【課題】 撮像面において、瞳分割方式の焦点検出を行う装置において焦点検出の正確性を向上させる。
【解決手段】 本発明は、光電変換ユニットの少なくとも１つの光電変換素子の信号を増幅部の入力ノードへ読み出し、増幅部を介して前記共通出力線へ信号を読み出す第１の動作により焦点検出用の信号を生じさせ、前記第１の動作により読み出された信号が増幅部において保持された状態で同じ光電変換ユニットに含まれる他の光電変換素子の信号を増幅部の入力ノードへ読み出し、増幅部を介して共通出力線へ信号を読み出す第２の動作により画像形成用の信号を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】ストリーキングを低減することができるようにする。
【解決手段】 入射された光に対応する画素読み出し信号を出力する複数の単位画素から出力された画素読み出し信号が信号線により伝達され、信号線に接続され、単位画素から画素読み出し信号を読み出すための読み出し電流を供給され、画素読み出し信号のレベルをディジタルデータに変換するための参照信号が生成され、信号線の電圧の振幅の変化を制限する閾値を参照信号のゲインに連動して切り替えて、信号線の電圧の振幅の変化が制限される。 （もっと読む）

【課題】 被写体に強いスポット光が含まれることにより撮影画像の左右に向けて暗い帯が発生することと、画質の低下との双方を抑制する。
【解決手段】 １つ前の行と現在の行のＯＢ部５１の出力の平均値ＯＢＡ、ＯＢＢの差の絶対値と、１つ前の行と現在の行の飽和画素数の差の絶対値との何れもが基準値未満でない場合に、暗い帯が発生していると判定する。そして、暗い帯が発生していると判定した場合に限り、ＯＢクランプ回路における補正係数の値を上げて当該暗い帯を補正する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板の面積を有効に活用する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の基板どうしが接続部を介して電気的に接続された固体撮像装置であって、光電変換素子を含む画素が行列状に配置された画素部と、前記画素部内の画素の列に対応して配置され、対応する列の画素に含まれる前記光電変換素子で発生した信号を信号処理する複数の列処理回路を含む列回路部と、前記列処理回路によって信号処理された信号を当該装置の外部に出力する出力部と、を備え、前記第１の基板に前記画素部が配置され、前記第１〜第ｎの基板のうち少なくとも２以上の異なる基板のそれぞれに前記列回路部が配置され、前記画素部内の各列の画素に対応する信号処理を、前記少なくとも２以上の異なる基板のそれぞれに配置された前記列回路部で分散して行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射検出を迅速かつ正確に行う。
【解決手段】電子カセッテは、ＦＰＤの画素を利用してＸ線源からＸ線の照射が開始されたことを自己検出する。ＦＰＤは画素から信号電荷を非破壊で読み出すことが可能であり、画素が出力する信号のゲインを変更可能である。電子カセッテは、照射開始検出動作において、まず、画素のゲインを高ゲインＧｎＬに設定して出力信号を読み出して、その信号値ＳＶが閾値Ｔｈ以上になったか否かを判定する一次判定を行う。一次判定が肯定された場合には、低ゲインＧｎＬに変更して出力信号を読み出して、その信号値ＳＶで二次判定を行う。高ゲインＧｎＨで一次判定を行うため、Ｘ線の強度が低い段階で照射開始を検出できる。低ゲインＧｎＬで二次判定を行うため、正確な検出が行われる。 （もっと読む）

【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、放電用トランジスタを設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、バイアス用トランジスタに接続されたバイアス側電源線の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、放射線の照射に関する検出を行うことができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素２０が、ＴＦＴスイッチ４と、センサ部１０３と、ソースフォロア回路４０であるＴＦＴスイッチ４２と、を備えている。ＴＦＴスイッチ４２は、ゲート端子がセンサ部１０３に接続されており、一端が専用配線４４に接続されており、他端が放射線検出配線１２２に接続されている。放射線検出モードでは、センサ部１０３で発生した電荷により、ＴＦＴスイッチ４２がスイッチングされ、センサ部１０３で発生した電荷に応じた電荷が放射線検出配線１２２に出力される。すなわち、照射された放射線の線量に応じた電荷がＴＦＴスイッチ４２により放射線検出配線１２２に出力される。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、回路規模、動作速度、消費電力を増大させること無く、異なる垂直信号線に接続された画素の間で加算・加算平均による間引き出力を行う。
【解決手段】画素アレイ部と、垂直信号線の各々に対応付けて設けられたＡＤＣ回路と、各垂直信号線を通して出力されるアナログ信号を、アナログ信号が伝送された信号線に対応付けて設けられたＡＤＣ回路と、アナログ信号が伝送された信号線以外の信号線に対応付けて設けられたＡＤＣ回路と、のいずれにてデジタル信号に変換させるか切り替える切替部とを設ける。 （もっと読む）

【課題】光信号とノイズ信号とが画素から異なるインピーダンス変換部を経由して出力部へ読み出される場合でも、インピーダンス変換部のオフセットが画像信号に含まれることを低減する。
【解決手段】第１の伝達部１０３Ｓは第１の信号を出力部へ向けて伝達する第１のインピーダンス変換部を含み、第１のインピーダンス変換部の第１のオフセットと第１の信号に第１のオフセットが重畳された信号との差分信号を第３の信号として出力部へ伝達し、第２の伝達部１０３Ｎは第２の信号を出力部へ向けて伝達する第２のインピーダンス変換部を含み、第２のインピーダンス変換部の第２のオフセットと第２の信号に第２のオフセットが重畳された信号との差分信号を第４の信号として出力部へ伝達し、出力部は第３の信号と第４の信号との差分をとることにより画像信号を生成して出力する。 （もっと読む）

【課題】焦点検出用の半導体装置に含まれる一対のセンサ部において、信号用として用いる一方のセンサ部の制御信号を切替えることによって、検知用として用いる他方のセンサ部の信号にノイズが混入する事を防ぐ。
【解決手段】半導体装置は、光電変換部、信号保持部、および転送部ＴＸを有し信号保持部が保持する信号に応じた信号を出力する一対のセンサ部と、検知部を備える。第１モードとして動作するセンサ部は、検知部により出力される信号が所定値に達したことが検知されると、転送部を非導通状態にして信号の転送を終了し、第２モードとして動作するセンサ部は、第１モードとして動作するセンサ部において信号の保持がされた後に、転送部を導通状態とすることによって発生した電荷に応じた信号の転送を開始し、その後、転送部を非導通状態とすることによって信号の転送を終了し信号保持部に保持された信号を確定する。 （もっと読む）

【課題】ＸＹアドレス方式の撮像素子による撮像画像の歪みを防止すると共に、画素内への光の漏れ込みに起因する撮像画像の劣化を抑制することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】全行の転送トランジスタと全行のリセットトランジスタをオンにして、フォトダイオードとＦＤとをリセットし、フォトダイオードへの露光を開始する（タイミングｔ１）。次に、所定の露光時間の経過後に、全行の転送トランジスタをオンにして、全画素のフォトダイオードの信号電荷をＦＤに転送することで、露光を終了させる（タイミングｔ２）。その後、絞りの閉動作を実施して光漏れの上下差を低減する（タイミングｔ８からｔ９）。そして、フォトダイオードから転送された信号電荷に応じた電圧をＦＤから行毎に順次読み出す（タイミングｔ５からｔ６）。 （もっと読む）

【課題】画素部の性能を損なわず、かつ周辺回路のチップ面積増大によるコストの増大を抑制する撮像素子を提供する。
【解決手段】撮像素子において、画素部１０１のうち、転送スイッチ２０３およびＦＤ２０４およびリセットスイッチ２０７および増幅ＭＯＳアンプ２０５が第１半導体基板に形成され、列読み出し回路１０３または出力回路１０７または駆動回路の少なくとも一部が第１半導体基板以外の第２半導体基板に形成されている。 （もっと読む）

【課題】増幅部の入力ノードの電圧変動による影響を低減することにより、高品質な画像を得ることができる撮像装置の駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】水平走査回路により、信号保持部に保持された信号を第２の出力線に読み出すステップと、上記の読み出し終了以前に、第２の画素ユニットのリセットスイッチにより、第２の画素ユニットの増幅部の入力ノードに選択リセット電圧を印加するステップと、上記の水平転送の後、第２の画素ユニットの転送スイッチにより、第２の画素ユニットの光電変換部の信号を第２の画素ユニットの増幅部の入力ノードに転送し、第２の画素ユニットの増幅トランジスタにより、第２の画素ユニットの増幅部の入力ノードの入力ノードの信号を増幅して第１の出力線に出力するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】ＯＢ画素から読み出された黒レベルのずれが大きい場合においても、ＯＢ画素から読み出された黒レベルを目標値に効率よく収束させる。
【解決手段】 画素から読み出される画素信号の増幅率を設定するアナログゲインＧＡがどのレンジに属するかを判定するアナログゲインレンジ判定部１７と、アナログゲインレンジ判定部１７による判定結果に基づいて、黒レベルを設定するクランプパラメータＰＣの制御条件を設定するクランプパラメータ制御条件設定部１８と、クランプパラメータ制御条件設定部１８にて設定された制御条件に基づいて、クランプパラメータＰＣを制御するクランプパラメータ制御部１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】高品質な画像を撮像することができる固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の画素を備え、当該画素を構成する回路要素が配置された第１の基板と第２の基板とが接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、前記画素は、前記第１の基板に含まれる光電変換素子と、前記光電変換素子で発生し、前記接続部を経由した信号を前記画素から出力する、前記第２の基板に含まれる出力回路と、を有し、前記接続部は、前記第１の基板上または前記第２の基板上の接続領域で前記第１の基板または前記第２の基板と接続され、前記接続領域の位置と前記画素の位置との関係に応じて、信号を出力する前記画素の順番を制御する出力制御回路をさらに備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジの拡大を図り得る構成を、画素のサイズを抑制しつつ、且つ画素間での増倍のばらつきを抑えつつ、より簡易に実現する。
【解決手段】撮像装置１には、撮像部２における複数の画素１０からそれぞれ電荷を読み出し可能な電荷読み出し部１０と、撮像部２の各画素３から電荷を順次転送する電荷転送部２０とが設けられており、更に、電荷転送部２０によって順次転送される各画素の電荷を、共通の経路で増倍する電荷増倍部３０が設けられている。また、撮像部２の各画素の出力として、電荷読み出し部１０によって読み出される電荷、又は電荷転送部２０によって転送され且つ電荷増倍部２０によって増倍される電荷、のいずれかを選択する選択部と、選択部によって選択された各画素の出力に基づいて、各画素の画素値を算出する算出部とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】グローバル露光を用いて、ダイナミックレンジが広く、かつ、ノイズが少ない画像を得る。
【解決手段】画素アレイ部は、受光した光量に応じた光電荷を生成しかつ蓄積する光電変換部、埋め込み型ＭＯＳキャパシタからなる第１の電荷蓄積部、及び、第２の電荷蓄積部を有する単位画素が複数配置され、複数の単位画素の一括露光が可能である。垂直駆動部及びシステム制御部は、露光期間中に光電変換部により生成された光電荷を光電変換部、第１の電荷蓄積部及び第２の蓄積部に蓄積する第１の駆動、又は、露光期間中に光電変換部により生成された光電荷を光電変換部及び第１の電荷蓄積部に蓄積する第２の駆動を行う。本技術は、例えば、固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】接続部間のクリアランスを確保する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の画素を備え、当該画素を構成する回路要素が配置された第１の基板と第２の基板とが接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、前記画素は、前記第１の基板に含まれる光電変換素子と、前記光電変換素子で発生し、前記接続部を経由した信号を前記画素から出力する、前記第２の基板に含まれる出力回路と、を有し、前記第１の基板において、前記複数の画素が配列された領域は、前記画素を複数含む画素セルを複数含み、当該画素セルに対応して前記接続部が設けられており、いずれかの前記画素セルに対応する前記接続部と接続する第１の接続領域は、他の前記画素セルに対応する前記接続部と接続する第２の接続領域の位置に応じた位置にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光センサ１のフォトダイオード１０の受光強度を精度良く検出する。
【解決手段】光センサ１では、フォトダイオード１０のカソード端子とグランドとの間の電圧が一定電圧Ｖｒｅｆ１に比べて小さいとコンパレータ１２が判定してからフォトダイオード１０のカソード端子とグランドとの間の電圧が一定電圧Ｖｒｅｆ２に比べて小さいとコンパレータ１３が判定するまでの時間差を示す信号として検出信号を出力するＡＮＤ回路１４とを備える。フォトダイオード１０の容量が原因で、フォトダイオード１０のカソード端子とグランドとの間のリセット電圧が変動しても、その変動の影響が上記時間差には加わらない。 （もっと読む）