【課題】イオン注入時のシリコンウエハ等の板状試料におけるダメージを抑制することができ、板状試料の非晶質化をダメージ無く均一に進行させることができ、裏面を大気中に曝露した場合においても結露が生じる虞が無い静電チャック装置を提供する。
【解決手段】表面を板状試料Ｗを載置する載置面１１ａとするとともに静電吸着用内部電極１３を内蔵した静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３とを備え、静電チャック部２と温度調整用ベース部３との間に温度調整用基材４を設け、この温度調整用基材４の静電チャック部２側に凹部３１を形成し、この凹部３１に冷却媒体を流動させる溝３２を形成した。 （もっと読む）

【課題】極低温でウエハを冷却する場合であっても、ホルダ駆動機構の動きに支障を来たすことなく、所望するイオン注入を達成することのできるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオン注入装置は、ウエハ２を保持するホルダ３と、少なくともツイスト角調整機構とティルト角調整機構を有するホルダ駆動機構とを備えている。さらに、ツイスト角調整機構の駆動源を成し、回転子がホルダに取り付けられたツイストモータと、ツイストモータの固定子が取り付けられた筐体２０と、ホルダ３と対向する筐体２０の場所に配置された冷却フランジ５と、冷媒が蓄積された冷媒タンク８と、一端が冷却フランジ５に接続され、他端が冷媒タンク８に接続された冷媒供給用のチューブ７とを有している。そして、このチューブ７はホルダ駆動機構の外側領域に配置されている。 （もっと読む）

イオン注入機において、１つ以上の光学ヒーターを一対の支持アームの上方に配置する。支持アームは、プラテンの下に配置される係合位置と、プラテンから離れて垂直方向に変位され、かつ、プラテンの平面に対して平行な方向にプラテンから離れて回転された引っ込んだ位置とを有する。支持アームが引っ込んだ位置にある場合に、支持アーム上の不所望な物質を除去するために、１つ以上の光学ヒーターは、支持アーム上に配置された冷却パッドの表面に入射する光エネルギーを供給するように構成される。このように、光学ヒーターは、イオン注入機における極低温表面の再生サイクルの期間中に用いられる。
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シリコンウエハからシリコンを剥離するための水素イオン注入装置は、その外周の周囲で５０以上のウエハを運搬し、軸を中心に回転する、大型の走査ホイール（１４）を使用する。一実施形態において、ホイールの回転の軸は、固定され、水素イオンのリボンビーム（１０１）は、ホイールの外周縁上で下向きに方向付けられる。リボンビームは、ホイール上でウエハの放射状幅全体に延在する。ビームは、少なくとも１００ｍｍの断面外径を有する抽出リボンビームを提供する、イオン源（１６）によって生成される。イオン源は、イオン源のプラズマを閉じ込めて均一フィールドを提供するように、コアレスの鞍型コイル（１１２、１１２ａ〜ｃ）を使用する場合がある。リボンビームは、リボンの平面内でビームを屈曲する９０偏向電磁石（１７）を通過する場合がある。
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【課題】 ウエハの温度を補償をすることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 本発明のイオン注入装置は、イオンを照射する照射手段と、少なくとも１つのウエハＷを保持するディスク１１２を含む保持手段と、ディスク１１２に保持されたウエハＷの温度情報を非接触状態でサーモパイル１２２と、ディスク１１２に保持されたウエハＷの熱交換を可能にする冷媒供給部と、サーモパイル１１２で検出された温度情報に基づきディスク１１２に保持されたウエハＷの表面温度を算出し、算出されたウエハの表面温度が許容温度範囲内にあるか否かを判定する制御部とを有する。 （もっと読む）

ワークピース冷却システム及び方法を開示する。イオン注入中の半導体ウエハのようなワークピースから熱を逃がして伝達することは必須である。一般に、この熱はワークピース支持体又はプラテンに伝達される。一実施態様では、所望の動作温度を決定する。これに基づいて、１０〜５０Torrのような所望の範囲内の蒸気圧を有するガスを選択する。この範囲は、クランプ力より小さくなるように、十分低い必要がある。ワークピースとワークピース支持体との間の空間を満たすために、この凝縮性ガスを用いる。吸着及び脱着に基づいて熱伝達が生じて、それにより、ヘリウム、水素、窒素、アルゴン及び空気のような従来採用されたガスより改善された伝達特性を提供する。
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本発明で開示の流体送達機構は、単軸移動で用いるための解決法を提供し、広範囲の温度に渡る一つ以上の流体流路を真空環境へ接続することを可能にする。当該機構は、特に非常に低い温度で疲労する傾向がある、フレキシブルな管は使用しない。一実施形態では、管は、流体の送達を可能にするために、シールされたピストン内を軸方向に移動する。第二の特定の実施形態では、要求される機能を提供するために、ベローズが用いられる。他の実施形態では、適切に構成される２つ以上の機構を利用することによって、２軸又は３軸の移動軸での移動を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】BOX膜厚等のばらつきの少ないSIMOXウェーハを製造することが可能な装置および製造方法を提供する。
【解決手段】複数の公転しているウェーハを真空中の装置内で加熱して酸素イオンを注入するバッチ式のイオン注入装置。前記複数の公転しているウェーハの温度を測定するための、大気側に配置された赤外線放射温度計、および前記赤外線放射温度計により、前記真空中の装置内にあるウェーハの温度を計測するための、BaF2またはZnSe製の窓を具備する。
上記装置で行うSIMOXウェーハの製造方法。第１イオン注入層を形成する工程において、複数のウェーハの温度が目標温度±５℃以内に到達するようにイオン注入を行う。第２イオン注入層を形成する工程において、前記複数のウェーハの温度が目標温度±５℃以内に到達するようにイオン注入を行う。第１イオン注入層を形成する工程および第２イオン注入層を形成する工程におけるウェーハ温度の測定を前記装置の赤外線放射温度計で行う。 （もっと読む）

プラテンの温度を変える技術を開示する。一つの特別な例示的実施形態では、この技術は、プラテンと、当該プラテンの温度に影響を及ぼすように構成された、熱流体を運ぶための熱流体チャネルを1つ以上有する1つ以上の可動な熱パッドとを備える、プラテンの温度を変える装置として実現することができる。
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【課題】ＳＩＭＯＸウェーハのＳＯＩ層の厚さの均一性を向上する。
【解決手段】チャンバ１１の一方の端面に底壁１１ａを設け、他方の端面を開放する。複数枚のウェーハ１４を同一円周上に回転可能に保持するウェーハ保持手段１２をチャンバに収容する。チャンバの開口部１１ｃをシール部材１６で気密を保って閉止するキャップ１３の内部にシール部材に近接して冷却水通路１３ｂを形成する。ウェーハ保持手段で保持された１枚のウェーハに対向するように、複数本のランプヒータ２１〜２５，３１〜３５をキャップの円周の接線方向に延びかつ半径方向に並んで配設する。複数本のランプヒータをキャップの半径方向内側の内側ランプ群３０とキャップの半径方向外側の外側ランプ群２０とに分けたとき、外側ランプ群のウェーハに付与する単位時間当たりの熱量を内側ランプ群のウェーハに付与する単位時間当たりの熱量より多くするように構成される。 （もっと読む）

炭素含有種の低温インプランテーションの技術を開示する。例示的な一実施形態においては、該技術は、ターゲット材料を所定温度まで冷却する冷却デバイスと、および所定温度で炭素含有種を用いてターゲット材料をインプラントして、歪みおよびアモルファス化の少なくとも一方を改善するイオンインプランターと、を備えるイオンインプランテーション装置として実現する。
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【解決手段】 イオン注入装置を開示する。当該イオン注入装置は、酸素イオン、窒素イオン、ヘリウムイオン、または水素イオンを生成して、ドーズが特定の範囲であるイオンビームを形成するイオンビーム源と、イオンビームから所望されない種を除去する分析マグネットとを備える。当該イオン注入装置は、裏面ガスによる熱結合を有する静電チャックを備える。当該静電チャックは、イオンビームによってシリコン・オン・インシュレータ用のイオン注入を行うべく１つの処理対象物を保持して、約摂氏３００度から摂氏６００度の範囲内の温度まで処理対象物を冷却する。 （もっと読む）

浅い接合を形成する技術を開示する。一つの特定の模範的な実施態様においては、この技術は浅い接合形成方法として実現することができる。この方法は、ジゲルマン（Ge₂H₆）、窒化ゲルマニウム（Ge₃N₄）、ゲルマニウム−フッ素化合物（GeF_n、ここでｎ＝１，２又は３）及び他のゲルマニウム含有化合物からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づいて分子イオンを含むイオンビームを発生させるステップを備えることができる。この方法は、前記イオンビームを半導体ウェハに衝突させるステップも備えることができる。
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低温イオン注入のための技術を開示する。一つの模範的な特定の実施形態においては、この技術は低温イオン注入のための装置として実現することができる。この装置は、イオン注入中にウェハを支持するとともに少なくとも１次元内のウェハの運動を容易にするウェハ支持機構を備えることができる。この装置は、ウェハ支持機構に結合された冷却機構も備えることができる。この冷却機構は、冷却ユニット、少なくとも１つの冷却媒体を冷却ユニットからウェハ支持機構へ循環するための剛性パイプの閉ループ、および、少なくとも1次元内のウェハの運動を許容するように前記剛性パイプを結合するための１つ以上の回転ベアリングを備えることができる。
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【課題】単一基板のイオン注入システムにおいて、イオンビームを有効に利用するために最適な方法を目的とする。
【解決手段】一時的な温度操作パラメータは、２次元の機械的スキャニングで固定されたビームスキャンの間でウエハの１８０度の機械的回転に基づいて制御される。固定されたイオンビームスキャンの間でのワークピースの回転は、より一様なイオン注入処理を進めるのに十分な、一時的な温度の放散を可能にする。 （もっと読む）

【課題】 低温イオン注入技術を開示する。
【解決手段】 一実施形態例によると、当該技術は低温イオン注入用の装置として実施され得る。当該装置は、イオン注入装置内のエンドステーションに近接して配置されている事前冷却ステーションを備えるとしてもよい。当該装置はさらに、事前冷却ステーション内に設けられる冷却機構を備えるとしてもよい。当該装置はさらに、事前冷却ステーションおよびエンドステーションに結合されている装着アセンブリを備えるとしてもよい。当該装置はさらに、装着アセンブリおよび冷却機構と通信するコントローラを備えるとしてもよい。コントローラは、事前冷却ステーションへのウェハの装着と、所定の温度範囲までのウェハの冷却と、冷却されたウェハにイオン注入プロセスを実行するエンドステーションへの、冷却されたウェハの装着とを調整するとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン電流の流出が行なわれるストッパと接触する部分の温度低下を抑えてＳＯＩ層やＢＯＸ層を全体的に均一な厚さに形成できる半導体基板の製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、支持盤３４に保持手段で保持されて旋回するように回転する半導体基板１０にイオン注入を行なう半導体基板の製造装置において、保持手段は、半導体基板の周縁を保持し、かつ支持盤に接合するストッパ１２５と、このストッパを外周側から支え、かつ支持盤に着脱自在に固定されるストッパホルダ１２６と、支持盤にストッパを抑え付け、かつ支持盤に着脱自在に固定される抑え部材１２８とを有し、ストッパは導電性を有する材料で形成し、かつストッパを加熱する加熱手段１４０，１４１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】背景技術による内包フラーレンの製造方法では、真空容器中で堆積基板に直流のバイアス電圧を印加して内包原子からなるイオンを含むプラズマを堆積基板に向けて照射し、同時にフラーレン蒸気を堆積基板に向けて噴射していた。そのため、堆積時間が長くなると堆積膜がイオンの電荷によりチャージアップし、堆積膜の剥離が起きるという問題があった。
【解決手段】堆積基板に正と負のバイアス電圧を交互に印加することにした。イオンに加速エネルギーを与える状態と堆積膜のチャージを中和する状態を交互に繰り返すことにより、堆積膜に過度のチャージが蓄積しないので、堆積膜の剥離を防止できる。 （もっと読む）

【課題】一様なエネルギーが照射される半導体ウエハの温度制御をする装置の提供。
【解決手段】半導体ウエハ１０を処理するための装置。静電チャック６は円周状ガス分配溝１４と、半導体ウエハ後面１３と静電チャック６との間に位置するガスギャップ１６を画定する。リップ３は、ウエハ１０の外側帯５をシールドするために配置される。
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本発明は、アルミニウム合金製の部品（５）へのイオン注入装置に関するものであって、該装置は、抽出圧力によって加速されたイオンを放出するイオン源（６）と、前記源（６）によって発信された初期イオンビーム（ｆ１’）の、注入ビーム（ｆ１）への第一の調整手段（７−１１）とを有する。前記源（６）は、部品（５）内に１２０℃を下回る温度で注入されるマルチエネルギーイオンの初期ビーム（ｆ１’）を生産する、電子サイクロトロン共鳴源である。前記調整手段（７−１１）を介して調整された注入ビーム（ｆ１）の、これらのマルチエネルギーイオンの注入は、源の抽出圧力によってコントロールされた深さに同時に実施される。
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