【課題】フットプリントの大幅な増大を抑え、エッジ部分を含む高速・高分解能で、検査条件の確認を簡便に行える異物・欠陥検査・観察システムを提供する。
【解決手段】荷電粒子光学系による観察機能と、荷電粒子光学系および試料周辺を真空にするための排気機能と、稼動範囲が小さいｒθステージと、を設け、従来異物・欠陥検査装置に搭載されていた光学式の観察機能では判別できない観察対象物表面およびエッジ部の微細な異物・欠陥を、他の観察装置を介することなく、検出された欠陥の致命／非致命を判断するための高分解能観察機能を設けた。 （もっと読む）

【課題】
表示画像に発生する像障害を回避して、鮮明な表示画像を取得する荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】
像表示部に表示する表示画像１０２を、それぞれウェハアライメントによって決定する直交座標系の直交座標１０５、１０６のいずれかの軸に沿った辺のみで構成された四角形とする。そして、荷電粒子線をこの基準直交座標系のいずれの軸にも平行でない方向１０８に走査することで、表示画像１０２を含む領域に荷電粒子線を照射して得られる画像情報１０７のうち、表示画像１０２の領域に含まれる箇所の情報のみを像表示部に表示し、明るさむらのない鮮明な表示画像を得る。 （もっと読む）

【課題】画像上に現れる走査方式に依存したアーチファクトを軽減する。
【解決手段】ステップ７０１において走査方式を決定する。ステップ７０２では、決定された走査方式によって、画像上に現れるアーチファクトの周波数を決定する。ステップ７０３では、ステップ７０２の周波数位置に対して、予め実験等で決めておいた縦横の幅からアーチファクト除去のための周波数領域を決定する。ステップ７０４、ステップ７０５で撮影を行い、画像を取得する。取得した画像をステップ７０６でフーリエ変換し、ステップ７０３において決定した周波数領域を例えば“０”で置換する。その画像をステップ７０８で逆フーリエ変換し、ステップ７０９で表示/保存する。 （もっと読む）

【課題】専用の装置を付加することなく少ない変更で簡単に三次元形状計測を行うことができる走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】三次元形状計測を行うときは、制御部１５内の反射電子の検出信号選択信号発生器は、信号切替部７およびフレームメモリ９を選択信号により制御し、電子線２の試料４上の走査フレームに同期して、信号切替部７で半導体素子６ａ〜６ｄからの検出信号を順次切替え、フレームメモリ９内の半導体素子６ａ〜６ｄに対応する記録アドレスに、半導体素子６ａ〜６ｄからの検出信号が順次記録されるように動作する。これら４回の電子線走査により、三次元形状計測用の画像データをフレームメモリ９に記録し、三次元形状計測用の演算処理部１３で処理し、表示部１４にその結果を表示することができる。制御部１５の反射電子の検出信号選択信号発生器は、フレーム走査単位に更新されるカウンターなどを含んで構成されており、極めて簡単な回路やソフトウェアで実現可能である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、測定対象個所へ電子ビームの走査位置を高速に移動と、測定対処個所の高精度な特定の両立を図ることで、真の測定の高スループット化を実現可能ならしめるパターンの測定方法、及び電子顕微鏡の提供を目的とするものである。
【解決手段】
上記目的を達成するための本発明の一態様では、測定対象である第１のパターンの座標情報に基づいて、電子ビームの走査位置を移動し、当該移動先にて、第１のパターンの検出を失敗した場合、当該第１のパターンとの相対距離が予め登録されている第２のパターンを含む領域に電子ビームの走査位置を移動させ、当該第２のパターンの検出と、前記相対距離の情報に基づいて、前記電子ビームの走査位置に移動する方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 マルチビーム型の半導体検査装置において、多様な特性を持つ試料に対して、高い欠陥検出感度と高い検査速度を両立させ得る荷電粒子線応用装置を提供する。
【解決手段】 試料上における一次ビームの配置を可変とし、さらに、試料の特性を元に、最適な検査仕様で高速に検査を行うためのビーム配置を抽出する。また、また、多数の光学パラメータおよび装置パラメータを最適化する。さらに、抽出された一次ビームの特性を測定し、調整する。 （もっと読む）

【課題】試料上における走査範囲が変化しても、明視野信号電子と暗視野信号電子を明確に分離し、高精度の明視野信号像と暗視野信号像を得ることができる走査透過荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】試料９の下に偏向コイル１０を設け、偏向コイルの下に、開口１５ａを有する暗視野信号検出器１５を設ける。この開口の下に、明視野信号検出器１６を設ける。試料の下の偏向コイルによって、明視野信号粒子線１１を、粒子線の走査と同期させ且つ逆方向に偏向させる。それによって、明視野信号粒子線は、暗視野信号検出器の開口を通過し、明視野信号検出器によって検出される。 （もっと読む）

走査荷電粒子ビーム装置が説明される。走査荷電粒子ビーム装置は、一次電子ビームを放出するためのビームエミッタと、試料上にビームを走査させるための第１の走査段と、一次電子ビームから信号電子ビームを分離するように適応されたアクロマチックビームセパレータと、信号電子を検出するための検出ユニットと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
試料の垂直方向に対して傾斜させた電子ビームを試料に照射して二次元像を得るときに、試料の上下振動が原因で検査時間が長くなることを防止できる走査形電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
走査形電子顕微鏡は、試料ステージの高さ変位量を測定する高さ測定手段と、この変位量と電子ビームの傾斜角とから電子ビームの試料に対する照射位置の変位量を算出し、電子ビームの制御信号を送信するマイクロプロセッサと、マイクロプロセッサからの制御信号に基づいて、ビーム偏向手段により電子ビームの水平方向の照射位置を補正するビーム位置補正手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】実際の粒子線の照射位置が目標位置よりずれることを防止することができる走査型荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】ユーザが設定した試料上の走査領域にて、ユーザが設定した走査方向に、ユーザが設定した走査順にて、荷電粒子線を走査する。更に、スキャン座標を２次元ＬＵＴ（Look Up Table）によって補正する。 （もっと読む）

【課題】
検査対象である回路パターンの構造または材質に応じて、帯電状態を制御することで、欠陥検査性能が向上した回路パターンの検査装置を提供する。
【解決手段】
回路パターンが形成された基板に電子線を照射して発生する二次電子を検出し、前記回路パターンの異常を検出する回路パターンの検査装置であって、基板を載置し連続的に移動するステージと、該ステージの移動中に該移動方向に対して略直角方向に電子線を繰り返し走査させる走査信号を走査偏向器へ与える走査信号発生器と、走査信号の繰り返しのうちの１回当りの走査時間を、回路パターンの構造または材質に応じて変更した制御信号を走査信号発生器へ送信する制御回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】撮像レシピ又は／及び計測レシピを自動かつ高速に生成できるようにして検査効率及び自動化率を向上させたＳＥＭ装置又はＳＥＭシステム並びにその方法を提供することにある。
【解決手段】ＳＥＭ装置又はＳＥＭシステムにおける撮像レシピ及び計測レシピ生成方法であって、レシピ演算部において、評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値を評価する評価ステップと、回路パターンの設計データ上の任意の領域をアドレッシングポイントとした場合における前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値を評価する評価ステップと、前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値と前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値との関係に基づいて、撮像レシピ及び計測レシピを決定する決定ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
ヘリウムあるいは水素のＧＦＩＳにおいて、その先端に微細な突出部を持つイオンエミッタが重要部品ではあるが、その作製歩留まりの高い作製方法や構造は未だ確立されていない。また、この突起は不測の小さな放電などで破壊されることがあり、エミッタ構造においては簡便な手法で修復ができる観点からのニーズもある。
【解決手段】
ＧＦＩＳ用イオンエミッタにおいて、第１金属の針状基体と該針先端を第２金属で覆う構成とし、かつ、該第２金属はその蒸発電界強度がガスの電界電離イメージングの最適電界強度より高い金属を選択した。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、画像精度を確保すると共に、試料を載置したステージの制定時間の短縮を可能にして大幅なスループット向上を図った荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】本発明の荷電粒子線装置は、荷電粒子線を照射して試料を撮像する荷電粒子線装置において、位置制御部に測長器で計測したステージの状態の情報に基づいて荷電粒子線を照射する目標位置からの偏差値を算出する偏差処理部と、試料の撮像時間の間はステージの状態が試料の撮像に可能であるか否かを判断する判定部とを夫々備えさせ、この偏差処理部で演算した偏差値に基づいて荷電粒子線の偏向量を調節する偏向器に指令する偏向制御部を備えて、試料の撮影を行なうように構成した。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡において、一次電子線や二次電子の偏向量が少なくなる最適な走査方法を決定して安定した画像を取得できるようにするものである。
【解決手段】エネルギーフィルタを用いてエネルギーを弁別し、得られる電子収量の変化から試料電位の変動を測定し、電子線照射時に形成される帯電の時定数を抽出する。抽出した時定数を基に走査方法を最適化し、ＳＥＭ像に現れる歪みや倍率変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】電子ビームの走査歪みにより寸法管理に誤差が生じてしまう問題があった。
【解決手段】走査歪みを計測し、校正することで歪みの無い走査電子顕微鏡像を取得するための方法及び装置を提供する。このために電子ビームで所定の領域を走査して画像を取得し、当該画像から複数の領域を選択し、夫々のパターンピッチを計測し、該計測結果から走査歪み量を算出して補正する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、荷電粒子ビーム走査位置の偏向可能範囲内で、適正な個所に走査位置を位置づけることが可能な荷電粒子ビームの走査方法、及び荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】
荷電粒子ビームの走査位置の偏向可能領域において、走査位置の偏向可能領域内の複数の対象物に、荷電粒子ビームの走査位置を偏向し、各偏向後の走査位置における対象物のずれに基づいて、前記走査位置の偏向量を補正する方法、及び当該補正を実現するための装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】表示された倍率と、実倍率とに、矛盾が生じないよう調整する静電潜像測定方法、静電潜像測定装置、画像形成装置、潜像担持体、静電潜像測定プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。
【解決手段】荷電粒子銃１１、アパーチャ１２、１２Ａ、コンデンサレンズ１３、ビームブランカ１４、ビーム偏向手段１５、対物レンズ１６、荷電粒子ビーム駆動部３１、排気手段３３、コンピュータ４０、第１の光源である半導体レーザ１７、コリメートレンズ１８、アパーチャ１９、「結像レンズ」を構成するレンズ２１、２２、２３、半導体レーザ駆動部３２、荷電粒子捕獲器２４、荷電粒子検出部２５、信号処理部２６、試料載置台２８、試料ＳＰ、除電用の発光素子２９（第２の光源、ＬＥＤ）、ＬＥＤ駆動部３５、試料台駆動部３４を主な構成とし、対物レンズ１６の屈折力、若しくは印加電圧に合わせて倍率を表す表示を変える。 （もっと読む）

【課題】試料の斜角部、縁部、または底面の部分を検査するための改良された荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】この装置は、光軸１０２を画定し１次荷電粒子ビームを集束する第１対物レンズ１０４と、試料配置領域を画定する試料台１１０と、試料に衝突させるためのビーム経路に向けて１次荷電粒子ビームを第１対物レンズと試料配置領域の間で偏向させるための偏向ユニット１３２とを備え、この偏向ユニットは光軸１０２に対して移動可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム装置の位置ずれ補正方法に関し、ＷＤの種類に応じた位置ずれ補正データを容易に得ることができる荷電粒子ビーム装置及び位置ずれ補正方法を提供することを目的としている。
【解決手段】荷電粒子ビームを試料４上で走査し、該走査に基づく観察像を得るようにした荷電粒子ビーム装置において、荷電粒子ビームのスキャン速度とワーキングディスタンスに対する観察像の位置ずれ量又は位置ずれ補正量に関する情報を記憶する記憶手段２０ｂと、該記憶手段２０ｂに記憶された情報に基づき観察時のスキャン速度とワーキングディスタンスにおける観察像の位置ずれ量又は位置ずれ補正量を表す補正値を出力する処理手段２０ａとを備え、前記処理手段２０ａからの補正値に基づいて荷電粒子ビーム走査信号を補正するように構成する。 （もっと読む）