表示装置の作製方法
【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】導電層を形成する際、形成したいパターンの外側(パターンの輪郭、端部に相当する)に液状の導電性材料を含む組成物を付着させ、枠状の第1の導電層(又は絶縁層)を形成する。枠状の第1の導電層の内側の空間を充填するように、液状の第2の導電性材料を含む組成物を付着させ第2の導電層を形成する。第1の導電層及び第2の導電層は接して形成され、第2の導電層の周囲を囲むように第1の導電層が形成されるので、第1の導電層及び第2の導電層は連続した一つの導電層として用いることができる。
【解決手段】導電層を形成する際、形成したいパターンの外側(パターンの輪郭、端部に相当する)に液状の導電性材料を含む組成物を付着させ、枠状の第1の導電層(又は絶縁層)を形成する。枠状の第1の導電層の内側の空間を充填するように、液状の第2の導電性材料を含む組成物を付着させ第2の導電層を形成する。第1の導電層及び第2の導電層は接して形成され、第2の導電層の周囲を囲むように第1の導電層が形成されるので、第1の導電層及び第2の導電層は連続した一つの導電層として用いることができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁表面を有する基板上に第1の導電性材料を含む組成物を吐出し枠状の第1の導電層を形成し、
前記枠状の第1の導電層で囲まれた領域に、第2の導電性材料を含む組成物を吐出し前記第1の導電層の枠内に第2の導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項2】
絶縁表面を有する基板上に第1の導電性材料を含む組成物を吐出し枠状の第1の導電層を形成し、
前記枠状の第1の導電層で囲まれた領域に、第2の導電性材料を含む組成物を吐出し前記第1の導電層の枠内に第2の導電層を形成し、
前記第1の導電性材料を含む組成物の粘度は前記第2の導電性材料を含む組成物の粘度より高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項3】
絶縁表面を有する基板上に第1の導電性材料を含む組成物を吐出し枠状の第1の導電層を形成し、
前記枠状の第1の導電層で囲まれた領域に、第2の導電性材料を含む組成物を吐出し前記第1の導電層の枠内に第2の導電層を形成し、
前記第1の導電性材料を含む組成物の前記絶縁表面を有する基板に対するぬれ性は、前記第2の導電性材料を含む組成物の前記絶縁表面を有する基板に対するぬれ性より低いことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項4】
請求項1乃至3のいずれか一項において、前記第1の導電性材料を含む組成物は連続的に吐出し、前記第2の導電性材料を含む組成物は間欠的に吐出することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項5】
請求項1乃至4のいずれか一項において、前記第1の導電層の膜厚は、前記第2の導電層の膜厚より大きいことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項6】
請求項1乃至5のいずれか一項において、前記導電層は画素電極層であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項7】
導電層を形成し、
前記導電層上に絶縁層を形成し、
前記導電層及び前記絶縁層に選択的にレーザ光を照射し前記導電層の照射領域の一部及び前記絶縁層の照射領域を除去し前記導電層及び前記絶縁層に開口を形成し、
前記開口に導電性材料を含む組成物を吐出して前記導電層と電気的に接続する導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項8】
請求項7において、前記導電層はクロム、モリブデン、ニッケル、チタン、コバルト、銅、又はアルミニウムのうち一種又は複数を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項9】
第1の導電層及び前記第1の導電層上に第2の導電層を形成し、
前記第1の導電層及び前記第2の導電層上に絶縁層を形成し、
前記第1の導電層、前記第2の導電層及び前記絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、前記第2の導電層の照射領域及び前記絶縁層の照射領域を除去し前記第2の導電層及び前記絶縁層に開口を形成し、
前記開口に導電性材料を含む組成物を吐出して前記第1の導電層及び前記第2の導電層と電気的に接続する導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項10】
請求項9において、前記第2の導電層はクロム、モリブデン、ニッケル、チタン、コバルト、銅、又はアルミニウムのうち一種又は複数を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項11】
請求項7乃至10のいずれか一項において、前記絶縁層は前記レーザ光を透過することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項12】
請求項7乃至11のいずれか一項において、前記絶縁層は有機樹脂を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項1】
絶縁表面を有する基板上に第1の導電性材料を含む組成物を吐出し枠状の第1の導電層を形成し、
前記枠状の第1の導電層で囲まれた領域に、第2の導電性材料を含む組成物を吐出し前記第1の導電層の枠内に第2の導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項2】
絶縁表面を有する基板上に第1の導電性材料を含む組成物を吐出し枠状の第1の導電層を形成し、
前記枠状の第1の導電層で囲まれた領域に、第2の導電性材料を含む組成物を吐出し前記第1の導電層の枠内に第2の導電層を形成し、
前記第1の導電性材料を含む組成物の粘度は前記第2の導電性材料を含む組成物の粘度より高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項3】
絶縁表面を有する基板上に第1の導電性材料を含む組成物を吐出し枠状の第1の導電層を形成し、
前記枠状の第1の導電層で囲まれた領域に、第2の導電性材料を含む組成物を吐出し前記第1の導電層の枠内に第2の導電層を形成し、
前記第1の導電性材料を含む組成物の前記絶縁表面を有する基板に対するぬれ性は、前記第2の導電性材料を含む組成物の前記絶縁表面を有する基板に対するぬれ性より低いことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項4】
請求項1乃至3のいずれか一項において、前記第1の導電性材料を含む組成物は連続的に吐出し、前記第2の導電性材料を含む組成物は間欠的に吐出することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項5】
請求項1乃至4のいずれか一項において、前記第1の導電層の膜厚は、前記第2の導電層の膜厚より大きいことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項6】
請求項1乃至5のいずれか一項において、前記導電層は画素電極層であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項7】
導電層を形成し、
前記導電層上に絶縁層を形成し、
前記導電層及び前記絶縁層に選択的にレーザ光を照射し前記導電層の照射領域の一部及び前記絶縁層の照射領域を除去し前記導電層及び前記絶縁層に開口を形成し、
前記開口に導電性材料を含む組成物を吐出して前記導電層と電気的に接続する導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項8】
請求項7において、前記導電層はクロム、モリブデン、ニッケル、チタン、コバルト、銅、又はアルミニウムのうち一種又は複数を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項9】
第1の導電層及び前記第1の導電層上に第2の導電層を形成し、
前記第1の導電層及び前記第2の導電層上に絶縁層を形成し、
前記第1の導電層、前記第2の導電層及び前記絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、前記第2の導電層の照射領域及び前記絶縁層の照射領域を除去し前記第2の導電層及び前記絶縁層に開口を形成し、
前記開口に導電性材料を含む組成物を吐出して前記第1の導電層及び前記第2の導電層と電気的に接続する導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項10】
請求項9において、前記第2の導電層はクロム、モリブデン、ニッケル、チタン、コバルト、銅、又はアルミニウムのうち一種又は複数を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項11】
請求項7乃至10のいずれか一項において、前記絶縁層は前記レーザ光を透過することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項12】
請求項7乃至11のいずれか一項において、前記絶縁層は有機樹脂を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
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【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【公開番号】特開2008−33284(P2008−33284A)
【公開日】平成20年2月14日(2008.2.14)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−168757(P2007−168757)
【出願日】平成19年6月27日(2007.6.27)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成20年2月14日(2008.2.14)
【国際特許分類】
【出願日】平成19年6月27日(2007.6.27)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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