【課題】
本発明では、有機物からなる隔壁で区切られた画素内に、ウエットプロセスにより形成する有機ＥＬ素子の製造方法において、隔壁を隔壁絶縁被膜層で覆うことによって、隔壁からのアウトガスや溶媒による溶出が少なく有機層へのダメージが抑えられ、欠陥やムラのない有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
有機物からなる隔壁で区切られた画素内に、有機発光媒体層の少なくとも一層以上をウエットプロセスによって成膜する工程を含む有機ＥＬ素子の製造方法において、前記隔壁パターンが一層以上の隔壁絶縁被膜層で開口部なく被覆されていることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法等を提供する。 （もっと読む）

【課題】シェーディング、スジムラの発生を抑止することが可能な画素回路および表示装置、並びに画素回路の製造方法を提供する。
【解決手段】画素回路１０１は、制御端子への駆動信号を受けて導通状態が制御される少なくとも一つのトランジスタ（ＴＦＴ）１１１と、発光素子１１３と、電源用配線ＰＳＬと、有し、電源用配線ＰＳＬと発光素子１１３の所定電極１１７との間にＴＦＴ１１１が接続され、電源用配線１３３は、他の層の配線１２９と接続されて多層配線化されている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】該ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板は基板と、前記基板に形成され、相互に交差し、画素領域を少なくとも１つ画成する少なくとも１本のゲートラインと少なくとも１本のデータラインと、前記画素領域に形成された画素電極と、前記画素領域におけるゲートラインとデータラインとの交差部に形成され、前記ゲートラインに接続するゲート電極と、前記データラインに接続する第１のソース・ドレイン電極と、前記画素電極に接続する第２のソース・ドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、前記基板に形成され、前記データラインに平行な少なくとも１本の共通電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ発光の発光ドットを多数個二次元配列することによって表示部が構成される発光表示装置において、その視認性の確保と小形化とを同時に効果的に図ること。
【解決手段】遮光性隔壁２０は、黒色のガラスから形成されており、高軟化点のガラスからなる透光性ガラス板１０の裏面１０ａ上に、感光性ペースト法によって焼成されたものである。ｘ軸方向におけるこの遮光性隔壁２０の厚さｔ_x は約１００μｍ、配設周期Ｌ_x は約６００μｍであり、ｚ軸方向の高さｈは約６００μｍである。青色発光のＬＥＤ３０は、シリコン（Ｓｉ）を高濃度に添加したバルク状のＧａＮ単結晶からなる結晶成長基板３１の上に、ｐコンタクト層や発光層などを含む複層構造の半導体結晶層３２を結晶成長によって積層して形成したものであり、その大きさは、縦、横（Ｄ_x ）、高さがそれぞれ、約３００μｍ、約３００μｍ、及び約４５０μｍである。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示パネルの各画素に形成される保持容量のばらつきを低減し、１枚の液晶表示パネルの表示領域における画質の面内ばらつきを低減する。
【解決手段】 複数の画素の集合で設定される表示領域を有し、各画素は、画素電極と、前記画素電極と絶縁層を介して設けられる導体層と、前記絶縁層とにより形成される保持容量コンデンサを有する基板を備える表示装置であって、前記基板の、ある画素において前記画素電極と前記導体層が平面でみて重なる領域の面積をＳ１、該重なる領域に介在する前記絶縁層の厚さをＰＡＳＤ１とし、前記基板の、前記ある画素とは別の画素において前記画素電極と前記導体層が平面でみて重なる領域の面積をＳ２、該重なる領域に介在する前記絶縁層の厚さをＰＡＳＤ２としたときに、Ｓ１＞Ｓ２であれば、ＰＡＳＤ１＞ＰＡＳＤ２になっている表示装置。 （もっと読む）

【目的】スパッタリングによる有機発光層へのダメージを最小限にし、より優れた高い光透過率および開口率を備えたＡＭＯＬＥＤディスプレイの画素構造を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス有機発光ディスプレイの画素構造とその製造方法が提供され、その方法中、透明電極と有機発光ダイオードと反射電極とが基板上に形成された後、少なくとも１つのスイッチング薄膜トランジスターと、少なくとも１つの駆動薄膜トランジスターと、走査線と、データ線と、蓄積キャパシターとが基板上に形成される。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶ライトバルブが有する画素電極における光透過率を高める。
【解決手段】赤色光（Ｒ）は、ＩＴＯ膜の膜厚が１００乃至１４０ｎｍで透過率が高くなる傾向にある。緑色光（Ｇ）は、ＩＴＯ膜の膜厚が１２０乃至１６０ｎｍの範囲で透過率が高くなる傾向にある。青色光（Ｂ）は、ＩＴＯ膜の膜厚が１６０乃至２００ｎｍの範囲で透過率が高くなる傾向にある。したがって、液晶ライトバルブの画素電極としてＩＴＯ膜を採用した場合、上述した各膜厚範囲に各画素電極９Ｒ、９Ｇ及び９Ｂの膜厚を設定することによって、赤色光、緑色光、及び青色光の夫々の光透過率を高めることができ、 （もっと読む）

【課題】ショートやリークの発生を抑制しながら、駆動電圧が低く、高い発光効率の有機ＥＬ素子アレイを提供する。
【解決手段】トップエミッション型の有機ＥＬ素子アレイにおいて、ＥＬ発光ピーク波長が５００ｎｍ以下の有機ＥＬ素子においては、発光層中の発光面と陰極の光反射面との間の光学距離が前記ＥＬ発光ピーク波長の略３／４倍となり、ＥＬ発光ピーク波長が５００ｎｍ以上の有機ＥＬ素子においては、発光層中の発光面と陰極の光反射面との間の光学距離が前記ＥＬ発光ピーク波長の略１／４倍となるように、前記発光層及び／又は前記電子注入層の膜厚が設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光領域の段差を緩和でき、高画質の画像を得ることが可能な画素回路および表示装置、並びに画素回路の製造方法を提供する。
【解決手段】画素回路１０１は、選択的に入力される制御端子への信号線からの信号レベルに応じて導通状態が制御される少なくとも一つのトランジスタ（ＴＦＴ１１１）と、信号線と直交するように配線される少なくとも一つの配線層ＰＳＬと、有し、配線層ＰＳＬと発光素子１１３の所定電極との間にＴＦＴ１１１が接続され、発光素子１１３の発光領域２００と層の積層方向において重なる領域において、互いに直交する配線のうちのいずれ一方が配線されている。 （もっと読む）

【課題】表示パネルの光漏れを防止しながらも、開口率減少を最少化して、キックバック電圧によるフリッカー不良が発生しない高輝度の表示パネルを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板と共通電極表示板とを有する表示パネルであって、前記薄膜トランジスタ表示板は、基板上に形成されるゲート線と、前記基板上に形成され、前記ゲート線と並行する維持電極線と、前記ゲート線と絶縁されて交差するよう形成されるデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線と接続される複数の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと接続される第１小電極と、前記ゲート線を挟んで前記第１小電極の反対側に形成される第２小電極とを含む画素電極とを含み、前記薄膜トランジスタ及び前記ゲート線は、前記第１小電極と前記第２小電極との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを有し、製造コストが低く、薄型化が可能な表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画像を表示する表示領域と周辺領域を有するパネルと、前記表示領域に形成された複数の薄膜トランジスターと、前記周辺領域に形成されたｐ型薄膜トランジスター１２０ｃ、１４１ｃ及びｎ型薄膜トランジスター１２０ｂ、１４１ｂと、前記表示領域または前記周辺領域に形成された少なくとも１つの水平構造を有するフォトダイオード５００と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン配線を構成するアルミニウム合金膜と透明電極が直接接続され、該ソース・ドレイン配線とゲート配線の特性が共に良好なものであって、大幅に簡略化されたプロセスで製造することのできる薄膜トランジスタ基板と、該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】ゲート配線とこれに直交配置されたソース配線及びドレイン配線を有する薄膜トランジスタ基板であって、上記ゲート配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成と、上記ソース配線及びドレイン配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成が、同一であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板とこれを備えた表示デバイス。 （もっと読む）

【課題】高歩留りで信頼性の高い表示装置及びその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、基板１と、基板１上に形成された多結晶シリコン膜４と多結晶シリコン膜４上に設けられたコンタクトメタル膜５とを有するキャパシタ下部電極２０と、キャパシタ下部電極２０上に形成されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６上にキャパシタ下部電極２０と対向する位置に形成されたゲートメタル電極７とを備え、ゲートメタル電極７は、上面視でキャパシタ下部電極２０の内側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い製造効率で製造可能な表示パネルを提供する。
【解決手段】表示パネル１は、複数の導電部材が設けられた第１の基板１０と、それに対向して設けられた第２の基板３０と、それらの基板間に設けられた表示媒体層２０と、第１の基板１０と第２の基板３０との間に表示媒体層２０を周回するように設けられたシール４０とを備える。第１の基板１０における表示パネル周縁に位置する部分に、複数の導電部材のうち最も薄い導電部材と同一の膜からなる１又は複数のスクライブマーク５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリックス基板について、液晶配向膜のラビング工程等によって発生する静電気によって基板上に形成されたＴＦＴ等が破壊される事態を有効に回避することのできる構成を提供することを課題とする。
【解決手段】基板（絶縁性基板（１））上に画素電極がマトリックス状に配列形成され、各画素電極に対応して各々画素トランジスタが形成されるとともに、前記画素電極が形成された画素部（１２）の周囲には前記画素トランジスタを制御する周辺回路および端子部が形成されてなる複数のパネル領域（１１）が連続して配置されてなるアクティブマトリックス基板であって、前記パネル領域内の画素部を除く部位の少なくとも一部に絶縁層（第２層間絶縁膜（７））を介して帯電防止用の導電層（共通配線８）が設けられるように構成した。 （もっと読む）

【課題】反射電極を構成する金属層が、バリアメタル層を介さずに、透明電極を構成する酸化物導電膜と直接接続された反射電極であって、例えば、約１００℃以上３００℃以下の低い熱処理を施しても、高い反射率および低い接触抵抗を有しており、しかも、ヒロックなどの欠陥を生じることのない耐熱性にも優れた反射電極を提供する。
【解決手段】Ｎｉを０．１〜２原子％含有するＡｌ−Ｎｉ合金の薄膜からなり、Ａｌ−Ｎｉ合金の薄膜２は、酸化物導電膜１と直接接続している反射電極である。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイパネル完成後の点灯検査で検出された短絡欠陥を修正する場合に、配線の切断が困難であった。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ基板は、走査線（１-1，１-2，１-3）、信号線（２-1，２-2）、グランド電極線（３-1，３-2）及び電源供給線（４-1，４-2）が形成されるとともに、グランド電極線（３-1，３-2）及び電源供給線（４-1，４-2）は、それぞれアルミニウムによって形成された主要配線部と、主要配線部の配線パターンの一部にモリブデンによって形成された修正用配線部（１ａ〜１ｇ，２ａ〜２ｇ，３ａ〜３ｇ，４ａ〜４ｇ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は画素領域を駆動するための信号線及び電源線の損傷を防止する有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機電界発光表示装置は、少なくとも画素領域を含む素子基板と、前記画素領域を含んで前記素子基板の少なくとも一部の領域と重畳されるように配置された封止基板と、前記素子基板と前記封止基板の間に配置されて前記素子基板と前記封止基板の間の領域を封止する封止材と、一側端は前記封止材によって封止される封止領域内に位置して他の側端は前記封止領域の外部に位置するように前記素子基板上に形成された少なくとも一つの導線と、前記導線上に形成された第１保護膜と、前記導線と交差されるように配置される前記封止基板の一側端と重畳されるように前記第１保護膜上に形成された第２保護膜とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板は基板と、該基板に形成され、相互に交差し、薄膜トランジスタと画素電極を有し、該薄膜トランジスタと該画素電極とは電気的に接続されたサブ画素領域を形成する少なくとも一本のゲートラインと少なくとも一本のデータラインと、第一の電極とゲートラインとは接続し、第二の電極と画素電極とは接続している補償寄生コンデンサ構造と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 駆動薄膜トランジスタの特性のバラツキに起因する、複数の画素間での表示ばらつきを低減し、ムラのない均一な表示を得ることが可能な自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】 電流駆動型発光素子を有する複数の画素と、前記各電流駆動型発光素子に駆動電流を供給する並列に接続されたｎ（ｎ≧２）個の薄膜トランジスタとを備え、前記並列に接続されたｎ個の薄膜トランジスタは、それぞれ異なる画素内、例えば、互いに隣接する画素内に配置される。前記互いに隣接する前記並列に接続されたｎ個の薄膜トランジスタの配置方向の両側の画素列の外側の少なくとも一方に、ダミーの画素領域を備える。 （もっと読む）