【課題】 ステージ動作中の試料の位置ずれに対処して、高い検査精度を得る検査装置を提供する
【解決手段】 本発明の検査装置は、試料表面に設けられた複数のパターンを電子ビームを利用して検査する検査装置であって、一次コラム、二次コラム、および検出器を備える。一次コラムは、試料表面に一次ビームを照射する電子銃を有する。二次コラムは、試料表面から発生する二次電子を捕獲する。検出器は、二次電子を検出する。以上の構成において、二次コラムは、二次電子の回転角度を調整するための偏向器を有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は電子放出源及びレンズを含む超小型電子カラムに係り、より詳しくは電子放出源及びレンズの整列及び組立てがより容易に行える構造の超小型電子カラムに関するものである。
本発明による、電子放出源、ソースレンズ及びデフレクターを含む電子カラムは、前記ソースレンズが二つ以上のレンズ層でなってフォーカシングの役目を兼ねることを特徴とする。また、前記ソースレンズのレンズ層の一つ以上がデフレクター型レンズ層でなって、デフレクターの役目を兼ねることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置で用いられる偏向校正を高精度で行う電子ビーム校正技術を提供する。
【解決手段】電子ビームの走査方向に対して格子の方向を水平方向になるように一次元回折格子を配置させ、かつ格子のピッチ寸法に一致するように電子ビーム走査を垂直方向に移動させながら水平に走査する。得られた二次電子信号像から、モアレ干渉縞の有無で電子ビームの走査に対する垂直方向の偏向校正が正しく行われているか判定できる。 （もっと読む）

【課題】
周囲の温度変化によってオペアンプの利得が変化し、複数のオペアンプを搭載した回路基板の入力に対する出力がふらつかないようにする。又、この回路基板を荷電粒子線装置に搭載して、入力に対する出力を高精度化する。
【解決手段】
制御手段に備えた増幅回路は、所定の温度範囲で温度に対する抵抗値変化率が第一の正値方向の双曲線特性を有する第一の抵抗と、温度に対する抵抗値変化率が第一の特性とは逆の負値方向の双曲線特性を有する第二の抵抗とを電気的に接続し一体化した抵抗体を有して、光軸ずれ量を減らすオペアンプ増幅を行う。 （もっと読む）

【課題】 電子光学系１６と試料室１７の圧力比を所定値に保つ差動排気を行い、所定値以上のプローブ電流を満たし、低真空中で生ものや湿気を帯びた試料を観察する低真空ＳＥＭにおいて、十分な偏向領域Ｗを確保するとともに、ＳＥＭの分解能を向上する。
【解決手段】 低真空ＳＥＭは、電子光学系１６における電子ビーム２の対物絞り７と、試料室１７との圧力比Ｘを所定値に保つ差動排気用のオリフィスとを兼用した三段対物絞り１１を持つ。ここで、電子光学系１６における電子ビーム２の偏向支点１２を、三段対物絞り１１の中段１１２に設定する。これにより、試料台１４上の偏向領域Ｗを大きく確保するとともに、所望電流量を得て、低真空ＳＥＭの分解能を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】フレーム数／ｓｅｃの小さいエリアセンサを用いても高速の画像取得を可能にする。
【解決手段】評価領域を複数の副視野に分割し、１次電子線を副視野に順次照射し、副視野毎に試料面の情報を含んだ２次電子を検出手段により検出することにより、評価領域の情報を得る電子線装置において、検出手段２６は、エリアセンサＣＣＤ１〜ＣＣＤ１４と、エリアセンサの検出面に一端が結合されたオプティカルファイバ束２５と、オプティカルファイバ束の他端に塗布され、副視野の２次電子線が結像されるシンチレータが形成されたＦＯＰとからなる単位検出器２４−１を複数備える。電磁偏向器により、電子線を照射する副視野が移る毎に、該副視野からの２次電子線を偏向して、単位検出器のＦＯＰ面上を移動させる。各単位検出器から、他の単位検出器の露光中に画像情報を取り出すことができるので、高速画像取得ができる。 （もっと読む）

【課題】軸上色収差を小さくして、２次電子の透過率を大きくし、高スループットで試料の評価を行う。
【解決手段】電子銃１-1から放出された電子ビームが１次電子光学系を介して試料７-1上に照射され、それにより試料から放出された電子が２次電子光学系を介して検出器１２-1において検出される。軸上色収差補正用の多極子レンズからなるウィーンフィルタ８-1が、２次電子光学系の拡大レンズ１０-1と１次電子ビーム及び２次電子ビームを分離するビーム分離器５-1との間に配置され、磁気ギャップが試料側に設けられた電磁レンズからなる対物レンズ１４-1で生じた軸上色収差を、ウィーンフィルタで補正する。 （もっと読む）

【課題】分析対象である特定位置に電子線を長時間照射することによって生じる熱の発生やチャージアップ現象を防止し、それによって試料から発せられた電子線に基づいた表面像を精度よく作成することができる試料分析装置を提供する。
【解決手段】試料の所定領域に、電子線を照射する電子線照射装置と、電子線が照射された試料から発生した第１のエネルギ線を検出し、試料の分析を行う第１の分析部と、電子線が照射された試料から発生した第２のエネルギ線を検出し、試料の分析を行う第２の分析部と、を備えた試料分析装置において、第２の分析部が、第２のエネルギ線を検出するための検出部が前記試料の所定領域内に含まれる特定位置に対して電子線が照射されたときのみ、試料から発生した第２のエネルギ線を検出するようにし、さらに、前記第２の分析部が、その検出値を蓄積し、その蓄積された検出値から前記試料の分析を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】 視野が大きい写像投影型の欠陥検査装置及びリソグラフィ装置において、ビーム電流を大きくできるようにする。
【解決手段】 電子銃１からの１次電子線は、コンデンサレンズ２、開口（ＮＡ）３、照射レンズ４、対物レンズ５を介して試料６の表面に照射される。電子線は、光軸から離れるほど収差が大きくなるが、対物レンズ５の内部に配置されたＭＯＬ偏向器７及び軸対称電極８によって適切な電界又は磁界を与えることにより、対物レンズの軸の平行移動ができるので、広い視野を得ることが可能となる。対物レンズを通過した２次電子像の正の軸上色収差は、色収差補正器１２により生じる負の軸上色収差で補正される。これにより、ＮＡを大きくすることができるので、同一の解像度を得る場合であってもビーム電流を大きくすることができ、高スループットの評価を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの測定、検査、欠陥レビュー用などの走査電子顕微鏡において、画像を撮像する時間の短縮と高画質撮像の両立を実現する。
【解決手段】大ビーム電流を用いて低倍画像を撮像し、小ビーム電流を用いて高倍画像を撮像し、ビーム電流の変化によって発生する撮像画像の輝度変化、焦点ずれ、アライメントずれ、視野ずれを補正する制御量を予め全体制御系１１８内のメモリに保存しておき、ビーム電流を切り替える都度これを補正することにより、電流を切り替えた後の調整作業なしで画像を撮像することを可能にする。また、電子ビームの照射経路中に絞り８０１を設けることにより、電流切り替え時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】半導体試料等の表面に形成されたパターン等の体積減少を抑制、或いは減少に関わらず正確な測長を行う。
【解決手段】荷電粒子線を試料上で走査し、試料より放出された二次電子に基づいて、試料上に形成されたパターン等の線幅等を測長する荷電粒子線装置において、試料の物性に基づいて決定される照射密度を上回らないように前記荷電粒子線の走査線間隔を設定する。或いは予め記憶された近似関数に基づいて測長値を演算する。 （もっと読む）

【課題】 試料検査のための装置及びコラムを提供する。
【解決手段】 本装置は、異なる視角で作られる１つ以上の試料画像を提供することにより、単一のヘン面的な試料画像の場合と比較して、試料についての大量の付加情報にアクセスすることを可能にする。２つの画像の間のビームを傾斜させ新しい位置に試料を移動することにより、視角（入射角）を変え、これにより、ビームの傾斜に起因するビームの変位が補正されるようになる。したがって、ビームは、第１の画像を表示／記録しつつ走査したと同じ領域を、第２の画像を表示／記録しつつ基本的に走査する。 （もっと読む）

帯電粒子ビームの角状変位を判断し、高い側壁角度均一性の側壁を含むテストオブジェクトの複数の測定値に基づく帯電粒子ビームシステムを較正する為のシステムおよび方法を提供する。帯電粒子ビームの経路は、複数のビーム制御パラメータにより制御される。方法は、角状変位を実質的に減少させるパラメータを判断し、これらを適用して帯電粒子ビームシステムを較正する。
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【課題】本発明は低加速電圧領域で空間分解能の高い走査像を得ることの出来る走査形電子顕微鏡を提供することを目的としている。
【解決手段】対物レンズ８の電子ビーム通路に加速円筒９を配置し、一次電子ビームの後段加速電圧１０を印加する。また、試料１２に重畳電圧１３を印加して加速円筒９と試料１２の間に一次電子ビームに対する減速電界を形成する。試料１２から発生された二次電子や反射電子等の二次信号２３は、試料直前の電界（減速電界）で加速円筒９内に吸引され、加速円筒９より上方に配置された二次電子検出器により検出される。 （もっと読む）

【課題】
散乱電子の極角識別機能を有するＳＥＭ暗視野検出システムを提供すること。
【解決手段】
対物レンズ、走査デフレクタ、反走査デフレクタ、エネルギーフィルタ・ドリフトチューブ、および領域分割された検出器を含む電子ビーム走査装置に関する位置実施形態を開示する。対物レンズには、高い抽出電界を有するように構成されたイマージョンレンズが使用され、標本表面で散乱された電子の方位角の識別を可能にする。反走査デフレクタは、入射電子ビームの走査の補正に使用される。エネルギーフィルタ・ドリフトチューブは、散乱電子を標本表面からの軌道の極角に従って一致させるように構成される。 （もっと読む）

【課題】複数の重要領域を含むウエハやレチクルを、複数のビームを使用して走査して検査するための効果的なシステム及び方法の提供。
【解決手段】検査システム１０は、（ｉ）ビームアレイ軸により特徴付けられるビームアレイ２０２を生成するように適合されたビームアレイ発生装置２０と；（ｉｉ）ウエハ１００の少なくとも２つの選択された領域を、ビームアレイ軸に沿って位置決めされる少なくとも２本のビームが実質的に同時に走査するようにビームアレイ２０２の下のウエハ１００を位置決めするように適合されたＸステージ３０，Ｙステージ３１およびθステージ３２と；を含んで構成する。 （もっと読む）

【課題】
コンタクトホール等の半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ上の欠陥を検査し、ドライエッチングによる非開口欠陥等の欠陥の位置や欠陥の種類等の情報を高速に取得可能とする。また、得られた欠陥情報から欠陥の発生プロセスや要因の特定を行ない、歩留まりを向上やプロセスの最適化の短期化を実現する。
【解決手段】
半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハに１００ｅＶ以上１０００ｅＶ以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した２次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。二次電子画像取得前にウエハを移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ表面を所望の帯電電圧に制御する。取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ面内分布を表示する。 （もっと読む）

【課題】 適切な観察を行うために、特に試料汚染及びパターン収縮を抑えるために、操作者にかかる負担を軽減することができる電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 電子線の照射が開始されると、警告値比較部５が警告値入力部３に入力された警告値とドーズ量測定部１が測定した累積ドーズ量とを比較し、許容値比較部４が累積ドーズ量と許容値入力部２に入力された許容値とを比較する。これらの比較の結果、累積ドーズ量が警告値に達している場合、累積ドーズ量が許容値に近づいている旨の警告を警告部８が発し、累積ドーズ量が許容値に達している領域が存在する場合、通知部６がその旨を通知する。また、累積ドーズ量が許容値に達している領域が存在する場合には、照射遮断部７が当該領域への電子線の照射を遮断する。特に、チップ全体で累積ドーズ量が許容値に達している場合には、照射対象変更部９が他のチップへ電子線を照射するようにステージ等の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】 試料の傾斜角や高さに依存することなく、精度のよい試料の画像計測が行なえる電子線装置と電子線装置用基準試料を提供する。
【解決手段】 上記目的を達成する本発明の電子線システムは、例えば図１に示すように、電子線を射出する電子線源１と、電子線源１から射出された電子線７を収束し、試料９に照射する電子光学系２と、電子線７が照射された試料９からの電子７ｄを受け取る検出部４と、試料９を支持する試料支持部３と、試料支持部３で支持された試料９に照射される電子線７と試料３とを相対的に傾斜させる試料傾斜部５（５ａ，５ｂ）と、前記相対的な傾斜が自在であるように試料支持部３で支持された少なくとも傾斜した２面を有する基準試料９ａから電子を受け取った検出部４からの検出信号を、傾斜毎に受け取り、前記傾斜した２面の画像と基準試料９ａの基準寸法とから、基準試料９ａの傾斜角度を求めるデータ処理部２０等とを備える。 （もっと読む）

【課題】 チャージアップした試料の除電を新たな設備を付加することなく簡単かつ短時間で行う。
【解決手段】 チャージアップした試料に対し、電子銃に加速電圧を印加し一次電子を前記電子銃から前記試料に照射して除電する電子顕微鏡のチャージアップ防止方法は、過去に照射した一次電子の加速電圧の最大値を除電開始の加速電圧とし、試料面における電子線の着地加速電圧を、試料の二次電子放出効率が１を超える領域にすることで試料に帯電した電子を放出させるように、除電開始電圧から加速電圧を徐々に降下させ、負に帯電した試料が帯電なしもしくは正に帯電されるまで加速電圧を連続的に印加する。加速電圧の降下を終了する除電終了電圧は、予め複数の試料で二次電子放出効率が１となる加速電圧を比較し、最小加速電圧以下とする。 （もっと読む）