【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、複数のデータ線６ａ及び複数の走査線３ａの交差に対応して設けられた画素電極９ａと、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ´、データ線側ソースドレイン領域１ｄ、画素電極側ソースドレイン領域１ｅ、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを有する半導体層１ａを含むＴＦＴ３０とを備える。更に、半導体層１ａよりも上層側に配置され、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに沿った長手状の溝８１０が掘られた層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１上に設けられ、半導体層１ａに部分的に重なると共に溝８１０内に形成された溝内部分７０ｔを有し、導電性遮光膜を含んでなる蓄積容量７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】高信頼性で性能の安定した薄膜トランジスタアレイ基板、及びその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、絶縁基板１上に形成された所定のパターン形状を持つポリシリコン層２と、ポリシリコン層２を覆うように形成されたゲート絶縁膜３と、を備えた薄膜トランジスタアレイ基板であって、ゲート絶縁膜３は、絶縁基板１及びポリシリコン層２の表面に設けられた第１のゲート絶縁膜３１と、ポリシリコン層２、及び第１のゲート絶縁膜３１を覆うように形成された第２のゲート絶縁膜３２とを備え、ポリシリコン層２の表面と第１のゲート絶縁膜３１の表面とが同じ研磨面となっているものである。 （もっと読む）

【課題】電極間の短絡の発生が有効に防止されて表示部分の信頼性が高いとともに、簡易かつ安価な構成の画像表示媒体を提供する。
【解決手段】第１の基板１ａ上に第１の薄膜電極１ｂが形成された第１の基板積層体１と、第１の基板積層体１に対向配置された、第１の基板１ａよりも平面的に小さい第２の基板上２ａに第１の薄膜電極１ｂよりも平面的に小さい第２の薄膜電極２ｂが形成された第２の基板積層体２と、第１の基板積層体１の第１の薄膜電極１ｂと第２の基板積層体２の第２の薄膜電極２ｂとの間に接着剤層４を介して挟持された表示層３とを備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成で、チャネル活性層として結晶性シリコン層を有する薄膜トランジスタの特性のバラツキを抑制した表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る表示装置は、絶縁基板１上に形成されたポリシリコン層２と、絶縁基板１上に、ソース線を含み、ポリシリコン層２のソース領域２ａ及びドレイン領域２ｃの上に形成された配線層３と、ポリシリコン層２及び配線層３上に形成されたゲート絶縁層４と、ゲート絶縁層４上に形成され、ゲート線と、ポリシリコン層２のチャネル領域２ｂに対応して形成されたゲート電極５と、配線層３の一部に対応して形成されたキャパシタ電極６とを含むゲート電極層１１と、ゲート電極層１１上に形成された層間絶縁層７と、層間絶縁層７上に形成され、ゲート絶縁層４及び層間絶縁層７に設けられたコンタクトホール９を介してドレイン領域２ｃに接続された画素電極を含む画素電極層８とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】ドレイン電極と透明アノード電極との接触部において、透明アノード電極にピンホールが開いていても歩留まり良く発光素子を用いたディスプレイパネルを形成できるようにすること。
【解決手段】発光素子として有機ＥＬ素子を使用したトップエミッション型の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、透明アノード電極２０ａを導電性の反射層５０を完全に覆う形で形成し、その反射層５０は、コンタクトホール５２の部分においてドレイン配線層４２が露出している領域を完全に覆う形で形成することにより、コンタクトホール５２の部分において透明アノード電極２０ａにピンホールが開いていても、透明アノード電極２０ａと反射層５０の組み合わせは、レジスト剥離液中での電池反応は進まないので、歩留まり良く接触部を形成できる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤ画素ユニット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第一の絶縁層（ゲート絶縁層）及びパッシベーション層を形成する事に加えて、第二の絶縁層でゲート・アイランドが覆われ、ゲート・アイランド上にＴＦＴのチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域が露出されるように開口部を形成する。グレートーンマスキングとフォトレジストの剥離工程によりパターニングすることで、三枚のフォトリソグラフィマスクでこのＴＦＴ−ＬＣＤ画素ユニットを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】
シンプルな構造でフィルム上へ作製された機能性膜のクラックを抑えることを可能とし有機ＥＬ、太陽電池、液晶、電子ペーパー、電子回路などの電子デバイスに有用なフィルムを提供する。
【解決手段】透明導電膜、バリア膜、光機能触媒膜、ＡＲ膜、ＬＲ膜、シリコン膜等の機能性膜１を付与した薄いフィルム基板とコシを持たせるための機能としてのフィルム。これを２層ラミネートとすることにより、機能性膜の応力を緩和させる。 （もっと読む）

【課題】工程時間の短縮及びコスト低減が可能な、有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】データラインと、スキャンラインと、第１電源電圧部と、第２電源電圧部と、初期化電圧部と、有機電界発光素子に電流を供給する第１トランジスタと、第１トランジスタをダイオード接続させる第２トランジスタと、データラインと第１トランジスタとに接続される第３トランジスタと、第１電源電圧部と初期化電圧部とに接続される第１容量性素子と、第１容量性素子と初期化電圧部とに接続される第４トランジスタと、第１電源電圧部と第２トランジスタとに接続される第５トランジスタと、第１トランジスタと有機電界発光素子とに接続される第６トランジスタと、第３トランジスタと第１トランジスタとに接続される第２容量性素子と、を備え、第１容量性素子の第１電極または第２電極は、真性半導体からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透過率の低下なく、高輝度の表示品質で低コストの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板ＳＵＢ１上に薄膜トランジスタのゲート電極ＧＴを一部に形成して走査信号を印加するゲート配線ＧＬと、ゲート配線を覆って成膜されたゲート絶縁膜ＧＩと、ゲート絶縁膜の上に島状に形成されて薄膜トランジスタの能動層を構成する半導体層ｎＳ／Ｓと、ゲート絶縁膜ＧＩの上かつ半導体層に個別に接続されたソース電極ＳＤ１およびドレイン電極ＳＤ２と、ドレイン電極ＳＤ２に接続された画素電極ＰＸを有し、ゲート配線ＧＬとゲート電極ＧＴ、ソース電極ＳＤ１およびドレイン電極ＳＤ２、画素電極ＰＸを絶縁性膜のバンクＧ−ＢＮＫ、ＳＤ−ＢＮＫ、Ｐ−ＢＮＫで囲まれた領域内にインクジェット塗布した導電性溶液の焼成で形成するものにおいて、これらのバンクのいずれも第２基板ＳＵＢ２に有する遮光膜ＢＭで隠される領域内にのみ配置し、表示領域には設けない。 （もっと読む）

【課題】半導体層及び高融点金属膜とＡｌまたはＡｌ合金からなる低抵抗金属膜との積層
金属膜をパターン形成するに当たり、工程を複雑化することなく、ＡｌまたはＡｌ合金の
耐腐食性を改善する。
【解決手段】Ａｌ（合金）と高融点金属の積層膜パターン２４、２５をエッチングマスク
であるフォトレジスト５１から後退して形成し、この状態でＡｌ（合金）膜の側面に保護
膜３８を形成する。このため、半導体層２３のエッチングやチャネルエッチング時にＡｌ
（合金）膜の側面が塩素系ガスやフッ素系ガスのプラズマに曝されにくくなり、Ａｌ（合
金）膜の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、製造工程の単純化を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０と、平坦化された層間絶縁膜４３と、層間絶縁膜４３上に設けられた画素電極９ａと、画素電極９ａより下層側に形成され、層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８５を介して画素電極９ａと接続された中継層９３と、中継層９３よりも下層側に形成され、平面的に見てコンタクトホール８５と部分的に重なると共に、下部容量電極７１、誘電体膜７５及び上部容量電極３００ａが積層されてなる蓄積容量７０とを備える。更に、中継層９３と同一膜からなると共に、層間絶縁膜４３に開口された開口部８１０から一部が露出する外部回路接続端子１０２並びに、平面的に見て開口部８１０と部分的に重なると共に、下部容量電極７１及び上部容量電極３００ａの各々と同一膜からなる調整膜６１１及び６１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の平坦化処理に起因する短絡不良を防止する。
【解決手段】導電膜７１´は、Ａｌ等の金属膜のように遮光性を有する導電膜であり、後の工程で所定の形状にパターニングされることによって、画像表示領域では下部電極７１となり、周辺領域では遮光膜７１ａになる。保護膜６５によれば、層間絶縁膜４２の平坦化処理によって、例えばデータ線６ａ及びソース線４０６ａが層間絶縁膜４２の表面に露出していた場合であっても、データ線６ａ及びソース線４０６ａが、層間絶縁膜４２の上層側に形成された部分（例えば、後述する下部電極７１或いは遮光膜７１ａ）と短絡することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】導電層を形成する際、形成したいパターンの外側（パターンの輪郭、端部に相当する）に液状の導電性材料を含む組成物を付着させ、枠状の第１の導電層（又は絶縁層）を形成する。枠状の第１の導電層の内側の空間を充填するように、液状の第２の導電性材料を含む組成物を付着させ第２の導電層を形成する。第１の導電層及び第２の導電層は接して形成され、第２の導電層の周囲を囲むように第１の導電層が形成されるので、第１の導電層及び第２の導電層は連続した一つの導電層として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】表示品位に優れ、生産性の高い表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴアレイ基板は、基板１１０上にゲート電極１と、ゲート絶縁膜３と、半導体層２３と、透明導電膜１１からなるソース電極１１ｂ及びドレイン電極１１ｃと、ドレイン電極１１ｃから延設される画素電極１１ａとを有する。さらに、透明導電膜１１上には、ソース電極１１ｂまで到達するソース電極コンタクトホール２７を有する層間絶縁膜８と、ソース配線２２が形成される。ソース電極コンタクトホール２７を介してソース電極１１ｂと接続されるソース配線２２を備えている。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗及び不良が減少したアレイ基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２０上にバリア層を形成する。その後、バリア層上に銅または銅合金を含むゲートライン１３１及びゲートラインに電気的に接続されるゲート電極１１８を形成する。その後、ゲートライン１３１及びゲート電極１１８の表面を窒化プラズマ処理する。続いて、絶縁基板１２０上にゲートライン１３１及びゲート電極１１８をカバーするゲート絶縁膜１２６を蒸着する。続いて、ゲート絶縁膜１２６上にデータライン１３３、データライン１３３に電気的に接続されるソース電極１１７、ソース電極１１７と離隔されて配置されるドレイン電極１１９、及びゲート電極１１８上でソース電極１１７とドレイン電極１１９との間に配置される半導体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素スイッチング用のＴＦＴの性能を向上させると共に遮光性を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、データ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極に接続されており、チャネル領域（１ａ´）とソース領域（１ｄ）との間に形成された第１のＬＤＤ領域（１ｂ）と、チャネル領域とドレイン領域（１ｅ）との間に形成された第２のＬＤＤ領域（１ｃ）とを有する半導体層（１ａ）、及びチャネル領域に重なるゲート電極（３ａ）を有するトランジスタ（３０）とを備える。更に、ゲート電極と、絶縁膜（４１ａ）を介して互いに異なる層に配置されており、第１及び第２のＬＤＤ領域と少なくとも部分的に重なるように形成されると共にゲート電極と電気的に接続された第１遮光部（１１ａ）を備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、複数の画素の各々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に設けられており、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ´、データ線側ソースドレイン領域１ｄ、画素電極側ソースドレイン領域１ｅ、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを有する半導体層１ａを含むＴＦＴ３０を備える。更に、半導体層１ａよりも上層側に形成されており、データ線側ＬＤＤ領域１ｂを覆う第１部分３０１と、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを覆うと共に第１部分３０１よりＸ方向の幅が広い第２部分３０２とを有する蓄積容量７０ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】 実装端子の狭ピッチ化において、ＣＯＧ実装等の位置合わせ誤差マージンを、従来よりも大きくできる実装端子基板を提供する。具体的には、従来よりも大きな開口部を有する実装端子構造を提供する。また、このような実装端子基板を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１上に千鳥配置で列をなす実装端子３と、実装端子３に接続され、絶縁膜４で覆われたゲート配線２と、実装端子３上の絶縁膜４が除去された開口部５を有し、列方向の実装端子３間にゲート配線２が配置される。実装端子３は大きさの異なる下層導電膜６及び上層導電膜７からなり、上層導電膜６の列方向の幅ｅ１は、開口部５に露出する下層導電膜６を覆うように下層導電膜６の列方向の幅ｄ１よりも大きく設けられ、かつ、開口部５の列方向の幅ｈ１以下である。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において高品質な表示を行う。
【解決手段】基板（１０）上の各画素において、非開口領域を少なくとも部分的に規定するように、画素電極（９ａ）より下層側且つトランジスタ（３０）より上層側に形成され、トランジスタの少なくとも一部と一の方向に沿って重なると共にトランジスタより一の方向に交わる他の方向の幅が広い重畳部分（７１ｍａ）を有する遮光部（７０ａ）を備える。更に、画素電極とトランジスタとは、重畳部分と重なるように配置されると共に層間絶縁膜（４３）に開孔されたコンタクトホール（８５ａ）を介して互いに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの単純化を図り、しかも高品質な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、ゲート電極３ａ及び３ｂを有するＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０とコンタクトホール８１を介して接続されたデータ線６ａと、データ線６ａと同一膜から形成され、下部容量電極７１とコンタクトホール８４を介して接続された中継層９３と、データ線６ａと同一膜から形成された出力線９９とを備える。更に、出力線９９とコンタクトホール８１１を介して接続された走査線１１ａと、開孔部８１２ａ及び８１２ｂが重なるように配置されることにより形成されたコンタクトホール８１２を介して出力線９９と接続された走査線１１ｂを備える。コンタクトホール８１、コンタクトホール８１１及び開孔部８１２ａは互いに同一工程によって開孔され、コンタクトホール８４、開孔部８１２ｂは互いに同一工程によって開孔される。 （もっと読む）