【課題】センス回路の高速化や消費電力の増加を伴うことなく、低照度時と高照度時においてノイズの少ない高精度な撮像が可能な撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】光電変換素子と蓄積部と、蓄積電荷を電気信号として出力するアンプ素子とを有し、光子入射に応じて電気信号を出力信号線に出力する画素が、複数アレイ状に配置された画素アレイ部と、画素からの電気信号を受けて、所定期間における画素への光子入射の有無を判定するセンス回路を含むセンス回路部と、を有し、センス回路は、出力信号線に接続されたＡＤ変換装置を含み、ＡＤ変換装置は、少なくともバイナリ判定である１ビット出力と多ビット解像度による階調出力の２モードで動作可能であり、少なくとも１ビット出力モードの選択時は、画素ごとに複数回の露光における出力結果が集積されて、各画素に入射した光の強度が算出される。 （もっと読む）

【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。駆動部は、読み出された信号電荷を電圧に変換するチャージアンプ回路を有し、リセット駆動を１フレーム期間内で間欠的に複数回行い、かつ１フレーム期間内の各リセット駆動を、チャージアンプ回路におけるチャージアンプの帰還または仮想短絡現象を利用して行う。各画素において光電変換がなされ、信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。読み出し後の信号電荷の残留に起因するノイズを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ＯＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｂｌａｃｋ）の読み出しに多数の画素を使った場合に、精度（ノイズ耐性）が上がるが、読み出し速度が犠牲になる、トレードオフの関係を解消し、ＯＢブロック内に含まれる欠陥画素による固定パターンノイズの影響を除去出来る撮像素子を提供すること。
【解決手段】入射光を光電変換するための画素を二次元に配列した有効画素領域と遮光された画素を二次元に配列したＯＢ画素領域を撮像面に有し、各画素がリセット手段を有する撮像素子において、ＯＢ画素領域に配されている複数の隣接する画素のリセット手段を互いに接続する接続手段がＯＢ画素領域の画素配列の１ラインにつき複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数枚のチップを接続することによって構成される固体撮像装置において、高輝度の光が入射した場合でも、ノイズの少ない良好なグローバル露光方式の画像を取得することができる固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と第２の基板とを電気的に接続する接続部によって、第１の基板と第２の基板とを電気的に接続する固体撮像装置であって、当該固体撮像装置が有する画素部は、第１の基板に含まれ、光電変換素子を具備する画素と、画素で発生した信号を第２の基板に供給する信号線と、第２の基板に含まれ、信号線を経由して供給された信号を蓄積する信号蓄積回路と、第２の基板に含まれ、信号蓄積回路に蓄積された信号を出力する出力回路と、を有し、当該固体撮像装置は、信号線の電圧が、所定の電圧以下にならないようにクリップするクリップ回路を、さらに有する。 （もっと読む）

【課題】結露に起因する画質低下を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置は、光電変換素子を有するセンサー基板１０と、センサー基板上に設けられた非イオン性層２０と、非イオン性層上に設けられると共に、放射線の波長を光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換部材３０とを備える。入射した放射線は、波長変換部材を通過後、光電変換素子１１１Ａにおいて受光され、その受光量に対応する電気信号（画像情報）が得られる。波長変換部材とセンサー基板１０との間に、結露によって水が溜まると、水に含まれるイオン成分と光電変換素子（光電変換素子の電極等）とのカップリングが生じ、暗電流が増加することがあるが、非イオン性層２０が設けられていることにより、そのようなカップリングが抑制され、暗電流が生じにくい。 （もっと読む）

【課題】焦点検出が可能でありながら、撮像時に画素欠陥と同様の状態を引き起こすことがなく、しかも、撮像時の感度の低下を抑制する。
【解決手段】ゲート電極６７がハイであれば、埋め込みフォトダイオード４１，４２間が互いに電気的に連結される。このとき、ゲート電極６７の下方の領域は光電変換機能を持つ。一方、ゲート電極６７がローであれば、埋め込みフォトダイオード４１，４２間が電気的に分離される。このとき、ゲート電極６７の下方の領域は光電変換機能を持たない。 （もっと読む）

【課題】光電変換部及び電荷蓄積部の電荷蓄積期間の同時性を確保しつつダイナミックレンジを拡大することができる撮像装置、撮像システム及び撮像装置の制御方法を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により生じた電荷を蓄積する光電変換部と、前記光電変換部からの電荷を蓄積する電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送する転送部と、前記転送部によって転送された電荷をリセットするリセット部と、前記転送部による転送動作、及び前記転送動作の後の前記リセット部によるリセット動作が、前記光電変換部での１回の電荷蓄積期間に複数回行われるように、前記転送部と前記リセット部とを制御する制御部と、を有することを特徴とする撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】アーティファクトを低減した高画質な放射線画像を得る。
【解決手段】放射線を電気信号へ変換し蓄積する蓄積部と、電気信号をサンプルホールドして画素回路ごとにアナログ信号として出力する出力部とを備える放射線撮像装置であって、同期信号検出部と、同期信号に応じた撮像間隔で放射線の曝射を開始し曝射時間経過後に電気信号をサンプルホールドするよう蓄積部と出力部とを制御する制御部と、アナログ信号を出力する画素回路位置を選択する選択部と、曝射時間と全ての画素回路のアナログ信号出力に要する出力時間との和が撮像間隔より大きいかを判定する判定部とを備え、和が撮像間隔より大きい場合、所定の画素回路数分のアナログ信号を出力した後、選択を停止し且つ出力を停止し、同期信号が改めて検出されたら蓄積をリセットし、放射線の曝射を開始してから所定時間経過後、曝射時間経過前に、選択を再開し且つ残りの画素回路位置での出力を再開する。 （もっと読む）

【課題】電源線および接地線の電位変動に起因する画質の劣化を抑制するための有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の行および複数の列を構成するように複数の単位セルが配列された画素アレイを有する固体撮像装置は、前記複数の単位セルの各々は、画素を含み、前記画素は、光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を出力する画素内読出回路とを含み、前記複数の単位セルは、電源線および接地線を介して電力が供給され、前記複数の単位セルの少なくとも１つの単位セルは、前記電源線に接続された第１電極と前記接地線に接続された第２電極とを有する容量素子の少なくとも一部分を含む。 （もっと読む）

【課題】 増幅型固体撮像装置において、フォトダイオードから転送できる最大の電荷量を増やすときに、良好なセンサ出力のリニアリティを確保する。
【解決手段】 リセットトランジスタ６のゲートに、垂直出力線の信号を読み出す際にはＶＲＥＳＬ１の電圧を供給し、フォトダイオード２に蓄積された信号電荷をＦＤ４に転送する際にはＶＲＥＳＬ２（＞ＶＲＥＳＬ１）の電位を供給する。このことにより、リセットトランジスタ６のゲートとＦＤ４との間に形成される容量１３を介して、信号読み出し時にＦＤ４の電圧を下げることで良好なリニアリティを確保し、電荷転送時にＦＤ４の電圧を上げることで転送可能な最大の電荷量の増大を実現する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、残像を抑制することができるグローバル電子シャッタを有するＭＯＳ型の固体撮像素子を提供することを目的とする。
【解決手段】２次元状に配列された複数の画素部１００を備える固体撮像素子であって、画素部１００は、半導体基板１と、半導体基板１に形成され、入射光を光電変換して信号電荷に変換するＰＤ３と、半導体基板１にかつＰＤ３の隣に形成され、信号電荷を一時蓄積するＳＤ４と、半導体基板１にかつＳＤ４の隣に形成されるＦＤ５と、半導体基板１上に、ＰＤ３から信号電荷をＳＤ４に転送する第１の転送ゲート６と、ＳＤ４とＦＤ５との間にかつ半導体基板１上に形成され、ＳＤ４が一時蓄積している信号電荷をＦＤ５に転送する第２の転送ゲート７とを備え、第１の転送ゲート６は、ＰＤ３とＳＤ４との間、及び、ＳＤ４の上方に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 アクティブフォトセンサーピクセル、アクティブフォトセンサーアレイ及びフォトセンシング方法を提供する。
【解決手段】 本発明は二端子フォトセンサートランジスタと駆動トランジスタとを含むアクティブフォトセンサーピクセルを提供し、二端子フォトセンサートランジスタは第一ノードに結合する第一ターミナルと、選択信号線に接続する第二ターミナルと、第一ノードに接続する制御ターミナルとを有する。駆動トランジスタは第一参考電圧に結合する第一ターミナルと、出力信号線に結合する第二ターミナルと、第一ノードに接続する制御ターミナルとを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードに蓄積された信号電荷に基づく光信号に加わる、信号電荷および暗電流によるノイズを低減することができる固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】露光期間外にフォトダイオードのリセットが行われ、露光期間の開始時に所定領域の全画素のフォトダイオードのリセットが同時に解除される。露光期間において、電荷保持部のリセットが行われ、その後、画素からノイズ成分が出力される。露光期間の終了後に所定領域の全画素のフォトダイオードの信号電荷が同時に読み出され、画素から信号成分が出力される。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、トランジスタ数を削減し、表示品位及び／または撮像品位を向上させる。
【解決手段】ゲートが選択信号線２０８に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方に出力信号線２１２が電気的に接続され、他方に基準信号線２１１が電気的に接続されたトランジスタ２０５と、リセット信号線２０９にアノードまたはカソードの一方が電気的に接続され、他方にトランジスタ２０５のバックゲート２０６が電気的に接続されたフォトダイオード２０４を有し、フォトダイオード２０４を順バイアスとしてトランジスタ２０５のバックゲート電位を初期化し、逆バイアスとしたフォトダイオード２０４の光の強度に応じた逆方向電流で前記バックゲート電位を変化させ、トランジスタ２０５をオンすることで前記出力信号線２１２の電位を変化させ、光の強度に応じた信号を得る。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型における光電変換部の面積効率の向上、外乱ノイズ低減を図った固体撮像装置及びその製造方法、並びにかかる固体撮像装置を備えたカメラなどに適用される電子機器を提供するものである。
【解決手段】固体撮像装置は、光電変換部ＰＤと基板表面側に形成された画素トランジスタＴｒとからなり、基板裏面側を前記光電変換部の受光面３５とした複数の画素を有する。さらに、基板表面側に在って光電変換部ＰＤ上に重ねて配置された受動素子あるいは能動素子となる素子３９を有する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン、あるいは微結晶シリコンで作製したフォトダイオードを使用し、構造が簡単で、かつ低電圧で駆動可能なフォトセンサ装置を提供する。
【解決手段】複数のフォトダイオードがアレイ状に配置されたフォトダイオードアレイと、前記フォトダイオードアレイの各行のフォトダイオードの第１電極に接続される複数の走査線と、前記フォトダイオードアレイの各列のフォトダイオードの第２電極に接続される複数の読出線と、前記複数の走査線に接続され、１水平走査期間毎に、前記各走査線に順次選択走査信号を供給する走査回路と、前記複数の読出線に接続され、信号読み出し時に、１水平走査期間の前記各読出線の電圧変動を信号電圧として取り込む信号処理回路とを備え、前記各フォトダイオードは、アモルファスシリコンあるいは微結晶シリコンで作製されており、信号読み出し時に、前記各フォトダイオードに対して、順方向のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】画素サイズの微細化による飽和電荷量の低下と、感度の低下とを抑制できるようにする。
【解決手段】固体撮像素子は、半導体層３１の上部に行列状に配置して形成された複数の単位画素１３を備えている。各単位画素１３は、半導体層３１の内部に形成されたｎ型の第１の半導体領域３２と、該第１の半導体領域３２の上に形成されたｐ型の第２の半導体領域３３とを有している。第２の半導体領域３３は、該第２の半導体領域３３の一部が第１の半導体領域３２の深さ方向に延びる少なくとも１つの延伸部３３ａを有し、第１の半導体領域３２と第２の半導体領域３３及びその延伸部３３ａとは接合容量を形成し、延伸部３３ａは半導体層３１の表面からの深さに応じて異なる不純物濃度を有している。 （もっと読む）

【課題】２次元ストリップのＸ方向とＹ方向とで同等の電子入射感度（放射線検出精度）を実現できるようにする。
【解決手段】複数のＸ軸ストリップ１１と複数のＹ軸ストリップ１２とから成る２次元ストリップにおいて、Ｘ軸ストリップ１１と同じ表層において複数のＸ軸ストリップ１１の間にストリップの断片を断続的に配置することによってＹ軸ストリップ１２を構成し、各断片を電気的に接続する配線１３をＹ軸ストリップ１２の裏層に設ける。そして、Ｘ軸ストリップ１１をＸ軸読み出し回路１５に接続するとともに、Ｙ軸ストリップ１２を構成する複数の断片を接続した配線１３をＹ軸読み出し回路１６に接続する構造とすることにより、Ｙ軸ストリップ１２の方がＸ軸ストリップ１１に比べて電子が入射しにくくなるという感度低下を抑制できるようにする。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ機能を有する高画質撮像かつ高感度撮像が可能なＭＯＳ型イメージセンサを提供する。
【解決手段】複数の画素部２１を有するＭＯＳ型イメージセンサ１００であって、画素部２１は、シリコン基板２１０内に形成された光電変換部ＰＤと、シリコン基板２１０の表面に形成されたトランジスタであって、該表面上方に絶縁膜２１９を介して設けられ光電変換部ＰＤに蓄積される電荷を蓄積するフローティングゲートＦＧを含む書き込みトランジスタＷＴ及び読み出しトランジスタＲＴとを含み、光電変換部ＰＤは、シリコン基板２１０の表面とは反対面の裏面から入射してきた光を受光して、この光に応じた電荷を発生して蓄積するものであり、書き込みトランジスタＷＴの電荷注入領域の少なくとも一部が、平面視において、光電変換部ＰＤと重なる位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率の低下を抑え、かつ、低電圧動作が容易であるフォトセンサの提供を課題とする。
【解決手段】フォトダイオード２０４、第１のトランジスタ２０５および第２のトランジスタ２０６を備えたフォトセンサであって、フォトダイオード２０４は、一方の電極がフォトダイオードリセット信号線２０８に、他方の電極が第１のトランジスタ２０５のゲートに、それぞれ電気的に接続され、第１のトランジスタ２０５は、ソースまたはドレインの一方がフォトセンサ基準信号線２１２に、ソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタ２０６のソースまたはドレインの一方に、それぞれ電気的に接続され、第２のトランジスタ２０６は、ゲートがゲート信号線２０９に、ソースまたはドレインの他方がフォトセンサ出力信号線２１１に、それぞれ電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）