【課題】本発明は、電子エミッタに関し、特に、カーボンナノチューブを利用した電子エミッタ、その製造方法及び該電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管に関するものである。
【解決手段】本発明の電子エミッタは、チューブ状構造体を有する。チューブ状構造体を有する電子エミッタにおいて、前記電子エミッタは、中空の線状の軸心を有し、前記電子エミッタは、前記線状の軸心を囲む複数のカーボンナノチューブからなり、前記電子エミッタの一つの端部に、複数の電子放出の先端が形成されている。また、本発明は、前記電子エミッタの製造方法及び前記電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管も提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、絶縁基板と、前記絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極と、複数の電子放出ユニットとを含む。前記複数のグリッド電極及び前記複数陰極電極が交叉して、複数の格子が形成され、各々の前記格子に一つの前記電子放出ユニットが設置され、各々の前記電子放出ユニットが、少なくとも一つの電子放出体を含み、該電子放出体の両端がそれぞれ、前記グリッド電極及び前記陰極電極に電気的に接続され、前記電子放出体に隙間があり、該電子放出体が前記隙間に対向した二つの先端を有し、各々の前記先端が複数の電子放出先端を含む。また、本発明は、電界放出型電子源の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 既存の電子カラムに使用される電子放出源と異なり、電子を安定的に放出することができるＣＮＴを用いる電子放出源と、ＣＮＴを容易に整列付着または蒸着するための方法と、これを用いる電子カラムを提供する。
【解決手段】図４は、図２のチップ先端１１にＣＮＴチップ５０が付着された電子放出源１０がチップ先端１１を基準としてソースレンズ２０と整列結合された状態を示し、このように整列された状態で、イオンビームソース１１０からイオンビームがソースレンズ２０のホールを通過してＣＮＴチップ５０に走査され、このイオンビーム（Ｉ）によってＣＮＴチップ５０が垂直に整列され、既存の電子カラムにおいて電子ビームが放出される方向の逆方向にイオンビームを走査し、この際、イオンビームは平行にチップに向かって平行ビームとして進行することもでき、あるいはフォーカシングされてチップ先端１１に向かって走査される。 （もっと読む）

【課題】医療用、工業用、分析用等における新規な構造の電界放射型の電子源を提供すること。
【解決手段】軸状に延びる陽極１２と、この陽極１２周囲に環状に配置される電界放射型の陰極１４と、を備える。さらに陽極１２周囲に陰極１４からの電子を遮蔽する部材２４を、備えた構成。 （もっと読む）

本発明は、電子（２）の放出領域（１）をもつカソードを備える電界放出装置に関するものである。本発明の電界放出装置は、できるだけ低い電圧で技術的に有用な電子電流を生成するように構成され、放出領域（１）には、個別に配置されるか、あるいは、個別に配置可能な複数の原子（４）または分子が配置されている。

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【課題】電子放出素子、これを具備したバックライトユニット、これを具備した平板ディスプレイ装置及び電子放出素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板の一面に配置され、所定方向に延長された第１主電極部と、第１主電極部から突出されて延びる所定パターンの第１副電極部とを備える第１電極と、ベース基板の一面上で、第１電極と所定の間隔に離隔されて配置され、所定方向に延長された第２主電極部と、第２主電極部から突出されて延びる所定パターンの第２副電極部とを備える第２電極と、第１電極と第２電極とのうち少なくとも一方の電極に形成された電子放出源とを備える電子放出素子、これを具備したバックライトユニット、これを具備した平板ディスプレイ装置及び電子放出素子の駆動方法である。これにより、効果的にアノード電極により形成される電界を遮断し、低いゲート電圧により電子を持続的で安定的に放出でき、発光均一性と発光効率とを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 仕事関数を低減した電子放出用の多層構造体を提供する。
【解決手段】 第１金属の金属基板上に、基板の第１金属の一部を第２金属で置換した合金の中間層と、その上の第３金属の表層とを備え、中間層合金／表層金属の組み合わせが、Ni基板にはNiCr/Se, ＮiSn/Se, NiIn/In, NiCr/Si, NiSn/S, NiIn/S, NiCr/Ag, NiAl/Si, NiIn/Se, NiSn/Ag, NiSn/Siのいずれか１種、Pt基板にはPtSn/Sn, PtSn/In, PtSn/Te, PtSn/Pb, PtSn/P, PtSn/Se, PtIn/Mg, PtPb/Mg, PtSn/Mg, PtIn/In, PtSn/S, PtPb/In, PtIn/Pb, PtIn/P, PtPb/P, PtIn/Se, PtPb/Pbのいずれか１種であり、仕事関数が１ｅＶ以下である。 （もっと読む）

【課題】 電界電子放出性に優れた、先端の尖った形状の窒化ホウ素結晶を含む窒化ホウ素薄膜と、その薄膜によるエミッター設計において、前記結晶の分布状態を適正にコントロールすることによって、電界電子放出閾値の低い、効率の良いエミッターを提供する。
【解決手段】 一般式ＢＮで示され、ｓｐ³結合性、ｓｐ²結合性窒化ホウ素、あるいはその混合物を含み、先端の尖った電界電子放出性に優れた形状をした結晶を含んでなる窒化ホウ素薄膜エミッターの設計において、エミッターを気相からの反応によって析出させる際、反応ガスの流れに対して基板の角度を制御することによって、該薄膜表面における該結晶の分布状態を制御する。 （もっと読む）

本発明は、アンダーゲートエミッタ、すなわちゲート（203）がカソード（205）の下側の、絶縁層（204）の底部に配置されたエミッタを有する表示装置に関する。アノード（A）の高電場からエミッタを保護するため、エミッタとアノードの間には、電子誘導素子（207）が設置される。これにより、比較的低い電圧スイングを利用して、エミッタからの電子放出をオン状態とオフ状態間で制御することが可能となる。
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仕事関数を低減した電子放出材料、および、従来よりも低消費電力化および／または高電流密度化がなされた、電子放出特性に優れる電子放出素子を提供する。
表面に原子ステップ（３）および隣り合う２つの前記原子ステップの間に平坦部（４）を有する半導体基体（２）と、前記平坦部に配置された吸着層（５）とを含み、吸着層が、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素およびＳｃから選ばれる少なくとも１種の元素を含む電子放出材料とする。 （もっと読む）

【課題】細長いカーバイドナノ構造を製造する方法において、基材に複数の空間的に離隔した触媒粒子を施工する。
【解決手段】空間的に離隔した触媒粒子及び基材の少なくとも一部を、予め選択された温度で、基材と触媒粒子の少なくとも１個との間に無機ナノ構造を形成させるのに十分な時間にわたって、含金属蒸気に曝露する。無機ナノ構造を、予め選択された温度で、無機ナノ構造を炭化するのに十分な時間にわたって、含炭素蒸気源に曝露する。 （もっと読む）