【課題】マルチビーム配列が完全正方行列でなく、一定の走査速度で各ビームのＯＮ／ＯＦＦ信号を独立のタイミングで制御する必要があり、制御データ量が膨大であった。走査方向と非走査方向でパターンのエッジのシャープネスが異なり、高精度なパターン描画が困難であった。
【解決手段】電子銃１からの電子ビームをビームサイズの整数倍の間隔の２次元平面内の正方格子行列ビーム群を形成する。描画すべきデバイスのメッシュの個別ブランカ１３をビットマップ信号によりＯＮ／ＯＦＦし、所望のビームを得る。また、偏向装置１７，１８によりビームを必要位置に偏向し、ビーム状態が静定した後、全体ブランカ１６を開としてビーム照射することにより、高精度かつ高速の描画パターンを得る。 （もっと読む）

【目的】マルチビーム形成アパーチャによって散乱した荷電粒子によるブランキング偏向器アレイへの帯電とコンタミ成長を抑制する装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、荷電粒子ビームを放出する電子銃２０１と、マルチビームを形成するマルチビーム形成アパーチャ部材２０３と、マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレート２０４と、マルチビーム形成アパーチャ部材２０３とブランキングプレート２０４との間に配置された、電磁レンズ２１２，２１４と、電磁レンズ２１２，２１４の間であってマルチビームの集束点位置に配置され、集束点から外れた荷電粒子の通過を制限する制限アパーチャ部材２１６と、複数のブランカーによってビームｏｆｆの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する制限アパーチャ部材２０６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器アレイにより生じる磁場の影響の軽減に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この描画装置は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う装置であり、複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングする複数のブランキング偏向器を含むブランキング偏向器アレイと、描画データに基づいてブランキング偏向器アレイを制御する制御部とを有する。この制御部は、描画データにしたがって制御した場合にブランキング偏向器アレイが生成する磁場による複数の荷電粒子線の基板上での位置誤差が低減するように、ブランキング偏向器アレイを制御する。 （もっと読む）

【課題】マルチビーム方式の描画装置で、異常な荷電粒子線が存在しても描画に有利な技術を提供する。
【解決手段】描画装置は、荷電粒子光学系と制限部と制御部とを備える。荷電粒子光学系は、第１方向に沿って第１ピッチで配置されたｎ以上のＮ本の荷電粒子線を含む行が、第１方向に直交する第２方向に沿って第２ピッチでｍ以上のＭ行存在し、Ｍ行のうち１番目からｍ番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置が第１ピッチの（１／ｍ）ずつずれ、かつ、（ｍ＋ｉ）番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置がｉ番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置と同じに配列された（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線を生成する。制御部は、（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線の中に異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するｎ本の荷電粒子線を含む行が、ｍの約数分の行だけ第２方向に沿って連続して使用できるように、制限部を制御する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線描画装置におけるスループットの向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】生成部から送信される描画データを第１記憶部１２１及び前記第２記憶部１２２のうち選択された一方に記憶させる動作と、前記第１記憶部及び前記第２記憶部のうち他方に記憶された描画データを読み出して前記第３記憶部１２３に記憶させる動作とが並行して行われるように、前記第１記憶部、前記第２記憶部及び前記第３記憶部の動作を制御する第２制御部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＣアンプテスターを使用してブランキングタイミングの調整を行うことで、セトリング時間の短縮を図り全描画処理に掛かる時間を短縮しスループットの向上を図るとともに、誰でも簡易、確実にＤＡＣアンプの調整を行うことができ、ＤＡＣアンプ調整時間の短縮までも図ることが可能な荷電粒子ビーム描画装置及びブランキングタイミングの調整方法を提供する。
【解決手段】ブランキングアンプ３３と、ＤＡＣアンプ３４と、偏向制御部３２と、制御計算機３１と、ＤＡＣアンプ３４から出力されるアナログ電圧信号を加算する加算回路を備えるＤＡＣアンプ診断回路３８と、ＤＡＣアンプ３４の評価を行うＤＡＣアンプテスター７と、を備え、ＤＡＣアンプテスター７は、ブランキングアンプ３３からのブランキング信号とＤＡＣアンプ診断回路３８からの加算回路出力信号を基にセトリング時間内におけるブランキングタイミングの調整を行う。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法により基板上の複数の領域に異なる或いは同一の膜厚のめっき膜を形成する際の、電解めっきの印加電圧やパターンめっきの為のパターンレイアウトなどに関する制約を少なくした電解めっき方法を提供する。
【解決手段】基板１上の複数の領域１４、１５に所定の膜厚のめっき膜５、６を形成する電解めっき方法である。基板１上の複数の領域１４、１５に夫々めっき電流が流れる経路の少なくとも１つに、オーミック特性を有する抵抗体４を配し、複数の領域１４、１５に同時に電解めっきによりめっき膜５、６を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 真空室内のデバイスに高速かつ大量に信号を伝送するにあたり、該デバイスへの熱の流入の少なさの点で有利な技術を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、減圧室に配置され、前記複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングするブランキング偏向器と、前記減圧室より気圧の高い外部室に配置され、前記ブランキング偏向器を制御するためのデバイスと、第１基板と、を備える。前記第１基板は、前記減圧室と前記外部室とを仕切る隔壁を構成し、かつ、該隔壁となる領域に形成された貫通孔に充填された電極を含む。前記デバイスは、前記電極を介して前記ブランキング偏向器と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 照射角度の不均一な照射系を備えるも、複数の荷電粒子線の間の特性の均一性の点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 発散する荷電粒子線を分割する第１アパーチャアレイと、第１アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線から第１の複数のクロスオーバーを形成する集束レンズアレイと、第１の複数のクロスオーバーが形成される主平面を有するコリメータレンズと、コリメータレンズから射出した複数の荷電粒子線の角度を補正し、かつ、第２の複数のクロスオーバーを形成する補正系と、第２の複数のクロスオーバーに対応する複数の開口を有する素子と、を有し、該主平面における第１の複数のクロスオーバーの配列を該複数の開口の配列に対して異ならせることにより、該素子上において第２の複数のクロスオーバーが該複数の開口に整合するように、第１アパーチャアレイ及び集束レンズアレイは、開口が配置されている、描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】 複数の荷電粒子線の間の不均一性の補償に有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 照射系（１４０）と、アパーチャアレイ（１１７）と、複数のクロスオーバーを形成するレンズアレイ（１１９）と、複数の開口を備えた素子（１２２）と複数の投影ユニットとを含む投影系（１７０）と、を有する。レンズアレイ（１１９）は、上記複数のクロスオーバーのそれぞれの位置が上記素子における対応する開口に整合するように、該開口に対して偏心している集束レンズを含む補正レンズアレイ（１６２）と、上記複数のクロスオーバーを形成するように、補正レンズアレイにより形成された複数のクロスオーバーをそれぞれ拡大して結像する拡大レンズアレイ（１６３）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線をブランキングする機能の維持に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この荷電粒子線描画装置１は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置である。ここで、荷電粒子線描画装置１は、複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングするための複数の偏向器を含むブランキング偏向器アレイを少なくとも２段（ブランキング偏向器アレイ１４、１９）備える。 （もっと読む）

【課題】 照射角度の不均一な照射光学系を備えるも、複数の荷電粒子線間の特性の均一性の点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 コリメータレンズを含む照射光学系（１４０）と、照射光学系から射出した荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイ（１１７）と、アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線からそれぞれ複数のクロスオーバを形成する集束レンズアレイ（１１９）と、複数のクロスオーバに対応する複数の開口を備えた素子（１２２）と荷電粒子線を基板上に投影する複数の投影ユニットとを含む投影系（１６０）と、を有し、照射光学系の収差に依る入射角でアパーチャアレイに入射して集束レンズアレイにより形成される複数のクロスオーバのそれぞれの位置が前記素子における対応する開口に整合するように、集束レンズアレイは、前記素子における対応する開口に対して偏心している集束レンズを含む、描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器と位置制御偏向器との動作タイミングを高速、かつ高精度に調整し、描画スループットの向上に有利となる荷電粒子線描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線描画装置１は、荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する。荷電粒子線描画装置１は、荷電粒子線の照射に応じた電荷量を検出する検出部１７と、荷電粒子線の照射方向に沿って配置され、荷電粒子線を偏向可能な第１および第２の偏向器１３、１５と、第１および第２の偏向器１３、１５を御する制御部６とを備える。制御部６は、荷電粒子線の検出部１７への照射と非照射とを切り替えるための信号を所定のタイミングで第１および第２の偏向器１３、１５に送信し、該信号に応じた検出部１７の出力に基づいて、第１および第２の偏向器１３、１５の動作タイミングを調整する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線による描画動作に支障を与えることなく、ストッピングアパーチャに堆積される汚染物質を効率よく除去する。
【解決手段】 荷電粒子線描画装置は、荷電粒子線を偏向するブランキング偏向器１８と、前記ブランキング偏向器で偏向された荷電粒子線を遮断するストッピングアパーチャ１９と、前記ストッピングアパーチャに堆積された堆積物を分解する活性種を気体から生成するための触媒２４と、前記触媒に前記気体を供給する供給機構２５と、を備える。前記堆積物を除去する除去動作では、前記荷電粒子線描画装置は、前記供給機構によって前記気体を前記触媒に供給しながら、パターンを描画する描画動作では前記荷電粒子線が照射されない領域に前記荷電粒子線を照射することによって、少なくとも前記領域に位置する前記触媒によって前記気体から前記活性種が生成され、該生成された活性種により前記堆積物を分解して除去する。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器アレイの欠陥検査時間の短さの点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この描画装置は、被処理基板に対して複数の電子ビームによりパターンを描画する装置である。ここで、制御部は、移動体５を移動させながら、切り替え部により電流検出部１７ａに対して最初に入射する第１電子ビームＢ_１の照射をＯＮとしたときの信号出力を検出し、次に、第１電子ビームＢ_１の照射をＯＦＦとし、第１電子ビームＢ_１の隣に位置し、第１電子ビームＢ_１の次に入射する第２電子ビームＢ_２の照射をＯＮとしたときの信号出力を検出する処理を繰り返す信号検出部と、信号検出部が検出した信号出力に基づいて、切り替え部における欠陥の状態を判定する欠陥判定部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線の本数が増加すると、ブランキング偏向器アレイの製造における歩留まりが悪くなってしまう。
【解決手段】 偏向器アレイは、複数の開口が形成されたベース基板と、複数の開口が形成され、前記複数の開口のうち少なくとも一部の開口の両側に設けられた複数の電極対を有する複数の偏向器チップと、を備える。
さらにベース基板の複数の開口に対応する位置に偏向器チップの複数の開口が配置されるように、１枚のベース基板に対して複数の偏向器チップが固定される。 （もっと読む）

【課題】本発明は可変成形形電子ビーム描画装置に関して、第１の成形開口板３（又は絞り）上の電流密度分布を均一にするために、球面収差係数を減少させる手法とは異なる方法により球面収差起因の電流密度むらを解消することを目的としている。
【解決手段】
荷電粒子源、照明レンズ群、絞り、投影レンズ群、及び材料面の順にこれらが配置され、前記荷電粒子源から出射される荷電粒子ビームが前記照明レンズ群を介 して前記絞り上に照射され、更に投影レンズにより前記絞りの像が材料面上に結像される状態で絞りを通過したビームが材料上に照射される荷電粒子ビーム装置 において、前記照明レンズ群は、前記荷電粒子源の像が前記絞り上に結像しないように配置され、かつ前記照明レンズ群のうちの一つのレンズが、前記絞りの位置と光学的に共役関係にある位置に配置されて構成される。 （もっと読む）

【課題】複数のブランカーを含む荷電粒子線描画装置に関しスループットおよび実装の点で有利な技術を提供する。
【解決手段】複数のブランキングアパーチャを有するブランキングアパーチャアレイ１１７と、基板１２０に照射すべきでない荷電粒子線はブランキングアパーチャアレイ１１７によって遮断されるように複数の荷電粒子線をそれぞれ制御する複数のブランカーを有するブランキングユニット１１６と、複数のブランカーを制御するためのブランキング指令を生成するブランキング指令生成回路１０４と、ブランキング指令生成回路１０４によって生成されたブランキング指令をブランキングユニット１１６に送るシリアル伝送ケーブル１０５とを含み、ブランキングユニット１１６は、ブランキング指令をパラレルデータに変換して、パラレルデータに変換されたブランキング指令に基づいて複数のブランカーを駆動する。 （もっと読む）

【課題】ブランカを用いない光スイッチング電子源及びそれを用いた電子線描画装置を提供する。
【解決手段】光スイッチング電子源１は、光源２と、光源２からの断続光が照射されることで電子を発生する電子発生部３と、を備え、電子発生部３は、光励起によって電子を発生する電子源９と、電子源から電子を引き出す電極７と、電子を引き出す電源８と、を備えている。電子源９は、ｐｎ接合又はｐｉｎ接合９ａ等を用いることができ、ｐｎ接合９ａｐ層６ａ又はｎ層６ｂが突起形状を有していてもよい。ｐｎ接合９ａがアレイ状に配設されていれば、複数の電子線１２を発生することができる。さらに、電子発生部３の電子出射側に電子線整形部４が配設されていてもよい。電子線整形部４は、アインツェルレンズ４１と、アインツェルレンズ用電源１１と、から構成することができる。 （もっと読む）

【解決手段】本願は複数の荷電粒子ビームレットを用いる対象表面にパタンを転送する荷電粒子マルチビームレットリソグラフィシステムに関する。システムはビーム生成器、ビームブランカアレイ、保護構造及び投影システムを含む。ビーム生成器は荷電粒子ビームレットを生成すべく配置される。ビームレットブランカアレイはパタンに従ってビームレットをパタニングすべく配置される。ビームレットブランカアレイは調整器及び感光素子を含み感光素子は光線を運ぶパタンデータを受信し光線を電気信号に変換する。感光素子は受信パタンデータを調整器に提供するために調整器に電気的に接続される。保護構造は調整器によって生成される電場から感光素子の近くで生成される電場を保護する導電材の保護構造であって保護構造はある電位でセットされるように配置される。投影システムは対象表面にパタニングされたビームレットを投影するために配置される。 （もっと読む）