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Fターム[5C094DA13]の内容

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【課題】電極間分離膜と第二電極分離用隔壁の密着性を向上させ、陰極ラインの短絡等の不具合を防止する。
【解決手段】透明支持基板上に形成された色変換フィルター層と、その上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成された、第一電極と、電極間分離膜と、第二電極分離用隔壁とを有し、当該第一電極に対向配置された第二電極と、前記第一電極と第二電極の間に配置された有機EL層とを備え、前記電極間分離膜は画素領域と、第二電極の引き出し線の接続部位と引き出し線と外部駆動回路との接続部位を除く領域とを被覆しており、その電極間分離膜の上に炭素層を有することを特徴とする有機ELディスプレイ、及び、色変換フィルター層形成工程と、バリア層形成工程と、このバリア層の上に、第一電極と、電極間分離膜と、第二電極分離用隔壁と炭素膜とを形成する工程と、有機EL層形成工程と、該有機EL層上に第二電極を形成する工程を有することを特徴とする有機ELディスプレイの製造方法。 (もっと読む)


【課題】共通電極と共通電極用配線とのコンタクト抵抗を低減し、高輝度化、高効率化を達成することのできるエレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板2上に共通電極と電気的に接続される共通電極用配線12aを形成する工程と、基板2上に共通電極用配線12aを覆う絶縁膜240を形成する工程と、絶縁膜240上に画素電極111を形成する工程と、絶縁膜240に共通電極用配線12aに達する開口部240bを形成する工程と、開口部240bを介して共通電極用配線12aの表面に共通電極を形成する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】無機EL素子の利点を生かし、高精細かつ信頼性の高い無機EL発光装置を作製することを課題とする。
【解決手段】スイッチングトランジスタと、pチャネル型トランジスタである第1の駆動トランジスタと、nチャネル型トランジスタである第2の駆動トランジスタと、無機EL素子と、抵抗とを有し、スイッチングトランジスタのソース領域またはドレイン領域の一方の領域が、第1の駆動トランジスタのゲート電極及び第2の駆動トランジスタのゲート電極に電気的に接続されており、第1の駆動トランジスタのソース領域またはドレイン領域及び第2の駆動トランジスタのソース領域またはドレイン領域が、抵抗と電気的に接続されており、抵抗を、第1の駆動トランジスタ及び第2の駆動トランジスタと、無機EL素子との間に設けることにより、駆動電圧を、抵抗に分圧させる発光装置に関するものである。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタを含む画像表示システムを提供する。
【解決手段】低温ポリシリコン薄膜トランジスタを含む画像表示システムであって、
基板、前記基板を覆う活性層、前記活性層を覆うゲート絶縁層、第一延伸部分、第二延伸部分、及び前記第一、第二延伸部分の間に位置する第一中心部分を含み、且つ前記ゲート絶縁層を覆う誘電体層、及び前記誘電体層の第一中心部分を覆うゲート電極を含む画像表示システム。 (もっと読む)


【課題】 表示領域に多数個のTFTがマトリクス状に配置された表示装置の、各TFTにおけるゲート絶縁膜の膜厚の違いに起因する画質むらを低減する。
【解決手段】 絶縁基板の表面に、多数個のTFTがマトリクス状に配置されている表示パネルを有する表示装置であって、前記多数個のTFTのうちの、ある1つのTFTにおけるゲート絶縁膜の膜厚と、前記ある1つのTFTとは異なるもう1つのTFTにおけるゲート絶縁膜の膜厚とが異なる場合に、当該2つのTFTのうちの、前記ゲート絶縁膜の膜厚が薄いほうのTFTにおけるチャネル幅をチャネル長で除した値が、前記ゲート絶縁膜の膜厚が厚いほうのTFTにおけるチャネル幅をチャネル長で除した値よりも小さい表示装置。 (もっと読む)


【課題】MoあるいはMo合金から成る導電層上に塗布型絶縁膜を塗布したときに、導電層の表面に生じるMo酸化物層により発生するコンタクト不良や、膜はがれを防止する。
【解決手段】第1の基板を有し、前記第1の基板は、MoあるいはMo合金層で構成される第1導電層と、前記第1導電層よりも上層に形成される塗布型絶縁膜とを有する表示装置(例えば、液晶表示装置)であって、前記第1導電層上に形成され、AlあるいはAl合金層(または、TiあるいはTi合金層)で構成される第2導電層を有し、前記塗布型絶縁膜は、前記第2導電層上に形成される。 (もっと読む)


本発明は、フレキシブル基板における歪みを補償するピクセル構造、前記ピクセル構造を含む表示装置を製造する方法に関する。本発明は、フレキシブル表示装置のフレキシブル基板における歪みを補償するピクセル構造を提供し、薄膜トランジスタ(TFT)を含むフレキシブル基板上の第1層、前記第1層上に設けられ前記TFTに接続されて前記TFTからの信号を受信するピクセル電極を含む第2層、前記ピクセルによって表示された光をフィルタするカラーフィルタを有する第3層を有し、前記第3層は、前記カラーフィルタが前記ピクセル電極に対して実質的に位置調整されるように前記第2層に対して位置調整され、前記位置調整は前記フレキシブル基板における歪みによって生じた前記第1層における歪みを補償するものである。
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【課題】本発明では、隔壁で区切られた画素内に、スリットコート法によりインキを転写して正孔輸送層を形成する方法において、インキのはじき等がなく膜厚均一性に優れたな膜形成を行うことで、欠陥やムラのない有機EL素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板上に隔壁パターンを形成する工程と、上記隔壁で囲まれた領域にスリットコート法により正孔輸送インキを塗布して正孔輸送層を形成する工程とを少なくとも有し、該正孔輸送インキの基板上へ塗布直後のインキ量すなわち未乾燥状態での膜厚を適切な範囲に設定する。 (もっと読む)


【課題】フレキシブル表示装置の収率及び製造工程の安定性を向上させたフレキシブル表示装置の製造方法及びその製造方法によるフレキシブル表示装置に関する。
【解決手段】第1基板21の一面に、第1基板21に対する選択エッチング比が1/20以下である絶縁保護層23を形成する段階と;絶縁保護層23上に表示素子25を形成する段階と;表示素子25上にフレキシブル基板27を接着する段階と;第1基板21をエッチングする段階とを含むフレキシブル表示装置の製造方法。更に、フレキシブル基板27と;フレキシブル基板27上に形成された表示素子層25と;表示素子層25を保護する絶縁保護層23を備えて、ガラス:絶縁保護層のエッチング比及びステンレス:絶縁保護層のエッチング比の中、少なくともいずれか一つは1:20以上であるフレキシブル表示装置。 (もっと読む)


【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、及び表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性を有する基板上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上に無機材料を含むゲート絶縁層を形成し、無機材料を含むゲート絶縁層上に光重合性反応基を含む有機層を形成し、ゲート電極層をマスクとして基板を通過した光を光重合性反応基を含む有機層に選択的に照射し光重合性反応基を含む有機層を選択的に重合し、光重合性反応基を含む有機層の重合した領域以外を除去し有機重合層を形成し、有機重合層の形成領域以外の無機材料を含むゲート絶縁層上に加水分解基を有する有機シラン膜を形成し、有機重合層上に導電性材料を含む組成物を吐出しソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ゲート電極層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に半導体層を形成する。 (もっと読む)


【課題】複雑な製造プロセスを用いることなく、また有機化合物層の上に形成する層の段切れを抑制しつつ、各発光色の素子の光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】基板と、基板の上に形成されている複数の有機発光素子とを有し、複数の有機発光素子は、第1発光色を発する第1有機発光素子と、第1発光色とは異なる第2発光色を発する第2有機発光素子とを有し、各有機発光素子は、基板の上に順に、反射層と透明導電層とを有する第1電極と、発光層を含む有機化合物層と、光取り出し電極である第2電極とを有する有機発光装置において、
第1有機発光素子における反射層は、基板と透明導電層との間に形成され、第2有機発光素子における前記反射層は、透明導電層と有機化合物層との間に形成され、
前記第1有機発光素子における前記透明導電層の厚みは、前記第2有機発光素子における前記透明導電層の厚みと同一である。 (もっと読む)


【課題】反射型表示と透過型表示の双方を可能にする表示装置に用いた場合に、反射型表示の明るさと透過型表示の彩度とを共に確保することの可能な電気光学装置及びカラーフィルタ基板を提供する。
【解決手段】第1基板211上には、画素毎に開口部212aを備えた反射層212が形成され、その上にカラーフィルタを構成する着色層214が形成されている。着色層214の上には表面保護層215が形成され、さらにその上に透明電極216が形成される。着色層214は開口部212aを平面的に覆うように構成されているが、画素内の反射面の一部にのみ平面的に重なるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】データ線とゲート線のクロス容量を小さくした有機EL表示装置を得る。
【解決手段】データ線12とゲート線11とを交差させて定義される画素ごとに、薄膜トランジスタで駆動される有機EL素子24を備えた有機EL表示装置であって、データ線12は、薄膜トランジスタ上のパッシベーション膜の上に形成される。また、データ線12は、有機EL素子の陰極(あるいは陽極)と共通の材料で構成され、有機EL素子の陰極(あるいは陰極)と同一レイヤに同時形成される。 (もっと読む)


【課題】 エッチングされやすい真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有する薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、ゲート電極に対応する部分における半導体薄膜の周囲に空洞が生じないようにする。
【解決手段】 ガラス基板1の上面にはソース電極2およびドレイン電極3が形成され、それらの上面にITOからなる2つのオーミックコンタクト層4、5が形成されている。ソース電極2、ドレイン電極3および2つのオーミックコンタクト層4、5を含むガラス基板1の上面には、画素電極11をソース電極2に接続させるためのコンタクトホール13を有する真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜6が形成されている。この場合、ゲート電極8下の全域およびその周囲には半導体薄膜6が形成されているため、ゲート電極8に対応する部分における半導体薄膜6の周囲に空洞が生じないようにすることができる。 (もっと読む)


【課題】有機EL表示装置の共通電極の高抵抗を補償する補助配線と共通電極とのコンタクトをマスク蒸着によらずに容易かつ確実にとる。
【解決手段】支持基板1の主面に画素電極2とバンク3を有する。バンク3上に補助配線6が配置される。補助配線6は下層8、中層8、上層10の3層で構成され、上層10が中層9よりも迫り出して中層9を上方から隠す庇を形成する。画素電極2の上層に蒸着される有機膜4は、上層10の庇によるシャドウイング効果で中層9には付かない。その上に透明な共通電極5をスパッタ法で形成する際、共通電極5は有機膜4の内側に回り込んで補助配線6の下層8に付き、確実なコンタクトがとられる。 (もっと読む)


【課題】TFT−LCDアレイ基板構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】該TFT−LCDアレイ基板は基板と、前記基板に形成され、相互に交差し、画素領域を少なくとも1つ画成する少なくとも1本のゲートラインと少なくとも1本のデータラインと、前記画素領域に形成された画素電極と、前記画素領域におけるゲートラインとデータラインとの交差部に形成され、前記ゲートラインに接続するゲート電極と、前記データラインに接続する第1のソース・ドレイン電極と、前記画素電極に接続する第2のソース・ドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、前記基板に形成され、前記データラインに平行な少なくとも1本の共通電極と、を備える。 (もっと読む)


【課題】LED発光の発光ドットを多数個二次元配列することによって表示部が構成される発光表示装置において、その視認性の確保と小形化とを同時に効果的に図ること。
【解決手段】遮光性隔壁20は、黒色のガラスから形成されており、高軟化点のガラスからなる透光性ガラス板10の裏面10a上に、感光性ペースト法によって焼成されたものである。x軸方向におけるこの遮光性隔壁20の厚さtx は約100μm、配設周期Lx は約600μmであり、z軸方向の高さhは約600μmである。青色発光のLED30は、シリコン(Si)を高濃度に添加したバルク状のGaN単結晶からなる結晶成長基板31の上に、pコンタクト層や発光層などを含む複層構造の半導体結晶層32を結晶成長によって積層して形成したものであり、その大きさは、縦、横(Dx )、高さがそれぞれ、約300μm、約300μm、及び約450μmである。 (もっと読む)


【課題】 液晶表示パネルの各画素に形成される保持容量のばらつきを低減し、1枚の液晶表示パネルの表示領域における画質の面内ばらつきを低減する。
【解決手段】 複数の画素の集合で設定される表示領域を有し、各画素は、画素電極と、前記画素電極と絶縁層を介して設けられる導体層と、前記絶縁層とにより形成される保持容量コンデンサを有する基板を備える表示装置であって、前記基板の、ある画素において前記画素電極と前記導体層が平面でみて重なる領域の面積をS1、該重なる領域に介在する前記絶縁層の厚さをPASD1とし、前記基板の、前記ある画素とは別の画素において前記画素電極と前記導体層が平面でみて重なる領域の面積をS2、該重なる領域に介在する前記絶縁層の厚さをPASD2としたときに、S1>S2であれば、PASD1>PASD2になっている表示装置。 (もっと読む)


【目的】スパッタリングによる有機発光層へのダメージを最小限にし、より優れた高い光透過率および開口率を備えたAMOLEDディスプレイの画素構造を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス有機発光ディスプレイの画素構造とその製造方法が提供され、その方法中、透明電極と有機発光ダイオードと反射電極とが基板上に形成された後、少なくとも1つのスイッチング薄膜トランジスターと、少なくとも1つの駆動薄膜トランジスターと、走査線と、データ線と、蓄積キャパシターとが基板上に形成される。 (もっと読む)


【課題】例えば、液晶ライトバルブが有する画素電極における光透過率を高める。
【解決手段】赤色光(R)は、ITO膜の膜厚が100乃至140nmで透過率が高くなる傾向にある。緑色光(G)は、ITO膜の膜厚が120乃至160nmの範囲で透過率が高くなる傾向にある。青色光(B)は、ITO膜の膜厚が160乃至200nmの範囲で透過率が高くなる傾向にある。したがって、液晶ライトバルブの画素電極としてITO膜を採用した場合、上述した各膜厚範囲に各画素電極9R、9G及び9Bの膜厚を設定することによって、赤色光、緑色光、及び青色光の夫々の光透過率を高めることができ、 (もっと読む)


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