説明

Fターム[5C094BA27]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 表示素子 (16,797) | 発光表示素子 (5,380) | EL (4,350)

Fターム[5C094BA27]の下位に属するFターム

Fターム[5C094BA27]に分類される特許

2,001 - 2,020 / 4,164


【課題】内部散乱光の影響による閾値電圧変動を抑制するパネル構造を提案する。
【解決手段】アクティブマトリクス駆動方式に対応した画素構造を有するEL表示パネルに、内部散乱光を遮光する構造を採用する。すなわち、画素回路を構成する薄膜トランジスタのチャネル層よりも上層に位置する金属配線材料の一部パターンを、薄膜トランジスタのチャネル領域を塞ぐようにレイアウトする。 (もっと読む)


【課題】表示装置において、表示素子に電流を供給するトランジスタの特性が画素ごとにばらつくことによって生ずる輝度ムラが、表示装置の画質向上の足かせとなっていた。
【解決手段】ソース信号線より画素に入力される映像信号は、表示素子に電流を供給するためのトランジスタをダイオード接続とし、当該ダイオード接続されたトランジスタのゲートに所望の電位が印加される。ここで、ダイオード接続したトランジスタにおいて、そのソース・ドレイン間には、トランジスタのしきい値電圧に応じた電位差を取得する。その結果、駆動用トランジスタのゲート電極には、映像信号にしきい値電圧に応じた電位差のオフセットをかけた電位を印加することができる。 (もっと読む)


実施例に相応する装置はことに、構成部材(1)と、当該構成部材(1)を湿気および/または酸素に対してカプセル封入するためのカプセル封入ユニット(2)を有しており、当該カプセル封入ユニット(2)は、第1の層(21)と、当該第1の層の上の第2の層(22)を、前記構成部材(1)の少なくとも1つの表面(19)上に有しており、前記第1の層(21)および前記第2の層(22)はそれぞれ無機材料を有しており、前記第2の層(22)は直接的に前記第1の層(21)上に配置されている。
(もっと読む)


【課題】透明電極を構成する酸化物導電膜と直接接続された反射電極であって、約100℃以上300℃以下の低い熱処理を施しても、高い反射率および低い接触抵抗を有しており、しかも、ヒロックなどの欠陥を生じることのない耐熱性にも優れた反射電極を提供する。
【解決手段】基板1上に形成される反射電極2は0.1〜2原子%のNi及び/又はCo、並びに0.1〜2原子%のLaなどのXを含有する第1のAl−(Ni/Co)−X合金層2aと、AlとO(酸素)を含有する第2のAl酸化物層2bとを有している。Al酸化物層は透明画素電極3と直接接続しており、Al酸化物層中のO原子数とAl原子数との比である[O]/[Al]が、0.30以下であり、Al酸化物層の最も薄い部分の厚みが10nm以下である。反射電極は、Al酸化物層と前記透明画素電極とが直接接続する領域において、透明画素電極と前記基板との間に形成されている。 (もっと読む)


【課題】有機EL素子等における各画素の輝度の視野角依存性を低減し、輝度ばらつきを抑制した表示装置を提供する。
【解決手段】複数の信号線と、前記複数の信号線と直交して配置された複数の走査線と、前記複数の信号線と前記複数の走査線とで囲まれた複数の画素と、前記複数の画素の各々に配置された薄膜トランジスタと、を有し、複数の画素がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス型の表示装置において、画素の法線と前記画素と視点とを結ぶ直線とのなす角度が大きな画素ほど、前記画素の法線方向への輝度を大きくさせる。 (もっと読む)


【課題】閾電圧補正機能を備えた画素回路の効率化及び簡素化を図る。
【解決手段】サンプリングトランジスタTr1は、水平走査期間に走査線WSから供給される制御信号に応じ導通して信号線SLから供給された映像信号を画素容量Csにサンプリングする。画素容量Csは、サンプリングされた映像信号に応じてドライブトランジスタTrdのゲートGに入力電圧Vgsを印加する。ドライブトランジスタTrdは、入力電圧Vgsに応じた出力電流を発光素子ELに供給する。出力電流はドライブトランジスタTrdの閾電圧Vthに対して依存性を有する。出力電流の閾電圧Vthに対する依存性を打ち消すために、水平走査期間の一部で動作し、ドライブトランジスタTrdの閾電圧Vthを検出して画素容量Csに書き込んでおく補正手段(Tr3,Tr4)を備える。 (もっと読む)


【課題】フルカラー対応の表示装置において、高強度のシャドーマスクを用いて画素の高開口率化を実現できるようにする。
【解決手段】画素アレイ部は、R,G,Bの同色に着目したとき、サブピクセル位置が行ごとに水平方向にシフトさせて配置することで、色別に見たときには、どの色もストライプ構造を採らずに、同色のサブピクセル位置が斜め方向に配置されるようにする。対応するシャドーマスク620Aは、開口部622が斜め方向に一列に並ぶように配置されている。斜め方向に橋渡しをなす間隔部624が画素間ごとに設けられた構造となるので、マスクの強度が上がり撓みを改善できる高強度のマスクにすることができる。発光層を形成するための蒸着起因の開口率の低下を抑制でき、高精細パネルにて、高強度で高開口率が達成できる。 (もっと読む)


【課題】表示装置の最表面や前面側に配置される保護カバーからの反射光を取り除くことが可能になり、ノイズによる影響を小さくでき、受光システムのS/N比を改善することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示セル21と、受光素子221を含む受光セル22と、を含み、表示面を所定の輝度をもって照明するバックライト26と、バックライト26に対向して配置され、セル回路および受光素子が形成される第1透明基板(TFT基板)23、TFT基板23と対向して配置される第2透明基板(対向基板)24と、TFT基板23および対向基板24間に配置された液晶層25と、TFT基板23のバックライト26との対向面に形成された第2偏光板28と、対向基板24の前面側に配置された透明保護カバー31と、第2偏光板28の空気層30との界面に形成された位相差板29とを有する。 (もっと読む)


【課題】ダブルLDD構造を改善し、リーク電流のばらつきの少ない薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板1には、第1平面11と、これより高い第2平面12と、第1平面11と第2平面12を接続する段差13とが形成されている。半導体薄膜2は、第1平面11に沿った第1領域から、段差13に沿った中間領域を経て、第2平面12に沿った第2領域まで連続している。第1領域には、チャネル領域CHとこれに連続する第1の低濃度不純物領域LDD1とが形成され、第2領域には、ソースS又はドレインDとなる導電性領域が形成され、中間領域には第1の低濃度不純物領域LDD1と導電性領域とを接続する第2の低濃度不純物領域LDD2が形成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、有機電界発光表示パネルに供給される画素電源の電圧降下を最小化することができる有機電界発光表示装置に関する。
【解決手段】本発明に係る有機電界発光表示装置は、映像が表示される第1面と、該第1面に対向する第2面とを備え、該第2面の少なくとも2つの縁領域に分散配置され、それぞれ少なくとも2つの方向から第1画素電源及び第2画素電源を受ける複数の第1電源パッド及び第2電源パッドを備える有機電界発光表示パネルと、該有機電界発光表示パネルの第2面に配置され、前記第1電源パッド及び第2電源パッドに電気的に接続される複数のパッドを備え、前記有機電界発光表示パネルに前記第1画素電源及び第2画素電源を供給する画素電源供給用FPCBとを含む。 (もっと読む)


【課題】補助配線の構成によらず、低消費電力を確保すると共に表示品質を向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】第2電極20と補助配線18Bとの間は、導電性のコンタクト部15Bを介して電気的に接続される。コンタクト部15Bは、最下層のTi層15B1(第1導電層)と、中間層のAl層15B2(第2導電層)と、最上層のMo層15B3(第3導電層)との積層構造を有している。Ti層15B1はAl層15B2およびMo層15B3よりも幅広となっており、この拡幅部Wにおいて第2電極20とTi層15B1が直接接触している。Al層15B2が大気中で自然酸化し、光取り出し側電極(第2電極20)との間で良好な電気接続ができなくなったとしても、最下層のTi層15B1と光取り出し側電極との間において良好な電気接続を確保することができる。 (もっと読む)


【課題】有機電界発光表示パネルに供給される画素電源の電圧降下を最小化することができる有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】映像が表示される画素部と、該画素部の外側の少なくとも2つの縁領域に分散配置され、それぞれ少なくとも2つの方向から第1画素電源及び第2画素電源を受ける複数の第1電源パッド及び第2電源パッドとを備える有機電界発光表示パネルと、前記第1電源パッド及び第2電源パッドに電気的に接続される複数のパッドを備え、前記画素部と重ならないように、前記有機電界発光表示パネルの外周部に配置される画素電源供給用FPCBとを含む。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置において、画像の周囲に光漏れに起因する像が現れるということを極力防止等することで、画質を高める。
【解決手段】TFTアレイ基板(10)上に、データ線、走査線、TFT及び画素電極を備えている。前記基板は、TFT及び画素電極の形成領域として規定される画像表示領域(10a)と、該画像表示領域の周辺を規定する周辺領域とを有する。画像表示領域上には、画素電極における電位を所定期間保持する蓄積容量と、該蓄積容量を構成する容量電極に接続される容量配線(400)とを備え、前記画像表示領域及び前記周辺領域間を画する額縁領域(53)上には、容量配線と同一膜として形成され、且つ、当該額縁領域の少なくとも一部に形成された額縁パターン(406)を備えている。この額縁パターンは、外部回路接続端子(102Q)に接続された配線(404)とも同一膜として形成されている。 (もっと読む)


【課題】有機EL表示装置において、走査線のレイアウトに起因する回路素子数や容量値の増加に対する制約あるいは高精細度化の障害を緩和する。
【解決手段】電源供給線105DSL を、有機EL素子127の下部電極504が配されるアノード層L3に補助配線515として設ける。書込走査線104WSや映像信号線106HSは配線層L1,L2に設ける。下部電極504が配設されるアノード層L3と同一の層に配設した補助配線515を、電源駆動パルスDSL 用の電源供給線105DSL として利用することで電源供給線105DSL を配線層L1,L2に配設することが不要になる、または配線層L1,L2における配線幅を狭くすることができる。従前の画素ピッチを維持する場合は回路素子数の増加や容量値の増加が容易に可能となる。素子サイズを従前の状態に維持する場合は、従前よりも画素ピッチを小さくできるのでパネルの高精細化が可能となる。 (もっと読む)


【課題】配線の電位の降下に起因する画素間の輝度むらを抑えることができる、発光素子を用いた半導体表示装置を提供する。
【解決手段】電源電位が与えられる電源線どうしを、画素が複数配列されている表示領域内において、電気的に接続する。さらに、電源線どうしを表示領域内において電気的に接続するための配線(補助電源線)と、画素が有するトランジスタのゲート電極との上には層間絶縁膜が形成されており、電源線は、補助電源線及びゲート電極よりも更に上層に位置する、上記層間絶縁膜上に形成されている。そして、補助電源線には、層間絶縁膜上に形成された配線(補助配線)が電気的に、或いは直接、接続されている。 (もっと読む)


【課題】映像信号線の電位変化に起因して生じる、発光素子の一方電極におけるデータ書き込み時の電位変動を防止する。
【解決手段】画素回路3(i,j)は、一定電位線(カソード線CAL)によって他方電極が少なくとも行方向の画素間で接続され、一方電極が駆動トランジスタMdを解して電源走査線DSLに接続された発光素子(有機発光ダイオードOLED)と、カソード線CALと一方電極のとの間に接続される補助キャパシタCsubと、映像信号線DTLと駆動トランジスタMdの制御ノードNDcとの間に接続されるサンプリングトランジスタMsと、保持キャパシタCsと、を含む。カソード線CALと映像信号線DTLとの交差箇所の層間に、電源走査線DSLがカソード線CALと平面パターンで少なくとも一部が重なって配置されている。 (もっと読む)


【課題】基板のセンサ領域に形成されるセンサの検出感度を向上させ、また、センサの飽和特性を改善することができる表示装置を提供する。
【解決手段】画素が形成された画素領域と含む光センサ部が形成されたセンサ領域とを有する基盤と、基板の一方面側から基板を照明する照明部と、センサ領域に配置されたものであり、少なくともP型半導体領域(36A)とN型半導体領域(36K)を有し、表示部の他方面側から入射する光を受光する薄膜フォトダイオードと、基板の一方面側に絶縁膜を介して薄膜フォトダイオードと対向して形成され、照明部から発せられた光が一方面側から薄膜フォトダイオードに直接入射するのを抑制し、所定の電位に固定される金属膜(38)とを有し、薄膜フォトダイオードにおいて、P型半導体領域の幅WpとN型半導体領域の幅Wnが異なるレイアウトで形成されている。 (もっと読む)


【課題】落下衝撃に対する機構的強度を高めた有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる有機発光表示装置100は、表示領域A10とパッド領域A20とを有し、該表示領域A10の内部に複数の有機発光素子を形成するパネルアセンブリ20と、パネルアセンブリ20に結合され、合成樹脂からなるベゼル40とを備える。表示領域A10の対角の長さが25.4mm以上101.6mm未満であって、ベゼル40の厚さをt(mm)、表示領域A10の面積をa(mm)としたとき、ベゼル40は、t≧0.0003×aの関係を満たすように形成される。 (もっと読む)


【課題】有機電界発光表示パネルに供給される画素電源の電圧降下を最小化できる有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】映像が表示される画素部と、該画素部の外側の少なくとも2つの縁領域に分散配置され、それぞれ少なくとも2つの方向から第1画素電源及び第2画素電源を受ける複数の第1電源パッド及び第2電源パッドとを備える有機電界発光表示パネルと、該有機電界発光表示パネルに電気的に接続され、前記有機電界発光表示パネルを駆動するための駆動IC(Integrated Circuit)と、前記第1電源パッド及び第2電源パッドに前記第1画素電源及び第2画素電源を伝達するための電源線とを備える複数のTCP(Tape Carrier Package)と、該TCPに電気的に接続され、前記TCPに前記駆動ICを制御するための制御信号並びに前記第1画素電源及び第2画素電源を供給する駆動ボードとを含む。 (もっと読む)


【課題】TFT不良(例えば、ソース電極とドレイン電極との短絡)を修正でき、高速表示への対応および消費電力の抑制も実現できるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本アクティブマトリクス基板は、トランジスタと、該トランジスタの一方の導通電極に接続する画素電極と、保持容量配線とを備えたアクティブマトリクス基板であって、上記トランジスタの一方の導通電極から引き出された引き出し配線と、上記保持容量配線から引き出された修正用配線とを備え、該修正用配線は、絶縁層を介して上記引き出し配線の一部と重なっている。 (もっと読む)


2,001 - 2,020 / 4,164