【課題】遮光膜端面形状を改善し、その上面に成膜される膜の段差による段切れ等の欠陥
を防止する遮光膜の形成方法、及び、それを用いた電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】素子基板１０に第１遮光層２１、及び第２遮光層２２を成膜して、第２遮光
層２２上にレジストマスクを形成する。該レジストマスクを利用し、第１遮光層２１への
エッチングレートよりも、第２遮光層２２へのエッチングレートの大きいエッチング液を
用いて、第２遮光層２２を等方性エッチングにてオーバーエッチングする。続いて、同レ
ジストマスクを使用して第１遮光層２１を異方性エッチングする。その結果、第１遮光層
２１はレジストマスクの範囲を残して除去される。この方法により、第１遮光層２１と第
２遮光層２２の端面は、段差の小さい階段状に形成される。それにより、該段差部分の上
層の保護膜１５や半導体層１６の被覆性が向上し欠陥を防止できる。 （もっと読む）

【課題】接続状態を確認することができる電極基板を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる電極基板は、透明基板３８と、透明基板３８の一方の面に設けられた第２透明導電膜４６と、視認エリア３３内に設けられた第２透明導電膜４６によって形成された第２電極３２と、視認エリア３３の外側に設けられ、第２電極３２と接続される第２接続配線３６と、を備え、第２接続配線３６が第２透明導電膜４６と積層された金属膜４７を有し、第２透明導電膜４６が金属膜４７からはみ出して形成され、第２透明導電膜４６がはみ出した部分に外部と接続される第２外部端子４２が設けられているものである。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置等の電気光学装置において、画素スイッチング用ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を効果的に低減でき、且つ高い開口率及び表示画像の高精細化を実現する。
【解決手段】素子部１３０ａ及び１３０ｂは、Ｙ方向に沿って１画素分相互にずらして配置されている。このような配置によれば、第１部分Ｐｙ１、第２部分Ｐｙ２、第３部分Ｐｙ３、及び第４部分Ｐｙ４の夫々は、各部分が遮光すべきＬＤＤ領域に覆うようにＹ方向に沿って互いにずらして配置されていることになる。したがって、第１画素電極９ａ１が形成された画素の開口率と、第２画素電極９ａ２が形成された画素の開口率とが同じになるように揃えることが可能である。加えて、液晶装置１によれば、第２部分Ｐｙ２及び第４部分Ｐｙ４の幅に比べて、第１部分Ｐｙ１及び第３部分Ｐｙ３の幅を狭めているため、画素の開口率が極力低下されない構成を用いて、光リーク電流が発生し易いＬＤＤ領域をピンポイントで遮光できる。 （もっと読む）

【課題】検査用端子の高さを高くしてプローブとの間の接触性が良好となるようにした液
晶表示パネルの製造方法及び液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示パネルは、第１の検査用端子形成位置に順次形成された第
１の導電性材料からなる膜６２ａ、第１の絶縁膜６３、半導体材料からなる膜３４ｂ、第
２の導電性膜３２ａ、第２の絶縁膜３９、第１のコンタクトホール６６を介して第１の導
電性膜６２ａと電気的に接続された第１の検査用端子６７と、第１の絶縁膜６３上の第２
の検査用端子形成位置に順次形成された半導体材料からなる膜３４ｃ、第２の導電性材料
からなる膜６４ａ、第２の絶縁膜３９、第２のコンタクトホール６８を介して第２の導電
性材料からなる膜６４ａと電気的に接続された第２の検査用端子６９と、を備えることを
特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、オーバーレイヤー構造を用いて保持容量を形成し、保持容量の最適化を通して表示品質の向上を図ることである。
【解決手段】液晶表示装置は、平坦化絶縁膜の上層に、ＦＦＳ絶縁膜を介して画素電極と共通電極とが配置されるオーバーレイヤー構造を有する。ＦＦＳ絶縁膜を介して画素電極と共通電極との重なり部分で保持容量が形成される。保持容量は、保持時間と画素ＴＦＴのリーク電流等から定められる適当な大きさを要すると共に、信号線容量に比べ適当に小さいことが必要である。この２条件を満たすＦＦＳ絶縁膜の膜厚を計算すると、例えば画素密度Ｐ＝１００において４３０ｎｍ以上２４００ｎｍ以下、画素密度Ｐ＝４００において９０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下となる。 （もっと読む）

【課題】本発明による表示装置においては、生産性が高く、表示品位の優れた表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板と、基板上に設けられ、半導体層とキャパシタ電極６及びゲート電極１５を含む第１導電層との間に配置されるゲート絶縁膜５と、半導体層、第１導電層、及びゲート絶縁膜５の上層に形成された層間絶縁膜８と、層間絶縁膜８上に形成され、信号線９を含む第２導電層と、層間絶縁膜８及び第２導電層の上に形成された保護膜１０と、保護膜１０の上に形成された画素電極層１２と、を備え、画素電極層１２が、保護膜１０を貫通して第２導電層まで到達し、かつ保護膜１０、層間絶縁膜８、及びゲート絶縁膜５を貫通して半導体層まで到達することによって、半導体層と第２導電層とが画素電極層１２を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、データ線に接続された付加容量が静電破壊されることを抑制し、データ線に沿った表示ムラ等のない高品質な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、互いに交差するデータ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）及び画素スイッチング素子（３０）と、画素電極及び画素スイッチング素子に電気的に接続されており、第１下側電極（７１）、第１誘電体膜（７５）及び第１上側電極（３００）が順に積層されてなる蓄積容量（７０）とを備える。更に、データ線に電気的に接続されており、第２下側電極（５１１）、第１誘電体膜の膜厚よりも厚い膜厚を有する第２誘電体膜（５１３）、及び第２上側電極（５１２）が順に積層されてなる付加容量（Ｃａ）を備える。 （もっと読む）

【課題】２つ以上のＦＥＴを含むアクティブマトリクス型表示装置の画素駆動回路を、スルーホール無しの構成で提供すること。
【解決手段】
第一の電界効果トランジスタと第二の電界効果トランジスタに対し、前記二つの電界効果トランジスタの絶縁膜を同一層内に形成し、前記絶縁膜の両面に前記二つの電界効果トランジスタのチャネルとなる半導体をそれぞれ形成した構造を持ち、第一の電界効果トランジスタのソース／ドレイン電極が第二の電界効果トランジスタのゲート電極となる構造の電気回路を持つ表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板の反り、膜剥がれ及びクラックを良好に抑制するアクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板を備えた表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板は、プラスチック基板と、プラスチック基板上に形成された複数のソース線と、複数のソース線に交差する複数のゲート線と、複数のソース線と複数のゲート線との各交差部において、各交差部の対応するソース線及びゲート線のそれぞれに電気的に接続する薄膜トランジスタと、を備えたアクティブマトリクス基板であって、薄膜トランジスタ内及びソース線の下方にのみゲート絶縁膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を好適に分布させることができる非線素子の製造方法、およびこの方法を利用した電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘを製造するにあたって、タングステンおよび窒素を含有するタンタル膜によって下電極１３ｘを形成した後、下電極１３ｘの表面を陽極酸化して絶縁層１４ｘを形成する。次に、絶縁層１４ｘに水素を導入した後、上電極１５ｘを形成する。絶縁層１４ｘを形成した後、水素を導入する前あるいは後に、プラズマ発生室に窒素を含有するガスを導入してプラズマを発生させ、かかるプラズマを絶縁層１４ｘに照射して絶縁層１４ｘに窒素を導入する。 （もっと読む）

【課題】銀合金の腐食による反射率の低下、金属膜のパターンの欠けや剥がれのない有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ配線が形成された基板上に、第１電極と第２電極との間に発光層を狭持して成る有機ＥＬ素子を備えたアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置において、前記第１電極は、銀を主成分とする合金からなる金属膜と、金属酸化物からなる透明導電膜とをこの順に積層した構成である。前記透明導電膜のパターンは金属膜のパターンより大きく形成されており、金属膜は透明導電膜に被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、２重ゲートバス配線を備える液晶表示装置及びその製造方法に関する。ソースバス配線とソースパッドの下に半導体物質を積層し、ダミーソースバス配線及びダミーソースパッドを形成することにより、ソースバス配線及びソースパッドを形成する金属がストレスによる亀裂で断線される問題点を解決する。製品の不良を大幅に減少させ、生産の歩留まりが向上する。
【解決手段】基板１０１のゲート絶縁膜１１７上に、半導体層と不純物半導体層を積層することによりダミーソースバス配線１３９及びダミーソースパッド１４９を形成する。この工程はトランジスタ形成工程と共用できる。これらを覆うように、クロームのような表面安定度が高い金属でソースバス配線１２３、ソースパッド１２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン層とゲート絶縁膜の間の界面準位密度を低下させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板２上にシリコン層４を形成する工程と、シリコン層４上にテトラエトキシシランを原料ガスとして用いた化学気相堆積法により酸化シリコン膜５ａを形成する工程と、酸化シリコン膜５ａの上層に窒化シリコン膜５ｂを形成する工程と、アニール処理を行なう工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】導電性異物が液晶層に侵入しても、繋ぎ換え部において不良が発生しないようにした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】互いに直交して配置される複数本の信号線２０及び複数本の走査線２２と、信号線２０と走査線２２との交点近傍にＴＦＴ２４を介して配置される画素電極２６とを備えることによりマトリックス状に複数の表示画素を有したアレイ基板１２と、対向電極５６を有する対向基板１４と、アレイ基板１２と対向基板１４との間に配された液晶層１６とを有し、信号線２０と走査線２２の繋ぎ換え部４４は、接続層６４の上に液晶間絶縁層７２を有している。 （もっと読む）

【課題】水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を好適に分布させることができる非線形素子、非線形素子の製造方法、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】非線形素子１０ｘを製造するにあたって、窒素含有タンタル膜によって下電極１３ｘを構成する一方、絶縁層１４ｘにおいて、少なくとも電気特性に大きな影響を及ぼす下電極１３ｘの上面部分については、窒素含有タンタル酸化膜のスパッタ膜１４ｙで構成し、下電極１３ｘの側面部には陽極酸化膜１４ｚを形成する。絶縁層１４ｘには水素を導入するが、スパッタ膜１４ｙは、表層部分も、その深い部分と同様、多量の窒素を含有しているので、十分な水素保持力を備えている。 （もっと読む）

【課題】水分・酸素遮断層と、陰極分離隔壁との密着性に優れる有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも次の工程（Ａ）〜（Ｄ）を有する有機ＥＬ素子の製造方法である。（Ａ）基板上に樹脂を主成分とする領域を形成し、この領域の上に第１バリア層を形成する工程と、（Ｂ）前記第１バリア層の上に第１電極を形成する工程と、（Ｃ）前記第１バリア層の上に第２バリア層８（水分・酸素遮断層）を形成し、この第２バリア層の表面を粗面化する工程と、（Ｄ）前記第２バリア層の上に第２電極（陰極）分離隔壁１１を形成する工程。ここで、粗面化にはドライアイス粒子によるブラスト、不活性ガスを用いるスパッタリング、またはエッチングガスを用いるドライエッチングにより行う。 （もっと読む）

【課題】電極間でのショートによる消灯やリーク電流による輝度低下、輝度バラツキの発生による表示品質の低下を伴わず、良品質の有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】一対の電極間に、少なくとも１層以上の発光層を含む有機層を狭持した有機ＥＬ素子を複数有し、前記複数の有機ＥＬ素子は、基板側電極上に形成された絶縁層によって区画されて成るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であって、有機層の少なくとも１層の周縁部を覆うように、絶縁層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】データライン用金属膜のエッチング時に発生するストリンガを防止する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にゲートライン１２２、ゲート絶縁膜１３０、活性層１４０、及びデータライン用金属膜１５０を形成し、データライン用金属膜１５０上にチャンネル形成領域１５４部分が他領域に比べて薄い第１フォトレジストパターン１６０を形成する。第１フォトレジストパターンを用いてデータライン用金属膜を１次エッチングし、さらに活性層をエッチングする。第１フォトレジストパターンをＳＦ_６とＯ_２が１：４〜１：２０の比率で混合されたガスで乾式エッチングして、チャンネル形成領域部分が開口した第２フォトレジストパターン１６２を形成すると同時に１次エッチングされたデータライン用金属膜の表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】表示品質の向上に寄与すること。
【解決手段】駆動トランジスタは、そのゲートの電位に応じた駆動電流を生成する。ＯＬＥＤ素子は、駆動電流に応じた輝度にて発光する。トランジスタは、駆動トランジスタＴdrのゲートとドレインとの導通および非導通を切り替える。容量素子は、第１電極と第２電極とを有する。第２電極は駆動トランジスタのゲートに接続される。トランジスタは、データ電位が供給されるデータ線と第１電極との間に介挿される。また、容量素子は、容量素子とデータ線との間に設けられており、電源線と駆動トランジスタのゲート間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの枚数を低減しながらも、容易且つ高精度に半導体装置を製造する。
【解決手段】ゲート配線５と、ソース配線６と、ゲート配線５及びソース配線６に接続された薄膜トランジスタ１２と、薄膜トランジスタ１２に接続された絵素電極１１とを備えた半導体装置１を製造する場合に、絵素電極１１とソース配線６とを同時にパターン形成する。 （もっと読む）