【課題】半導体デバイスやデバイスシステムの欠陥箇所や不良箇所を、３次元の電流像を用いて特定することができる３次元像測定装置を提供する。
【解決手段】３次元像測定装置１００は、走査信号を走査ミラー２３に出力する走査回路２４と、第２の対物レンズ２５を光軸に沿って移動させ、光軸方向における試料２００及び第２の対物レンズ２５間の相対距離を変化させる光軸方向移動機構２６と、制御信号を光軸方向移動機構２６に出力する光軸方向移動制御回路２７と、試料２００に流れる誘起電流を出力する導電性プローブ３１と、走査回路２４からの走査信号及び導電性プローブ３１からの電流値に基づいて試料２００の２次元電流像を構築し、光軸方向移動機構２６による各相対距離における各２次元電流像を重ね合わせた３次元電流像を構築する演算部４３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】同一の観察対象を電子顕微鏡画像と光学画像を用いて観察する際の、視野ずれを補正し易くする。
【解決手段】第一観察手段と略同一の視野方向で、試料台３３に載置された観察対象を該視野方向で観察する際の観察位置にて、第二観察手段を用いて試料の観察像を観察するように胴部２４又は試料台３３を回動させる回動手段３０と、第二観察手段を用いて観察位置の試料における相対位置を視認するための視認倍率で観察される第二観察像を、第二表示領域に表示させた際に、該表示と連動して、広域画像取得手３２０により取得された広域画像に基づいて、第一観察手段によって当該視認倍率と同じ倍率で取得されるべき視認倍率画像を取得し、第一表示領域に表示させるための視認倍率画像生成手段３２２と、第一表示領域に視認倍率画像が表示された状態で、第二表示領域に表示された第二観察像の視野位置を補正するための視野ずれ補正手段３２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、異なる帯電が混在するが故に、正確な検査，測定が困難になる可能性がある点に鑑み、異なる帯電現象が含まれていたとしても、高精度な検査，測定を可能ならしめる方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子線走査個所の表面電位の電位計測結果から、当該走査個所より広い領域の電位分布に基づいて得られる電位を減算する装置、及び方法を提案する。このような構成によれば、特性の異なる帯電現象が混在するような場合であっても、走査荷電粒子線装置による正確な検査，測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターンから放出される電子を適正にパターン外に導くための電界を形成する電子ビーム走査方法、及び走査電子顕微鏡の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、帯電を形成するための電子ビームを、試料に照射する際に、試料上に形成されたパターンのパターン中心を対称点とする第１の位置と第２の位置に、第１の電子ビームを照射した後、対称点を中心とした第１と第２の位置と同一の半径上であって、第１と第２の照射位置との間の２つの中心位置に更に第１の電子ビームを照射し、更にその後、半径上の既走査位置間の中心位置への第１の電子ビームの照射を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型で高効率の二次信号電子の検出系を実現することを目的とする。
【解決手段】一次電子線を走査するために用いる偏向器を用い、試料から放出される二次信号電子に対してのみ偏向作用する電磁界を重畳的に発生する。すなわち、一次電子線に対しては電界の偏向作用と磁界の偏向作用が相殺され、かつ、二次信号電子に対しては偏向作用が働く電界及び磁界を重畳させるオフセット電流及びオフセット電圧を、一次電子線を走査させる電界又は磁界を発生する偏向器に発生させる。 （もっと読む）

【課題】微小ピクセルによる高感度検査を、ステージをスキャン移動させながら効率的に行える電子線検査装置、方法及び記憶媒体を提供する。
【解決手段】本発明による電子線検査装置では、検査対象物がステージ移動方向と垂直な方向に分割された非連続な２つ以上の検査領域を有する場合、電子線走査制御手段は、電子線走査手段が検査領域に挟まれた非検査領域に照射電子線を照射しないように、照射電子線の走査幅を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、予備照射領域内に異なる複数の材質が含まれていたり、予備照射領域内のパターンの密集度が位置によって異なるような試料であっても、帯電の不均一さを抑制することが可能な荷電粒子ビーム照射方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、予備照射領域を複数の領域に分割し、当該複数の領域に対し、異なるビーム照射条件のビームを用いて、帯電を付着する荷電粒子ビーム照射方法、及び荷電粒子線装置を提案する。上記構成によれば、予備照射領域内で、各位置の帯電の差異を抑制し得るような照射条件に基づいて、予備照射領域に対する帯電の付着が可能となるため、荷電粒子ビームや試料から放出される電子に対する電界の影響を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】FIB加工における加工効率を低下させずにリアルタイムでSEM観察を可能にする技術を提供する。
【解決手段】本発明では、FIBカラムとSEMカラムを備える複合荷電粒子線装置に、電子ビームを試料に照射したときに発生する後方散乱電子が試料室の構造物に衝突することによって放出される二次電子（本明細書では、三次電子という）を検出するSE3検出器を設けている。そして、この三次電子を用いてSEM像を生成し、そのSEM像によって、イオンビームによる加工の状態を観察することが可能なようになっている。 （もっと読む）

【課題】高感度にＲＯＩ領域の欠陥発生頻度や特性尤度の効率的なモニタリングをする。
【解決手段】ステージの連続移動に同期して、マトリクス状に配置した複数の電子線をステージ移動方向に間引いて回路パターンに照射し、発生する二次電子等を取得し、同一領域で取得した画像を加算平均することで高速にしかも高ＳＮの画像を取得し、取得画像より回路パターンの欠陥を判定する。ステージ移動と垂直方向への移動時に隣接領域ではなく、間引いて画像取得することで、ＲＯＩ領域のみ、又は回路パターン全体の欠陥発生頻度や特性尤度を効率的にモニタリングする。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーの工程で必要とされるホットスポット検査において、広い観察面積を短時間で観察できる高解像度の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】複数本の電子線１１８で試料１１９上を走査し、それぞれの電子線から放出される２次電子１２０を同一の検出器１１２で取り込むことで、ＳＥＭ画像は複数本の電子線間の相対距離に依存した、位置がずれた画像（ゴースト画像）となる。前記相対距離を調整し、画像処理部１０４で位置ずれを復元することで、画素サイズが大きくても高感度なホットスポット検査装置を実現することができ、広い面積を短時間で観察できる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも２種類以上の電気的欠陥を１回の検査で従来よりも高い確率で捕捉可能な検査条件で検査を実行可能な荷電粒子線装置ないし荷電粒子線による検査方法を実現する。
【解決手段】被検査試料上の同一箇所を複数回走査し、一次荷電粒子ビーム走査時の光学条件あるいは出力される画像信号から画像を形成する際の画像形成条件を上記２種類以上の電気的欠陥を捕捉可能な画像を可能な条件に調整する。 （もっと読む）

【課題】SACP法およびSACP法を行うための粒子光学系を提案する。
【解決手段】SACP法は、粒子光学系を用いて物体表面に荷電粒子ビームを向けるステップと、物体から放出した粒子の強度を検出するステップとを含む。粒子光学系は、ビームを集束するための対物レンズと、ビーム経路で対物レンズの上流側に配置した第１ビーム偏向器と、ビーム経路で第１ビーム偏向器と対物レンズとの間に配置した収差補正器と、ビーム経路で収差補正器の下流側に配置した第２ビーム偏向器とを備える。SACP法は、（ａ１）第２ビーム偏向器の励起を調整し、物体表面におけるビームの入射位置を調整するステップと、（ａ２）第１ビーム偏向器の励起を調整し、入射位置を変更することなしに物体表面におけるビームの入射角を調整し、強度を検出するステップと、（ａ３）ステップ（ａ２）を繰り返し、同じ入射位置における少なくとも１００個の異なる入射角についてそれぞれ対応した強度を検出するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】高精度かつ短時間で結晶格子像と相似のモアレパターンを得ることを可能にする。
【解決手段】走査型顕微鏡を用いて、結晶構造の結晶格子モアレパターンを取得する方法であって、前記結晶構造の走査面において、前記結晶構造と方位に対応して、複数の仮想格子点を周期的に配置する工程と、入射プローブを用いて複数の前記仮想格子点からの信号を検出する工程と、検出した前記信号に基づいて、前記結晶構造の結晶格子モアレパターンを生成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
一次電子ビームの走査ずれに起因する擬似欠陥を低減する高感度高スループット電子ビーム式検査装置と検査方法を提供する。
【解決手段】
複数の一次電子ビームを有する半導体検査装置において、前記複数一次電子ビームが被検査試料を照射する位置を個別に設定調整手段を有する。前記複数一次電子ビームの試料上の照射位置を前記被検査試料の繰り返しパターン間隔に合わせて設定して、比較対象の繰り返しパターン画像を同時に取得する。同時に取得した複数の画像上に、比較する繰り返しパターンの処に一次電子ビームの走査ずれは同じである。そのため、差画像上に電子ビームの走査ずれに起因する擬似欠陥がなくなって、高感度高スループット電子ビーム式検査装置と検査方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】観察試料又は欠陥部の帯電状態が最適になった時点で信号検出をできる荷電粒子顕微鏡装置及び荷電粒子ビーム制御方法を提供する。
【解決手段】観察試料１００に対しての始めの帯電促進用の電子ビーム２１の照射から次の試料観察用の電子ビーム２１の照射までのを帯電待ち時間Ｔを、観察試料１００又は観察試料１００に発生する欠陥部１１２の状態に応じて設定し、この帯電待ち時間Ｔに基づいて観察試料１００に対して帯電促進用の電子ビーム２１の照射と試料観察用の電子ビーム２１の照射とを行う。 （もっと読む）

【課題】二次電子又は反射電子の強度が時間的に変化しても適切な条件で検査を行う。
【解決手段】電子線を検査対象物に照射する照射光学系１，４と、この照射光学系の照射位置をＸ方向及びＹ方向に走査する走査部７と、電子線が照射されることにより検査対象物で発生した二次電子又は反射電子を制御する帯電制御電極５と、この帯電制御電極を介して二次電子又は反射電子を検出するセンサ１３と、このセンサで検出した信号を電子線の照射開始時刻からディジタル画像信号に逐次変換するＡ／Ｄ変換器１４とを備えた半導体ウェーハ検査装置であって、ディジタル画像信号を第１の設定時刻から第２の設定時刻まで画素毎に加算して検出画像を生成する加算回路１５と、検出画像と検査対象物に形成された回路パターンの参照画像とを比較して欠陥を判定する画像処理回路１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い縦分解能と高い横分解能を同時に実現する。
【解決手段】粒子ビーム顕微鏡は、リング状の円錐形状を有する粒子ビームを生成する照明系を備える。選択的検出系は、対象物領域を通過した粒子の２つの粒子グループにおける一方を選択的に検出するように構成する。第１粒子グループは、散乱せずに、または小さい散乱量で散乱して対象物領域を通過した粒子を含む。第２粒子グループは、対象物領域においてより大きい散乱量で散乱した粒子を含む。 （もっと読む）

【課題】
荷電粒子ビーム照射による影響(帯電等)のない、また影響が低減された荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】
荷電粒子ビーム１０１を被対象物１０６に照射し、被対象物からの検出信号１０４を画像データに変換し画面上に表示する荷電粒子ビーム装置であって、荷電粒子ビームを任意の方向に走査し、被対象物上の離散的な位置に照射する荷電粒子ビーム制御部３と、画像データを並び替える画像データ並び替え部５を含む画像処理システム１３とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】試料を保持する試料ステージと、前記試料に電子線を照射する電子光学系を有するカラムと、前記電子線の照射により前記試料から発生した信号に基づいて第一および第二の画像を取得する画像取得部と、前記第一の画像から予め指定された種類の欠陥の有無を判定する画像演算部とを有し、前記画像演算部によって当該欠陥があると判定された場合、前記電子光学系は、前記第一の画像を取得したときの電子線と試料面のなす角度とは異なる角度で前記試料に電子線を照射し、前記画像取得部は、前記試料から発生した信号に基づいて第二の画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】マッピング時の長時間を必要としないドリフト補正が可能な走査型電子顕微鏡のドリフト補正方法を実現する。
【解決手段】電子線を開始座標からへＸ方向に走査し（ステップＳ２０１）ドリフト補正用の基準画像を用いてドリフト補正を行う（ステップＳ２０２ａ）。電子線２を−Ｘ方向に走査しドリフト補正を行う（ステップＳ２０２ｂ）。次に、電子線を開始座標から−Ｙ方向に走査し、ドリフト補正を行う。電子線をＹ方向に走査しドリフト補正を行う（ステップＳ２０２ｄ）。以降、同様にして、Ｘ方向、Ｙ方向に電子線を走査し、１ライン毎にドリフト補正を行う。ただし、最終のＹ方向への走査は行なわない。それまでのドリフト補正により補正されているからである。 （もっと読む）