【課題】 クロムを用いないことにより環境に悪影響を与えることのない非線形抵抗素子、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基材６ａと、基材６ａ上に設けられた非線形抵抗素子３３と、基材６ａ上に設けられ、非線形抵抗素子３３に接続される画素電極２４ａとを有している。そして、非線形抵抗素子３３が、基材側から第１金属層３６、絶縁層３７、及び第２金属層３８の順に積層されて形成され、画素電極２４ａが、多結晶化されたインジウム錫酸化物から形成されてなり、第２金属層３８が、モリブデン（Ｍｏ）を主成分として成る合金によって形成されるとともに、画素電極２４ａ上に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電気配線等の所定パターンが精度良く形成してあるとともに、製造時の歩留りに優れた電気光学装置、電気光学装置用基板の製造方法、および電気光学装置の製造方法をそれぞれ提供する。
【解決手段】 一対の電気光学装置用基板と、その間に挟持される電気光学材料と、から構成された電気光学装置、電気光学装置用基板の製造方法、および電気光学装置の製造方法であって、それぞれ電気光学装置用基板の表面に、反射抑制部を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 上方向発光型の有機発光ダイオード画素製造方法及び構造の提供。
【解決手段】 本発明の製造方法は、基板上に少なくとも二つのポリシリコンアイランドを画定し且つドープ領域を画定し、順にゲート絶縁層とゲート金属層を堆積させ並びにゲートを画定し、イオン注入してドープ領域を形成し、一層の中間誘電層を堆積させ、並びにコンタクトホールを凹設し、ソース／ドレイン金属層を堆積させ、ソース／ドレインパターンを画定し、且つ該ソース／ドレイン金属を上方向発光型の有機発光ダイオード画素領域まで延伸して該上方向発光型の有機発光ダイオードの下電極となす。その構造の特徴は、上方向発光型の有機発光ダイオードの下電極が、薄膜トランジスタのソース／ドレイン金属層より上方向発光型の有機発光ダイオード画素領域まで延伸されるようにして形成されたことにある。 （もっと読む）

【課題】 ゴミ等に起因した不具合が低減された発光素子およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の発光素子の一は、第１の電極と第２の電極との間に、前記第１の電極に接して設けられた第１の層と、前記第１の層に接して設けられた第２の層とを有する。第２の層と第２の電極との間には発光層を有する。そして、第１の電極と第２の電極と第１の層と第２の層と発光層とは、第１の層が第２の層よりも先に形成されるように積層されている。ここで、第１の層は、有機化合物を含む層である。有機化合物の中でもとくに、導電性を有する有機化合物であることが好ましい。また、第２の層は、無機化合物を含む層である。無機化合物のなかでも特に正孔輸送性を有する無機化合物であることが好ましい。 （もっと読む）

有機ＥＬ表示パネルは、基板と複数の画素電極と共通電極と複数の信号線と複数の電源線と複数の薄膜トランジスタと複数の走査線と複数の有機ＥＬ素子と蓄積容量とを具備しており、各有機ＥＬ素子からそれぞれ光が出射されることによって得られる画像をフルカラー化するために、赤（Ｒ）の発光体、緑（Ｇ）の発光体および青（Ｂ）の発光体が、前記ゲート線方向に沿って各画素電極ごとにこの順番にパターニングされており、前記パターニングの際に、前記赤（Ｒ）の発光体、前記緑（Ｇ）の発光体および前記青（Ｂ）の発光体のうち前記ゲート線方向に隣接する２つの発光体が互いにオーバーラップしたことによって、前記有機ＥＬ素子から各発光体を通って出射した光の色が重ね合わされる発光層重ね領域が、前記ゲート線方向に隣り合う有機ＥＬ素子の間に配置されており、前記薄膜トランジスタと前記蓄積容量との少なくとも一方は、前記発光層重ね領域の中に配置されている。
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【課題】 より一層の平坦化を実現することで、平坦化膜上に均一な膜厚の有機ＥＬ素子の形成し、良好な発光効率が得られるＥＬ表示装置と、当該ＥＬ表示装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】 基板２０上に形成された薄膜トランジスタ１２３と、当該薄膜トランジスタに接続された第１電極２３と、当該第１電極２３に対向する第２電極５０と、前記第１電極２３及び前記第２電極５０に挟持された発光機能層１１０と、を具備するＥＬ表示装置であって、前記薄膜トランジスタ１２３は、第１配線４２と、当該第１配線４２よりも上層側に形成されている第２配線４３、４４とを備え、前記第１配線４２の上方には第１平坦化層８３が形成され、前記第２配線４３、４４の上方には第２平坦化層８５が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、動作素子の機能層（例えば発光層）の膜厚の均一性を高めることにある。
【解決手段】 複数の単位構成の各々は、第１電極と第２電極との間に挟まれた機能層を含む発光素子と、発光素子に電源を供給するための駆動回路と、を備えている。第１電極は、駆動回路を構成する複数の配線層とオーバーラップするように形成されている。配線層の第１及び第２の層にそれぞれ位置する第１及び第２の配線パターン３０，４０は、第１電極の下方で、相互に平行に延びる部分を有し、平行に延びる部分は、オーバーラップしないように形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】 耐熱性と光学特性に優れた光学フィルムを提供すること。
【解決手段】 下式で表される繰り返し単位を有するポリイミドを含有する光学フィルム。
【化１】


［Ｘは環式芳香族基または環式脂肪族基を含む炭素原子数４〜３０の基を表し、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³およびＲ⁴は水素または置換基を表す。］ （もっと読む）

【課題】 本発明は、発光素子の端部を囲む隔壁層として、遮光性を有する材料を用いる。これにより、読み取り対象物に反射していない光が撮像素子に入ることを防止して、読み取り対象物の情報を正確に読み取ることができる。
【解決手段】 本発明の読み取り機能付き表示装置は、絶縁表面を有する基板上に設けられた薄膜トランジスタ及び撮像素子と、薄膜トランジスタ及び撮像素子を覆う絶縁層と、絶縁層上に設けられた発光素子と、発光素子の端部を囲み、遮光性を有する隔壁層とを有し、隔壁層は、撮像素子と重なる位置に、開口部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ドライプロセスとフォトリソエッチングを組み合わせた工程の回数を低減することができるアクティブマトリクス基板の製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】 アクティブマトリクス基板２０の製造方法において、第１方向又は第２方向のいずれか一方の配線４２が交差部５６において分断された格子パターンの配線４０，４２，４６を基板Ｐ上に形成する第１工程と、交差部５６及び配線４０，４２，４６の一部上に絶縁膜と半導体膜３０とからなる積層部を形成する第２工程と、積層部上に分断された配線４２を電気的に連結させる導電層４９、及び半導体膜３０を介して配線４２と電気的に接続される画素電極４５を形成する第３工程と、を有する。
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【課題】 本発明では、信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、コンタクトにおける開口部の段差を絶縁層によって被覆し、段差を軽減し、なだらかな形状に加工する。その絶縁層に接して配線等は形成されるため、配線の被覆性が向上する。また、透水性を有する有機材料を含む層を表示装置の中にシール材で封止してしまうため、発光素子の水等の汚染物質による劣化を防ぐ事ができる。シール材は表示装置の駆動回路領域の一部に形成されるため表示装置の狭額縁化も達成できる。 （もっと読む）

【課題】 高輝度でかつ高解像度のラインヘッドを提供する。
【解決手段】 画素回路Ｐにおいて、保持トランジスタ６１、ＯＬＥＤ素子６４、および
駆動トランジスタ６２がＹ方向に沿って形成されているので、画素回路ＰのピッチＷを狭
くできる。さらに、ＯＬＥＤ素子６４は千鳥状に配列されているので、長さＱをピッチＷ
より長くすることができる。ＯＬＥＤ素子６４の発光輝度はその面積に依存するので、高
輝度かつ高解像度のヘッド部を提供できる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと補助容量により各画素を駆動制御する表示装置において、電圧保持率を十分に維持しながら開口率を最大にすることができる表示装置を提供すること。
【解決手段】駆動回路基板１１８と、対向基板１１９と、これらの両基板の間に封止された液晶層１１２とを備え、駆動回路基板１１８には各画素に対応した駆動制御用の有機ＴＦＴ１１７と補助容量部１２０とを有しており、有機ＴＦＴ１１７のソース電極１０８、ドレイン電極１０９、ゲート電極１０４及び補助容量部１２０の補助容量電極１０３、特に補助容量電極１０３が透明導電材料で形成されることにより、開口率を最大にできる。 （もっと読む）

【課題】 ＬＤＤ又はＧＯＬＤ構造を有する半導体装置の製造工程を簡略化する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体装置の製造方法であって、半導体層上にソース側高濃度領域及びドレイン側高濃度領域に対応するレジストの膜厚を、ソース側低濃度領域、ドレイン側低濃度領域及びチャネル領域に対応するレジストの膜厚より薄く形成する工程と、レジストをマスクとして半導体層を所定パターンにエッチングするとともに、半導体層に高濃度不純物を注入し、ソース側高濃度領域及びドレイン側高濃度領域を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高品位な表示画像を得る。
【解決手段】加熱温度220℃、保持時間30分の条件下にて、アモルファス系の画素電極の場合はアニ−ル処理Ｃを実行して画素電極１０の抵抗を小さくする。次に、その他の構成要素を取り付けて素子基板を作製すると共にカラーフィルタ基板９１を作製してそれらを貼り合せる等して電気光学装置１００を製造する。これにより、コンタクト抵抗は５００ＫΩ以下の大きさになり、横スジムラ、画素ムラ等の生じない高品位な表示画像が得られる。 （もっと読む）

【課題】 メインパネルとサブパネルの駆動信号を兼用した両面表示装置のメインパネルの画質を改善する。
【解決手段】 メインパネルとサブパネルを同一のドライバＩＣで駆動する表示装置で、駆動信号を共用する信号電極と共用しない信号電極の境界に発生するコントラストムラを目視で解り難くなるように、メインパネルのコントラストの差が発生する境界部に隣接した共有していなかった電極を、サブパネルに形成したダミー電極に接続する。ダミー電極は、サブパネルの画素を形成する１つの電極の総重なり面積より小さくする。ダミー電極が複数なら段階的に少なくする。 （もっと読む）

【課題】パネル上の配線不良を確実に検出でき、しかも、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１有効表示部６Ａを備えたメインパネル１と、第２有効表示部を備えたサブパネル２を接続可能な接続パッド部ＰＰ１と、第１有効表示部６Ａの外側に位置する外周部１０に配置され接続パッド部ＰＰ１を介して第２有効表示部６Ｂの表示画素をオン・オフさせるための駆動信号が供給される複数の配線ＳＷからなる配線群３０と、配線群３０の第１配線３１に接続された第１検査用配線５１と、配線群３０の第１配線３１に隣接する第２配線３２に接続された第２検査用配線５２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 背面基板と、背面基板の上部に備えられた第１ゲート電極と、第１ゲート電極と絶縁される第１電極と、第１ゲート電極と絶縁され、第１電極を同一平面上で一部分が開放されるように取り囲む第２電極と、第１ゲート電極と絶縁され、第１電極及び第２電極に接する第１半導体層を備える第１ＴＦＴと、背面基板の上部に備えられ、第１電極及び第２電極のうち何れか一つの電極に電気的に連結された第２ゲート電極と、第２ゲート電極と絶縁される第３電極と、第２ゲート電極と絶縁され、第３電極を同一平面上で取り囲む第４電極と、第２ゲート電極と絶縁され、第３電極及び第４電極に接する第２半導体層と、を備える第２ＴＦＴと、第３電極及び第４電極のうち、何れか一つの電極に電気的に連結された画素電極を備えるディスプレイ素子と、を備えることを特徴とする平板ディスプレイ装置である。 （もっと読む）

【課題】 表示品質を向上させ、さらには品質寿命を向上させることが可能な表示装置の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明の表示装置は、複数の画素にて構成される表示領域２ａを備える表示装置であって、前記表示領域２ａが、第１発光波長範囲を示す第１画素群にて構成される第１表示領域２１と、該第１発光波長範囲とは異なる第２発光波長範囲を示す第２画素群にて構成される第２表示領域２２とを備える一方、前記第１表示領域２１と前記第２表示領域２２との境界領域には、発光機能を具備しない非発光画素が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光透過性を良好にして表示品位を高め、さらには、ゲート絶縁膜の特性向上を図ってリーク等を防止し、信頼性を向上した、電気光学装置用基板とその製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基材１０ａと、基材１０ａ上に配列形成された複数の画素領域とを備え、画素領域に、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された容量電極とが設けられた電気光学装置用基板の製造方法である。薄膜トランジスタの半導体層４２を形成する工程と、半導体層４２上にゲート絶縁膜２を形成する工程と、ゲート絶縁膜２上に非晶質シリコン層３４Ａを形成する工程と、非晶質シリコン層３４Ａに光を照射してこのシリコン層を結晶化し、多結晶シリコンからなる容量電極層３４を形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）