ｃには２５６本の走査線５が接続されている。
【０１２９】
［通常シフト処理および高速シフト処理について］
次に、本実施形態における通常シフト処理および高速シフト処理について説明する。
本実施形態においては、放射線画像撮影前に放射線の照射開始を検出するため、図１３に示すように、各走査線５にオフ電圧を印加した状態で行うリークデータ読み出し処理と、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加して行う各放射線検出素子７のリセット処理とを交互に繰り返し行うように構成されている。
【０１３０】
具体的には、制御手段２２は、上側ブロック領域Ｐ１において、一の端子がアクティブな状態になると、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせる。当該リークデータ読み出し処理では、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている全放射線検出素子７からリークする電荷ｑに基づくリークデータｄleakが読み出される。また、当該リセット処理では、当該一の端子、すなわちアクティブな状態の端子と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７がリセットされる。
次いで、上側ブロック領域Ｐ１において、当該一の端子よりも１つ内側（１つ下側）の端子がアクティブな状態になると、制御手段２２は、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせる。
【０１３１】
このような制御が繰り返し行われることで、上側ブロック領域Ｐ１において、最も内側（最も下側）の端子がアクティブな状態になり、リークデータ読み出し処理とリセット処理とが行われると、再び最も外側（最も上側）の端子がアクティブな状態になる。そして、同様の制御が繰り返し行われる。
【０１３２】
また、下側ブロック領域Ｐ２においても同様に、制御手段２２は、一の端子がアクティブな状態になると、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせる。当該リークデータ読み出し処理では、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている全放射線検出素子７からリークする電荷ｑに基づくリークデータｄleakが読み出される。また、当該リセット処理では、当該一の端子、すなわちアクティブな状態の端子と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７がリセットされる。
次いで、下側ブロック領域Ｐ２において、当該一の端子よりも１つ内側（１つ上側）の端子がアクティブな状態になると、制御手段２２は、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせる。
【０１３３】
このような制御が繰り返し行われることで、下側ブロック領域Ｐ２において、最も内側（最も上側）の端子がアクティブな状態になり、リークデータ読み出し処理とリセット処理とが行われると、再び最も外側（最も下側）の端子がアクティブな状態になる。そして、同様の制御が繰り返し行われる。
【０１３４】
その際、非接続の端子ｔには走査線５が接続されていないため、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合、リセット処理を行ってアクティブな状態の非接続の端子ｔにオン電圧を印加しても、走査線５の何れのラインＬ１〜Ｌｘにもオン電圧が印加されない。すなわち、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行っても、何れの放射線検出素子７もリセットされない。そのため、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行うと、無駄にリセット処理を行うことになる。
【０１３５】
また、リセット処理は、放射線検出素子７自体の熱による熱励起等により発生する、いわゆる暗電荷を各放射線検出素子７内から除去するために行われる。しかし、前述したように、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行っても、何れの放射線検出素子７もリセットされない。そのため、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行うと、その間に、暗電荷が各放射線検出素子７内に徐々に蓄積していくので、暗電荷が無駄に多く蓄積されてしまうことになる。
【０１３６】
そこで、本実施形態においては、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合、リークデータ読み出し処理もリセット処理も行わずアクティブな状態の端子を高速にシフトさせて、何れの放射線検出素子７もリセットされない期間を短縮することとする。
【０１３７】
すなわち、制御手段２２は、ゲートドライバ１５ｂの端子（具体的には、ゲートドライバ１５ｂを構成する各ゲートＩＣ１５ｃの端子）のうち走査線５と接続されている端子がアクティブな状態となる場合には、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行する。
【０１３８】
また、制御手段２２は、ゲートドライバ１５ｂの端子（具体的には、ゲートドライバ１５ｂを構成する各ゲートＩＣ１５ｃの端子）のうち非接続の端子ｔがアクティブな状態となる場合には、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせず、直ちにアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行する。すなわち、高速シフト処理では、通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子がシフトされる。また、高速シフト処理では、非接続の端子ｔをアクティブな状態とするだけで、当該非接続の端子ｔにはオン電圧は印加されない。
【０１３９】
より具体的に、本実施形態における通常シフト処理および高速シフト処理について、図２１〜図２３を参照して説明する。
なお、図２１〜図２３および後述する図２４や図２５における、「Ｌ」、「Ｒ」、リークデータ読み出し処理（「Ｌ」）の後ろにある斜線部分、「１〜６４」や「６５」などの数字等については、図２６等と同様であるので、その説明は省略する。
【０１４０】
前述したように、本実施形態では、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において、アクティブな状態となる端子が外側から内側へとそれぞれシフトするように構成されている。
また、前述したように、本実施形態では、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において、ゲートドライバ１５ｂはそれぞれ１２８０個の端子を有し、１２８０個の端子のうち外側の６４個の端子が非接続の端子ｔである。
【０１４１】
ここで、本実施形態においては、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている放射線検出素子７から読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かを判定するタイミングと、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている放射線検出素子７から読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かを判定するタイミングとがずれるように、通常シフト処理を、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに異なるタイミングで開始するように構成されている。これにより、上側ブロック領域Ｐ１におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かを判定するタイミングと、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かを判定するタイミングとが同時である場合と比較して、読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かを的確に判定することが可能となる。
【０１４２】
なお、本実施形態では、上側ブロック領域Ｐ１における通常シフト処理の開始タイミングよりも、下側ブロック領域Ｐ２における通常シフト処理の開始タイミングが遅い場合について説明するが、これに限定されるものではない。例えば、下側ブロック領域Ｐ２における通常シフト処理の開始タイミングよりも、上側ブロック領域Ｐ１における通常シフト処理の開始タイミングが早くなるように構成することも可能である。
【０１４３】
また、本実施形態において、制御手段２２は、高速シフト処理を、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに同一のタイミングで開始するように構成されている。
【０１４４】
具体的には、図２１に示すように、上側ブロック領域Ｐ１においては、まず、アクティブな状態の端子が「上から１番目の端子（最も外側の端子）」から「上から６４番目の端子（非接続の端子ｔのうち最も内側の端子）」へとシフトする。その際、「上から１番目の端子」から「上から６４番目の端子」は非接続の端子ｔであるため、制御手段２２は、高速シフト処理を実行して、アクティブな状態の端子を「上から１番目の端子」から「上から６４番目の端子」へとシフトさせる。
【０１４５】
また、下側ブロック領域Ｐ２においても、上側ブロック領域Ｐ１と同じタイミングで、アクティブな状態の端子が「下から１番目の端子（最も外側の端子）」から「下から６４番目の端子（非接続の端子ｔのうち最も内側の端子）」へとシフトする。その際、「下から１番目の端子」から「下から６４番目の端子」は非接続の端子ｔであるため、制御手段２２は、高速シフト処理を実行して、アクティブな状態の端子を「下から１番目の端子」から「下から６４番目の端子」へとシフトさせる。
【０１４６】
次いで、上側ブロック領域Ｐ１においては、アクティブな状態の端子が「上から６５番目の端子（走査線５が接続されている端子のうち最も外側の端子）」から「上から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」へとシフトする。その際、「上から６５番目の端子」から「上から１２８０番目の端子」は走査線５が接続されている端子であるため、制御手段２２は、通常シフト処理を実行して、アクティブな状態の端子を「上から６５番目の端子」から「上から１２８０番目の端子」へとシフトさせる。
【０１４７】
次いで、「上から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」の次は、再び「上から１番目の端子（最も外側の端子）」がアクティブな状態になる。そして、制御手段２２は、所定の待機時間（例えば１ｍ秒）が経過した後に、再度「上から１番目の端子」から上記と同様の制御を繰り返し行う。
【０１４８】
一方、下側ブロック領域Ｐ２においても同様に、通常シフト処理が実行されて、アクティブな状態の端子が「下から６５番目の端子（走査線５が接続されている端子のうち最も外側の端子）」から「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」へとシフトするが、制御手段２２は、上側ブロック領域Ｐ１における一連の通常シフト処理を開始してから所定の待機時間（前述の待機時間と同じ、例えば１ｍ秒）が経過した後に、下側ブロック領域Ｐ２における一連の通常シフト処理を開始する。
【０１４９】
次いで、「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」の次は、再び「下から１番目の端子（最も外側の端子）」がアクティブな状態になる。そして、制御手段２２は、再度「下から１番目の端子」から上記と同様の制御を繰り返し行う。
【０１５０】
なお、通常シフト処理において、一の端子がアクティブな状態になっている時間は、例えば２ｍ秒である。
また、高速シフト処理において、一の端子がアクティブな状態になっている時間は、例えば５μ秒である。したがって、「上から１番目の端子」から「上から６４番目の端子」までの一連の高速シフト処理に要する時間は、３２０μ秒（＝５μ秒×６４）となる。
【０１５１】
そして、本実施形態においては、各待機時間を揃えることで、通常シフト処理が、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに異なるタイミングで開始され、高速シフト処理が、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに同一のタイミングで開始されるように構成されている。
なお、通常シフト処理が、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに異なるタイミングで開始され、高速シフト処理が、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに同一のタイミングで開始されるように構成可能であれば、各待機時間はそれぞれ異なってもよい。
【０１５２】
また、各待機時間、通常シフト処理において一の端子がアクティブな状態になっている時間、高速シフト処理において一の端子がアクティブな状態になっている時間等は、上側ブロック領域Ｐ１におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定と、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定とを交互に行うことができるのであれば任意である。
【０１５３】
そして、上側ブロック領域Ｐ１におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定、或いは、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定で、読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったと判定して、放射線の照射開始を検出すると、制御手段２２は、電荷蓄積状態に移行し、その後、所定のタイミングで一連の画像データ読み出し処理を開始する。
【０１５４】
具体的には、例えば図２２に示すように、アクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたとする。
【０１５５】
本実施形態において、放射線の照射開始を検出した後は、各放射線検出素子７のリセット処理を行わないように構成されている。そのため、図２２に示す例の場合は、アクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理の後に行われるリセット処理、すなわちアクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリセット処理は行われない。
また、上側ブロック領域Ｐ１においては、当該検出の時点には、アクティブな状態の端子が「上から１３０番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理が行われているので、当該リークデータ読み出し処理の後に行われるリセット処理、すなわちアクティブな状態の端子が「上から１３０番目の端子」である際におけるリセット処理は行わず、「上から１３０番目の端子」がアクティブな状態となってから所定時間（例えば２ｍ秒）が経過した後に、そのまま電荷蓄積状態に移行する。
【０１５６】
そして、電荷蓄積状態に移行し、所定のタイミングで一連の画像データ読み出し処理が開始されると、例えば、放射線の照射開始を検出した時点でアクティブな状態になっていた端子から順にアクティブな状態となる。
【０１５７】
具体的には、図２２に示す例の場合は、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたので、制御手段２２は、まず、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理を開始する。そして、制御手段２２は、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理が開始されてから所定の待機時間（前述の待機時間と同じ、例えば１ｍ秒）が経過した後に、上側ブロック処理Ｐ１における一連の画像データ読み出し処理を開始する。
【０１５８】
その際、図２２に示す例の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、放射線の照射開始を検出した時点で「下から１２９番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「下から１２９番目の端子」から順に、すなわち「下から１２９番目の端子」→「下から１３０番目の端子」→・・・の順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
また、図２２に示す例の場合、上側ブロック領域Ｐ１においては、放射線の照射開始を検出した時点で「上から１３０番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「上から１３０番目の端子」から順に、すなわち「上から１３０番目の端子」→「上から１３１番目の端子」→・・・の順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
【０１５９】
一方、例えば図２３に示すように、アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたとする。
【０１６０】
前述したように、本実施形態において、放射線の照射開始を検出した後は、各放射線検出素子７のリセット処理を行わないように構成されている。そのため、図２３に示す例の場合は、アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子」である際におけるリセット処理は行わず、「下から１２８０番目の端子」がアクティブな状態となってから所定時間（例えば２ｍ秒）が経過した後に、そのまま電荷蓄積状態に移行する。
また、上側ブロック領域Ｐ１においては、当該検出の時点には、「上から１番目の端子」をアクティブな状態にして高速シフト処理の開始を待機している状態にあるので、所定の待機時間（例えば１ｍ秒）が経過した後に、高速シフト処理を開始せずそのまま電荷蓄積状態に移行する。
【０１６１】
そして、電荷蓄積状態に移行し、所定のタイミングで一連の画像データ読み出し処理が開始されると、例えば、放射線の照射開始を検出した時点でアクティブな状態になっていた端子から順にアクティブな状態となる。
【０１６２】
具体的には、図２３に示す例の場合は、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたので、制御手段２２は、まず、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理を開始する。そして、制御手段２２は、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理が開始されてから所定の待機時間（前述の待機時間と同じ、例えば１ｍ秒）が経過した後に、上側ブロック処理Ｐ１における一連の画像データ読み出し処理を開始する。
【０１６３】
その際、図２３に示す例の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、放射線の照射開始を検出した時点で「下から１２８０番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「下から１２８０番目の端子」から順に、すなわち「下から１２８０番目の端子」→「下から１番目の端子」→・・・の順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
また、図２３に示す例の場合、上側ブロック領域Ｐ１においては、放射線の照射開始を検出した時点で「上から１番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「上から１番目の端子」から順に、すなわち「上から１番目の端子」→「上から２番目の端子」→・・・の順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
【０１６４】
図２３に示す例の場合、画像データ読み出し処理では、検出部Ｐ全体で見れば、「下から１２８０番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から１番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「下から１番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から２番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→・・・の順に画像データが読み出される。
したがって、この場合、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応しているので、画像データを読み出された順に並べただけで、読み出された画像データを整合した状態に並べることができる。
【０１６５】
例えば、通常シフト処理と同様、高速シフト処理も、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに異なるタイミングで開始するように構成されている場合、画像データ読み出し処理で画像データを読み出す位置が、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで対応しなくなることがある。
【０１６６】
具体的には、図２８に示すように、最終接続端子（図２８の場合は「下から１２８０番目の端子」）がアクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出された場合、当該検出の時点では、処理が後から開始されるブロック領域（図２８に示す例の場合は下側ブロック領域Ｐ２）では高速シフト処理は再開されていないが、処理が先に開始されるブロック領域（図２８に示す例の場合は上側ブロック領域Ｐ１）では当該高速シフト処理に対応する高速シフト処理が終了し、その後に行われる通常シフト処理が再開されている。そのため、当該検出の時点では、処理が後から開始されるブロック領域よりも、処理が先に開始されるブロック領域の方が、アクティブな状態の端子の位置が複数端子分（図２８に示す例の場合は６５端子分）進んでおり、その後に行われる画像データ読み出し処理の際に、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応しなくなる。したがって、画像データを読み出された順に並べただけでは、読み出された画像データを整合した状態に並べることができない。そのため、読み出された画像データを整合した状態に並べるためには、例えば、最終接続端子がアクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出された場合のみ、読み出された画像データを特別な順に並べなければならない等、処理が煩雑になるという問題がある。
【０１６７】
これに対し、本実施形態のように、高速シフト処理を上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに同一のタイミングで開始するように構成することによって、常に、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置を対応させることが可能となる。すなわち、常に、各ブロック領域同士の間で画像データを読み出す位置を対応させることが可能となる。
【０１６８】
以上説明した本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、制御手段２２は、通常シフト処理を、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに異なるタイミングで開始するとともに、高速シフト処理を、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに同一のタイミングで開始するように構成されている。
【０１６９】
すなわち、高速シフト処理が、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに同一のタイミングで開始されるように構成されているので、最終接続端子（すなわち、処理が後から開始されるブロック領域に配置された走査線５が接続されている端子のうち、非接続の端子ｔをアクティブな状態にする直前にアクティブな状態にされる端子）がアクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出された場合であっても、常に、各ブロック領域同士の間で画像データを読み出す位置を対応させることが可能となる。
【０１７０】
したがって、最終接続端子がアクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleak、すなわち最終リークデータ（後述）に基づいて放射線の照射開始が検出された場合のみ、読み出された画像データを特別な順に並べなければならない等の煩雑な処理を行わなくても、高速シフト処理を各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに同一のタイミングで開始されるように構成するだけの簡易な構成で、画像データ読み出し処理で読み出された画像データの不整合を防止することが可能となる。
【０１７１】
また、以上説明した本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、制御手段２２は、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２においてアクティブな状態となる端子を外側から内側へとそれぞれシフトさせるように構成されている。
また、以上説明した本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、制御手段２２は、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２においてアクティブな状態となる端子を内側から外側へとそれぞれシフトさせるように構成することも可能である。
【０１７２】
画像データ読み出し処理に携わる機能部を構成する半導体等の安定性が、読み出された画像データに基づく画像の品質に大きく影響する場合等には、アクティブな状態となる端子を外側から内側へとシフトさせた方が、特に重要な情報が含まれることの多い内側部分の画像としてより高品質な画像を得ることができる。
一方、画像データ読み出し処理の間に蓄積される暗電荷が、読み出された画像データに基づく画像の品質に大きく影響する場合等には、アクティブな状態となる端子を内側から外側へとシフトさせた方が、特に重要な情報が含まれることの多い内側部分の画像としてより高品質な画像を得ることができる。
【０１７３】
ここで、１枚の画像の中で、特に重要な情報が含まれることの多い部分は内側部分（中央部分）である。
【０１７４】
各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２においてアクティブな状態となる端子を外側から内側へとそれぞれシフトさせるように構成した場合、一連の画像データ読み出し処理において、内側部分（中央部分）の画像の画像データは後から読み出されることになる。一連の画像データ読み出し処理を開始し各画像データ読み出し処理を繰り返すうちに画像データ読み出し処理に携わる機能部を構成する半導体等が安定していくので、内側部分の画像の画像データを後から読み出すことで、内側部分の画像の画像データを、外側部分の画像の画像データよりも安定した状態で読み出すことができる。
【０１７５】
一方、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２においてアクティブな状態となる端子を内側から外側へとそれぞれシフトさせるように構成した場合、一連の画像データ読み出し処理において、内側部分（中央部分）の画像の画像データは先に読み出されることになる。ＴＦＴ８がオフ状態である期間が長いほど放射線検出素子７内に蓄積される暗電荷の量が多くなるので、内側部分の画像の画像データを先に読み出すことで、内側部分の画像の画像データを、外側部分の画像の画像データよりも重畳されている暗電荷の量が少ない状態で読み出すことができる。
【０１７６】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る放射線画像撮影装置について説明する。
なお、第２実施形態においては、高速シフト処理を開始するタイミングや、最終リークデータ（後述）が閾値ｄleak_thを上回った場合には放射線の照射開始を検出しない点などが、第１実施形態と異なる。したがって、第１実施形態と同様の構成を有する部分については同じ符号を付して説明を省略し、主に異なる部分について説明する。
【０１７７】
本実施形態において、制御手段２２は、第１実施形態の場合と異なり、高速シフト処理を、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに異なるタイミングで開始するように構成されている。
すなわち、制御手段２２は、通常シフト処理も高速シフト処理も、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに異なるタイミングで開始するように構成されている。
【０１７８】
具体的には、従来の場合と同様、図２６に示すように、上側ブロック領域Ｐ１においては、まず、アクティブな状態の端子が「上から１番目の端子（最も外側の端子）」から「上から６４番目の端子（非接続の端子ｔのうち最も内側の端子）」へとシフトする。その際、「上から１番目の端子」から「上から６４番目の端子」は非接続の端子ｔであるため、制御手段２２は、高速シフト処理を実行して、アクティブな状態の端子を「上から１番目の端子」から「上から６４番目の端子」へとシフトさせる。
【０１７９】
次いで、上側ブロック領域Ｐ１においては、アクティブな状態の端子が「上から６５番目の端子（走査線５が接続されている端子のうち最も外側の端子）」から「上から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」へとシフトする。その際、「上から６５番目の端子」から「上から１２８０番目の端子」は走査線５が接続されている端子であるため、制御手段２２は、通常シフト処理を実行して、アクティブな状態の端子を「上から６５番目の端子」から「上から１２８０番目の端子」へとシフトさせる。
【０１８０】
次いで、「上から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」の次は、再び「上から１番目の端子（最も外側の端子）」がアクティブな状態になる。そして、制御手段２２は、再度「上から１番目の端子」から上記と同様の制御を繰り返し行う。
【０１８１】
一方、図２６に示すように、下側ブロック領域Ｐ２においては、上側ブロック領域Ｐ１における処理が開始されてから所定の待機時間（例えば１ｍ秒）が経過した後に、下側ブロック領域Ｐ２における処理が開始される。
【０１８２】
そして、まず、制御手段２２は、高速シフト処理を実行して、アクティブな状態の端子を「下から１番目の端子（最も外側の端子）」から「下から６４番目の端子（非接続の端子ｔのうち最も内側の端子）」へとシフトさせる。
次いで、制御手段２２は、通常シフト処理を実行して、アクティブな状態の端子を「下から６５番目の端子（走査線５が接続されている端子のうち最も外側の端子）」から「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」へとシフトさせる。
次いで、「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」の次は、再び「下から１番目の端子（最も外側の端子）」がアクティブな状態になる。そして、制御手段２２は、再度「下から１番目の端子」から上記と同様の制御を繰り返し行う。
【０１８３】
そして、上側ブロック領域Ｐ１におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定、或いは、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定で、読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったと判定して、放射線の照射開始を検出すると、制御手段２２は、電荷蓄積状態に移行し、その後、所定のタイミングで一連の画像データ読み出し処理を開始する。
【０１８４】
具体的には、アクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったとする。
【０１８５】
ここで、本実施形態においては、最終リークデータ（後述）が閾値ｄleak_thを上回った場合には、放射線の照射開始を検出しないように構成されている。ここで、高速シフト処理が後から開始されるブロック領域（本実施形態の場合は下側ブロック領域Ｐ２）におけるリークデータ読み出し処理で読み出されるリークデータｄleakのうち、高速シフト処理の直前に行われるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakを、「最終リークデータ」と称する。
しかし、本実施形態の場合、アクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakは、最終リークデータではない。したがって、アクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回った場合には、制御手段２２は、放射線の照射開始を検出する。
【０１８６】
すなわち、本実施形態において、制御手段２２は、最終リークデータ以外のリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回った場合には、従来の場合と同様、例えば図２７に示すような制御を行う。
【０１８７】
本実施形態においては、第１実施形態の場合と同様、放射線の照射開始を検出した後は、各放射線検出素子７のリセット処理を行わないように構成されている。そのため、図２７に示す例の場合は、アクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリセット処理は行われない。
また、上側ブロック領域Ｐ１においては、当該検出の時点には、アクティブな状態の端子が「上から１３０番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理が行われているので、アクティブな状態の端子が「上から１３０番目の端子」である際におけるリセット処理は行わず、「上から１３０番目の端子」がアクティブな状態となってから所定時間（例えば２ｍ秒）が経過した後に、そのまま電荷蓄積状態に移行する。
【０１８８】
そして、電荷蓄積状態に移行し、所定のタイミングで一連の画像データ読み出し処理が開始されると、例えば、放射線の照射開始を検出した時点でアクティブな状態になっていた端子から順にアクティブな状態となる。
【０１８９】
具体的には、図２７に示す例の場合は、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたので、制御手段２２は、まず、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理を開始する。そして、制御手段２２は、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理が開始されてから所定の待機時間（前述の待機時間と同じ、例えば１ｍ秒）が経過した後に、上側ブロック処理Ｐ１における一連の画像データ読み出し処理を開始する。
【０１９０】
その際、図２７に示す例の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、放射線の照射開始を検出した時点で「下から１２９番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「下から１２９番目の端子」から順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
また、図２７に示す例の場合、上側ブロック領域Ｐ１においては、放射線の照射開始を検出した時点で「上から１３０番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「上から１３０番目の端子」から順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
【０１９１】
一方、例えば図２４に示すように、アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったとする。
【０１９２】
前述したように、本実施形態においては、最終リークデータが閾値ｄleak_thを上回った場合には、放射線の照射開始を検出しないように構成されている。アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakは、最終リークデータである。したがって、アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回っても、制御手段２２は、放射線の照射開始を検出しない。
【０１９３】
そして、この場合、制御手段２２は、最終リークデータの次に読み出されるリークデータｄleak、すなわち高速シフト処理が先に開始されるブロック領域（本実施形態の場合は上側ブロック領域Ｐ１）におけるリークデータ読み出し処理で読み出されるリークデータｄleakのうち高速シフト処理の直後に行われるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて、放射線の照射開始を検出する。
したがって、図２４に示す例の場合、「上から６５番目の端子（走査線５が接続されている端子のうち最も外側の端子）」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて、放射線の照射開始が検出される。
【０１９４】
前述したように、本実施形態においては、第１実施形態の場合と同様、放射線の照射開始を検出した後は、各放射線検出素子７のリセット処理を行わないように構成されている。そのため、図２４に示す例の場合は、アクティブな状態の端子が「上から６５番目の端子」である際におけるリセット処理は行われない。
また、下側ブロック領域Ｐ２においては、当該検出の時点には、アクティブな状態の端子が「下から６５番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理が行われているので、アクティブな状態の端子が「下から６５番目の端子」である際におけるリセット処理は行わず、「下から６５番目の端子」がアクティブな状態となってから所定時間（例えば２ｍ秒）が経過した後に、そのまま電荷蓄積状態に移行する。
【０１９５】
そして、電荷蓄積状態に移行し、所定のタイミングで一連の画像データ読み出し処理が開始されると、例えば、放射線の照射開始を検出した時点でアクティブな状態になっていた端子から順にアクティブな状態となる。
【０１９６】
具体的には、図２４に示す例の場合は、上側ブロック領域Ｐ１におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたので、制御手段２２は、まず、上側ブロック処理Ｐ１における一連の画像データ読み出し処理を開始する。そして、制御手段２２は、上側ブロック処理Ｐ１における一連の画像データ読み出し処理が開始されてから所定の待機時間（前述の待機時間と同じ、例えば１ｍ秒）が経過した後に、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理を開始する。
【０１９７】
その際、図２４に示す例の場合、上側ブロック領域Ｐ１においては、放射線の照射開始を検出した時点で「上から６５番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「上から６５番目の端子」から順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
また、図２４に示す例の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、放射線の照射開始を検出した時点で「下から６５番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「下から６５番目の端子」から順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
【０１９８】
図２４に示す例の場合、画像データ読み出し処理では、検出部Ｐ全体で見れば、「上から６５番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「下から６５番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から６６番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「下から６６番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→・・・の順に画像データが読み出される。
したがって、この場合、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応しているので、画像データを読み出された順に並べただけで、読み出された画像データを整合した状態に並べることができる。
【０１９９】
以上説明した本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、制御手段２２は、通常シフト処理を、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに異なるタイミングで開始するとともに、高速シフト処理を、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに異なるタイミングで開始し、最終リークデータが閾値ｄleak_thを上回った場合には、放射線の照射開始を検出しないように構成されている。
【０２００】
すなわち、最終リークデータが閾値ｄleak_thを上回った場合には、放射線の照射が開始されたことを検出しないように構成されており、最終リークデータ、すなわち最終接続端子がアクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されないので、常に、各ブロック領域同士の間で画像データを読み出す位置を対応させることが可能となる。
【０２０１】
したがって、最終接続端子がアクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleak、すなわち最終リークデータに基づいて放射線の照射開始が検出された場合のみ、読み出された画像データを特別な順に並べなければならない等の煩雑な処理を行わなくても、最終リークデータが閾値ｄleak_thを上回った場合には、放射線の照射開始を検出しないように構成するだけの簡易な構成で、画像データ読み出し処理で読み出された画像データの不整合を防止することが可能となる。
【０２０２】
なお、この他の点は第１実施形態で示した作用・効果と同様であるので、その説明は省略する。
【０２０３】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る放射線画像撮影装置について説明する。
なお、第３実施形態においては、高速シフト処理を開始するタイミングや、ゲートクリア処理（後述）を行う点などが、第１実施形態と異なる。したがって、第１実施形態と同様の構成を有する部分については同じ符号を付して説明を省略し、主に異なる部分について説明する。
【０２０４】
本実施形態において、制御手段２２は、第１実施形態の場合と異なり、高速シフト処理を、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに異なるタイミングで開始するように構成されている。
すなわち、制御手段２２は、第２実施形態の場合と同様、通常シフト処理も高速シフト処理も、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに異なるタイミングで開始するように構成されている。
【０２０５】
なお、本実施形態においては、通常シフト処理や高速シフト処理を開始するタイミング（例えば図２６参照）、最終リークデータ以外のリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始を検出した場合の制御（例えば図２７参照）は、従来の場合や第２実施形態の場合と同様であるため、説明を省略する。
【０２０６】
一方、例えば図２５に示すように、アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたとする。
すなわち、制御手段２２が、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出したとする。
【０２０７】
本実施形態においては、第１実施形態の場合と同様、放射線の照射開始を検出した後は、各放射線検出素子７のリセット処理を行わないように構成されている。そのため、図２５に示す例の場合は、アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子」である際におけるリセット処理は行われない。
また、上側ブロック領域Ｐ１においては、当該検出の時点には、アクティブな状態の端子が「上から６５番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理が行われているので、アクティブな状態の端子が「上から６５番目の端子」である際におけるリセット処理は行わず、「上から６５番目の端子」がアクティブな状態となってから所定時間（例えば２ｍ秒）が経過した後に、そのまま電荷蓄積状態に移行する。
【０２０８】
そして、電荷蓄積状態に移行し、所定のタイミングで一連の画像データ読み出し処理が開始される。
【０２０９】
本実施形態において、制御手段２２は、一連の画像データ読み出し処理が開始される前に、当該一連の画像データ読み出し処理のうち高速シフト処理が先に開始されるブロック領域（本実施形態の場合は上側ブロック領域Ｐ１）における画像データ読み出し処理で、高速シフト処理の際に最初にアクティブな状態となる端子（本実施形態の場合は「上から１番目の端子」）から順次アクティブな状態の端子をシフトさせながら画像データを読み出させることができるように、高速シフト処理が先に開始されるブロック領域に対してゲートクリア処理を行うように構成されている。
【０２１０】
ゲートクリア処理とは、リークデータ読み出し処理もリセット処理も行わず、アクティブゲートＩＣ（後述）が有する残りの端子（後述）内でアクティブな状態となる端子を高速にシフトさせる。そして、当該アクティブゲートＩＣが有する端子のうち最初にアクティブな状態となる端子を再びアクティブな状態にする処理のことである。
ここで、高速シフト処理が先に開始されるブロック領域（本実施形態の場合は上側ブロック領域Ｐ１）に配置されているゲートドライバ１５ｂ（本実施形態の場合はゲートドライバ１５ｂａ）を構成するゲートＩＣ１５ｃのうち、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始が検出された時点でアクティブな状態になっていた端子を有するゲートＩＣ１５ｃを、「アクティブゲートＩＣ」と称する。また、アクティブゲートＩＣが有する端子のうち、当該検出の時点でアクティブな状態になっていた端子以降にアクティブな状態とされる端子を、「残りの端子」と称する。
【０２１１】
本実施形態においては、第１実施形態の場合と同様、配線Ｌse１側から各ゲートＩＣ１５ｃにシード信号を入力すると、各ゲートＩＣ１５ｃの下端の端子がアクティブな状態とされた次のタイミングで配線Ｌse２からシード信号が出力されるように構成されている。
【０２１２】
これにより、例えば、図２０中の最も上側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１からシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態の端子を下側にシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse２を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、上から２番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１を介してシード信号を入力する。
このような制御を繰り返すことで、各ゲートＩＣ１５ｃの各端子に接続されている走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに、上側のラインから順に下側のラインに向けてオン電圧を順次印加することができるように構成されている。
【０２１３】
また、本実施形態においては、第１実施形態の場合と同様、上記とは逆に、配線Ｌse２側から各ゲートＩＣ１５ｃにシード信号を入力して、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力すると、今度は、各ゲートＩＣ１５ｃの下側の端子から順にアクティブな状態の端子が上側にシフトしていくように構成されている。
【０２１４】
これにより、例えば、図２０中の最も下側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２からシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態の端子を上側にシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse１を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、下から２番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２を介してシード信号を入力する。
このような制御を繰り返すことで、各ゲートＩＣ１５ｃの各端子に接続されている走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに、下側のラインから順に上側のラインに向けてオン電圧を順次印加することができるように構成されている。
【０２１５】
すなわち、本実施形態において、制御手段２２は、第１実施形態の場合と同様、１つのゲートＩＣ１５ｃの配線Ｌse２または配線Ｌse１からシード信号が出力されたタイミングと同じタイミングで、次のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１または配線Ｌse２を介してシード信号を入力するように構成されている。
これにより、本実施形態のように、アクティブな状態の端子を外側から内側へとシフトさせる場合には、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２においてシフト信号が入力されるゲートＩＣ１５ｃを外側から内側へとそれぞれシフトさせるように構成される。或いは、アクティブな状態の端子を内側から外側へとシフトさせる場合には、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２においてシフト信号が入力されるゲートＩＣ１５ｃを内側から外側へとそれぞれシフトさせるように構成される。
【０２１６】
ただし、本実施形態において、制御手段２２は、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合には、ゲートクリア処理を行って、アクティブゲートＩＣの配線Ｌse２または配線Ｌse１からシード信号が出力されたタイミングと同じタイミングで、次のゲートＩＣ１５ｃではなく当該アクティブゲートＩＣに配線Ｌse１または配線Ｌse２を介してシード信号を入力するように構成されている。
これにより、アクティブゲートＩＣが有する端子のうち最初にアクティブな状態となる端子（本実施形態の場合は「上から１番目の端子」）を再びアクティブな状態にすることが可能となる。
【０２１７】
具体的には、図２５に示す例の場合、ゲートクリア処理が行われる上側ブロック領域Ｐ１においては、放射線の照射開始を検出した時点で「上から６５番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、アクティブゲートＩＣは当該「上から６５番目の端子」を有するゲートＩＣ１５ｃとなり、アクティブゲートＩＣが有する残りの端子は、当該「上から６５番目の端子」から「上から２５６番目の端子」となる。
したがって、制御手段２２は、ゲートクリア処理を実行して、アクティブな状態の端子を「上から６５番目の端子」から「上から２５６番目の端子」へとシフトさせる。その際、高速シフト処理の場合と同様、リークデータ読み出し処理もリセット処理も行わず、アクティブな状態の端子を高速にシフトさせる。
【０２１８】
次いで、制御手段２２は、引き続きゲートクリア処理を行って、当該「上から６５番目の端子」を有するゲートＩＣ１５ｃ（すなわち、アクティブゲートＩＣ）の配線Ｌse２からシード信号が出力されたタイミングと同じタイミングで、当該「上から６５番目の端子」を有するゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１を介してシード信号を入力する。これにより、当該「上から６５番目の端子」を有するゲートＩＣ１５ｃが有する端子のうち最初にアクティブな状態となる端子、すなわち「上から１番目の端子」が再びアクティブな状態となる。
【０２１９】
次いで、図２５に示す例の場合は、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている放射線検出素子７から読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたので、制御手段２２は、まず、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理を開始する。そして、制御手段２２は、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理が開始されてから所定の待機時間（例えば１ｍ秒）が経過した後に、上側ブロック処理Ｐ１における一連の画像データ読み出し処理を開始する。
【０２２０】
その際、図２５に示す例の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、放射線の照射開始を検出した時点で「下から１２８０番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「下から１２８０番目の端子」から順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
また、図２５に示す例の場合、上側ブロック領域Ｐ１においては、ゲートクリア処理の実行により「上から１番目の端子」がアクティブな状態になっているので、制御手段２２は、当該「上から１番目の端子」から順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
【０２２１】
図２５に示す例の場合、画像データ読み出し処理では、検出部Ｐ全体で見れば、「下から１２８０番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から１番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「下から１番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から２番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→・・・の順に画像データが読み出される。
したがって、この場合、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応しているので、画像データを読み出された順に並べただけで、読み出された画像データを整合した状態に並べることができる。
【０２２２】
以上説明したように、本実施形態によれば、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合には、ゲートクリア処理を行って、その後に行われる画像データ読み出し処理のうち高速シフト処理が先に開始されるブロック領域における画像データ読み出し処理で、高速シフト処理の際に最初にアクティブな状態となる端子から順次アクティブな状態の端子をシフトさせながら画像データを読み出させるように構成することによって、常に、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置を対応させることが可能となる。すなわち、常に、各ブロック領域同士の間で画像データを読み出す位置を対応させることが可能となる。
【０２２３】
したがって、最終接続端子がアクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleak、すなわち最終リークデータに基づいて放射線の照射開始が検出された場合のみ、読み出された画像データを特別な順に並べなければならない等の煩雑な処理を行わなくても、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始が検出された場合には、その後に行われる画像データ読み出し処理のうち高速シフト処理が先に開始されるブロック領域における画像データ読み出し処理で、高速シフト処理の際に最初にアクティブな状態となる端子から順次アクティブな状態の端子をシフトさせながら画像データを読み出させるように構成するだけの簡易な構成で、画像データ読み出し処理で読み出された画像データの不整合を防止することが可能となる。
【０２２４】
なお、この他の点は第１実施形態で示した作用・効果と同様であるので、その説明は省略する。
【０２２５】
なお、本発明は上記の実施形態に限定されず、本発明の趣旨から逸脱しない限り、適宜変更可能であることはいうまでもない。
【０２２６】
例えば、上記実施形態では、検出部Ｐを２つのブロック領域で構成したが、これに限定されるものではなく、検出部Ｐを構成するブロック領域の個数は複数であれば任意である。
検出部Ｐが３つ以上のブロック領域で構成される場合、本発明でいう「高速シフト処理が後から開始されるブロック領域」は、高速シフト処理を最初に開始するブロック領域以外のブロック領域のことを指す。また、本発明でいう「高速シフト処理が先に開始されるブロック領域」は、高速シフト処理を最後に開始するブロック領域以外のブロック領域であって、放射線の照射開始が検出された後にゲートクリア処理を行わないと、その後に行われる画像データ読み出し処理で、高速シフト処理の際に最初にアクティブな状態となる端子以外の端子から順次アクティブな状態の端子をシフトさせながら画像データを読み出させることになるブロック領域のことを指す。
【０２２７】
また、各ゲートドライバ１５ｂにおける非接続の端子ｔの位置や個数はそれぞれ任意である。
ゲートドライバ１５ｂが有する非接続の端子ｔの個数が１個である場合等、両隣に配置された端子が走査線５と接続する端子である非接続の端子ｔが存在する場合、本発明でいう「高速シフト処理の際に最初にアクティブな状態となる端子」は、当該非接続の端子ｔのことを指す。
【０２２８】
また、例えば、本発明でいう「リークデータが閾値を上回った時点で放射線の照射が開始されたことを検出」には、リークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回った時点で放射線の照射開始を検出する場合も、検出手法Ａ等により放射線の照射開始を検出する場合も含まれる。
【符号の説明】
【０２２９】
１ 放射線画像撮影装置
５ 走査線
６ 信号線
７ 放射線検出素子
８ ＴＦＴ（スイッチ手段）
１５ 走査駆動手段
１５ａ 電源回路
１５ｂ ゲートドライバ
１７ 読み出し回路
２２ 制御手段
ｄleak リークデータ
ｄleak_th 閾値
Ｐ 検出部
Ｐ１、Ｐ２ ブロック領域
ｑ リークした電荷
ｒ 小領域
ｔ 非接続の端子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に、放射線画像撮影装置が自ら放射線の照射を検出して放射線画像撮影を行う放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギーに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
【０００３】
このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られており、従来は支持台と一体的に形成された、いわゆる専用機型として構成されていた（例えば特許文献１参照）。そして、近年、放射線検出素子等を筐体内に収納し、持ち運び可能とした可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２、３参照）。
【０００４】
このような放射線画像撮影装置では、例えば後述する図７等に示すように、通常、複数の放射線検出素子７が、検出部Ｐ上に二次元状（マトリクス状）に配列され、各放射線検出素子７にそれぞれ薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下「ＴＦＴ」という。）８で形成されたスイッチ手段が接続されて構成される。
そして、通常、放射線画像撮影は、放射線発生装置の放射線源から放射線画像撮影装置に対して、被験者の身体等の所定の撮影部位（すなわち胸部正面や腰椎側面等）を介した状態で放射線が照射されて行われる。
【０００５】
その際、放射線画像撮影装置の走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加して全てのＴＦＴ８をオフ状態とした状態で放射線を照射することで、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷が、各放射線検出素子７内に的確に蓄積される。
そして、放射線画像撮影の後、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加して、各ＴＦＴ８を順次オン状態として、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生して蓄積された電荷を各信号線６に順次放出させて、各読み出し回路１７で画像データとしてそれぞれ読み出すように構成される。
【０００６】
ところで、上記のように、放射線画像撮影が的確に行われるためには、放射線画像撮影装置に放射線が照射される際に、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに適切にオフ電圧が印加され、スイッチ手段である各ＴＦＴ８がオフ状態になることが必要となる。
そこで、例えば従来の専用機型の放射線画像撮影装置等では、放射線発生装置との間でインターフェースを構築し、互いに信号等をやり取りして、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加して電荷蓄積状態になったことを確認したうえで、放射線源から放射線を照射させるように構成される場合が多い。
【０００７】
しかし、例えば、放射線画像撮影装置と放射線発生装置との製造メーカーが異なっているような場合には、両者の間でインターフェースを構築することが必ずしも容易でない場合がある。また、インターフェースを構築できない場合もある。
このように放射線画像撮影装置と放射線発生装置との間でインターフェースが構築されない場合、放射線画像撮影装置側から見ると、放射線源からどのようなタイミングで放射線が照射されるかが分からない。そのため、放射線源から放射線が照射されたことを、放射線画像撮影装置が自ら検出しなければならなくなる。
【０００８】
そこで、近年、このような放射線画像撮影装置と放射線発生装置との間のインターフェースによらずに、放射線が照射されたことを自ら検出するように構成された放射線画像撮影装置が種々開発されている。
例えば、特許文献４や特許文献５に記載の発明では、放射線画像撮影装置に対する放射線の照射が開始されて各放射線検出素子７内に電荷が発生すると、各放射線検出素子７から、各放射線検出素子７に接続されているバイアス線９（後述する図７等参照）に電荷が流れ出してバイアス線９を流れる電流が増加することを利用して、バイアス線９に電流検出手段を設けてバイアス線９内を流れる電流の電流値を検出し、その電流値に基づいて放射線の照射の開始等を検出することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平９−７３１４４号公報
【特許文献２】特開２００６−０５８１２４号公報
【特許文献３】特開平６−３４２０９９号公報
【特許文献４】米国特許第７２１１８０３号明細書
【特許文献５】特開２００９−２１９５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、本発明者らの研究で、上記の手法は、バイアス線９が各放射線検出素子７の電極に接続されているため、電流検出手段で発生したノイズがバイアス線９を介して各放射線検出素子７に伝わり、放射線検出素子７から読み出される画像データにノイズとして重畳される場合があるなど、必ずしも解決が容易でない問題があることが分かってきた。
そして、本発明者らは、放射線画像撮影装置自体で放射線が照射されたことを検出する別の手法について種々研究を重ねた結果、放射線画像撮影装置自体で放射線が照射されたことを的確に検出することが可能ないくつかの新たな手法を見出すことができた。
【００１１】
これらの新たな手法については本願出願時点では公知ではないが、後述するように、本発明者らが見出した新たな放射線の照射開始の検出方法のうちの一つでは、放射線画像撮影前に、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから全ての走査線５にオフ電圧を印加して各ＴＦＴ８をオフ状態とした状態で読み出し回路１７に読み出し動作を行わせ、ＴＦＴ８を介して放射線検出素子７からリークした電荷ｑ（後述する図１１参照）をリークデータｄleakに変換するリークデータ読み出し処理を行うように構成される。
そして、放射線画像撮影装置に放射線が照射されると、読み出されるリークデータｄleakの値が上昇するため、それを利用して、読み出されたリークデータｄleakの値に基づいて放射線画像撮影装置に対する放射線の照射開始を検出するように構成される。
【００１２】
その際、前述したように、リークデータ読み出し処理では各ＴＦＴ８がオフ状態とされるが、各ＴＦＴ８がオフ状態のままであると、放射線検出素子７自体の熱（温度）による熱励起等により常時発生している、いわゆる暗電荷が各放射線検出素子７内に蓄積されてしまう。
そのため、後述するように、ゲートドライバ１５ｂから走査線５にオン電圧を順次印加して各放射線検出素子７内から暗電荷を除去する各放射線検出素子７のリセット処理を、リークデータ読み出し処理と交互に繰り返し行うように構成される。
【００１３】
ところで、各放射線検出素子７のリセット処理においては、通常、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて、オン電圧を印加する走査線５をシフトさせながら、オン状態とするＴＦＴ８を順次切り替えて各放射線検出素子７を次々とリセットしていく。
その際、図１９に示すように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂに、走査線５が接続されていない、いわゆる非接続の端子ｔが存在する場合がある。このような場合、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加するために、アクティブな状態の端子をシフトさせてオン電圧を印加する端子を順次切り替えていくと、非接続の端子ｔにオン電圧が印加される期間が生じる。
【００１４】
しかし、非接続の端子ｔには走査線５が接続されていないため、非接続の端子ｔにオン電圧が印加されている間、すなわち非接続の端子ｔがアクティブな状態である間は、リセット処理を行ってアクティブな状態の非接続の端子ｔにオン電圧を印加しても、走査線５の何れのラインＬ１〜Ｌｘにもオン電圧が印加されない。すなわち、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行っても、何れの放射線検出素子７もリセットされない状態になる。そのため、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行うと、無駄にリセット処理を行うことになる。
【００１５】
また、リセット処理は、放射線検出素子７自体の熱による熱励起等により発生する暗電荷を各放射線検出素子７内から除去するために行われる。しかし、前述したように、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行っても、何れの放射線検出素子７もリセットされない状態になる。そのため、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行うと、その間に、暗電荷が各放射線検出素子７内に徐々に蓄積していくので、暗電荷が無駄に多く蓄積されてしまうことになる。
【００１６】
そのため、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合には、リークデータ読み出し処理もリセット処理も行わず、アクティブな状態の端子を高速にシフトさせて、何れの放射線検出素子７もリセットされない期間を短縮することが図られている。
【００１７】
放射線画像撮影装置が備えるセンサパネルＳＰでは、通常、基板４上に交差するように配設された複数の走査線５と複数の信号線６とにより区画された各小領域ｒにそれぞれ放射線検出素子７が配置され、複数の放射線検出素子７が二次元状（マトリクス状）に配列されて検出部Ｐが形成される。そして、後述する図１８に示すように、検出部Ｐが複数のブロック領域（図１８の場合は上側ブロック領域Ｐ１および下側ブロック領域Ｐ２）から構成されている場合もある。
【００１８】
例えば図１８に示すように、検出部Ｐが上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで構成されている場合、図２６〜図２８に示すように、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに異なるタイミングで、リークデータ読み出し処理およびリセット処理を実行するように構成される場合が多い。
【００１９】
なお、図２６〜図２８において、「Ｌ」はリークデータ読み出し処理を表し、「Ｒ」は各放射線検出素子７のリセット処理を表す。
また、図２６〜図２８において、リークデータ読み出し処理（「Ｌ」）の後ろにある斜線部分は、読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かを判定する期間を表す。
また、図２６〜図２８において、「１〜６４」や「６５」などの数字は、アクティブな状態の端子の位置を表す。すなわち、「１〜６４」は、外側から１番目の端子、外側から２番目の端子、・・・、外側から６３番目の端子、外側から６４番目の端子の順にアクティブな状態の端子になることを表し、「６５」は、外側から６５番目の端子がアクティブな状態の端子であることを表す。
【００２０】
また、図２６〜図２８では、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において、アクティブな状態の端子が外側から内側へとそれぞれシフトするように構成されている場合について示す。
また、図２６〜図２８では、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において、ゲートドライバ１５ｂはそれぞれ１２８０個の端子を有し、１２８０個の端子のうち外側の６４個の端子が非接続の端子ｔである場合について示す。
また、図２６〜図２８では、上側ブロック領域Ｐ１におけるリークデータ読み出し処理およびリセット処理の開始タイミングよりも、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理およびリセット処理の開始タイミングが遅い場合について示す。
【００２１】
このような場合、図２６に示すように、上側ブロック領域Ｐ１においては、まず、アクティブな状態の端子が「上から１番目の端子（最も外側の端子）」から「上から６４番目の端子（非接続の端子ｔのうち最も内側の端子）」へとシフトする。その際、「上から１番目の端子」から「上から６４番目の端子」は非接続の端子ｔであるため、リークデータ読み出し処理もリセット処理も行わず、アクティブな状態の端子を高速にシフトさせる高速シフト処理が実行される。
次いで、上側ブロック領域Ｐ１においては、アクティブな状態の端子が「上から６５番目の端子（走査線５が接続されている端子のうち最も外側の端子）」から「上から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」へとシフトする。その際、「上から６５番目の端子」から「上から１２８０番目の端子」は走査線５が接続されている端子であるため、リークデータ読み出し処理およびリセット処理を行いながら、アクティブな状態の端子をシフトさせる通常シフト処理が実行される。
次いで、「上から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」の次は、再び「上から１番目の端子（最も外側の端子）」がアクティブな状態になり、再度「上から１番目の端子」から上記と同様の制御が繰り返し行われる。
【００２２】
一方、図２６に示すように、下側ブロック領域Ｐ２においては、上側ブロック領域Ｐ１における処理が開始されてから所定の待機時間が経過した後に、下側ブロック領域Ｐ２における処理が開始される。そして、まず、高速シフト処理が実行されて、アクティブな状態の端子が「下から１番目の端子（最も外側の端子）」から「下から６４番目の端子（非接続の端子ｔのうち最も内側の端子）」へとシフトする。
次いで、下側ブロック領域Ｐ２においては、通常シフト処理が実行されて、アクティブな状態の端子が「下から６５番目の端子（走査線５が接続されている端子のうち最も外側の端子）」から「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」へとシフトする。
次いで、「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」の次は、再び「下から１番目の端子（最も外側の端子）」がアクティブな状態になり、再度「下から１番目の端子」から上記と同様の制御が繰り返し行われる。
【００２３】
そして、上側ブロック領域Ｐ１におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定、或いは、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定で、放射線の照射開始が検出されると、電荷蓄積状態に移行され、その後、画像データ読み出し処理が開始される。
【００２４】
具体的には、例えば図２７に示すように、アクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたとする。
【００２５】
この場合、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたので、まず、下側ブロック処理Ｐ２における画像データ読み出し処理が開始される。そして、下側ブロック処理Ｐ２における画像データ読み出し処理が開始されてから所定の待機時間が経過した後に、上側ブロック処理Ｐ１における画像データ読み出し処理が開始される。
【００２６】
その際、図２７の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、放射線の照射開始を検出した時点で「下から１２９番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、当該「下から１２９番目の端子」から順にアクティブな状態の端子がシフトしながら、画像データ読み出し処理が行われる。
また、図２７の場合、上側ブロック領域Ｐ１においては、放射線の照射開始を検出した時点で「上から１３０番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、当該「上から１３０番目の端子」から順にアクティブな状態の端子がシフトしながら、画像データ読み出し処理が行われる。
【００２７】
一方、例えば図２８に示すように、アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」である際、すなわちアクティブな状態の端子が最終接続端子（後述）である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたとする。
ここで、処理が後から開始されるブロック領域（図２８では、下側ブロック領域Ｐ２）に配置された走査線５が接続されている端子のうち、非接続の端子ｔをアクティブな状態にする直前にアクティブな状態にされる端子（図２８では、下から１２８０番目の端子）を、「最終接続端子」と称する。
【００２８】
この場合、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたので、まず、下側ブロック処理Ｐ２における画像データ読み出し処理が開始される。そして、下側ブロック処理Ｐ２における画像データ読み出し処理が開始されてから所定の待機時間が経過した後に、上側ブロック処理Ｐ１における画像データ読み出し処理が開始される。
【００２９】
その際、図２８の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、放射線の照射開始を検出した時点で「下から１２８０番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、当該「下から１２８０番目の端子」から順にアクティブな状態の端子がシフトしながら、画像データ読み出し処理が行われる。
また、図２８の場合、上側ブロック領域Ｐ１においては、放射線の照射開始を検出した時点で「上から６５番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、当該「上から６５番目の端子」から順にアクティブな状態の端子がシフトしながら、画像データ読み出し処理が行われる。
【００３０】
すなわち、図２８の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、「下から１２８０番目の端子」→「下から１番目の端子」→・・・の順にアクティブな状態の端子がシフトしながら、画像データ読み出し処理が行われる。これに対し、上側ブロック処理Ｐ１においては、「上から６５番目の端子」→「上から６６番目の端子」→・・・の順にアクティブな状態の端子がシフトしながら、画像データ読み出し処理が行われる。そのため、図２８の場合、読み取った画像データを単に並べただけでは不整合が生じてしまう。
【００３１】
具体的には、図２７に示すように、最終接続端子以外の端子である「下から１２９番目の端子」が、アクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたとする。
この場合、画像データ読み出し処理では、検出部Ｐ全体で見れば、「下から１２９番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から１３０番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「下から１３０番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から１３１番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→・・・の順に画像データが読み出される。
したがって、この場合、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応しているので、画像データを読み出された順に並べるだけで、読み出された画像データを整合した状態に並べることができる。
【００３２】
一方、図２８に示すように、最終接続端子である「下から１２８０番目の端子」が、アクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたとする。
この場合、放射線の照射開始が検出された時点では、処理が後から開始されるブロック領域（図２８に示す例の場合は下側ブロック領域Ｐ２）では高速シフト処理は再開されていないが、処理が先に開始されるブロック領域（図２８に示す例の場合は上側ブロック領域Ｐ１）では当該高速シフト処理に対応する高速シフト処理が終了し、その後に行われる通常シフト処理が再開されている。そのため、当該検出の時点では、処理が後から開始されるブロック領域よりも、処理が先に開始されるブロック領域の方が、アクティブな状態の端子の位置が複数端子分（図２８に示す例の場合は６５端子分）進んでおり、その後に行われる画像データ読み出し処理の際に、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応しなくなる。
【００３３】
すなわち、その後に行われる画像データ読み出し処理では、検出部Ｐ全体で見れば、「下から１２８０番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から６５番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「下から１番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から６６番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→・・・の順に画像データが読み出され、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応していない。
したがって、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応していないので、画像データを読み出された順に並べただけでは、読み出された画像データを整合した状態に並べることができない。
【００３４】
そのため、読み出された画像データを整合した状態に並べるためには、最終接続端子が、アクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出された場合（図２８のような場合）のみ、読み出された画像データを特別な順に並べなければならず、処理が煩雑になるという問題がある。
【００３５】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、簡易な構成で、読み出された画像データの不整合を防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３６】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
電源回路と複数のゲートドライバとを備え、オン電圧を印加する前記各走査線を切り替えながら前記各走査線にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記信号線に接続され、前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子から前記画像データを読み出す画像データ読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、
前記検出部は、複数のブロック領域で構成され、
前記各ブロック領域には、前記ゲートドライバがそれぞれ配置され、
前記ゲートドライバは、何れの前記走査線とも接続されていない非接続の端子を含む複数の端子を有し、
前記制御手段は、
前記ゲートドライバが有する複数の端子内でアクティブな状態となる端子を順次シフトさせ、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記走査線と接続されている端子がアクティブな状態となる場合には、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で前記読み出し回路に読み出し動作を行わせて、前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータ読み出し処理と、前記各放射線検出素子のリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、読み出された前記リークデータが閾値を上回った時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記非接続の端子がアクティブな状態となる場合には、前記リークデータ読み出し処理と前記リセット処理とを行わせず、前記通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、
前記通常シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始するとともに、前記高速シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに同一のタイミングで開始することを特徴とする。
【００３７】
また、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
電源回路と複数のゲートドライバとを備え、オン電圧を印加する前記各走査線を切り替えながら前記各走査線にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記信号線に接続され、前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子から前記画像データを読み出す画像データ読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、
前記検出部は、複数のブロック領域で構成され、
前記各ブロック領域には、前記ゲートドライバがそれぞれ配置され、
前記ゲートドライバは、何れの前記走査線とも接続されていない非接続の端子を含む複数の端子を有し、
前記制御手段は、
前記ゲートドライバが有する複数の端子内でアクティブな状態となる端子を順次シフトさせ、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記走査線と接続されている端子がアクティブな状態となる場合には、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で前記読み出し回路に読み出し動作を行わせて、前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータ読み出し処理と、前記各放射線検出素子のリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、読み出された前記リークデータが閾値を上回った時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記非接続の端子がアクティブな状態となる場合には、前記リークデータ読み出し処理と前記リセット処理とを行わせず、前記通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、
前記通常シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始するとともに、前記高速シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始し、
前記高速シフト処理が後から開始される前記ブロック領域における前記リークデータ読み出し処理で読み出される前記リークデータのうち前記高速シフト処理の直前に行われる前記リークデータ読み出し処理で読み出された前記リークデータが、前記閾値を上回った場合には、放射線の照射開始を検出しないことを特徴とする。
【００３８】
また、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
電源回路と複数のゲートドライバとを備え、オン電圧を印加する前記各走査線を切り替えながら前記各走査線にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記信号線に接続され、前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子から前記画像データを読み出す画像データ読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、
前記検出部は、複数のブロック領域で構成され、
前記各ブロック領域には、前記ゲートドライバがそれぞれ配置され、
前記ゲートドライバは、何れの前記走査線とも接続されていない非接続の端子を含む複数の端子を有し、
前記制御手段は、
前記ゲートドライバが有する複数の端子内でアクティブな状態となる端子を順次シフトさせ、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記走査線と接続されている端子がアクティブな状態となる場合には、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で前記読み出し回路に読み出し動作を行わせて、前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータ読み出し処理と、前記各放射線検出素子のリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、読み出された前記リークデータが閾値を上回った時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記非接続の端子がアクティブな状態となる場合には、前記リークデータ読み出し処理と前記リセット処理とを行わせず、前記通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、
前記通常シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始するとともに、前記高速シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始し、
前記高速シフト処理が後から開始される前記ブロック領域における前記リークデータ読み出し処理で読み出される前記リークデータのうち前記高速シフト処理の直前に行われる前記リークデータ読み出し処理で読み出された前記リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合には、その後に行われる画像データ読み出し処理のうち前記高速シフト処理が先に開始される前記ブロック領域における前記画像データ読み出し処理で、前記高速シフト処理の際に最初にアクティブな状態となる端子から順次アクティブな状態の端子をシフトさせながら前記画像データを読み出させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３９】
本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、簡易な構成で、常に、各ブロック領域同士の間で画像データを読み出す位置を対応させることが可能となる。
したがって、簡易な構成で、画像データ読み出し処理で読み出された画像データの不整合を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】放射線画像撮影装置のコネクタにケーブルのコネクタを接続した状態を表す斜視図である。
【図４】放射線画像撮影装置の基板の構成を示す平面図である。
【図５】図４の基板上の小領域に形成された放射線検出素子やＴＦＴなどの構成を示す拡大図である。
【図６】フレキシブル回路基板やＰＣＢ基板などが取り付けられた基板を説明する側面図である。
【図７】放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。
【図８】検出部を構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【図９】各放射線検出素子のリセット処理における電荷リセット用スイッチやＴＦＴのオン／オフのタイミングを表すタイミングチャートである。
【図１０】画像データ読み出し処理における電荷リセット用スイッチ、パルス信号、ＴＦＴのオン／オフのタイミングを表すタイミングチャートである。
【図１１】ＴＦＴを介して各放射線検出素子からリークした各電荷がリークデータとして読み出されることを説明する図である。
【図１２】リークデータ読み出し処理における電荷リセット用スイッチやＴＦＴのオン／オフのタイミングを表すタイミングチャートである。
【図１３】放射線画像撮影前にリークデータ読み出し処理とリセット処理とを交互に行うように構成した場合の電荷リセット用スイッチ、パルス信号、ＴＦＴのオン／オフのタイミングを表すタイミングチャートである。
【図１４】放射線の照射開始の検出の仕方を説明するための図である。
【図１５】読み出されるリークデータを時系列的にプロットしたグラフである。
【図１６】放射線の照射終了の検出の仕方を説明するための図である。
【図１７】放射線の照射が終了するとリークデータが減少することを示すグラフである。
【図１８】検出部が２つのブロック領域で構成される場合の放射線画像撮影装置の基板の構成例を示す平面図である。
【図１９】非接続の端子を説明するための図である。
【図２０】アクティブな状態となる端子のシフトのさせ方について説明するための図である。
【図２１】第１実施形態の場合における、高速シフト処理および通常シフト処理の開始のタイミングを説明するための図である。
【図２２】第１実施形態の場合における、最終リークデータ以外のリークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合に行われる処理を説明するための図である。
【図２３】第１実施形態の場合における、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合に行われる制御を説明するための図である。
【図２４】第２実施形態の場合における、最終リークデータが閾値を上回った場合に行われる制御を説明するための図である。
【図２５】第３実施形態の場合における、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合に行われる制御を説明するための図である。
【図２６】従来の場合、第２実施形態の場合、第３実施形態の場合における、高速シフト処理および通常シフト処理の開始のタイミングを説明するための図である。
【図２７】従来の場合、第２実施形態の場合、第３実施形態の場合における、最終リークデータ以外のリークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合に行われる処理を説明するための図である。
【図２８】従来の場合における、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合に行われる制御を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。ただし、本発明を適用可能な実施形態はこれに限定されるものではない。また、本発明は図示例に限定されるものでもない。
【００４２】
なお、以下では、放射線画像撮影装置として、シンチレータ等を備え、放射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得る、いわゆる間接型の放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレータ等を介さずに放射線を放射線検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。
【００４３】
＜第１実施形態＞
まず、第１実施形態に係る放射線画像撮影装置について説明する。
以下、放射線画像撮影装置の基本的な構成について説明し、本実施形態に特有の構成については、基本的な構成を説明した後で説明する。
【００４４】
［放射線画像撮影装置の基本的な構成について］
図１は、放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。また、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体２内にシンチレータ３や基板４などで構成されるセンサパネルＳＰが収納されて構成されている。
【００４５】
本実施形態において、筐体２のうち、放射線入射面Ｒを有する中空の角筒状のハウジング本体部２Ａは、放射線を透過するカーボン板やプラスチックなどの材料で形成されている。このハウジング本体部２Ａの両側の開口部を蓋部材２Ｂ、２Ｃで閉塞することで筐体２が形成されている。
なお、筐体２をこのようないわゆるモノコック型として形成する代わりに、例えば、フロント板とバック板とで形成された、いわゆる弁当箱型とすることも可能である。
【００４６】
本実施形態において、筐体２の一方側の蓋部材２Ｂには、電源スイッチ３７や切替スイッチ３８などが配置されている。
また、本実施形態において、蓋部材２Ｂには、バッテリ状態や放射線画像撮影装置１の稼働状態などを表示するＬＥＤ等で構成されたインジケータ４０が配置されている。
【００４７】
また、本実施形態において、蓋部材２Ｂには、例えば図３に示すように、ケーブルＣａの先端に設けられたコネクタＣが接続され、ケーブルＣａを介してコンソール等の外部装置との間で有線通信を行うためのコネクタ３９が配置されている。放射線画像撮影装置１は、コンソール等の外部装置との間で有線通信を行って、信号等を送受信したり、画像データ等を送信したりするようになっている。
なお、コネクタ３９の設置位置は蓋部材２Ｂに限定されず、放射線画像撮影装置１の適宜の位置に設置することが可能である。
【００４８】
また、図示を省略するが、例えば筐体２の他方側の蓋部材２Ｃ等には、コンソール等の外部装置との間で無線通信を行うためのアンテナ装置４１（後述する図７参照）が、例えば蓋部材２Ｃに埋め込む等して設けられている。放射線画像撮影装置１は、コンソール等の外部装置との間で無線通信を行って、信号等を送受信したり、画像データ等を送信したりするようになっている。
なお、アンテナ装置４１の設置位置は蓋部材２Ｃに限定されず、放射線画像撮影装置１の任意の位置にアンテナ装置４１を設置することが可能である。また、設置するアンテナ装置４１は１個に限らず、複数設けることも可能である。
【００４９】
図２に示すように、筐体２の内部には、基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置されている。この基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３やバッテリ２４などが取り付けられている。
また、基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒ側の面には、それらを保護するためのガラス基板３４が配設されている。
また、本実施形態においては、センサパネルＳＰと筐体２の側面との間に、それらがぶつかり合うことを防止するための緩衝材３５が設けられている。
【００５０】
シンチレータ３は、基板４の検出部Ｐ（後述）に対向する位置に設けられている。本実施形態において、シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。
【００５１】
本実施形態において、基板４は、ガラス基板で構成されている。この基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、図４に示すように、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。なお、図４に示す基板４の構成は、放射線画像撮影装置１の基本的な構成を説明するためのものであり、本実施形態に特有の構成については後で説明する。
【００５２】
基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６とにより区画された各小領域ｒには、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。
このように、走査線５と信号線６とで区画された各小領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７が設けられた小領域ｒの全体、すなわち図４に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。
【００５３】
本実施形態においては、放射線検出素子７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。
各放射線検出素子７は、図４の拡大図である図５に示すように、スイッチ手段であるＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。
【００５４】
放射線検出素子７は、放射線画像撮影装置１の筐体２の放射線入射面Ｒから放射線が入射し、シンチレータ３で放射線から変換された可視光等の電磁波が照射されると、その内部で電子正孔対を発生させる。放射線検出素子７は、このようにして、照射された放射線（本実施形態ではシンチレータ３で放射線から変換された電磁波）を電荷に変換するように構成されている。
【００５５】
そして、ＴＦＴ８は、走査駆動手段１５（後述）から、接続された走査線５を介してゲート電極８ｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、ソース電極８ｓやドレイン電極８ｄを介して放射線検出素子７内に蓄積されている電荷を信号線６に放出させるように構成されている。
また、ＴＦＴ８は、走査駆動手段１５（後述）から、接続された走査線５を介してゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７内に電荷を蓄積させるように構成されている。
【００５６】
本実施形態においては、図４や図５に示すように、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子７に１本のバイアス線９が接続されており、各バイアス線９はそれぞれ信号線６に平行に配設されている。また、図４に示すように、各バイアス線９は、基板４の検出部Ｐの外側の位置で結線１０に結束されている。
【００５７】
また、本実施形態において、各走査線５や各信号線６、バイアス線９の結線１０は、図４に示すように、それぞれ基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子（「パッド」ともいう。）１１に接続されている。各入出力端子１１には、図６に示すように、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂ（後述）を構成するゲートＩＣ１５ｃ等のチップがフィルム上に組み込まれたフレキシブル回路基板（「Chip On Film」等ともいう。）１２が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）などの異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。
【００５８】
そして、フレキシブル回路基板１２は、基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側でＰＣＢ基板３３に接続されている。このようにして、放射線画像撮影装置１のセンサパネルＳＰが形成されている。なお、図６では、電子部品３２等の図示が省略されている。
【００５９】
ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。
図７は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路を表すブロック図である。また、図８は、検出部Ｐを構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【００６０】
基板４の検出部Ｐの各放射線検出素子７は、その第２電極７ｂにそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７ｂにそれぞれバイアス電圧を印加するように構成されている。
また、バイアス電源１４は、制御手段２２（後述）に接続されており、制御手段２２によって、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧が制御されるように構成されている。
【００６１】
図７や図８に示すように、本実施形態においては、バイアス電源１４から、放射線検出素子７の第２電極７ｂにバイアス線９を介してバイアス電圧として放射線検出素子７の第１電極７ａ側にかかる電圧以下の電圧（すなわちいわゆる逆バイアス電圧）が印加されるように構成されている。
【００６２】
走査駆動手段１５は、配線１５ｄを介してゲートドライバ１５ｂにオン電圧とオフ電圧とを供給する電源回路１５ａと、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて各ＴＦＴ８のオン状態とオフ状態とを切り替えるゲートドライバ１５ｂとを備えている。本実施形態において、ゲートドライバ１５ｂは、複数のゲートＩＣ１５ｃ（図６参照）が並設されて構成されている。
【００６３】
図７や図８に示すように、各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に内蔵された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。
読み出しＩＣ１６内には、主に、増幅回路１８と相関二重サンプリング回路１９などで構成される読み出し回路１７と、アナログマルチプレクサ２１と、Ａ／Ｄ変換器２０とが設けられている。なお、図７や図８中では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。また、図８中では、アナログマルチプレクサ２１は省略されている。
【００６４】
本実施形態において、増幅回路１８は、オペアンプ１８ａと、オペアンプ１８ａにそれぞれ並列に接続されたコンデンサ１８ｂおよび電荷リセット用スイッチ１８ｃと、オペアンプ１８ａ等に電力を供給する電源供給部１８ｄとを備えたチャージアンプ回路で構成されている。
増幅回路１８のオペアンプ１８ａの入力側の反転入力端子には信号線６が接続されており、増幅回路１８の入力側の非反転入力端子には基準電位Ｖ０が印加されるように構成されている。
なお、基準電位Ｖ０は適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば０［Ｖ］が印加されるようになっている。
【００６５】
また、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃは、制御手段２２に接続されており、制御手段２２によりオン／オフが制御されるように構成されている。
また、オペアンプ１８ａと相関二重サンプリング回路１９との間には、電荷リセット用スイッチ１８ｃと連動して開閉するスイッチ１８ｅが設けられており、スイッチ１８ｅは、電荷リセット用スイッチ１８ｃのオン／オフ動作と連動してオフ／オン動作するように構成されている。
【００６６】
放射線画像撮影装置１では、各放射線検出素子７内に残存する電荷を各放射線検出素子７内から除去して各放射線検出素子７をリセットするためのリセット処理が行われる場合がある。
各放射線検出素子７のリセット処理の際には、図９に示すように、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃがオン状態（およびスイッチ１８ｅがオフ状態）とされた状態で、各ＴＦＴ８がオン状態とされる。
すると、オン状態とされた各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７から電荷が信号線６に放出され、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃを通過して、オペアンプ１８ａの出力端子側からオペアンプ１８ａ内を通り、非反転入力端子から出てアースされたり、電源供給部１８ｄに流れ出したりする。このようにして、各放射線検出素子７のリセット処理が行われる。
【００６７】
一方、各放射線検出素子７から画像データを読み出すための画像データ読み出し処理の際には、図１０に示すように、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃがオフ状態（およびスイッチ１８ｅがオン状態）とされた状態で、各ＴＦＴ８がオン状態とされる。
すると、オン状態とされた各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７から電荷が信号線６に放出され、増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに蓄積される。
増幅回路１８では、コンデンサ１８ｂに蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ１８ａの出力側から出力されるように構成されている。すなわち、各放射線検出素子７から流出した電荷は、増幅回路１８によって電荷電圧変換される。
【００６８】
増幅回路１８の出力側には、相関二重サンプリング回路（ＣＤＳ）１９が設けられている。
相関二重サンプリング回路１９は、各放射線検出素子７から電荷が流出する前に制御手段２２からパルス信号Ｓｐ１（図１０参照）が送信されると、その時点で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖinを保持し、各放射線検出素子７から流出した電荷が増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに蓄積された後に制御手段２２からパルス信号Ｓｐ２が送信されると、その時点で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖfiを保持する。
【００６９】
そして、相関二重サンプリング回路１９は、２回目のパルス信号Ｓｐ２で電圧値Ｖfiを保持すると、電圧値の差分Ｖfi−Ｖinを算出し、算出した差分Ｖfi−Ｖinをアナログ値の画像データとして下流側に出力する。このアナログ値の画像データは、アナログマルチプレクサ２１を介して順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信されて、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データに変換される。そして、記憶手段２３に出力されて順次保存される。
【００７０】
なお、１回の画像データ読み出し処理が終了すると、増幅回路１８の電荷リセット用スイッチ１８ｃがオン状態とされ（図１０参照）、コンデンサ１８ｂに蓄積された電荷が放電されて、上記と同様に、放電された電荷がオペアンプ１８ａの出力端子側からオペアンプ１８ａ内を通り、非反転入力端子から出てアースされたり、電源供給部１８ｄに流れ出したりする等して、増幅回路１８がリセットされる。
【００７１】
制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各機能部の動作等を制御する。
具体的には、制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェースなどがバスに接続されたコンピュータ、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。なお、制御手段２２は、専用の制御回路で構成されていてもよい。
また、図７等に示すように、制御手段２２には、ＳＲＡＭ（Static ＲＡＭ）やＳＤＲＡＭ（Synchronous ＤＲＡＭ）などで構成される記憶手段２３が接続されている。
【００７２】
また、本実施形態では、制御手段２２には、アンテナ装置４１が接続されている。
さらに、制御手段２２には、検出部Ｐや走査駆動手段１５、読み出し回路１７、記憶手段２３、バイアス電源１４などの各機能部に電力を供給するためのバッテリ２４が接続されている。このバッテリ２４には、図示しない充電装置からバッテリ２４に電力を供給してバッテリ２４を充電する際の接続端子２５が取り付けられている。
【００７３】
前述したように、制御手段２２は、走査駆動手段１５や読み出し回路１７などを制御して、各放射線検出素子７から画像データを読み出すための画像データ読み出し処理や各放射線検出素子７をリセットするためのリセット処理などを行わせたり、バイアス電源１４を制御してバイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧を設定したり可変させたりする等して、放射線画像撮影装置１の各機能部の動作を制御するように構成されている。
【００７４】
［放射線の照射開始の検出について］
本実施形態においては、放射線画像撮影装置１と放射線発生装置との間でインターフェースが構築されず、放射線画像撮影装置１自体で放射線発生装置の放射線源から放射線が照射されたことを検出するように構成されている。以下、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１で行われる放射線の照射開始の検出の仕方について説明する。
【００７５】
本実施形態においては、放射線画像撮影に際し放射線画像撮影装置１に放射線が照射される前に、リークデータ読み出し処理を繰り返し行うように構成されている。
ここで、リークデータｄleakとは、図１１に示すように、各走査線５にオフ電圧を印加した状態で、オフ状態になっている各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７からリークする電荷ｑの信号線６ごとの合計値に相当するデータである。
【００７６】
リークデータ読み出し処理では、図９に示した各放射線検出素子７のリセット処理や図１０に示した画像データ読み出し処理の場合と異なり、図１２に示すように、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加して各ＴＦＴ８をオフ状態とした状態で、制御手段２２から各読み出し回路１７の相関二重サンプリング回路１９にパルス信号Ｓｐ１、Ｓｐ２が送信される。
【００７７】
相関二重サンプリング回路１９は、制御手段２２からパルス信号Ｓｐ１が送信されると、その時点で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖinを保持する。そして、増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７からリークする電荷ｑが蓄積されて増幅回路１８から出力される電圧値が上昇し、制御手段２２からパルス信号Ｓｐ２が送信されると、相関二重サンプリング回路１９は、その時点で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖfiを保持する。
【００７８】
そして、相関二重サンプリング回路１９は電圧値の差分Ｖfi−Ｖinを算出して出力するが、この差分Ｖfi−Ｖinがリークデータｄleakとなる。リークデータｄleakが、その後、Ａ／Ｄ変換器２０でデジタル値に変換されることは、前述した画像データ読み出し処理の場合と同様である。
【００７９】
しかし、リークデータ読み出し処理のみを繰り返し行うように構成すると、各ＴＦＴ８がオフ状態のままとなってしまい、各放射線検出素子７内で発生した暗電荷が各放射線検出素子７内に蓄積され続ける状態になってしまう。
そのため、放射線画像撮影前に、リークデータ読み出し処理を繰り返し行うように構成する場合には、図１３に示すように、各走査線５にオフ電圧を印加した状態で行うリークデータ読み出し処理と、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加して行う各放射線検出素子７のリセット処理とを交互に繰り返し行うように構成することが望ましい。
【００８０】
このように、放射線画像撮影前にリークデータ読み出し処理と各放射線検出素子７のリセット処理とを交互に繰り返し行うように構成した場合、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始されると、シンチレータ３で放射線から変換された電磁波が、各ＴＦＴ８に照射される。そして、それにより、各ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子７からリークする電荷ｑがそれぞれ増加することが本発明者らの研究で分かった。
【００８１】
例えば図１４に示すように、放射線画像撮影前にリークデータ読み出し処理と各放射線検出素子７のリセット処理とを交互に繰り返し行う場合、図１５に示すように、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が開始された時点で読み出されたリークデータｄleakが、それ以前に読み出されたリークデータｄleakよりも格段に大きな値になる。
【００８２】
なお、図１４および図１５では、図１４で走査線５のラインＬ３にオン電圧が印加されてリセット処理が行われた後の４回目のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが、図１５の時刻ｔ１におけるリークデータｄleakに対応する。
また、図１４において、「Ｌ」はリークデータ読み出し処理を表し、「Ｒ」は各放射線検出素子７のリセット処理を表す。
【００８３】
そこで、本実施形態においては、制御手段２２によって、放射線画像撮影前のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakを監視し、読み出されたリークデータｄleakが、例えば予め設定された所定の閾値ｄleak_th（図１５参照）を上回った時点で、放射線の照射開始を検出するように構成する。
【００８４】
制御手段２２は、放射線の照射開始を検出すると、図１４に示したように、その時点で各走査線５へのオン電圧の印加を停止する。そして、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の全てのラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加させ、各ＴＦＴ８をオフ状態にして、放射線の照射により各放射線検出素子７内で発生した電荷を各放射線検出素子７内に蓄積させる電荷蓄積状態に移行させる。
【００８５】
そして、例えば放射線の照射開始を検出してから所定時間が経過した後、或いは、後述するように放射線の照射終了を検出した後に、制御手段２２は、放射線画像撮影前のリークデータ読み出し処理で放射線の照射が開始されたことを検出した時点でオン電圧が印加されていた走査線５（図１４の場合は走査線５のラインＬ３）からオン電圧の印加を開始し、各走査線５にオン電圧を順次印加させて、各放射線検出素子７から画像データを読み出すための画像データ読み出し処理を行うように構成されている。
【００８６】
［放射線の照射終了の検出について］
図１４に示したように、放射線の照射開始を検出した後、各走査線５にオン電圧を順次印加して行う各放射線検出素子７のリセット処理は停止して、電荷蓄積状態に移行する。
【００８７】
その際、例えば図１６に示すように、電荷蓄積状態で、各走査線５にオフ電圧を印加して行うリークデータ読み出し処理を続行するように構成して、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射終了を検出するように構成することも可能である。
【００８８】
放射線の照射開始を検出した後、リークデータ読み出し処理を続行するように構成すると、電荷蓄積状態では既に放射線の照射が開始されているため、図１７に示すように、読み出されるリークデータｄleakは大きな値になっているが、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射が終了すると、リークデータｄleakは元の小さな値に戻る。
【００８９】
そのため、読み出されたリークデータｄleakが、例えば予め設定された所定の閾値ｄleak_th＊を下回った時点（図１７では時刻ｔ２）で、放射線の照射終了を検出するように構成することができる。
【００９０】
なお、放射線の照射終了を検出するための閾値ｄleak_th＊は、放射線の照射開始を検出するための閾値ｄleak_thと同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。
また、図１７では、時刻ｔ２で放射線の照射の終了を検出した後もリークデータ読み出し処理を引き続き行ってリークデータｄleakを読み出す場合が示されているが、実際には、放射線の照射終了を検出するとリークデータ読み出し処理は停止される。
【００９１】
そして、リークデータｄleakが閾値ｄleak_th＊を下回り、放射線の照射終了が検出された時点で、各走査線５へのオン電圧の順次の印加を開始して、各放射線検出素子７から画像データを読み出すための画像データ読み出し処理を開始するように構成することが可能となる。
【００９２】
このように構成すれば、図１６に示したように、放射線の照射終了を検出した後、直ちに画像データ読み出し処理を開始することが可能となり、画像データ読み出し処理以降の処理を早期に行うことが可能となるといった利点がある。
【００９３】
［検出手法の改良について］
放射線画像撮影装置１の検出部Ｐには、通常、数千本から数万本の信号線６が配線されており、各信号線６にそれぞれ読み出し回路１７が設けられている。そのため、１回のリークデータ読み出し処理で読み出されるリークデータｄleakの数は、数千個から数万個の数になる。
【００９４】
それら全てのリークデータｄleakについて、上記のように閾値を上回るか（或いは、下回るか）否かを判断する処理を各リークデータ読み出し処理ごとに行うように構成すると、処理が重くなり、リアルタイムで放射線の照射開始（或いは、照射終了）を検出することができなくなる虞れがある。そこで、以下のような検出手法Ａ等を採用することが可能である。
【００９５】
［検出手法Ａ］
読み出しＩＣ１６内には、例えば、１２８個や２５６個の読み出し回路１７が形成されて内蔵されている。すなわち、１個の読み出しＩＣ１６には、１２８本や２５６本の信号線６が接続されている。そして、１回のリークデータ読み出し処理で、１個の読み出しＩＣ１６から各信号線６ごとに１２８個や２５６個のリークデータｄleakが出力される。
【００９６】
いま、仮に信号線６が４０９６本設けられており、１個の読み出しＩＣ１６に２５６個の読み出し回路１７が内蔵されている（すなわち、１個の読み出しＩＣ１６に２５６本の信号線６が接続されている）とすると、読み出しＩＣ１６の数は、全部で１６個（＝４０９６÷２５６）になる。
【００９７】
そこで、例えば、１回のリークデータ読み出し処理で１つの読み出しＩＣ１６から出力されたリークデータｄleakの合計値や平均値、中間値、最大値など（以下、これらを代表して「平均値」という。）を算出し、各読み出しＩＣ１６から出力されたリークデータｄleakの平均値ｄleak_ave(z)が、それぞれ閾値を上回るか（或いは、下回るか）否かを判断するように構成することが可能である。
【００９８】
なお、平均値ｄleak_ave(z)中の“ｚ”は、読み出しＩＣ１６の番号であり、例えば、上記の例では、読み出しＩＣ１６は１６個設けられているため、“ｚ”は１から１６までの値をとる。
【００９９】
この検出手法Ａのように構成すれば、制御手段２２は、上記の例で言えば、１回のリークデータ読み出し処理で読み出される４０９６個のリークデータｄleakについて各々閾値を上回るか（或いは、下回るか）否かを判断する必要がなくなり、各読み出しＩＣ１６から出力されたリークデータｄleakの１６個の平均値ｄleak_ave(z)について閾値を上回るか（或いは、下回るか）否かを判断するだけで済む。そのため、放射線画像撮影装置１に対する放射線の照射開始（或いは、照射終了）の判断処理が軽くなる。
【０１００】
なお、上記の検出手法Ａ以外にも、放射線画像撮影装置１における放射線の照射開始（或いは、照射終了）の検出方法については種々の改良が可能である。
【０１０１】
［検出部の構成について］
本実施形態において、検出部Ｐは、複数のブロック領域で構成されている。
具体的には、例えば図１８に示すように、検出部Ｐ上で各信号線６および各バイアス線９をその延在方向の途中で分断し、検出部Ｐを２つのブロック領域Ｐ１、Ｐ２に分割している。本実施形態において、各信号線６および各バイアス線９は、その延在方向の中央部分でそれぞれ等分するように分断されている。
【０１０２】
そして、検出部Ｐの各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２の各走査線５は、図１９に示すように、それぞれ別々のゲートドライバ１５ｂ（ゲートドライバ１５ｂａ、１５ｂｂ）に接続されている。また、検出部Ｐの各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２の各信号線６も、それぞれ別々の読み出しＩＣ１６（読み出しＩＣ１６ａ、１６ｂ）に接続されている。なお、図１９では、入出力端子１１等の図示が省略されている。
以下、説明の便宜上、「上」、「下」、「左」、「右」を用いて説明するが、この「上」、「下」、「左」、「右」に特に意味はない。図１８や図１９、後述する図２０などにおいて図示した状態を便宜的に「上」、「下」、「左」、「右」と呼ぶだけである。
【０１０３】
図１８に示すように、本実施形態において、検出部Ｐは、当該検出部Ｐにおける上下方向略中央よりも上側の上側ブロック領域Ｐ１と、当該検出部Ｐにおける上下方向略中央よりも下側の下側ブロック領域Ｐ２とから構成されている。すなわち、検出部Ｐは、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２との上下２つのブロック領域で構成されている。
【０１０４】
また、本実施形態において、信号線６は、上下方向に沿って延在しており、検出部Ｐにおける上下方向略中央の位置で、上側ブロック領域Ｐ１に配置される信号線６と、下側ブロック領域Ｐ２に配置される信号線６とに分断されている。
そして、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている信号線６は、図１８に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも上側に延設されて、検出部Ｐよりも上側の位置でそれぞれ入出力端子１１に接続されている。
また、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている信号線６は、図１８に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも下側に延設されて、検出部Ｐよりも下側の位置でそれぞれ入出力端子１１に接続されている。
【０１０５】
また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数の信号線６は、所定の本数ごと（例えば、１２８本や２５６本ごと）に組になっている。同じ組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１は、互いに近接して配置されている。
同じ組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１は、１つのフレキシブル回路基板１２に接続されるようになっている。そして、同じ組に属する複数の信号線６は、１つの読み出しＩＣ１６に接続されるようになっている。すなわち、上側ブロック領域Ｐ１には、複数の読み出しＩＣ１６ａが配置され、下側ブロック領域Ｐ２には、複数の読み出しＩＣ１６ｂが配置されている。
【０１０６】
また、本実施形態において、バイアス線９は、上下方向に沿って延在しており、検出部Ｐにおける上下方向略中央の位置で、上側ブロック領域Ｐ１に配置されるバイアス線９と、下側ブロック領域Ｐ２に配置されるバイアス線９とに分断されている。
そして、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている各バイアス線９は、図１８に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも上側に延設されて、検出部Ｐよりも上側の位置でそれぞれ結線１０に結束されている。
また、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている各バイアス線９は、図１８に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも下側に延設されて、検出部Ｐよりも下側の位置でそれぞれ結線１０に結束されている。
【０１０７】
また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数のバイアス線９は、所定の本数ごと（例えば、１２８本や２５６本ごと）に組になっている。
具体的には、バイアス線９は、同じ組に属する複数の信号線６に接続されている各放射線検出素子７と接続するバイアス線９ごとに組になっている。すなわち、同じ組に属する複数の信号線６に接続されている各放射線検出素子７は、同じ組に属する複数のバイアス線９と接続している。
【０１０８】
また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数のバイアス線９は、所定の本数ごとに１本の結線１０で結束されている。
具体的には、図１８に示すように、同じ組に属する複数のバイアス線９のうち、左側の所定本数分が、１本の結線１０に結束されている。当該１本の結線１０は、対応する組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１のうち最も左側に位置する入出力端子１１の左側に近接して配置された入出力端子１１に接続されている。そして、この入出力端子１１、すなわち当該１本の結線１０に接続する入出力端子１１は、例えば、対応する組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１と同一のフレキシブル回路基板１２に接続されるようになっている。
【０１０９】
また、図１８に示すように、同じ組に属する複数のバイアス線９のうち、右側の所定本数分が、１本の結線１０に結束されている。当該１本の結線１０は、対応する組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１のうち最も右側に位置する入出力端子１１の右側に近接して配置された入出力端子１１に接続されている。そして、この入出力端子１１、すなわち当該１本の結線１０に接続する入出力端子１１は、例えば、対応する組に属する複数の信号線６に接続された各入出力端子１１と同一のフレキシブル回路基板１２に接続されるようになっている。
【０１１０】
また、本実施形態において、走査線５は、左右方向に沿って延在している。走査線５のうち、検出部Ｐにおける上下方向略中央よりも上側に配設されている走査線５は、上側ブロック領域Ｐ１に配置されており、検出部Ｐにおける上下方向略中央よりも下側に配設されている走査線５は、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている。
そして、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている走査線５と、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている走査線５とはともに、図１８に一点鎖線で示される検出部Ｐよりも左側に延設されて、検出部Ｐよりも左側の位置でそれぞれ入出力端子１１に接続されている。
【０１１１】
また、本実施形態において、同一のブロック領域に配置されている複数の走査線５は、所定の本数ごと（例えば、１２８本や２５６本ごと）に組になっている。同じ組に属する複数の走査線５に接続された各入出力端子１１は、互いに近接して配置されている。
同じ組に属する複数の走査線５に接続された各入出力端子１１は、１つのフレキシブル回路基板１２に接続されるようになっている。そして、同じ組に属する複数の走査線５は、１つのゲートＩＣ１５ｃに接続されるようになっている。すなわち、上側ブロック領域Ｐ１には、複数のゲートＩＣ１５ｃが並設されて構成されるゲートドライバ１５ｂａが配置され、下側ブロック領域Ｐ２には、複数のゲートＩＣ１５ｃが並設されて構成されるゲートドライバ１５ｂｂが配置されている。
【０１１２】
なお、本実施形態では、上側ブロック領域Ｐ１に５組の複数の走査線５が配置されているとともに、下側ブロック領域Ｐ２に５組の複数の走査線５が配置され、走査線５が２５６本ごとに１組とされていることとする。すなわち、上側ブロック領域Ｐ１に配置されているゲートドライバ１５ｂａは５つのゲートＩＣ１５ｃが並設されて構成されているとともに、下側ブロック領域Ｐ２に配置されているゲートドライバ１５ｂｂは５つのゲートＩＣ１５ｃが並設されて構成されており、各ゲートＩＣ１５ｃには２５６本の走査線５が接続されていることとするが、これに限定されるものではない。
【０１１３】
［アクティブな状態の端子について］
次に、本実施形態における走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂの構成や駆動のさせ方について説明する。
図２０は、本実施形態に係る走査駆動手段１５の構成およびゲートドライバ１５ｂに対する配線などを表す図である。なお、図２０では、入出力端子１１等の図示が省略されている。
【０１１４】
本実施形態において、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂは、複数のゲートＩＣ１５ｃが並設されて構成されている。
各ゲートＩＣ１５ｃには、電源回路１５ａからオン電圧を供給する配線Ｌonを介してオン電圧が供給される。また、各ゲートＩＣ１５ｃには、電源回路１５ａから図示しない別の配線を介してオフ電圧が供給される。そして、この配線Ｌonとオフ電圧を供給する配線とで、配線１５ｄ（図７参照）が構成されている。
【０１１５】
また、図２０に示すように、本実施形態において、各ゲートＩＣ１５ｃの両端部には、それぞれ配線Ｌse１と配線Ｌse２とが接続されている。そして、各配線Ｌse１、Ｌse２は、それぞれ制御手段２２に接続されている。
また、各ゲートＩＣ１５ｃには、制御手段２２からの配線Ｌshがそれぞれ接続されている。
【０１１６】
各ゲートＩＣ１５ｃの配線Ｌse１からシード信号が入力されると、各ゲートＩＣ１５ｃの図中上端の端子がアクティブな状態となる。そして、電源回路１５ａから配線Ｌonを介してオン電圧が供給されると、アクティブな状態の端子にオン電圧が印加され、当該端子に走査線５が接続されていれば、その走査線５にオン電圧が印加される。
【０１１７】
次いで、配線Ｌshを介してシフト信号が入力されると、アクティブな状態となる端子が、この場合は図中の１つ下側の端子に移動する。そして、その状態で、電源回路１５ａから配線Ｌonを介してオン電圧が供給されると、アクティブな状態の端子にオン電圧が印加され、当該端子に走査線５が接続されていれば、その走査線５にオン電圧が印加される。
【０１１８】
このようにして、各ゲートＩＣ１５ｃは、配線Ｌse１を介してゲートＩＣ１５ｃにシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力することで、アクティブな状態の端子を１つずつ移動させることができるように構成されている。
また、各端子がアクティブな状態となるごとに配線Ｌonを介して電源回路１５ａからオン電圧を供給することで、各端子にオン電圧を順次印加し、各端子に接続されている各走査線５にオン電圧を順次印加することができるように構成されている。
【０１１９】
そして、本実施形態においては、配線Ｌse１側から各ゲートＩＣ１５ｃにシード信号を入力すると、各ゲートＩＣ１５ｃの図中下端の端子がアクティブな状態とされた次のタイミングで配線Ｌse２からシード信号が出力されるように構成されている。
【０１２０】
これにより、例えば、図２０中の最も上側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１からシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態の端子を下側にシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse２を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、上から２番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１を介してシード信号を入力する。
そして、配線Ｌshを介して上から２番目のゲートＩＣ１５ｃにシフト信号を次々と入力してアクティブな状態の端子を下側にシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse２を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、上から３番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１を介してシード信号を入力する。
このような制御を繰り返すことで、各ゲートＩＣ１５ｃの各端子に接続されている走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに、上側のラインから順に下側のラインに向けてオン電圧を順次印加することができるように構成されている。
【０１２１】
また、本実施形態においては、上記とは逆に、配線Ｌse２側から各ゲートＩＣ１５ｃにシード信号を入力して、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力すると、今度は、各ゲートＩＣ１５ｃの図中下側の端子から順にアクティブな状態の端子が上側にシフトしていくように構成されている。
【０１２２】
これにより、例えば、図２０中の最も下側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２からシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態の端子を上側にシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse１を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、下から２番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２を介してシード信号を入力する。
そして、配線Ｌshを介して下から２番目のゲートＩＣ１５ｃにシフト信号を次々と入力してアクティブな状態の端子を上側にシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse１を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、下から３番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２を介してシード信号を入力する。
このような制御を繰り返すことで、各ゲートＩＣ１５ｃの各端子に接続されている走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに、下側のラインから順に上側のラインに向けてオン電圧を順次印加することができるように構成されている。
【０１２３】
なお、本実施形態では、例えば図１９に太矢印で示すように、上側ブロック領域Ｐ１において、アクティブな状態の端子が上側から下側へとシフトし、下側ブロック領域Ｐ２において、アクティブな状態の端子が下側から上側へとシフトするように構成されている。すなわち、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において、アクティブな状態の端子が外側から内側へとそれぞれシフトするように構成されているが、これに限ることはなく、アクティブな状態の端子が内側から外側へとそれぞれシフトするように構成することも可能である。
【０１２４】
［非接続の端子について］
ところで、ゲートドライバ１５ｂを構成する各ゲートＩＣ１５ｃの１つ（或いは複数）に、走査線５が接続されていない、いわゆる非接続の端子ｔが複数（或いは１つ）存在する場合がある。
【０１２５】
なお、本実施形態では、図１９や図２０に示すように、上側ブロック領域Ｐ１に配置されているゲートドライバ１５ｂａを構成するゲートＩＣ１５ｃのうち最も上側のゲートＩＣ１５ｃに非接続の端子ｔが存在するとともに、下側ブロック領域Ｐ２に配置されているゲートドライバ１５ｂｂを構成するゲートＩＣ１５ｃのうち最も下側のゲートＩＣ１５ｃに非接続の端子ｔが存在することとする。
すなわち、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において、最も外側のゲートＩＣ１５ｃに非接続の端子ｔが存在することとするが、これに限定されるものではなく、非接続の端子ｔを有するゲートＩＣ１５ｃの位置や個数は任意である。
【０１２６】
また、本実施形態では、各ゲートＩＣ１５ｃは２５６個の端子を有し、上側ブロック領域Ｐ１における最も上側のゲートＩＣ１５ｃが有する２５６個の端子のうち上側の６４個の端子が非接続の端子ｔであるとともに、下側ブロック領域Ｐ２における最も下側のゲートＩＣ１５ｃが有する２５６個の端子のうち下側の６４個の端子が非接続の端子ｔであることとする。
すなわち、各ゲートドライバ１５ｂはそれぞれ５個のゲートＩＣ１５ｃにより構成されるので、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において、ゲートドライバ１５ｂはそれぞれ１２８０個（＝２５６×５）の端子を有し、１２８０個の端子のうち外側の６４個の端子が非接続の端子ｔであることとするが、これに限定されるものではなく、ゲートドライバ１５ｂが有する端子の個数、ゲートドライバ１５ｂにおける非接続の端子ｔの位置や個数は任意である。なお、図１９や図２０では、便宜上、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において外側の８個の端子が非接続の端子ｔとなっている。
【０１２７】
したがって、本実施形態において、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている走査線５の本数は、１２１６本（＝１２８０−６４）であり、そのうち上側の１９２本（＝２５６−６４）の走査線５は、１９２本で１組となっている。
すなわち、各ゲートＩＣ１５ｃは２５６個の端子を有しているが、上側ブロック領域Ｐ１に配置されているゲートドライバ１５ｂａを構成するゲートＩＣ１５ｃのうち、最も上側のゲートＩＣ１５ｃには１９２本の走査線５が接続され、他のゲートＩＣ１５ｃには２５６本の走査線５が接続されている。
【０１２８】
また、本実施形態において、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている走査線５の本数は、１２１６本（＝１２８０−６４）であり、そのうち下側の１９２本（＝２５６−６４）の走査線５は、１９２本で１組となっている。
すなわち、各ゲートＩＣ１５ｃは２５６個の端子を有しているが、下側ブロック領域Ｐ２に配置されているゲートドライバ１５ｂａを構成するゲートＩＣ１５ｃのうち、最も下側のゲートＩＣ１５ｃには１９２本の走査線５が接続され、他のゲートＩＣ１５ｃには２５６本の走査線５が接続されている。
【０１２９】
［通常シフト処理および高速シフト処理について］
次に、本実施形態における通常シフト処理および高速シフト処理について説明する。
本実施形態においては、放射線画像撮影前に放射線の照射開始を検出するため、図１３に示すように、各走査線５にオフ電圧を印加した状態で行うリークデータ読み出し処理と、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加して行う各放射線検出素子７のリセット処理とを交互に繰り返し行うように構成されている。
【０１３０】
具体的には、制御手段２２は、上側ブロック領域Ｐ１において、一の端子がアクティブな状態になると、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせる。当該リークデータ読み出し処理では、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている全放射線検出素子７からリークする電荷ｑに基づくリークデータｄleakが読み出される。また、当該リセット処理では、当該一の端子、すなわちアクティブな状態の端子と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７がリセットされる。
次いで、上側ブロック領域Ｐ１において、当該一の端子よりも１つ内側（１つ下側）の端子がアクティブな状態になると、制御手段２２は、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせる。
【０１３１】
このような制御が繰り返し行われることで、上側ブロック領域Ｐ１において、最も内側（最も下側）の端子がアクティブな状態になり、リークデータ読み出し処理とリセット処理とが行われると、再び最も外側（最も上側）の端子がアクティブな状態になる。そして、同様の制御が繰り返し行われる。
【０１３２】
また、下側ブロック領域Ｐ２においても同様に、制御手段２２は、一の端子がアクティブな状態になると、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせる。当該リークデータ読み出し処理では、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている全放射線検出素子７からリークする電荷ｑに基づくリークデータｄleakが読み出される。また、当該リセット処理では、当該一の端子、すなわちアクティブな状態の端子と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７がリセットされる。
次いで、下側ブロック領域Ｐ２において、当該一の端子よりも１つ内側（１つ上側）の端子がアクティブな状態になると、制御手段２２は、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせる。
【０１３３】
このような制御が繰り返し行われることで、下側ブロック領域Ｐ２において、最も内側（最も上側）の端子がアクティブな状態になり、リークデータ読み出し処理とリセット処理とが行われると、再び最も外側（最も下側）の端子がアクティブな状態になる。そして、同様の制御が繰り返し行われる。
【０１３４】
その際、非接続の端子ｔには走査線５が接続されていないため、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合、リセット処理を行ってアクティブな状態の非接続の端子ｔにオン電圧を印加しても、走査線５の何れのラインＬ１〜Ｌｘにもオン電圧が印加されない。すなわち、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行っても、何れの放射線検出素子７もリセットされない。そのため、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行うと、無駄にリセット処理を行うことになる。
【０１３５】
また、リセット処理は、放射線検出素子７自体の熱による熱励起等により発生する、いわゆる暗電荷を各放射線検出素子７内から除去するために行われる。しかし、前述したように、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行っても、何れの放射線検出素子７もリセットされない。そのため、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合にリセット処理を行うと、その間に、暗電荷が各放射線検出素子７内に徐々に蓄積していくので、暗電荷が無駄に多く蓄積されてしまうことになる。
【０１３６】
そこで、本実施形態においては、非接続の端子ｔがアクティブな状態である場合、リークデータ読み出し処理もリセット処理も行わずアクティブな状態の端子を高速にシフトさせて、何れの放射線検出素子７もリセットされない期間を短縮することとする。
【０１３７】
すなわち、制御手段２２は、ゲートドライバ１５ｂの端子（具体的には、ゲートドライバ１５ｂを構成する各ゲートＩＣ１５ｃの端子）のうち走査線５と接続されている端子がアクティブな状態となる場合には、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行する。
【０１３８】
また、制御手段２２は、ゲートドライバ１５ｂの端子（具体的には、ゲートドライバ１５ｂを構成する各ゲートＩＣ１５ｃの端子）のうち非接続の端子ｔがアクティブな状態となる場合には、リークデータ読み出し処理とリセット処理とを行わせず、直ちにアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行する。すなわち、高速シフト処理では、通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子がシフトされる。また、高速シフト処理では、非接続の端子ｔをアクティブな状態とするだけで、当該非接続の端子ｔにはオン電圧は印加されない。
【０１３９】
より具体的に、本実施形態における通常シフト処理および高速シフト処理について、図２１〜図２３を参照して説明する。
なお、図２１〜図２３および後述する図２４や図２５における、「Ｌ」、「Ｒ」、リークデータ読み出し処理（「Ｌ」）の後ろにある斜線部分、「１〜６４」や「６５」などの数字等については、図２６等と同様であるので、その説明は省略する。
【０１４０】
前述したように、本実施形態では、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において、アクティブな状態となる端子が外側から内側へとそれぞれシフトするように構成されている。
また、前述したように、本実施形態では、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２において、ゲートドライバ１５ｂはそれぞれ１２８０個の端子を有し、１２８０個の端子のうち外側の６４個の端子が非接続の端子ｔである。
【０１４１】
ここで、本実施形態においては、上側ブロック領域Ｐ１に配置されている放射線検出素子７から読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かを判定するタイミングと、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている放射線検出素子７から読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かを判定するタイミングとがずれるように、通常シフト処理を、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに異なるタイミングで開始するように構成されている。これにより、上側ブロック領域Ｐ１におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かを判定するタイミングと、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かを判定するタイミングとが同時である場合と比較して、読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かを的確に判定することが可能となる。
【０１４２】
なお、本実施形態では、上側ブロック領域Ｐ１における通常シフト処理の開始タイミングよりも、下側ブロック領域Ｐ２における通常シフト処理の開始タイミングが遅い場合について説明するが、これに限定されるものではない。例えば、下側ブロック領域Ｐ２における通常シフト処理の開始タイミングよりも、上側ブロック領域Ｐ１における通常シフト処理の開始タイミングが早くなるように構成することも可能である。
【０１４３】
また、本実施形態において、制御手段２２は、高速シフト処理を、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに同一のタイミングで開始するように構成されている。
【０１４４】
具体的には、図２１に示すように、上側ブロック領域Ｐ１においては、まず、アクティブな状態の端子が「上から１番目の端子（最も外側の端子）」から「上から６４番目の端子（非接続の端子ｔのうち最も内側の端子）」へとシフトする。その際、「上から１番目の端子」から「上から６４番目の端子」は非接続の端子ｔであるため、制御手段２２は、高速シフト処理を実行して、アクティブな状態の端子を「上から１番目の端子」から「上から６４番目の端子」へとシフトさせる。
【０１４５】
また、下側ブロック領域Ｐ２においても、上側ブロック領域Ｐ１と同じタイミングで、アクティブな状態の端子が「下から１番目の端子（最も外側の端子）」から「下から６４番目の端子（非接続の端子ｔのうち最も内側の端子）」へとシフトする。その際、「下から１番目の端子」から「下から６４番目の端子」は非接続の端子ｔであるため、制御手段２２は、高速シフト処理を実行して、アクティブな状態の端子を「下から１番目の端子」から「下から６４番目の端子」へとシフトさせる。
【０１４６】
次いで、上側ブロック領域Ｐ１においては、アクティブな状態の端子が「上から６５番目の端子（走査線５が接続されている端子のうち最も外側の端子）」から「上から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」へとシフトする。その際、「上から６５番目の端子」から「上から１２８０番目の端子」は走査線５が接続されている端子であるため、制御手段２２は、通常シフト処理を実行して、アクティブな状態の端子を「上から６５番目の端子」から「上から１２８０番目の端子」へとシフトさせる。
【０１４７】
次いで、「上から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」の次は、再び「上から１番目の端子（最も外側の端子）」がアクティブな状態になる。そして、制御手段２２は、所定の待機時間（例えば１ｍ秒）が経過した後に、再度「上から１番目の端子」から上記と同様の制御を繰り返し行う。
【０１４８】
一方、下側ブロック領域Ｐ２においても同様に、通常シフト処理が実行されて、アクティブな状態の端子が「下から６５番目の端子（走査線５が接続されている端子のうち最も外側の端子）」から「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」へとシフトするが、制御手段２２は、上側ブロック領域Ｐ１における一連の通常シフト処理を開始してから所定の待機時間（前述の待機時間と同じ、例えば１ｍ秒）が経過した後に、下側ブロック領域Ｐ２における一連の通常シフト処理を開始する。
【０１４９】
次いで、「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」の次は、再び「下から１番目の端子（最も外側の端子）」がアクティブな状態になる。そして、制御手段２２は、再度「下から１番目の端子」から上記と同様の制御を繰り返し行う。
【０１５０】
なお、通常シフト処理において、一の端子がアクティブな状態になっている時間は、例えば２ｍ秒である。
また、高速シフト処理において、一の端子がアクティブな状態になっている時間は、例えば５μ秒である。したがって、「上から１番目の端子」から「上から６４番目の端子」までの一連の高速シフト処理に要する時間は、３２０μ秒（＝５μ秒×６４）となる。
【０１５１】
そして、本実施形態においては、各待機時間を揃えることで、通常シフト処理が、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに異なるタイミングで開始され、高速シフト処理が、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに同一のタイミングで開始されるように構成されている。
なお、通常シフト処理が、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに異なるタイミングで開始され、高速シフト処理が、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに同一のタイミングで開始されるように構成可能であれば、各待機時間はそれぞれ異なってもよい。
【０１５２】
また、各待機時間、通常シフト処理において一の端子がアクティブな状態になっている時間、高速シフト処理において一の端子がアクティブな状態になっている時間等は、上側ブロック領域Ｐ１におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定と、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定とを交互に行うことができるのであれば任意である。
【０１５３】
そして、上側ブロック領域Ｐ１におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定、或いは、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定で、読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったと判定して、放射線の照射開始を検出すると、制御手段２２は、電荷蓄積状態に移行し、その後、所定のタイミングで一連の画像データ読み出し処理を開始する。
【０１５４】
具体的には、例えば図２２に示すように、アクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたとする。
【０１５５】
本実施形態において、放射線の照射開始を検出した後は、各放射線検出素子７のリセット処理を行わないように構成されている。そのため、図２２に示す例の場合は、アクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理の後に行われるリセット処理、すなわちアクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリセット処理は行われない。
また、上側ブロック領域Ｐ１においては、当該検出の時点には、アクティブな状態の端子が「上から１３０番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理が行われているので、当該リークデータ読み出し処理の後に行われるリセット処理、すなわちアクティブな状態の端子が「上から１３０番目の端子」である際におけるリセット処理は行わず、「上から１３０番目の端子」がアクティブな状態となってから所定時間（例えば２ｍ秒）が経過した後に、そのまま電荷蓄積状態に移行する。
【０１５６】
そして、電荷蓄積状態に移行し、所定のタイミングで一連の画像データ読み出し処理が開始されると、例えば、放射線の照射開始を検出した時点でアクティブな状態になっていた端子から順にアクティブな状態となる。
【０１５７】
具体的には、図２２に示す例の場合は、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたので、制御手段２２は、まず、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理を開始する。そして、制御手段２２は、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理が開始されてから所定の待機時間（前述の待機時間と同じ、例えば１ｍ秒）が経過した後に、上側ブロック処理Ｐ１における一連の画像データ読み出し処理を開始する。
【０１５８】
その際、図２２に示す例の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、放射線の照射開始を検出した時点で「下から１２９番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「下から１２９番目の端子」から順に、すなわち「下から１２９番目の端子」→「下から１３０番目の端子」→・・・の順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
また、図２２に示す例の場合、上側ブロック領域Ｐ１においては、放射線の照射開始を検出した時点で「上から１３０番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「上から１３０番目の端子」から順に、すなわち「上から１３０番目の端子」→「上から１３１番目の端子」→・・・の順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
【０１５９】
一方、例えば図２３に示すように、アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたとする。
【０１６０】
前述したように、本実施形態において、放射線の照射開始を検出した後は、各放射線検出素子７のリセット処理を行わないように構成されている。そのため、図２３に示す例の場合は、アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子」である際におけるリセット処理は行わず、「下から１２８０番目の端子」がアクティブな状態となってから所定時間（例えば２ｍ秒）が経過した後に、そのまま電荷蓄積状態に移行する。
また、上側ブロック領域Ｐ１においては、当該検出の時点には、「上から１番目の端子」をアクティブな状態にして高速シフト処理の開始を待機している状態にあるので、所定の待機時間（例えば１ｍ秒）が経過した後に、高速シフト処理を開始せずそのまま電荷蓄積状態に移行する。
【０１６１】
そして、電荷蓄積状態に移行し、所定のタイミングで一連の画像データ読み出し処理が開始されると、例えば、放射線の照射開始を検出した時点でアクティブな状態になっていた端子から順にアクティブな状態となる。
【０１６２】
具体的には、図２３に示す例の場合は、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたので、制御手段２２は、まず、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理を開始する。そして、制御手段２２は、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理が開始されてから所定の待機時間（前述の待機時間と同じ、例えば１ｍ秒）が経過した後に、上側ブロック処理Ｐ１における一連の画像データ読み出し処理を開始する。
【０１６３】
その際、図２３に示す例の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、放射線の照射開始を検出した時点で「下から１２８０番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「下から１２８０番目の端子」から順に、すなわち「下から１２８０番目の端子」→「下から１番目の端子」→・・・の順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
また、図２３に示す例の場合、上側ブロック領域Ｐ１においては、放射線の照射開始を検出した時点で「上から１番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「上から１番目の端子」から順に、すなわち「上から１番目の端子」→「上から２番目の端子」→・・・の順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
【０１６４】
図２３に示す例の場合、画像データ読み出し処理では、検出部Ｐ全体で見れば、「下から１２８０番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から１番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「下から１番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から２番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→・・・の順に画像データが読み出される。
したがって、この場合、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応しているので、画像データを読み出された順に並べただけで、読み出された画像データを整合した状態に並べることができる。
【０１６５】
例えば、通常シフト処理と同様、高速シフト処理も、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに異なるタイミングで開始するように構成されている場合、画像データ読み出し処理で画像データを読み出す位置が、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで対応しなくなることがある。
【０１６６】
具体的には、図２８に示すように、最終接続端子（図２８の場合は「下から１２８０番目の端子」）がアクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出された場合、当該検出の時点では、処理が後から開始されるブロック領域（図２８に示す例の場合は下側ブロック領域Ｐ２）では高速シフト処理は再開されていないが、処理が先に開始されるブロック領域（図２８に示す例の場合は上側ブロック領域Ｐ１）では当該高速シフト処理に対応する高速シフト処理が終了し、その後に行われる通常シフト処理が再開されている。そのため、当該検出の時点では、処理が後から開始されるブロック領域よりも、処理が先に開始されるブロック領域の方が、アクティブな状態の端子の位置が複数端子分（図２８に示す例の場合は６５端子分）進んでおり、その後に行われる画像データ読み出し処理の際に、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応しなくなる。したがって、画像データを読み出された順に並べただけでは、読み出された画像データを整合した状態に並べることができない。そのため、読み出された画像データを整合した状態に並べるためには、例えば、最終接続端子がアクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出された場合のみ、読み出された画像データを特別な順に並べなければならない等、処理が煩雑になるという問題がある。
【０１６７】
これに対し、本実施形態のように、高速シフト処理を上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに同一のタイミングで開始するように構成することによって、常に、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置を対応させることが可能となる。すなわち、常に、各ブロック領域同士の間で画像データを読み出す位置を対応させることが可能となる。
【０１６８】
以上説明した本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、制御手段２２は、通常シフト処理を、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに異なるタイミングで開始するとともに、高速シフト処理を、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに同一のタイミングで開始するように構成されている。
【０１６９】
すなわち、高速シフト処理が、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに同一のタイミングで開始されるように構成されているので、最終接続端子（すなわち、処理が後から開始されるブロック領域に配置された走査線５が接続されている端子のうち、非接続の端子ｔをアクティブな状態にする直前にアクティブな状態にされる端子）がアクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出された場合であっても、常に、各ブロック領域同士の間で画像データを読み出す位置を対応させることが可能となる。
【０１７０】
したがって、最終接続端子がアクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleak、すなわち最終リークデータ（後述）に基づいて放射線の照射開始が検出された場合のみ、読み出された画像データを特別な順に並べなければならない等の煩雑な処理を行わなくても、高速シフト処理を各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに同一のタイミングで開始されるように構成するだけの簡易な構成で、画像データ読み出し処理で読み出された画像データの不整合を防止することが可能となる。
【０１７１】
また、以上説明した本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、制御手段２２は、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２においてアクティブな状態となる端子を外側から内側へとそれぞれシフトさせるように構成されている。
また、以上説明した本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、制御手段２２は、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２においてアクティブな状態となる端子を内側から外側へとそれぞれシフトさせるように構成することも可能である。
【０１７２】
画像データ読み出し処理に携わる機能部を構成する半導体等の安定性が、読み出された画像データに基づく画像の品質に大きく影響する場合等には、アクティブな状態となる端子を外側から内側へとシフトさせた方が、特に重要な情報が含まれることの多い内側部分の画像としてより高品質な画像を得ることができる。
一方、画像データ読み出し処理の間に蓄積される暗電荷が、読み出された画像データに基づく画像の品質に大きく影響する場合等には、アクティブな状態となる端子を内側から外側へとシフトさせた方が、特に重要な情報が含まれることの多い内側部分の画像としてより高品質な画像を得ることができる。
【０１７３】
ここで、１枚の画像の中で、特に重要な情報が含まれることの多い部分は内側部分（中央部分）である。
【０１７４】
各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２においてアクティブな状態となる端子を外側から内側へとそれぞれシフトさせるように構成した場合、一連の画像データ読み出し処理において、内側部分（中央部分）の画像の画像データは後から読み出されることになる。一連の画像データ読み出し処理を開始し各画像データ読み出し処理を繰り返すうちに画像データ読み出し処理に携わる機能部を構成する半導体等が安定していくので、内側部分の画像の画像データを後から読み出すことで、内側部分の画像の画像データを、外側部分の画像の画像データよりも安定した状態で読み出すことができる。
【０１７５】
一方、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２においてアクティブな状態となる端子を内側から外側へとそれぞれシフトさせるように構成した場合、一連の画像データ読み出し処理において、内側部分（中央部分）の画像の画像データは先に読み出されることになる。ＴＦＴ８がオフ状態である期間が長いほど放射線検出素子７内に蓄積される暗電荷の量が多くなるので、内側部分の画像の画像データを先に読み出すことで、内側部分の画像の画像データを、外側部分の画像の画像データよりも重畳されている暗電荷の量が少ない状態で読み出すことができる。
【０１７６】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る放射線画像撮影装置について説明する。
なお、第２実施形態においては、高速シフト処理を開始するタイミングや、最終リークデータ（後述）が閾値ｄleak_thを上回った場合には放射線の照射開始を検出しない点などが、第１実施形態と異なる。したがって、第１実施形態と同様の構成を有する部分については同じ符号を付して説明を省略し、主に異なる部分について説明する。
【０１７７】
本実施形態において、制御手段２２は、第１実施形態の場合と異なり、高速シフト処理を、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに異なるタイミングで開始するように構成されている。
すなわち、制御手段２２は、通常シフト処理も高速シフト処理も、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに異なるタイミングで開始するように構成されている。
【０１７８】
具体的には、従来の場合と同様、図２６に示すように、上側ブロック領域Ｐ１においては、まず、アクティブな状態の端子が「上から１番目の端子（最も外側の端子）」から「上から６４番目の端子（非接続の端子ｔのうち最も内側の端子）」へとシフトする。その際、「上から１番目の端子」から「上から６４番目の端子」は非接続の端子ｔであるため、制御手段２２は、高速シフト処理を実行して、アクティブな状態の端子を「上から１番目の端子」から「上から６４番目の端子」へとシフトさせる。
【０１７９】
次いで、上側ブロック領域Ｐ１においては、アクティブな状態の端子が「上から６５番目の端子（走査線５が接続されている端子のうち最も外側の端子）」から「上から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」へとシフトする。その際、「上から６５番目の端子」から「上から１２８０番目の端子」は走査線５が接続されている端子であるため、制御手段２２は、通常シフト処理を実行して、アクティブな状態の端子を「上から６５番目の端子」から「上から１２８０番目の端子」へとシフトさせる。
【０１８０】
次いで、「上から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」の次は、再び「上から１番目の端子（最も外側の端子）」がアクティブな状態になる。そして、制御手段２２は、再度「上から１番目の端子」から上記と同様の制御を繰り返し行う。
【０１８１】
一方、図２６に示すように、下側ブロック領域Ｐ２においては、上側ブロック領域Ｐ１における処理が開始されてから所定の待機時間（例えば１ｍ秒）が経過した後に、下側ブロック領域Ｐ２における処理が開始される。
【０１８２】
そして、まず、制御手段２２は、高速シフト処理を実行して、アクティブな状態の端子を「下から１番目の端子（最も外側の端子）」から「下から６４番目の端子（非接続の端子ｔのうち最も内側の端子）」へとシフトさせる。
次いで、制御手段２２は、通常シフト処理を実行して、アクティブな状態の端子を「下から６５番目の端子（走査線５が接続されている端子のうち最も外側の端子）」から「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」へとシフトさせる。
次いで、「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」の次は、再び「下から１番目の端子（最も外側の端子）」がアクティブな状態になる。そして、制御手段２２は、再度「下から１番目の端子」から上記と同様の制御を繰り返し行う。
【０１８３】
そして、上側ブロック領域Ｐ１におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定、或いは、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったか否かの判定で、読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったと判定して、放射線の照射開始を検出すると、制御手段２２は、電荷蓄積状態に移行し、その後、所定のタイミングで一連の画像データ読み出し処理を開始する。
【０１８４】
具体的には、アクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったとする。
【０１８５】
ここで、本実施形態においては、最終リークデータ（後述）が閾値ｄleak_thを上回った場合には、放射線の照射開始を検出しないように構成されている。ここで、高速シフト処理が後から開始されるブロック領域（本実施形態の場合は下側ブロック領域Ｐ２）におけるリークデータ読み出し処理で読み出されるリークデータｄleakのうち、高速シフト処理の直前に行われるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakを、「最終リークデータ」と称する。
しかし、本実施形態の場合、アクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakは、最終リークデータではない。したがって、アクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回った場合には、制御手段２２は、放射線の照射開始を検出する。
【０１８６】
すなわち、本実施形態において、制御手段２２は、最終リークデータ以外のリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回った場合には、従来の場合と同様、例えば図２７に示すような制御を行う。
【０１８７】
本実施形態においては、第１実施形態の場合と同様、放射線の照射開始を検出した後は、各放射線検出素子７のリセット処理を行わないように構成されている。そのため、図２７に示す例の場合は、アクティブな状態の端子が「下から１２９番目の端子」である際におけるリセット処理は行われない。
また、上側ブロック領域Ｐ１においては、当該検出の時点には、アクティブな状態の端子が「上から１３０番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理が行われているので、アクティブな状態の端子が「上から１３０番目の端子」である際におけるリセット処理は行わず、「上から１３０番目の端子」がアクティブな状態となってから所定時間（例えば２ｍ秒）が経過した後に、そのまま電荷蓄積状態に移行する。
【０１８８】
そして、電荷蓄積状態に移行し、所定のタイミングで一連の画像データ読み出し処理が開始されると、例えば、放射線の照射開始を検出した時点でアクティブな状態になっていた端子から順にアクティブな状態となる。
【０１８９】
具体的には、図２７に示す例の場合は、下側ブロック領域Ｐ２におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたので、制御手段２２は、まず、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理を開始する。そして、制御手段２２は、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理が開始されてから所定の待機時間（前述の待機時間と同じ、例えば１ｍ秒）が経過した後に、上側ブロック処理Ｐ１における一連の画像データ読み出し処理を開始する。
【０１９０】
その際、図２７に示す例の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、放射線の照射開始を検出した時点で「下から１２９番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「下から１２９番目の端子」から順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
また、図２７に示す例の場合、上側ブロック領域Ｐ１においては、放射線の照射開始を検出した時点で「上から１３０番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「上から１３０番目の端子」から順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
【０１９１】
一方、例えば図２４に示すように、アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回ったとする。
【０１９２】
前述したように、本実施形態においては、最終リークデータが閾値ｄleak_thを上回った場合には、放射線の照射開始を検出しないように構成されている。アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakは、最終リークデータである。したがって、アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回っても、制御手段２２は、放射線の照射開始を検出しない。
【０１９３】
そして、この場合、制御手段２２は、最終リークデータの次に読み出されるリークデータｄleak、すなわち高速シフト処理が先に開始されるブロック領域（本実施形態の場合は上側ブロック領域Ｐ１）におけるリークデータ読み出し処理で読み出されるリークデータｄleakのうち高速シフト処理の直後に行われるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて、放射線の照射開始を検出する。
したがって、図２４に示す例の場合、「上から６５番目の端子（走査線５が接続されている端子のうち最も外側の端子）」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて、放射線の照射開始が検出される。
【０１９４】
前述したように、本実施形態においては、第１実施形態の場合と同様、放射線の照射開始を検出した後は、各放射線検出素子７のリセット処理を行わないように構成されている。そのため、図２４に示す例の場合は、アクティブな状態の端子が「上から６５番目の端子」である際におけるリセット処理は行われない。
また、下側ブロック領域Ｐ２においては、当該検出の時点には、アクティブな状態の端子が「下から６５番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理が行われているので、アクティブな状態の端子が「下から６５番目の端子」である際におけるリセット処理は行わず、「下から６５番目の端子」がアクティブな状態となってから所定時間（例えば２ｍ秒）が経過した後に、そのまま電荷蓄積状態に移行する。
【０１９５】
そして、電荷蓄積状態に移行し、所定のタイミングで一連の画像データ読み出し処理が開始されると、例えば、放射線の照射開始を検出した時点でアクティブな状態になっていた端子から順にアクティブな状態となる。
【０１９６】
具体的には、図２４に示す例の場合は、上側ブロック領域Ｐ１におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたので、制御手段２２は、まず、上側ブロック処理Ｐ１における一連の画像データ読み出し処理を開始する。そして、制御手段２２は、上側ブロック処理Ｐ１における一連の画像データ読み出し処理が開始されてから所定の待機時間（前述の待機時間と同じ、例えば１ｍ秒）が経過した後に、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理を開始する。
【０１９７】
その際、図２４に示す例の場合、上側ブロック領域Ｐ１においては、放射線の照射開始を検出した時点で「上から６５番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「上から６５番目の端子」から順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
また、図２４に示す例の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、放射線の照射開始を検出した時点で「下から６５番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「下から６５番目の端子」から順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
【０１９８】
図２４に示す例の場合、画像データ読み出し処理では、検出部Ｐ全体で見れば、「上から６５番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「下から６５番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から６６番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「下から６６番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→・・・の順に画像データが読み出される。
したがって、この場合、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応しているので、画像データを読み出された順に並べただけで、読み出された画像データを整合した状態に並べることができる。
【０１９９】
以上説明した本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、制御手段２２は、通常シフト処理を、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに異なるタイミングで開始するとともに、高速シフト処理を、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２で互いに異なるタイミングで開始し、最終リークデータが閾値ｄleak_thを上回った場合には、放射線の照射開始を検出しないように構成されている。
【０２００】
すなわち、最終リークデータが閾値ｄleak_thを上回った場合には、放射線の照射が開始されたことを検出しないように構成されており、最終リークデータ、すなわち最終接続端子がアクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されないので、常に、各ブロック領域同士の間で画像データを読み出す位置を対応させることが可能となる。
【０２０１】
したがって、最終接続端子がアクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleak、すなわち最終リークデータに基づいて放射線の照射開始が検出された場合のみ、読み出された画像データを特別な順に並べなければならない等の煩雑な処理を行わなくても、最終リークデータが閾値ｄleak_thを上回った場合には、放射線の照射開始を検出しないように構成するだけの簡易な構成で、画像データ読み出し処理で読み出された画像データの不整合を防止することが可能となる。
【０２０２】
なお、この他の点は第１実施形態で示した作用・効果と同様であるので、その説明は省略する。
【０２０３】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る放射線画像撮影装置について説明する。
なお、第３実施形態においては、高速シフト処理を開始するタイミングや、ゲートクリア処理（後述）を行う点などが、第１実施形態と異なる。したがって、第１実施形態と同様の構成を有する部分については同じ符号を付して説明を省略し、主に異なる部分について説明する。
【０２０４】
本実施形態において、制御手段２２は、第１実施形態の場合と異なり、高速シフト処理を、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに異なるタイミングで開始するように構成されている。
すなわち、制御手段２２は、第２実施形態の場合と同様、通常シフト処理も高速シフト処理も、上側ブロック領域Ｐ１と下側ブロック領域Ｐ２とで互いに異なるタイミングで開始するように構成されている。
【０２０５】
なお、本実施形態においては、通常シフト処理や高速シフト処理を開始するタイミング（例えば図２６参照）、最終リークデータ以外のリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始を検出した場合の制御（例えば図２７参照）は、従来の場合や第２実施形態の場合と同様であるため、説明を省略する。
【０２０６】
一方、例えば図２５に示すように、アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子（最も内側の端子）」である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたとする。
すなわち、制御手段２２が、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出したとする。
【０２０７】
本実施形態においては、第１実施形態の場合と同様、放射線の照射開始を検出した後は、各放射線検出素子７のリセット処理を行わないように構成されている。そのため、図２５に示す例の場合は、アクティブな状態の端子が「下から１２８０番目の端子」である際におけるリセット処理は行われない。
また、上側ブロック領域Ｐ１においては、当該検出の時点には、アクティブな状態の端子が「上から６５番目の端子」である際におけるリークデータ読み出し処理が行われているので、アクティブな状態の端子が「上から６５番目の端子」である際におけるリセット処理は行わず、「上から６５番目の端子」がアクティブな状態となってから所定時間（例えば２ｍ秒）が経過した後に、そのまま電荷蓄積状態に移行する。
【０２０８】
そして、電荷蓄積状態に移行し、所定のタイミングで一連の画像データ読み出し処理が開始される。
【０２０９】
本実施形態において、制御手段２２は、一連の画像データ読み出し処理が開始される前に、当該一連の画像データ読み出し処理のうち高速シフト処理が先に開始されるブロック領域（本実施形態の場合は上側ブロック領域Ｐ１）における画像データ読み出し処理で、高速シフト処理の際に最初にアクティブな状態となる端子（本実施形態の場合は「上から１番目の端子」）から順次アクティブな状態の端子をシフトさせながら画像データを読み出させることができるように、高速シフト処理が先に開始されるブロック領域に対してゲートクリア処理を行うように構成されている。
【０２１０】
ゲートクリア処理とは、リークデータ読み出し処理もリセット処理も行わず、アクティブゲートＩＣ（後述）が有する残りの端子（後述）内でアクティブな状態となる端子を高速にシフトさせる。そして、当該アクティブゲートＩＣが有する端子のうち最初にアクティブな状態となる端子を再びアクティブな状態にする処理のことである。
ここで、高速シフト処理が先に開始されるブロック領域（本実施形態の場合は上側ブロック領域Ｐ１）に配置されているゲートドライバ１５ｂ（本実施形態の場合はゲートドライバ１５ｂａ）を構成するゲートＩＣ１５ｃのうち、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始が検出された時点でアクティブな状態になっていた端子を有するゲートＩＣ１５ｃを、「アクティブゲートＩＣ」と称する。また、アクティブゲートＩＣが有する端子のうち、当該検出の時点でアクティブな状態になっていた端子以降にアクティブな状態とされる端子を、「残りの端子」と称する。
【０２１１】
本実施形態においては、第１実施形態の場合と同様、配線Ｌse１側から各ゲートＩＣ１５ｃにシード信号を入力すると、各ゲートＩＣ１５ｃの下端の端子がアクティブな状態とされた次のタイミングで配線Ｌse２からシード信号が出力されるように構成されている。
【０２１２】
これにより、例えば、図２０中の最も上側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１からシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態の端子を下側にシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse２を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、上から２番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１を介してシード信号を入力する。
このような制御を繰り返すことで、各ゲートＩＣ１５ｃの各端子に接続されている走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに、上側のラインから順に下側のラインに向けてオン電圧を順次印加することができるように構成されている。
【０２１３】
また、本実施形態においては、第１実施形態の場合と同様、上記とは逆に、配線Ｌse２側から各ゲートＩＣ１５ｃにシード信号を入力して、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力すると、今度は、各ゲートＩＣ１５ｃの下側の端子から順にアクティブな状態の端子が上側にシフトしていくように構成されている。
【０２１４】
これにより、例えば、図２０中の最も下側のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２からシード信号を入力し、配線Ｌshを介してシフト信号を次々と入力してアクティブな状態の端子を上側にシフトさせて、各走査線５にオン電圧を順次印加した後、配線Ｌse１を介してシード信号が出力されるタイミングと同じタイミングで、下から２番目のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse２を介してシード信号を入力する。
このような制御を繰り返すことで、各ゲートＩＣ１５ｃの各端子に接続されている走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに、下側のラインから順に上側のラインに向けてオン電圧を順次印加することができるように構成されている。
【０２１５】
すなわち、本実施形態において、制御手段２２は、第１実施形態の場合と同様、１つのゲートＩＣ１５ｃの配線Ｌse２または配線Ｌse１からシード信号が出力されたタイミングと同じタイミングで、次のゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１または配線Ｌse２を介してシード信号を入力するように構成されている。
これにより、本実施形態のように、アクティブな状態の端子を外側から内側へとシフトさせる場合には、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２においてシフト信号が入力されるゲートＩＣ１５ｃを外側から内側へとそれぞれシフトさせるように構成される。或いは、アクティブな状態の端子を内側から外側へとシフトさせる場合には、各ブロック領域Ｐ１、Ｐ２においてシフト信号が入力されるゲートＩＣ１５ｃを内側から外側へとそれぞれシフトさせるように構成される。
【０２１６】
ただし、本実施形態において、制御手段２２は、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合には、ゲートクリア処理を行って、アクティブゲートＩＣの配線Ｌse２または配線Ｌse１からシード信号が出力されたタイミングと同じタイミングで、次のゲートＩＣ１５ｃではなく当該アクティブゲートＩＣに配線Ｌse１または配線Ｌse２を介してシード信号を入力するように構成されている。
これにより、アクティブゲートＩＣが有する端子のうち最初にアクティブな状態となる端子（本実施形態の場合は「上から１番目の端子」）を再びアクティブな状態にすることが可能となる。
【０２１７】
具体的には、図２５に示す例の場合、ゲートクリア処理が行われる上側ブロック領域Ｐ１においては、放射線の照射開始を検出した時点で「上から６５番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、アクティブゲートＩＣは当該「上から６５番目の端子」を有するゲートＩＣ１５ｃとなり、アクティブゲートＩＣが有する残りの端子は、当該「上から６５番目の端子」から「上から２５６番目の端子」となる。
したがって、制御手段２２は、ゲートクリア処理を実行して、アクティブな状態の端子を「上から６５番目の端子」から「上から２５６番目の端子」へとシフトさせる。その際、高速シフト処理の場合と同様、リークデータ読み出し処理もリセット処理も行わず、アクティブな状態の端子を高速にシフトさせる。
【０２１８】
次いで、制御手段２２は、引き続きゲートクリア処理を行って、当該「上から６５番目の端子」を有するゲートＩＣ１５ｃ（すなわち、アクティブゲートＩＣ）の配線Ｌse２からシード信号が出力されたタイミングと同じタイミングで、当該「上から６５番目の端子」を有するゲートＩＣ１５ｃに配線Ｌse１を介してシード信号を入力する。これにより、当該「上から６５番目の端子」を有するゲートＩＣ１５ｃが有する端子のうち最初にアクティブな状態となる端子、すなわち「上から１番目の端子」が再びアクティブな状態となる。
【０２１９】
次いで、図２５に示す例の場合は、下側ブロック領域Ｐ２に配置されている放射線検出素子７から読み出されたリークデータｄleakに基づいて放射線の照射開始が検出されたので、制御手段２２は、まず、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理を開始する。そして、制御手段２２は、下側ブロック処理Ｐ２における一連の画像データ読み出し処理が開始されてから所定の待機時間（例えば１ｍ秒）が経過した後に、上側ブロック処理Ｐ１における一連の画像データ読み出し処理を開始する。
【０２２０】
その際、図２５に示す例の場合、下側ブロック領域Ｐ２においては、放射線の照射開始を検出した時点で「下から１２８０番目の端子」がアクティブな状態になっていたので、制御手段２２は、当該「下から１２８０番目の端子」から順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
また、図２５に示す例の場合、上側ブロック領域Ｐ１においては、ゲートクリア処理の実行により「上から１番目の端子」がアクティブな状態になっているので、制御手段２２は、当該「上から１番目の端子」から順にアクティブな状態の端子をシフトさせながら、一連の画像データ読み出し処理を行わせる。
【０２２１】
図２５に示す例の場合、画像データ読み出し処理では、検出部Ｐ全体で見れば、「下から１２８０番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から１番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「下から１番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→「上から２番目の端子」と接続する走査線５に接続されている各放射線検出素子７からの画像データ→・・・の順に画像データが読み出される。
したがって、この場合、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置が対応しているので、画像データを読み出された順に並べただけで、読み出された画像データを整合した状態に並べることができる。
【０２２２】
以上説明したように、本実施形態によれば、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合には、ゲートクリア処理を行って、その後に行われる画像データ読み出し処理のうち高速シフト処理が先に開始されるブロック領域における画像データ読み出し処理で、高速シフト処理の際に最初にアクティブな状態となる端子から順次アクティブな状態の端子をシフトさせながら画像データを読み出させるように構成することによって、常に、一方のブロック領域と他方のブロック領域とで画像データを読み出す位置を対応させることが可能となる。すなわち、常に、各ブロック領域同士の間で画像データを読み出す位置を対応させることが可能となる。
【０２２３】
したがって、最終接続端子がアクティブな状態である際におけるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータｄleak、すなわち最終リークデータに基づいて放射線の照射開始が検出された場合のみ、読み出された画像データを特別な順に並べなければならない等の煩雑な処理を行わなくても、最終リークデータに基づいて放射線の照射開始が検出された場合には、その後に行われる画像データ読み出し処理のうち高速シフト処理が先に開始されるブロック領域における画像データ読み出し処理で、高速シフト処理の際に最初にアクティブな状態となる端子から順次アクティブな状態の端子をシフトさせながら画像データを読み出させるように構成するだけの簡易な構成で、画像データ読み出し処理で読み出された画像データの不整合を防止することが可能となる。
【０２２４】
なお、この他の点は第１実施形態で示した作用・効果と同様であるので、その説明は省略する。
【０２２５】
なお、本発明は上記の実施形態に限定されず、本発明の趣旨から逸脱しない限り、適宜変更可能であることはいうまでもない。
【０２２６】
例えば、上記実施形態では、検出部Ｐを２つのブロック領域で構成したが、これに限定されるものではなく、検出部Ｐを構成するブロック領域の個数は複数であれば任意である。
検出部Ｐが３つ以上のブロック領域で構成される場合、本発明でいう「高速シフト処理が後から開始されるブロック領域」は、高速シフト処理を最初に開始するブロック領域以外のブロック領域のことを指す。また、本発明でいう「高速シフト処理が先に開始されるブロック領域」は、高速シフト処理を最後に開始するブロック領域以外のブロック領域であって、放射線の照射開始が検出された後にゲートクリア処理を行わないと、その後に行われる画像データ読み出し処理で、高速シフト処理の際に最初にアクティブな状態となる端子以外の端子から順次アクティブな状態の端子をシフトさせながら画像データを読み出させることになるブロック領域のことを指す。
【０２２７】
また、各ゲートドライバ１５ｂにおける非接続の端子ｔの位置や個数はそれぞれ任意である。
ゲートドライバ１５ｂが有する非接続の端子ｔの個数が１個である場合等、両隣に配置された端子が走査線５と接続する端子である非接続の端子ｔが存在する場合、本発明でいう「高速シフト処理の際に最初にアクティブな状態となる端子」は、当該非接続の端子ｔのことを指す。
【０２２８】
また、例えば、本発明でいう「リークデータが閾値を上回った時点で放射線の照射が開始されたことを検出」には、リークデータｄleakが閾値ｄleak_thを上回った時点で放射線の照射開始を検出する場合も、検出手法Ａ等により放射線の照射開始を検出する場合も含まれる。
【符号の説明】
【０２２９】
１ 放射線画像撮影装置
５ 走査線
６ 信号線
７ 放射線検出素子
８ ＴＦＴ（スイッチ手段）
１５ 走査駆動手段
１５ａ 電源回路
１５ｂ ゲートドライバ
１７ 読み出し回路
２２ 制御手段
ｄleak リークデータ
ｄleak_th 閾値
Ｐ 検出部
Ｐ１、Ｐ２ ブロック領域
ｑ リークした電荷
ｒ 小領域
ｔ 非接続の端子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
電源回路と複数のゲートドライバとを備え、オン電圧を印加する前記各走査線を切り替えながら前記各走査線にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記信号線に接続され、前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子から前記画像データを読み出す画像データ読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、
前記検出部は、複数のブロック領域で構成され、
前記各ブロック領域には、前記ゲートドライバがそれぞれ配置され、
前記ゲートドライバは、何れの前記走査線とも接続されていない非接続の端子を含む複数の端子を有し、
前記制御手段は、
前記ゲートドライバが有する複数の端子内でアクティブな状態となる端子を順次シフトさせ、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記走査線と接続されている端子がアクティブな状態となる場合には、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で前記読み出し回路に読み出し動作を行わせて、前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータ読み出し処理と、前記各放射線検出素子のリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、読み出された前記リークデータが閾値を上回った時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記非接続の端子がアクティブな状態となる場合には、前記リークデータ読み出し処理と前記リセット処理とを行わせず、前記通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、
前記通常シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始するとともに、前記高速シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに同一のタイミングで開始することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
電源回路と複数のゲートドライバとを備え、オン電圧を印加する前記各走査線を切り替えながら前記各走査線にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記信号線に接続され、前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子から前記画像データを読み出す画像データ読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、
前記検出部は、複数のブロック領域で構成され、
前記各ブロック領域には、前記ゲートドライバがそれぞれ配置され、
前記ゲートドライバは、何れの前記走査線とも接続されていない非接続の端子を含む複数の端子を有し、
前記制御手段は、
前記ゲートドライバが有する複数の端子内でアクティブな状態となる端子を順次シフトさせ、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記走査線と接続されている端子がアクティブな状態となる場合には、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で前記読み出し回路に読み出し動作を行わせて、前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータ読み出し処理と、前記各放射線検出素子のリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、読み出された前記リークデータが閾値を上回った時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記非接続の端子がアクティブな状態となる場合には、前記リークデータ読み出し処理と前記リセット処理とを行わせず、前記通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、
前記通常シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始するとともに、前記高速シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始し、
前記高速シフト処理が後から開始される前記ブロック領域における前記リークデータ読み出し処理で読み出される前記リークデータのうち前記高速シフト処理の直前に行われる前記リークデータ読み出し処理で読み出された前記リークデータが、前記閾値を上回った場合には、放射線の照射開始を検出しないことを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項３】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
電源回路と複数のゲートドライバとを備え、オン電圧を印加する前記各走査線を切り替えながら前記各走査線にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記信号線に接続され、前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子から前記画像データを読み出す画像データ読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、
前記検出部は、複数のブロック領域で構成され、
前記各ブロック領域には、前記ゲートドライバがそれぞれ配置され、
前記ゲートドライバは、何れの前記走査線とも接続されていない非接続の端子を含む複数の端子を有し、
前記制御手段は、
前記ゲートドライバが有する複数の端子内でアクティブな状態となる端子を順次シフトさせ、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記走査線と接続されている端子がアクティブな状態となる場合には、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で前記読み出し回路に読み出し動作を行わせて、前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータ読み出し処理と、前記各放射線検出素子のリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、読み出された前記リークデータが閾値を上回った時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記非接続の端子がアクティブな状態となる場合には、前記リークデータ読み出し処理と前記リセット処理とを行わせず、前記通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、
前記通常シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始するとともに、前記高速シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始し、
前記高速シフト処理が後から開始される前記ブロック領域における前記リークデータ読み出し処理で読み出される前記リークデータのうち前記高速シフト処理の直前に行われる前記リークデータ読み出し処理で読み出された前記リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合には、その後に行われる画像データ読み出し処理のうち前記高速シフト処理が先に開始される前記ブロック領域における前記画像データ読み出し処理で、前記高速シフト処理の際に最初にアクティブな状態となる端子から順次アクティブな状態の端子をシフトさせながら前記画像データを読み出させることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記各ブロック領域においてアクティブな状態となる端子を外側から内側へとそれぞれシフトさせることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記各ブロック領域においてアクティブな状態となる端子を内側から外側へとそれぞれシフトさせることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
電源回路と複数のゲートドライバとを備え、オン電圧を印加する前記各走査線を切り替えながら前記各走査線にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記信号線に接続され、前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子から前記画像データを読み出す画像データ読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、
前記検出部は、複数のブロック領域で構成され、
前記各ブロック領域には、前記ゲートドライバがそれぞれ配置され、
前記ゲートドライバは、何れの前記走査線とも接続されていない非接続の端子を含む複数の端子を有し、
前記制御手段は、
前記ゲートドライバが有する複数の端子内でアクティブな状態となる端子を順次シフトさせ、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記走査線と接続されている端子がアクティブな状態となる場合には、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で前記読み出し回路に読み出し動作を行わせて、前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータ読み出し処理と、前記各放射線検出素子のリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、読み出された前記リークデータが閾値を上回った時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記非接続の端子がアクティブな状態となる場合には、前記リークデータ読み出し処理と前記リセット処理とを行わせず、前記通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、
前記通常シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始するとともに、前記高速シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに同一のタイミングで開始することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
電源回路と複数のゲートドライバとを備え、オン電圧を印加する前記各走査線を切り替えながら前記各走査線にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記信号線に接続され、前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子から前記画像データを読み出す画像データ読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、
前記検出部は、複数のブロック領域で構成され、
前記各ブロック領域には、前記ゲートドライバがそれぞれ配置され、
前記ゲートドライバは、何れの前記走査線とも接続されていない非接続の端子を含む複数の端子を有し、
前記制御手段は、
前記ゲートドライバが有する複数の端子内でアクティブな状態となる端子を順次シフトさせ、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記走査線と接続されている端子がアクティブな状態となる場合には、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で前記読み出し回路に読み出し動作を行わせて、前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータ読み出し処理と、前記各放射線検出素子のリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、読み出された前記リークデータが閾値を上回った時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記非接続の端子がアクティブな状態となる場合には、前記リークデータ読み出し処理と前記リセット処理とを行わせず、前記通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、
前記通常シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始するとともに、前記高速シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始し、
前記高速シフト処理が後から開始される前記ブロック領域における前記リークデータ読み出し処理で読み出される前記リークデータのうち前記高速シフト処理の直前に行われる前記リークデータ読み出し処理で読み出された前記リークデータが、前記閾値を上回った場合には、放射線の照射開始を検出しないことを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項３】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
電源回路と複数のゲートドライバとを備え、オン電圧を印加する前記各走査線を切り替えながら前記各走査線にオン電圧を順次印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記信号線に接続され、前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子から前記画像データを読み出す画像データ読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、
前記検出部は、複数のブロック領域で構成され、
前記各ブロック領域には、前記ゲートドライバがそれぞれ配置され、
前記ゲートドライバは、何れの前記走査線とも接続されていない非接続の端子を含む複数の端子を有し、
前記制御手段は、
前記ゲートドライバが有する複数の端子内でアクティブな状態となる端子を順次シフトさせ、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記走査線と接続されている端子がアクティブな状態となる場合には、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で前記読み出し回路に読み出し動作を行わせて、前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータ読み出し処理と、前記各放射線検出素子のリセット処理とを行わせた後に、アクティブな状態となる端子をシフトさせる通常シフト処理を実行して、読み出された前記リークデータが閾値を上回った時点で放射線の照射が開始されたことを検出し、
放射線画像撮影前に、前記ゲートドライバの端子のうち前記非接続の端子がアクティブな状態となる場合には、前記リークデータ読み出し処理と前記リセット処理とを行わせず、前記通常シフト処理の実行時よりも高速にアクティブな状態となる端子をシフトさせる高速シフト処理を実行し、
前記通常シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始するとともに、前記高速シフト処理を、前記各ブロック領域で互いに異なるタイミングで開始し、
前記高速シフト処理が後から開始される前記ブロック領域における前記リークデータ読み出し処理で読み出される前記リークデータのうち前記高速シフト処理の直前に行われる前記リークデータ読み出し処理で読み出された前記リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出した場合には、その後に行われる画像データ読み出し処理のうち前記高速シフト処理が先に開始される前記ブロック領域における前記画像データ読み出し処理で、前記高速シフト処理の際に最初にアクティブな状態となる端子から順次アクティブな状態の端子をシフトさせながら前記画像データを読み出させることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記各ブロック領域においてアクティブな状態となる端子を外側から内側へとそれぞれシフトさせることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記各ブロック領域においてアクティブな状態となる端子を内側から外側へとそれぞれシフトさせることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【公開番号】特開２０１２−１９９８４０（Ｐ２０１２−１９９８４０Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６３５０８（Ｐ２０１１−６３５０８）
【出願日】平成２３年３月２３日（２０１１．３．２３）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１８日（２０１２．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２３日（２０１１．３．２３）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
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