【課題】イオン液体を含有する溶液をエレクトロスプレー法により気相中に放出させることを用いるイオンビーム発生装置において、イオン液体は蒸気圧がほとんど無いため、真空中でも揮発せず、真空容器中にイオン液体が蓄積してしまうという課題があり、また、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）用の一次イオンビーム源として応用する場合には、二次イオンの生成量の増大が課題となっており、前記課題を解決できる装置及び方法を提供する。
【解決手段】不揮発性であるイオン液体とは別に、揮発性を有する別の液体をも、エレクトロスプレー用細管（キャピラリー）に供給し、両成分からなるイオンビームを生成することにより、真空容器中に蓄積するイオン液体の総量を低下させることができ、また、二次イオン生成量も増大できる。 （もっと読む）

【課題】気体電界イオン源を用いて試料表面でスポットサイズ１０ｎｍ以下のイオンビームを有する汎用性、長器信頼性に優れたイオン顕微鏡を実現する。
【解決手段】イオン源の導電性電極先端１８６の材料と形状を最適化して表面に三量体の原子層を形成し、極低温状体で動作させることにより気体ヘリウムとのイオン化効率を向上する。試料からオージェ電子、二次イオン、二次中性粒子、一次中性粒子、散乱イオン及び光子等の追加の粒子を検出することにより試料についての情報を決定するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＯＦ−ＳＩＭＳの一次イオンに使用できるほど短いパルス幅のＧＣＩＢを射出できるＧＣＩＢ銃を提供する。
【解決手段】
イオン化室３０から射出されたＧＣＩＢを予め決められた時間だけ通過させる第一のシャッター部４１と、第一のシャッター部４１を通過したＧＣＩＢのうち予め決められた質量範囲外のＧＣＩＢを除去する選別部５９とを有している。選別部５９は、ＧＣＩＢを交互に反射して往復移動させる第一、第二のミラー電極５１ａ、５２ａと、第一、第二のミラー電極５１ａ、５２ａの間に配置され、前記質量範囲内のＧＣＩＢを、予め決められた時間だけ通過させる第二のシャッター部５３と、を有し、前記質量範囲内のＧＣＩＢを選別部５９から射出する。 （もっと読む）

【課題】電界電離電極の先端部の損傷を抑えてその寿命の長期化を図ることができるイオン源を提供する。
【解決手段】イオン源は、尖った先端１６を有する電界電離電極１０と、これを収容する容器２０と、対向電極３０と、例えば磁石３４，３６からなる磁場形成手段とを備える。容器２０は、微小開口２６を囲む先端部２４を有し、その微小開口２６から電界電離電極１０の先端１６が容器２０の外部に突出する位置に電界電離電極１０が配置される。対向電極３０は、容器２０の先端部と対向し、電界電離電極１０の先端１６の近傍に電界電離用の電界を形成する。磁場形成手段は、対向電極３０の面であって容器２０に対向する対向面３１の上に、微小開口２６の径方向と平行な方向に延びる磁力線を有するような磁場を形成して、電界電離電極１０と二次電子や負イオンとの衝突を抑止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光ポンピングを用いることなく量子ビートを利用して偏極イオンビームを発生させることを課題とした。
【解決手段】上記課題を解決するために、偏極イオンビーム発生装置は、無偏極のイオンビームを発生するイオン源と、当該イオン源からの無偏極イオンビームを標的に入射するビーム輸送手段と、この標的表面の原子から弾性散乱された偏極イオンを取り出すイオン取出し手段とからなることを特徴とする手段を採用した。
また前記標的が、散乱イオン強度に関して量子ビートに起因する磁気振動を発現する物質であることを特徴とする偏極イオンビーム発生装置を作成した。
さらに、偏極イオンビーム発生方法は、イオン源から無偏極のイオンビームを標的に照射し、当該標的における散乱イオン強度の量子ビートに起因する磁気振動により、前記標的から弾性散乱された偏極イオンを取り出すことを特徴とする手段を用いた。 （もっと読む）

【課題】
ガス電界電離イオン源において，真空粗引き時のコンダクタンス増大化とイオンの大電流化の観点からの引き出し電極穴の小径化とを両立する。
【解決手段】
電界電離イオン源１において，ガス分子イオン化室１５を真空排気するコンダクタンスを可変とする機構を備える。すなわち、ガス分子イオン化室１５からイオンビームを引き出す時と，引き出さない時で，ガス分子イオン化室１５を真空排気するコンダクタンスを可変とする。このコンダクタンスを可変とする機構を構成する部材の一部であるふた３２を、バイメタル合金で形成することにより、ガス分子イオン化室１５の温度に対してコンダクタンスが可変となり、比較低温ではコンダクタンスが比較小となり，比較高温ではコンダクタンスが比較大となる。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、液体金属イオン源、二次質量分析計、および対応する分析方法、ならびにこれらの利用に関する。特に、ジェントルＳＩＭＳ（Ｇ−ＳＩＭＳ）法に基づく質量分析方法に関する。
上記の目的を実現するべく、原子量が１９０Ｕ以上の第１の金属と、原子量が９０Ｕ以下の第２の金属とを有する液体金属イオン源を利用する。
本発明によれば、Ｇ−ＳＩＭＳ法に基づき、一次イオンビームから２つの種類のイオンのうち一方を交互にフィルタリングで取り出し、質量高純度一次イオンビームとしてターゲットに当てる。 （もっと読む）

【課題】既存のＳＩＭＳ用イオンビーム発生技術においては、イオン種がほぼ３種類（Ｃ_６０^＋、Ａｕ_３^＋、Ｂｉ_３^＋）に限定されているのが現状であり、より大きな分子量を有するイオン種を生成できるイオンビーム源が求められている。また、従来のクラスターイオンビーム発生装置は、プラスの電荷を有する正イオンビームのみを生成するタイプがほとんどであり、負イオンのクラスターイオンビーム源が望まれていた。
【解決手段】本願発明においては、「イオン液体」を含有する溶液をエレクトロスプレー法により気相中に放出させ、必要なイオンのみをイオン源内部に輸送する構造とした。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で高輝度なイオンビームが得られるイオン源を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係るイオン源１０は、微小開孔２２を有し、内部に原料ガスが供給される容器２０と、ビーム軸Ｋ方向に沿って延びると共に先端が尖り、この先端を微小開孔２２に向けて容器２０内に配置される電界電離電極２３と、を備え、ビーム軸Ｋ方向と直交する共通の平面上での微小開孔２２の開孔面積２２ｓと電界電離電極２３の断面積２３ｓとの差であるガス噴出面積Ｇｓが電界電離電極２３の先端又は前記先端よりも僅かに基部側で最小になると共に他の位置では前記最小の面積よりも大きくなるように、容器２０の微小開孔２２を規定する内周面２２ａが形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容器の開孔周縁部に対する電界電離電極の位置決めを容易に行うことができるイオン源の製造方法、及びこの方法によって製造されたイオン源を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、電界電離電極２３の表面のうちこの電界電離電極２３が容器２０内に固定される際にこの容器２０の微小開孔周縁部２１ｒと対向する部位を含む表面に所定の厚さを有する犠牲層ｆが形成されたものを用意し、その電界電離電極２３の先端を微小開孔２２に向けた状態で電界電離電極２３をその軸方向先端側に移動させ、容器２０の微小開孔周縁部２１ｒの少なくとも一部に犠牲層ｆの表面を当接させて容器２０の微小開孔周縁部２１ｒに対する電界電離電極２３の位置決めを行い、この位置決めした容器２０内の位置に電界電離電極２３を固定し、固定したまま電界電離電極２３に形成されている犠牲層ｆを除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より弱い電界で原料ガスを電界電離してイオン化できるイオン源を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、イオンビームを照射するためのイオン源１０であって、容器２０に供給される原料ガスをラジカル化する誘電体バリア放電手段５０を備え、誘電体バリア放電手段５０は、第一電極５２及びこの第一電極５２に対向する第二電極５３とこれら第一及び第二電極５２，５３間に印加するための交流電源５４とを有し、第一及び第二電極５２，５３は、少なくとも一方が誘電体で被覆されると共に、電界電離電極２３の後端よりも後方側で且つ原料ガスが当該第一及び第二電極５２，５３間を通過した後、容器２０に供給されるような位置に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品の断面を観察するための技術において、同一のイオン源から引き出したイオンビームを用いて、試料を加工し、試料の被加工部分の観察を可能にするイオンビーム加工・観察技術を提供する。
【解決手段】試料を加工するガスイオンビーム種と試料を観察するときのガスイオンビーム種を切り替えることが可能である装置とする。試料加工時のガスイオンビーム種と試料観察時のガスイオンビーム種との切り替えを実現するためのイオン源として、ガスボンベ５３、５４、ガス配管、ガス量調整バルブ５９、６０およびストップバルブ５７、５８とを備えた導入系統を少なくとも２系統備え、各々のガス系統において各々のガス量調整バルブにより真空容器内のガス圧力条件を各々設定でき、各々のガス系統のストップバルブの操作により真空容器内に導入するガスを切り替えることが可能であるイオン源とする。 （もっと読む）

【課題】ビーム径を細く絞ることができ、しかも、イオンビーム電流を広い範囲にわたって変える。
【解決手段】内部にプラズマを維持して流すプラズマトーチ２をもったプラズマ発生器３と、プラズマトーチにトーチオリフィス４を介して連通され、トーチオリフィスから流れ出たプラズマを断熱膨張させて超音速流にする差動排気チャンバ５と、差動排気チャンバのトーチオリフィスとの対向位置に設けられ、超音速流とされたプラズマからイオンを引き出す引出しオリフィス６と、引出しオリフィスを通過したイオンを静電的に加速してさらに引き出す引出し電極７と、引出し電極から引き出したイオンを、イオン光学的操作を加えることで集束させて試料１５に入射させるイオン光学系１３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】測定時間を短縮して従来にはない高精度の測定が可能になるように、偏極率が18%を超える高い偏極率をもった偏極イオンビームを発生させる方法とその装置を提供する。
【解決手段】偏極イオンビーム発生方法は、２^３Ｐ_０への遷移に対応するＤ_０線に波長調整した円偏光と直線偏光とを互いに直角の照射方向から準安定ヘリウム原子へ照射して光ポンピングすることを特徴とする構成を採用した。 （もっと読む）

【課題】 原料ガスを高圧噴射させるための微小開孔やイオンを引き出すための開孔の形状を改良することにより，プラズマ発生効率及びイオン引き出し効率を向上させること。
【解決手段】 微小開孔９ａが設けられたアノード電極２ａとイオン引き出し開孔５２ａが設けられたカソード電極５ａとの間に電圧を印加することによって，上記微小開孔９ａから上記イオン引き出し開孔５２ａに向かって原料ガスを高圧噴射させ，この噴射された原料ガスをプラズマ化すると共に上記イオン引き出し開孔５２ａからイオンを引き出すように構成されたイオン源Ｘ１において，微小開孔９ａを上記原料ガスの高圧噴射される方向に向かって略先細り状に形成する。また，上記イオン引き出し開孔５２ａをイオンが引き出される方向に向かって略末広がり状に形成する。 （もっと読む）