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Fターム[5C094DA13]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | パネルの全体的構造 (7,880) | 積層 (4,364) | 膜の積層 (3,995)

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【課題】水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を好適に分布させることができる非線形素子、非線形素子の製造方法、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】非線形素子10xを製造するにあたって、窒素含有タンタル膜によって下電極13xを構成する一方、絶縁層14xにおいて、少なくとも電気特性に大きな影響を及ぼす下電極13xの上面部分については、窒素含有タンタル酸化膜のスパッタ膜14yで構成し、下電極13xの側面部には陽極酸化膜14zを形成する。絶縁層14xには水素を導入するが、スパッタ膜14yは、表層部分も、その深い部分と同様、多量の窒素を含有しているので、十分な水素保持力を備えている。 (もっと読む)


薄膜電子装置を製造する方法は、湿式成形処理を用いて、剛性担持基板(12)に、プラスチックコーティングを設置するステップを有し、前記プラスチックコーティングは、プラスチック基板(22)を形成する。前記プラスチック材料は、基板面に対して垂直な第1の方向では、前記基板面に平行な第2の方向に比べて、大きな熱膨張係数を有する。前記プラスチック基板上には、薄膜電子素子が形成され、加熱処理により、前記プラスチック基板は、前記基板面に対して垂直な方向に優先的に延び、これにより、剛性担持基板は、プラスチック基板から取り外される。本発明のプラスチック基板における熱膨張係数の異方性により、熱滴リフトオフ処理の間、垂直な方向に基板の膨脹が生じる。これにより、リフトオフ処理が助長され、プラスチック基板の上部表面に取り付けられた部材が保護されることが示されている。
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【課題】固定電極層の電位を基板面内において均一化でき、これにより画質品位を保って画素の狭ピッチ化や高開口率化を実現することが可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】第1基板3上に、走査線4、データ線5、トランジスタ及び蓄積容量Csを、画素電極7の周囲に設定された遮光領域内に配置してなる表示装置であって、画素電極7とトランジスタの半導体層とは、データ線5と同層の第1中継電極5aと、コモン配線6と同層の第3中継電極6aとを介して電気的に接続され、コモン配線6は、遮光性を備え、隣り合うデータ線5−5の間で分断され、この分断部分にコモン配線6と分離した状態で第3中継電極6aが形成されている。またデータ線5間で分断されているコモン配線6間が、上部電極14cを介して接続されている。 (もっと読む)


【課題】表示品質の優れた表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、表面に凹凸を有するTFT108と、TFT108のパターン上に形成された平坦化膜15と、平坦化膜15上に形成されたアノード電極16と、アノード電極16上に開口部を有する分離膜17と、開口部においてアノード電極16上に設けられた有機EL層18bと、有機EL層18b上に形成されたカソード電極19とを備えるものである。そして、TFT108のパターン表面の凹凸によって生じる平坦化膜15の下層表面のパターンの段差をa、平坦化膜15の膜厚をbとすると、分離膜17と開口部との境界領域において、b/a≧3.5となる部分を有する。 (もっと読む)


【課題】イオン注入とホトリソグラフィーの工程数を削減できる構造をもつ薄膜トランジスタとすることで、製造にかかる時間を短縮した画像表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極GTを薄い下層金属GMBと上層金属GMTの積層構造とし、保持容量Cst部分の上層電極を下層金属GMBのみとする。そして、保持容量Cstの下部電極用インプラを、薄い下層金属GMBを通過させて、ソース・ドレインのインプラと同時に行う。PMOSTFTのゲート電極も下層金属GMBのみとし、ソース・ドレインのインプラと閾値調整インプラを同じレジストを利用して行う。薄膜トランジスタと保持容量をこのような構造としたことで、ホト工程とイオン注入工程が各々1工程削減でき、より短時間で、より廉価に画像表示装置のためのアクティブ・マトリクス基板が得られる。 (もっと読む)


【課題】貼り合わせにおいて、一方の基板に対して他方の基板の位置ずれが生じたとして
も、他方の基板における遮光膜によって、表示領域における各画素の開口率のばらつきを
低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐとともに、一方の基板のト
ランジスタを確実に遮光することができる構成を有する電気光学装置を提供する。
【解決手段】対向配置された一対の基板を有する液晶装置であって、TFT基板に、走査
線11aとデータ線6aとがマトリクス状に交差するように形成されているとともに、走
査線11aとデータ線6aとの交差領域80に、TFT30の半導体層1が設けられてお
り、対向基板に、TFT30を遮光する、半導体層1と少なくとも一部が平面視した状態
で重なる島状のBM25が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低電気抵抗配線を実現すると共に微細加工性に優れ、且つ製造工程で加わる熱履歴にも十分耐える耐熱性を有するアルミニウム合金配線を備えた表示装置を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に、透明導電膜と薄膜トランジスタを電気的に接続するアルミニウム合金配線膜が配置された表示装置において、該アルミニウム合金配線膜は、Ni,Agなど特定の元素群Qから選ばれる1種以上の元素と、希土類元素やMgなど特定の元素群Rから選ばれる1種以上の元素を特定量含むアルミニウム合金からなる第一層(X)と、該第一層(X)よりも電気抵抗率の低いアルミニウム合金からなる第二層(Y)とを含む積層構造を有し、第一層(X)が透明電極膜と直接接している表示装置である。 (もっと読む)


【課題】デルタ配列において、画素電極とソースバスラインとの間の寄生容量を低減可能な表示装置を実現する。
【解決手段】蛇行し凹部領域を備える複数のソースバスラインと、該複数のソースバスラインを覆う絶縁膜と、該絶縁膜上に形成され、上記凹部領域に少なくとも一部分が配置される複数の画素電極を含む表示装置において、上記複数の画素電極の内の一つの画素電極21に注目したとき、画素電極21と、該画素電極21にデータ信号を印加する第一のソースバスラインとの間に形成される容量をCsd1とし、画素電極21と、上記第一のソースバスラインと隣り合うソースバスラインであって画素電極21の上記第一のソースバスライン配置側とは反対側に配置される第二のソースバスラインとの間に形成される容量をCsd2としたときに、Csd2がCsd1より小さい。 (もっと読む)


【課題】トランジスタの半導体層のチャネル領域に光が入射してしまうことを確実に防止するとともに、トランジスタが誤動作し、オフリーク電流に起因する表示ムラ、クロストーク、フリッカが発生してしまう他、表示におけるコントラストの低下が発生してしまうことを確実に防止することができる構成を有する電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】TFT基板10に複数の薄膜が積層され、積層された複数の薄膜の一部によってTFT30が形成された液晶装置100であって、TFT30の半導体層1の少なくとも一部を平面視した状態で覆うよう、TFT基板10に複数の薄膜の一部を構成する遮光性の絶縁膜7が積層されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板上に薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを通して画素電極に印加される表示信号を保持する保持容量を備える表示装置において、保持容量を形成する電極間の絶縁耐圧を向上して歩留まりの向上を図る。
【解決手段】保持容量1Cにおいて、下層保持容量電極12、薄い下層保持容量膜14、ポリシリコン層15C、上層保持容量膜16C、上層保持容量電極18が積層される。ポリシリコン層15Cはレーザーアニールによる結晶化により形成される。保持容量1Cのポリシリコン層15Cは微結晶となりその表面の平坦性が良好となる。ポリシリコン層15C(保持容量電極)のパターンは、開口部OPの底部より大きく形成され、その外周部のエッジが開口部OPの傾斜部K上又は開口部OPの外のバッファ膜13上に配置されるようにした。 (もっと読む)


【課題】本発明は、TFT装置及びその製造方法、並びにそれを備えたTFT基板及び表示装置に関し、良好な特性及び高い信頼性の得られるTFT装置及びその製造方法、並びにそれを備えたTFT基板及び表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート絶縁膜4上に金属薄膜を形成し、n型TFTのソース及びドレイン領域301となる半導体層3b上の金属薄膜を除去するようにパターニングし、パターニングされた金属薄膜5bをマスクとしてリンイオンを注入してソース及びドレイン領域301を形成し、パターニングされた金属薄膜5bをさらにパターニングしてn型TFTのゲート電極52を形成し、ゲート電極52をマスクとしてリンイオンを注入して、ソース及びドレイン領域301とチャネル領域307との間にLDD領域306を形成する。 (もっと読む)


【課題】素子分離膜のテーパー部ならびにテーパーエッジ部でのショートを防止し、非点灯画素の無い有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に、一対の電極の間に有機発光層を挟んで成る有機EL素子を画素として複数有し、前記複数の画素は、一方の電極上に形成された素子分離構造によって区画された有機EL表示装置において、
素子分離構造によって区画される各画素の角部の曲率半径は、0<r≦0.3・Axの関係を満たす構成とする。
但し、r:画素の角部の曲率半径、Ax:横方向又は短辺側の画素ピッチの画素開口幅 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、走査線内を伝播する迷光を遮光する構造により遮光性を高め、明るく高品位な画像表示を実現する。
【解決手段】基板上に、画素電極(9a)と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ(30)と、該薄膜トランジスタのゲート電極(3g)に走査信号を供給する走査線(3a)と、薄膜トランジスタのソース領域に画像信号を供給するデータ線(6a)とを備える。ゲート電極を構成する第1導電層と走査線を構成する第2導電層とは、別層である。 (もっと読む)


【課題】光リーク電流の発生を防止すると共に、実効的な画素開口率を大きくして表示画像の高品位化、及び高輝度化を実現する。
【解決手段】TFT基板10上に、マトリクス状に形成された複数の走査線11a及び複数のデータ線6aと、この走査線11aとデータ線6aに電気的に接続されたTFT30と、このTFT30に電気的に接続された画素電極9aと、このTFT30の上方であって入射光側から少なくとも半導体層1a上を覆う反射膜91とを備え、この反射膜91の側壁を傾斜角度δの傾斜面91aとし、傾斜面91aに入射した光を画素開口領域方向へ反射させることで、実効的な画素開口率を大きくする。 (もっと読む)


【課題】有機EL素子の視野角による色度ずれを抑えつつ共振を強め、全体的な発光効率の向上を達成することができる有機発光装置を提供する。
【解決手段】発光色の異なる有機EL素子を複数備えており、前記有機EL素子は、陽極及び陰極からなる一対の電極と、この一対の電極に挟持された発光層を含む有機化合物層とからなり、陽極又は陰極のどちらか一方に半透過層を含み、両電極の間で前記発光層が発した光を特定の波長で共振させる共振器構造を有する有機発光装置において、全部又は一部の有機EL素子は、半透過層の材料及び/又は膜厚が異なる。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタ基板の製造方法において、薄膜トランジスタ基板構造に従来必要であったパッシベーション膜を省略することができ、工程数の削減ができるとともに、パッシベーション膜に必要であったコンタクトホール形成工程も不要として工程数を削減する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板の製造方法において、ゲート端子、ソース端子および画素電極を形成する段階は、薄膜トランジスタが形成された基板上にインジウム亜鉛酸化物(IZO)層またはインジウム錫亜鉛酸化物(ITZO)層を積層する段階と、前記IZO層またはITZO層を180℃ないし300℃の温度にて熱処理して結晶化する段階と、前記結晶化されたIZO層またはITZO層をパターニングする段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】 ディスプレイパネルを駆動する配線構造を含む画像表示システムを提供する。
【解決手段】 ディスプレイパネルを駆動する配線構造を含む画像表示システムであって、前記配線構造は、基板、前記基板上にあり、第1端子と前記第1端子と分かれた第2端子を有する相互接続線を有する第1導電層、前記第1導電層上にあり、前記第1端子を露出する第1開口と前記第2端子を露出する第2開口を有する誘電体層、および前記誘電体層上にあり、接続パッド、ガードリングと、トレースラインを有し、前記ガードリングが前記接続パッドを囲み、前記トレースラインが前記ガードリングの外側に位置する第2導電層を含む画像表示システム。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液晶表示装置に係り、特に、フォトエッチング工程によってブラックマトリックスなしで光漏れが防げる光遮断領域または光遮断層を含む液晶表示装置用基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、レーザー装置のステージ上に透明基板を配置する段階と;第1ないし第3光透過領域を取り囲む光遮断領域を前記透明基板内に形成するために、前記透明基板に所定のパワーを有するレーザービームを照射する段階と;前記第1ないし第3光透過領域各々に位置する赤色、緑色、青色のサブカラーフィルタを含むカラーフィルタ層を形成する段階と;前記赤色、緑色、青色のサブカラーフィルタの境界部は、前記光遮断領域に対応することを特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】大画面化しても低消費電力を実現できる発光装置を提供する。
【解決手段】画素部のソース信号線または電源供給線の表面をメッキ処理して配線の低抵抗化を図る。画素部のソース信号線は、駆動回路部のソース信号線とは異なる工程で作製する。画素部の電源供給線は、基板上に引き回されている電源供給線とは異なる工程で作製する。また、端子においても同様にメッキ処理して低抵抗化を図る。メッキ処理する前の配線をゲート電極と同じ材料で形成し、その配線の表面をメッキ処理してソース信号線または電源供給線を形成することが望ましい。 (もっと読む)


【課題】アルミニウムを含む信号線またはゲートパッド部が別の接続部材と接触したり、外部に露出するのを防止することにより、酸化及び腐蝕を防止できると同時に、液晶表示装置の製造費用及び時間を低減する。
【解決手段】線状半導体層と接触補助部材を形成すると同時にゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを通じて露出したアルミニウム系金属のゲートパッドまたはゲート層信号伝達線をデータ線と同一物質からなる接触媒介部材で覆って保護し、データ層信号伝達線に直接接続する。よって、ITOまたはIZOとアルミニウム系金属が接触することを防止し、直接接触によるアルミニウムまたはアルミニウム合金の腐蝕を防止する。また、三重膜からなるデータ線とドレイン電極を形成すると同時に、前記三重膜の下部膜からなる画素電極を形成することにより、露光マスクを減少させることができる。 (もっと読む)


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