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Fターム[5C094EA07]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 導電部材 (4,625) | 共通電極 (425)

Fターム[5C094EA07]に分類される特許

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【課題】電圧降下を抑えつつ、開口率の低下を抑えること。
【解決手段】ディスプレイパネルは、1ドットのサブピクセルPにつきトランジスタ21〜23及びキャパシタ24が設けられたトランジスタアレイ基板50を具備する。トランジスタアレイ基板50には、水平方向の走査線X及び供給線Z並びに垂直方向の信号線Yが敷設されている。トランジスタアレイ基板50の表面には、信号線Yに対して平行に設けられたバンク71が凸設されている。バンク71間にサブピクセル電極20aが配列され、サブピクセル電極20aに有機EL層20bが積層されている。有機EL層20b及びバンク71が対向電極20cによって被覆されている。対向電極20c上に共通配線91が積層されているが、平面視して共通配線91がバンク71に重なっている。 (もっと読む)


有機電子デバイス用のバックプレーンを提供する。バックプレーンは、上に複数の電極構造を有するTFT基板を有する。電極構造の周囲には空間が存在し、空間には有機充填剤の層が存在する。有機充填剤の層の厚さは、電極構造の厚さと同じである。
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第1の電極層と、第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に挟まれている有機発光層を含む機能層の積層と、前記第1の電極層に隣接して配されているパッシベーション層とを有する有機発光ダイオードが、開示されている。前記パッシベーション層は、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間の展開している短絡回路によって誘発される反応温度において酸化物を形成するように、前記第1の電極層と反応する。前記パッシベーション層は、前記反応温度より低い温度で不活性である。
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放射デバイスが、基板表面を有する基板と、前記基板表面に接着されるチップレットであって、1つ又は複数の接続パッドを有する、チップレットと、前記基板表面上に形成されるボトム電極、該ボトム電極上に形成される1つ又は複数の有機又は無機発光層、及び該1つ又は複数の有機又は無機発光層上に形成されるトップ電極と、前記チップレットの一部のみ及び前記基板表面の一部のみの上に形成される遷移層を含む電気導体であって、該遷移層は少なくとも1つの接続パッドを露出し、該電気導体は該露出した接続パッド及び前記ボトム電極と電気的に接触するように形成される、電気導体と、前記チップレットから離間すると共に、前記ボトム電極上に形成される光放射材料の層及び該光放射層上に形成されるトップ電極を含むLEDとを備える。
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【課題】表示領域外の陰極および補助配線のインピーダンスを低減させる。
【解決手段】基板上に、複数の発光素子と該複数の発光素子に共通接続される電極の少なくとも一部とを有する表示領域1と、表示領域の外側に配置された回路部3と、基板端部に設けられた端子部7と、回路部の外側に少なくとも回路部に沿って設けられるとともに、端子部と接続される第1の配線5,51と、電極に電気的に接続される第2の配線と、を有し、
第2の配線8は、表示領域の内側で電極に電気的に接続され、回路部の長さ方向と略垂直な方向にそれぞれ延びる複数の配線部からなる第1の領域と、表示領域の外側に形成され、回路部上を通って第1の配線と電気的に接続される第2の領域とを有し、第2の配線の第2の領域の回路部の長さ方向の断面を流れる電流の平均電流密度は、第1の領域の回路部の長さ方向の断面を流れる電流の平均電流密度の最大値よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】表示品位の向上を実現することができる電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】所定本数(RGB)毎にブロック化されたデータ線114を所定の順番で選択すると共に、選択したデータ線114に対して映像信号Videoを供給するスイッチング回路41を有するデータ線選択回路40を備える。そして、データ線選択回路40は、1水平走査期間における有効表示期間の前半部分(第2期間)でRGB3色のサブ画素への書き込みを行い、各画素電位を所望の電位に近づけておいた後に、後半部分(第1期間)で再度RGB3色のサブ画素への書き込みを行う。 (もっと読む)


【課題】表示品位の向上を実現することができる電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】所定本数(RGB)毎にブロック化されたデータ線114を順番に選択すると共に、選択したデータ線114に対して映像信号Videoを供給するスイッチング回路41を有するデータ線選択回路40を備える。そして、有効表示期間にRGBの順でサブ画素への書き込みを行う前の非有効表示期間に、ブロック化されたデータ線114毎に個別に設定されたプリチャージ電圧(Bのサブ画素の階調電圧に相当する電圧)を供給する。 (もっと読む)


【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一とする。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置において、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続するパッド部が設けられている。 (もっと読む)


【課題】表示パネルに設けられる共通接続部として適した構造を提供することを目的の一とする。
【解決手段】画素部の外側領域に設けられる共通接続部は、ゲート絶縁層と同じ層で形成された絶縁層上に、第2酸化物半導体層と同じ層で形成された酸化物半導体層と、導電層と同じ層で形成された導電層(共通電位線とも呼ぶ)とが積層された構成を有し、第1酸化物半導体層上に設けられた層間絶縁層の開口部を介して導電層(共通電位線とも呼ぶ)が共通電極と接続しており、画素電極と対向する電極が導電性粒子を介して共通電極と電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一とする。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置において、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成され、ゲート電極層と重なるチャネル形成領域となる半導体層上にチャネル保護層が設けられた逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続するパッド部が設けられている。 (もっと読む)


【課題】補助容量信号幹線のインピーダンスを低下させながらも点欠陥の修正が可能であり、しかも、非表示領域の面積増加を抑制する。
【解決手段】第1基板11の非表示領域16には、対向電極に対向信号を供給するための対向信号線22と、表示領域15に設けられた複数の補助容量信号線が接続された補助容量信号幹線21と、対向信号線22と補助容量信号幹線21との導通状態をオン又はオフに切り替える第2スイッチング素子25とが形成されている。 (もっと読む)


本発明は、陽極(120)と陰極(140)との間に設けられる有機層(130)、及び前記陽極又は陰極上に設けられるミラー層(150)を有するOLEDデバイス(100)に関する。前記有機層(130)は、エレクトロルミネッセント領域(131)と不活性領域(132)とを有するような構造である。その一方で、前記ミラー層(150)は、非透明領域(151)と透明領域(152)とを有するような構造である。これらの構造を少なくとも部分的に位置合わせすることによって、当該OLEDデバイスは、環境光に対して透明となるのと同時に、主な(すなわちただ一つの)方向に放出することが可能となる。
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【課題】駆動手段接続配線(信号線、走査線、又は電源線)と上部電極接続配線(補助配線)との間のショートの発生を未然に防止できるようにする。
【解決手段】有機EL素子20を駆動するために下層に配線されている駆動手段接続配線(信号線51、走査線52、及び電源線53)と、駆動手段接続配線(電源線53、走査線52、又は信号線51)上に付着物が付着している位置で駆動手段接続配線(電源線53、走査線52、又は信号線51)と交差しないように配線された上部電極接続配線(補助配線54)とを有する。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、信頼性を向上させる。
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)及び対向基板(20)間に電気光学物質(50)が挟持されてなる電気光学装置であり、基板上の画素領域(10a)に設けられており、画素電極(9a)及び画素電極に対応して設けられたトランジスタ(30)を含む画素部と、画素領域の周囲を少なくとも部分的に占めるダミー画素領域(10b)に設けられており、ダミー画素電極(9b)及びダミー画素電極に対応して設けられたダミートランジスタを含むダミー画素部と、ダミー画素領域の周囲を少なくとも部分的に占める周辺領域(10c)に設けられており、ダミー画素電極と少なくとも部分的に電気的に接続される周辺電極(9c)と、対向基板上に設けられた対向電極(21)と、対向電極及び周辺電極に夫々同一の電位を供給する電位供給手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】FFS方式において平坦化膜上の絶縁膜の荒れを防止することができ、信頼性に優れた高品質な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶層を挟持する一対の基板を有し、一対の基板のうち一方の基板10に設けられた第1電極と第2電極の間に生じる電界によって液晶層を構成する液晶分子を駆動させる液晶表示装置100において、画素をマトリクス状に複数配置した表示領域と、表示領域の外に位置する非表示領域8と、を有し、一方の基板10には、画素毎に設けられたスイッチング素子と、スイッチング素子に電気的に接続された配線部と、スイッチング素子及び配線部を覆う樹脂材料からなる平坦化膜25と、平坦化膜25上に形成された第1電極と、第1電極を少なくとも覆う無機材料からなる絶縁膜27と、絶縁膜27上に設けられた第2電極と、が設けられ、非表示領域8における絶縁膜27に平坦化膜25の表面に達する開口部80が設けられている。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で表示欠陥を検査可能な表示装置を提供する。
【解決手段】液晶パネル1は、ゲート線Gの一端側に設けられるゲートダミー画素14Dgと、ソース線Sの一端側に設けられるソースダミー画素14Dsと、ゲートダミー画素14Dgおよびソースダミー画素14DsにおけるダミーTFT13Dg,13Dsに接続されて、その導通状態の切り替えを行うための制御信号を伝送するテストスイッチ線31と、複数のゲート線Gのうち、互いに隣接しないゲート線Gに設けられるダミー画素電極12Dgに接続されて、ゲート線Gを2相以上に分割するテストゲート線32と、複数のソース線Sのうち、互いに隣接しないソース線Sに設けられるダミー画素電極12Dsに接続されて、ソース線Sを2相以上に分割するテストソース線33と、を具備した。 (もっと読む)


【課題】表示品質を向上させることができる液晶表示装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶表示装置10は、一対の基板により挟持された液晶層24と、一対の基板のうち一方の基板11上の表示領域に設けられ、マトリクス状に配置されたデータ線26及び走査線27と、ソース電極36及びドレイン電極34を有するTFT23と、データ線26と走査線27とで区画された画素の領域毎に設けられた下電極22と、下電極22上に層間絶縁膜45を介して配置された複数のスリット31を有する上電極21と、複数の画素の領域に跨って配置された共通配線25と、を有し、下電極22は、ドレイン電極34又は共通配線25のいずれか一方に接続されており、上電極21は、下電極22の接続されていない他方に接続されており、共通配線25は、ドレイン電極34と同層に設けられている。 (もっと読む)


電気的に画素化された発光素子、電気的に画素化された発光素子を形成するための方法、電気的に画素化された発光素子を含むシステム、電気的に画素化された発光素子の使用方法。 (もっと読む)


【課題】製造工程を複雑化することなく、各画素において目的とする色の輝度を高い色純度で上げる。
【解決手段】カラー画素1は、赤色光(R)を出射するサブ画素2rと、緑色光(G)を出射するサブ画素2gと、青色光(B)を出射するサブ画素2bと、白色光(W)を出射するサブ画素2wを備える。白色用のサブ画素2wは、赤色光(R)を出射する第1領域3rと、緑色光(G)を出射する第2領域3gと、青色光(B)を出射する第3領域3bに区分される。サブ画素2r,2g,2bの各々と、サブ画素2wの第1〜第3領域3r,3g,3bの各々には、発光層からの出射光を光反射層と半透過反射層との間で共振させる共振器構造が形成される。サブ画素2wの第1領域3rはサブ画素2rと共振器構造が同じであり、サブ画素2wの第2領域3gはサブ画素2gと共振器構造が同じであり、サブ画素2wの第3領域3bはサブ画素2bと共振器構造が同じである。 (もっと読む)


【課題】有機EL層を全面蒸着しながら、簡便に補助電極と第2電極との接続を行いうる有機EL素子の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のTFTが形成された基板上に複数の画素が形成されるトップエミッション型有機EL素子の製造方法であって、前記有機EL素子が、第1電極と、第1電極に対向して設けられた透明な第2電極と、第1電極と第2電極の間に挟まれる有機EL層とを有し、前記第1電極の端部は絶縁膜により覆われており、前記第2電極が前記絶縁膜上にパターン形成された金属膜と接続されてなり、絶縁膜上に金属膜パターンを形成する工程と、形成された金属膜パターンに重ねるようにワイヤマスクを、張力をかけた状態で設置する工程と、ワイヤマスクが設置された基板全面に有機EL層を形成する工程と、基板からワイヤマスクを除く工程と、ワイヤマスクを除いた基板全面に第2電極を形成する工程を有することを特徴とする有機EL素子の製造方法。 (もっと読む)


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