【課題】有機発光素子に入射される光の反射を低減し、明環境においてコントラストの高い有機発光装置を提供する。
【解決手段】有機発光素子を多数有し、光取り出し面側に偏光板を有する有機発光装置とを接続するためのコンタクトホールが形成されている。前記コンタクトホール上に、光透過部材であって、前記有機発光素子の発光領域を規定する開口を有し、平坦化層の開口部および隣り合う第１電極の間を覆う絶縁層を有し、前記絶縁層の上に前記平坦化層の開口部を覆う遮光層を有する。 （もっと読む）

【課題】蓄積容量の容量値を向上させると共に、例えば画素のレイアウト設計を容易に行う。
【解決手段】電気光学装置において、スペーサ絶縁膜（４９）は、第２領域において、蓄積容量（７０）の下側電極（７１）に対して、本体部（７１ａ）の少なくとも一部で平面的に見て重なるように形成されると共に、第１領域に配置される本体部（７１ａ）の他部とは重ならないように形成されると共に、上側電極（３００）は、第２領域においてスペーサ絶縁膜（４９）における本体部（７１ａ）と重なる部分上に少なくとも乗り上げるように延在し、第２領域に配置される本体部の少なくとも一部から上側電極（３００）と重ならないように延設部（７１ｂ）が延設される。 （もっと読む）

有機ＥＬ素子のための色変換層をパターニングする方法を、該パターニング方法を用いて多色発光有機ＥＬディスプレイを製造する方法とともに提供する。該パターニング方法は、有機層を有する支持体上に色変換層を形成する工程、および熱サイクルナノインプリント法を実施することにより色変換層をパターニングする工程を含む。
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【課題】 液晶表示装置（ＴＦＴ基板）の製造コストを低減する。
【解決手段】 絶縁基板の表面に、第１の導電材料からなる共通電極と、第２の導電材料からなる走査信号線と、第３の導電材料からなる映像信号線およびドレイン電極ならびにソース電極と、第４の導電材料からなる画素電極と、第１の絶縁材料からなるゲート絶縁膜と、前記共通電極と前記画素電極との間に介在する第２の絶縁材料からなる絶縁層とを有する表示装置であって、前記絶縁基板と前記映像信号線との間には、前記第１の導電材料からなる導電膜、前記第２の導電材料からなる導電膜、前記第１の絶縁材料からなる絶縁膜、前記ＴＦＴの半導体層の形成に用いられる半導体材料膜が介在しており、前記絶縁基板と前記第１の映像信号線との間に介在する前記各導電膜および前記絶縁膜ならびに前記半導体材料膜は、平面でみた形状が、前記映像信号線の平面でみた形状と相似形である表示装置。 （もっと読む）

【課題】静電破壊防止用保護素子が大型化するのを抑制するとともに、静電破壊防止用保護素子の静電破壊防止機能を向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置１は、ガラス基板２と、ガラス基板２上に配置された信号線２１および走査線２２と、信号線２１および走査線２２の少なくとも一方に接続された静電破壊防止用保護素子３０とを備える。そして、静電破壊防止用保護素子３０は、ガラス基板２上に互いに所定の間隔を隔てて形成され、Ｎ⁻型低濃度不純物領域３１ａを有する複数の低温ポリシリコン層３１ｂと、隣接する低温ポリシリコン層３１ｂのＮ⁻型低濃度不純物領域３１ａ同士を電気的に接続するとともに、低温ポリシリコン層３１ｂのＮ⁻型低濃度不純物領域３１ａに接触するように形成された金属配線３１ｃとを有する抵抗領域３１を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１１０と、絶縁基板１１０上に形成されており、ゲート電極を含む複数のゲート線と、ゲート線と絶縁されて交差してソース電極を有する複数のデータ線１７１と、ゲート電極を中心にソース電極と対向する複数のドレイン電極と、ゲート線、データ線１７１およびドレイン電極上部に形成されている絶縁膜と、絶縁膜上部に形成されており、ドレイン電極と連結されている複数の画素電極を含む薄膜トランジスタ表示板であって、絶縁膜は画素電極１９０で覆われない部分にトレンチまたは開口部１８６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】材料費、工程数を低減しその結果歩留まりを向上させ、コストを低減する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続される電極１０４を有する光制御素子と、を備えた光制御装置であって、薄膜トランジスタの半導体領域１０２と画素電極１０４とが同一の半導体層からなり、同一の半導体層はＩｎ，Ｇａ，Ｚｎから選択される元素の少なくとも一つを含む酸化物からなる非晶質層である。半導体層の画素電極となる部分は、半導体領域よりも抵抗率が低い。また、保持電荷蓄積容量部にも抵抗率の低い領域を用いることができる。加えて、電極を延設し配線として用いることもできる。光制御素子はエレクトロルミネッセンス素子、液晶セル、電気泳動型粒子セル等を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストの回数を削減し、且つ微細な薄膜加工を容易に行う方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成された第１の層及び光吸収性を有する第２の層上に選択的にレーザービーム照射を行い、光吸収層の一部を除去し、光吸収層をマスクとして第１の層の露出させた部分をエッチングにより除去する。次に少なくとも第１の層及び第２の層の除去された部分を覆うように第２の層上の一部にマスクとなる層を液滴吐出法により形成し、マスクとなる層をマスクとして第１の層及び第２の層をエッチングする。所定の場所に適した方法を選択して薄膜加工を行うことができるため、スループットが向上する。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率の向上を図った表示装置の提供。
【解決手段】基板上の画素領域に、透明酸化物層、絶縁膜、導電層が順次積層され、
前記導電層はゲート信号線に接続される薄膜トランジスタのゲート電極を有し、
前記透明酸化物層は少なくとも前記ゲート電極の直下のチャネル領域部を除いた他の領域が導電体化され、この導電体化された部分でソース信号線、このソース信号線に接続される前記薄膜トランジスタのソース領域部、画素電極、この画素電極に接続される前記薄膜トランジスタのドレイン領域部を構成している。 （もっと読む）

【課題】構造を複雑化させることなく、安定した特性が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置（第１基板）１０は、絶縁層（下地絶縁膜）１１と、前記絶縁層１１上に設けられた薄膜トランジスタ３０と、前記薄膜トランジスタ３０に信号を供給するための配線（走査線）３ａと、前記配線３ａに設けられた抵抗素子１０７とを備え、前記配線３ａは複数層の導電層１３１，１３２，１３３からなり、前記抵抗素子１０７は、前記複数層の導電層のうちの１又は２以上の導電層１３２，１３３を部分的に除去することにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】高速応答で広視野の表示性能を持つ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ソース配線電極とゲート配線電極とスイッチング素子とを有し、画素電極上に配置され第１方向に配向処理された第１配向膜とを備えたアクティブマトリクス基板と、対向電極上に配置され上記第１方向と平行な第２方向に配向処理された第２配向膜とを備えた対向基板と、液晶層に電圧を印加しない状態の液晶の配向状態がスプレイ配向状態であり、表示に用いる配向状態がベント配向状態となる液晶表示装置である。ソース配線電極と画素電極とは、アクティブマトリクス基板に対して垂直方向の投影において互いに重なる部分を有し、第１及び第２方向は、ソース電極配線を介して隣接する画素電極の方向に対して交差する方向であり、それによって、上記スプレイ配向状態から上記ベント配向状態へと配向変化を起こす転移核を発生させるための電界歪を発生させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画素領域及び非画素領域を含む基板の内周の少なくとも一辺に保護回路形成して有機電界発光表示装置に含まれる画素及び駆動部が静電気放電によって破壊されることを防止するための有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機電界発光表示装置は、画素領域及び非画素領域を含む基板と、前記基板の前記非画素領域に形成される静電気放電回路と、を含むことを特徴とする。前記静電気放電回路は、前記基板に形成される半導体層と、前記半導体層に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように形成される層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に形成されるソース／ドレイン電極と、を含んで形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス基板の周辺領域に形成された環境センサを備えた表示装置において、環境センサの上層に設けられた表面保護膜の変質に基づく、環境センサの感度不良および特性の経時劣化を防止する。
【解決手段】 同一基板上に、複数の画素が配列された画素配列領域と、該画素配列領域に近接する周辺領域を有するアクティブマトリクス基板において、前記周辺領域における表面保護膜は、前記環境センサの上部となる箇所に開口部を備えている。 （もっと読む）

【課題】画素部や駆動回路の要求に合わせてＴＦＴの構造を最適化しようとす
ると製造工程が複雑となってしまう。また、触媒元素を添加して結晶質半導体膜
を形成した場合、触媒元素の濃度を十分に低減しないでＴＦＴを形成するとオフ
電流が突発的に上がってしまう等の問題がある。
【解決手段】第１のｎチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲート電極の外側に設け
られた第１の不純物領域及び第２の不純物領域を有し、第２のｎチャネル型ＴＦ
Ｔの半導体層はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、ゲート電極の
外側に設けられた第３の不純物領域を有し、ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲ
ート電極と一部が重なるように設けられた第４の不純物領域、ゲート電極の外側
に設けられた第５の不純物領域を有する半導体装置であり、触媒元素を用いて形
成された結晶質シリコン膜からバリア層を介して希ガス元素を含む半導体膜に触
媒元素を移動させる。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート型の有機薄膜トランジスタにおける動作特性を、その上層に設けた電極の影響を受けることなく安定した特性に維持することが可能で、これを駆動素子とすることにより信頼性の高い表示が可能な表示装置を提供する。ことを目的とする。
【解決手段】
基板１上に設けられたボトムゲート型の薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒの上部に保護膜１１および層間絶縁膜１５を介して設けられた画素電極ａとを備え、薄膜トランジスタＴｒと画素電極ａとの間には、これらとの間に絶縁性を保って導電性のシールド層１３ａが配置されている。 （もっと読む）

【課題】 走査線からの漏れ電界に対する遮蔽効果を高めてクロストークを抑制し、遮光領域を減らすことにより開口部の広い、高品質な面内スイッチング型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 面内スイッチング型液晶表示装置において、駆動電極５および対向電極６を、走査線２および信号線３よりも上層に形成する保護膜１０の上の同一層に形成し、対向電極６の走査線２に近接した部位の基板側への投影面を、走査線２との間隙を埋めるべく走査線２の上まで拡大して形成する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の電極部における電圧降下を抑止でき、パネルの面内輝度差の発生を防止でき、高画質の画像を得ることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】発光領域を含む画素がマトリクス状に配列されたアクティブマトリクス型表示装置１００Ａであって、各画素の発光領域ＥＡから発光領域ＥＡの周辺の非発光領域ＮＥＡにわたって形成された第１電極１２３と、画素共通に形成された第２電極１２４と、第１電極１２３と第２電極１２４間に形成された発光材料層１２５と、を有し、第２電極１２４は、発光領域ＥＡと発光領域ＥＡの周辺の非発光領域ＮＥＡとに区分けされ、発光領域ＥＡの膜厚が発光領域ＮＥＡの膜厚より厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＧＳ結晶化法で非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する場合、多結晶シリコン層が特定なラマンスペクトラムのピーク値を有する薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを備えた有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に位置し、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域でなっていて、多結晶シリコーン層で形成された半導体層と、前記半導体層の一定領域に対応するように位置したゲート電極と、前記半導体層とゲート電極間に位置したゲート絶縁膜と、前記半導体層のソース／ドレイン領域と電気的に連結されているソース／ドレイン電極とを含み、前記多結晶シリコーン層は相異なるラマンスペクトラムのピーク値を有する複数個の領域を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非表示領域にアラインマークを形成して結晶化工程中に多結晶シリコンの形成位置を正確に制御及び最適特性のアクティブ層を形成する。
【解決手段】表示領域２１１と非表示領域２１２とを有する基板２１０と、バッファ層２２０と、非表示領域２１２に対応するバッファ層２２０に形成されたアラインマーク２３０と、表示領域２１１に対応するバッファ層２２０に形成されたアクティブ層２４０と、ゲート絶縁膜２５０と、アクティブ層２４０に対応するゲート絶縁膜２５０に形成されたゲート電極２６０と、ゲート電極２６０に形成された層間絶縁膜２７０と、層間絶縁膜２７０に形成され、アクティブ層２４０と電気的に連結されるソース／ドレイン電極２８０と、ソース／ドレイン電極２８０に形成された絶縁膜２９０と、絶縁膜２９０に形成され、ソース／ドレイン電極２８０に電気的に接続される有機電界発光素子３００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スペーサパターンを形成するための写真エッチング工程を排除する有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板と；前記基板上に位置する第１電極と；前記第１電極上に位置し且つ開口部及び非開口部を有する画素定義膜と；前記画素定義膜の非開口部に位置する多数のボール状スペーサと；前記第１電極の上部に位置し且つ発光層を含む有機膜層と；前記有機膜層の上部に位置する第２電極と；を備える有機電界発光表示装置を提供する。また、本発明は、基板を用意し；前記基板の上部に第１電極を形成し；前記第１電極の上部に画素定義膜を形成し；前記画素定義膜の上部にボール状スペーサを塗布し；第１電極の一部を露出させ発光領域を定義する開口部を形成し；前記第１電極の上部に位置し且つ発光層を含む有機膜層を形成し；前記有機膜層の上部に第２電極を形成する；ことを含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）