【課題】画素内での発光層の膜厚を均一にし、これによって得られる有機ＥＬ装置の発光特性を良好にする有機ＥＬ発光材料と、これを用いた有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】陽極１１と陰極１９との間に有機発光層を有してなる有機ＥＬ装置の製造方法である。基板１０上に画素を区画する隔壁１２を形成する工程と、隔壁１２内に、液滴吐出法で有機ＥＬ発光材料を配し、硬化させて有機発光層１８ａ、１８ｂ、１８ｃを形成する工程と、を備えている。有機ＥＬ発光材料は、分子量が５０００以下の低分子系発光材料と、この低分子系発光材料を溶解する有機溶媒とを含有してなる溶液であり、溶液の粘度が、式（溶液の粘度／有機溶媒の粘度≦１．４）を満足するよう調整されている。 （もっと読む）

【課題】画素電極と補助容量電極との間の電気的短絡を防止できる高開口率なアクティブマトリクス基板を提供すること。
【解決手段】絶縁性基板１上にゲート配線２及び補助容量電極３が形成され、補助容量電極３には孔部３ｈが形成される。ゲート配線２及び補助容量電極３を覆うように第１層間絶縁膜５が形成され、この上に、ソース配線９、半導体層及びドレイン電極１０が形成され、これらを覆うように第２層間絶縁膜１２が形成される。第２層間絶縁膜１２に、コンタクトホール１４が形成され、コンタクトホール１４は前記孔部３ｈに対応する部分でドレイン電極１０に達する。第２層間絶縁膜１２上に形成された画素電極１５はコンタクトホール１４を通じてドレイン電極１０に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲートラインとゲート電極に第一の絶縁層と、半導体層と、半導体層のソース領域とドレイン領域に形成され、チャネルを露出させるオーミック接触層と、が順次形成される。第二の絶縁層が基板に形成され、ゲートライン及びゲート電極と、第一の絶縁層と、半導体層と、オーミック接触層と、の側壁を覆うと共に、前記ソース領域とドレイン領域におけるオーミック接触層を露出させる。データラインと、ソース電極と、画素電極と、ドレイン電極が第二の絶縁層に形成される。パッシベーション層が薄膜トランジスタと、ゲートラインと、データラインに形成され、画素電極を露出させる。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置よりもさらに薄型、好ましくはトータルの厚さが３０μｍ程度以下であり、かつ湾曲させたり、折り曲げたりしても特性が変化せず、もとの形状を回復することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】高分子からなる厚さ２０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下の支持層２０３と、前記支持層２０３上に形成された素子とを含むことを特徴とする半導体装置、ならびに、基板２０１上にアルミニウムから構成される剥離層２０２、高分子からなる支持層２０３、素子を順に形成し、アルカリ溶液を用いて該剥離層２０２を溶解して該基板２０１を剥離する半導体装置の製造方法、および基板２０１上に高分子からなる支持層２０３、素子を順に形成し、機械的力を加えることにより該基板２０１を剥離する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】引き回し配線間の抵抗差を低減することが可能な配線構造、及びそれを用いた表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる配線構造は、基板上に形成された第１導電層と、第２導電層と、第１導電層と第２導電層との間に設けられた絶縁膜とを備える配線構造であって、第１導電層によって形成された複数の走査配線３（または、信号配線４）と、第１導電層によって形成され、配線と分離された第１の引き回し配線６１と、第１の引き回し配線６１と配線とを電気的に接続する第１接続部９１と、第２導電層によって形成され、複数の配線のうち第１の引き回し配線６１と接続されない配線に対応する第２の引き回し配線６２と、第２の引き回し配線６２と配線とを接続する第２接続部９２とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造は、下部構造物上に形成されたバリヤ膜と、バリヤ膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜と、銅導電膜上に形成された銅窒化物を含む中間膜と、中間膜上に形成されたキャッピング膜と、を含む。これにより、銅導電膜の化学的反応による酸化又は腐蝕を防止でき、低抵抗銅配線の信頼性を確保でき、信号特性がよくなり、画質が改善できる。 （もっと読む）

【課題】開口部の底面と略等しい領域を発光させると共に、各発光素子の輝度のばらつき
を抑制する。
【解決手段】光ヘッド１Ａは、複数の陽極１１、親液層１２、撥液層１３、及び共通バン
ク５０Ａを備える。複数の陽極１１に各々対応して画素開口部５０Ｂが形成される。この
場合、親液層１２及び撥液層には同一形状の開口が形成される。共通バンク５０Ａの内側
には複数の画素開口部５０Ｂが形成される。さらに、画素開口部５０Ｂの陽極１１の上に
は正孔を注入する正孔注入層２０が形成され、共通バンク５０Ａの内部であって正孔注入
層２０及び撥液層１３の上に発光層２１が形成される。 （もっと読む）

【課題】
半導体が所望のパターンよりも大きく形成されている場合や、薄膜トランジスタのほぼ全体に半導体が設けられた構成であっても、クロストークのない良好な表示を得るための薄膜トランジスタアレイ、画像表示装置、および駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
絶縁基板上にゲート電極とキャパシタ電極とを有し、ゲート絶縁膜を介して、ソース電極とドレイン電極と前記ドレイン電極に接続された画素電極が配置され、且つ半導体層が少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されている薄膜トランジスタアレイであって、平面視的配置において、少なくとも前記半導体層が配置された領域において、前記キャパシタ電極が前記画素電極よりも大きく、且つ前記画素電極が前記キャパシタ電極に包含されていることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。 （もっと読む）

【課題】バンクを用いることなくゲート電極を形成する簡素なプロセスを用いることで、薄膜トランジスタの性能を低下させることのない低コストの液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】基板ＳＵＢの内面にゲート配線ＧＬをインクジェット直描により形成する。次に、薄膜トランジスタのゲート電極部にゲート電極ＧＴをインクジェット直描により形成する。ゲート電極ＧＴはゲート配線ＧＬの上に一部が重畳し、薄膜トランジスタの半導体膜の下層となる部分（ゲート電極）では基板ＳＵＢの内面に直接成膜される。インクジェット直描で塗布され、焼成されたゲート配線ＧＬの断面は略部分円形状であり、その上にインクジェット直描で形成された薄い導電性薄膜の一部を積層してゲート電極ＧＴが形成されている。ゲート電極ＧＴの膜厚は、上層に形成するゲート絶縁膜に対しては段差レスとも看做される膜厚が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接着力が改善されて、良好な側面プロファイルを有する銅配線構造を提供する。本発明はまた、前記構造を有する配線形成方法を提供する。本発明はさらに、前記配線構造を含む薄膜トランジスタ基板を提供する。本発明はさらに、前記したような薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法が提供される。配線構造は下部構造物上に形成された銅窒化物を含むバリヤ膜及びバリヤ膜上に形成された銅または銅合金を含む銅導電膜を含む。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳ方式の液晶表示装置において、共通電位線のコンタクト部において、画素電極と共通電極とのショートを防止し、画素の開口率を向上する。
【解決手段】ゲート絶縁膜１３上に共通電位線ＣＯＭを形成する。共通電位線ＣＯＭを覆って層間絶縁膜１４を形成する。次に、共通電位線ＣＯＭ上の層間絶縁膜１４を選択的にエッチングしてコンタクトホールＣＨ３を形成する。このとき、コンタクトホールＣＨ３のテーパー角度θは６０度以上とするようにエッチングが行われる。コンタクトホールＣＨ３を通して共通電位線ＣＯＭに接続されたパッド電極１６をスパッタ法で形成する。そして、全面に感光性樹脂からなる平坦化膜５９を形成し、これに所定のフォトマスクを用いて露光し、その後現像する。 （もっと読む）

【課題】マスク数を可及的に減らし、製造歩留まり及びＴＦＴの信頼性の低下が抑制されれた薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に第１導電膜、第１絶縁膜、第１半導体膜、第２半導体膜及び第２導電膜を順に成膜した後にパターニングして、ゲート線１を構成する第１積層部、及びソース線２の一部を構成する第２積層部を形成する第１工程と、各第１積層部をパターニングして、第１半導体膜の一部を露出させて、ＴＦＴ５を形成する第２工程と、各第１積層部及び各第２積層部を覆うように第２絶縁膜を成膜した後にパターニングして、コンタクトホール１６ａ〜１６ｅを形成する第３工程と、第２絶縁膜を覆うように第３導電膜を成膜した後にパターニングして、ソース線２の残りを構成する導電部１７ａ、及び画素電極１７ｂを形成する第４工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】垂直配向液晶の配向制御に伴うコントラスト低下を防止し、もって広視野角かつ高コントラストの高画質表示を実現した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、一対の基板１０，２５間に負の誘電異方性を有する液晶を含む液晶層５０を挟持してなる垂直配向モードの液晶表示装置であり、一対の基板１０，２５の液晶層５０側に、液晶を駆動するための電極７９，８６がそれぞれ形成されており、一方の基板２５には、液晶の配向を制御する誘電体突起（配向制御手段）８３〜８５が設けられており、他方の基板１０には、配向制御手段８３〜８５と平面的に重畳して金属膜からなる遮光部（遮光手段）８８ａ〜８８ｃが設けられており、遮光部８８ａ〜８８ｃは、透光性導電材料からなる電極７９と電気的に接続されて重ねて配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、チャネル領域（１ａ´）と、データ線（６ａ）に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域（１ｄ）と、画素電極（９ａ）に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）とを有する半導体層を含むトランジスタ（３０）を備える。更に、チャネル領域の一部に、チャネル領域と互いに同じ導電型の不純物をチャネル領域よりも高濃度に含み、且つ、データ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域に接触しない高濃度領域（２１０）が形成されており、高濃度領域における電位を所定電位に固定する電位固定手段（１１ａ）を備える。 （もっと読む）

【課題】ドライプロセスとフォトリソエッチングを組み合わせた工程の回数を低減させる。
【解決手段】格子パターンの配線を基板Ｐ上に形成する第１工程と、配線の一部上に絶縁膜と半導体膜とからなる積層部を形成する第２工程と、配線及び積層部を覆う透明絶縁膜１２を成膜する第３工程と、透明絶縁膜１２上に、半導体膜を介して配線と電気的に接続される画素電極を形成する第４工程とを有する。第４工程では、透明絶縁膜１２を貫通して画素電極と半導体膜とを電気的に接続する接続電極、画素電極が形成される画素領域、及び画素毎に画素領域を区画する区画部に対応するレジスト５９を透明絶縁膜１２上に形成する工程を有する。レジスト５９のうち、接続電極に対応するレジストに対して第１エネルギ量で露光し、画素領域に対応するレジストに対して第１エネルギ量よりも小さい第２エネルギ量で露光し、区画部に対応するレジストに対して非露光とする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】可撓性印刷回路基板と薄膜トランジスタ基板の連結部の金属の露出面積を最少化して腐蝕に対する余裕（ｍａｒｇｉｎ）を向上させ製品の安定な信頼性を確保することのできる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、ゲート線端部を含むゲート線と、前記ゲート線上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成される半導体層と、前記半導体層上に形成されるデータ線及びドレイン電極と、前記データ線及び前記ドレイン電極上に形成され、前記ゲート線端部を露出させる複数の第１接触孔を有する保護膜と、前記ドレイン電極と接続される画素電極と、前記複数の第１接触孔を通じて前記ゲート線端部と接続される接触補助部材とを有し、前記ゲート線端部の各々は少なくとも２つ以上の前記第１接触孔を通じて前記接触補助部材各々と接続される。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の端子部分やこれから引き回された配線部分を小型化する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上の周辺領域に配置されており、複数の画素
部を制御する周辺回路部と、周辺領域に配列されると共に、少なくとも一部が複数列に配
列される複数の端子（１０２）と、該複数の端子から前記基板上に引き回され、画素部及
び周辺回路部の少なくとも一方に電気的に接続される複数の信号配線とを備える。複数の
信号配線は、複数の端子のうち複数列の一の列をなす第１端子部分から引き回されている
第１配線部分（８０１ａ）と、複数の端子のうち複数列の他の列をなす第２端子部分から
引き回されている第２配線部分（８０１ｂ）とを含む。これら第１及び第２配線部分は少
なくとも部分的に、相異なる層に配置され且つ前記基板上で平面的に見て相互に重なるよ
うに配置されている。 （もっと読む）

【課題】ドライプロセスとフォトリソエッチングを組み合わせた工程の回数を低減させる。
【解決手段】第１方向又は第２方向のいずれか一方の配線が交差部５６において分断された格子パターンの配線を基板上に形成する第１工程と、交差部５６及び配線の一部上に絶縁膜と半導体膜とからなる積層部を形成するとともに、絶縁膜を貫通し、分断された配線のそれぞれに電気的に接続される貫通電極、交差部５６を跨いで貫通電極間を電気的に接続する導電層、半導体膜を用いて形成されたスイッチング素子、半導体膜に接続される電極部、及び電極部を介して配線と半導体膜とを電気的に接続可能とする接続部に対応するレジスト５８ａ〜５８ｃを積層部上に形成する第２工程とを有する。第２工程では、レジストのうち、電極部及び貫通電極に対応するレジストに対して第１エネルギ量で露光し、導電層及び接続部に対応するレジストに対して第１エネルギ量よりも小さい第２エネルギ量で露光する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】表示用配線が断線した際に、その断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制される表示用配線の断線修正を可能にする。
【解決手段】ソース信号に応じた信号電圧が印加される複数のソース線２と、それら複数のソース線２の少なくとも１つの両端部に対して、接続可能に構成された断線修正用の第１配線３ａ及び第２配線３ｂと、第１配線３ａ及び第２配線３ｂとの間に介設され、第１配線３ａ及び第２配線３ｂにおけるインピーダンス変換のためのバッファ部４とを備えた液晶表示装置であって、ソース線２ａ及び２ｂに第１配線３ａ及び第２配線３ｂが接続された状態で、ソース線２ａ及び２ｂに印加されるソース信号に応じた信号波形を調整するための予備容量１０ａ及び１０ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】駆動回路部または有機発光素子に信号を伝達する複数の信号線からなる配線部を基板の非表示領域、特に駆動ＩＣが実装されるＣＯＧ領域の下部に形成する場合、互いに異なる信号を伝達する隣接信号線の間で高低差が維持されるように前記配線部の信号線を二つ以上の互いに異なる層上にそれぞれ配置する有機発光表示装置を提供する。これにより、外部掻き傷が発生しても前記掻き傷によって信号線が短絡されることを防止できるため、前記短絡によって駆動に深刻なエラーが発生することを防止できる。 （もっと読む）