【課題】カーボンファイバーの支持体の酸化を抑制し、カーボンファイバーとカーボンファイバーの支持体との電気的な接続を改善する。
【解決手段】カーボンファイバー４が支持体５上に配置される。支持体５は、ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種と、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｚｒからなる群から選択された少なくとも１種と、窒素と、を含む。好ましくは、ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種が、Ｔｉであり、さらに好ましくは、支持体５中にＡｌまたはＳｉが含まれ、Ｔｉに対する、ＡｌまたはＳｉの割合が、１０ａｔｍ％以上３０ａｔｍ％以下である。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層及び電極の形状安定性とパターン精度とを向上させて工程効率を改善し，電子放出特性を均一に安定化して高解像度及び高画質の素子の製作を可能にする電子放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 所定の間隔を置いて互いに対向配置される第１基板２及び第２基板４と，第１基板２上に形成されるカソード電極６と，カソード電極６に形成される電子放出部１２と，電子放出部１２を露出させる開口部８１を有し，カソード電極６上に形成される絶縁層８と，絶縁層８の開口部８１に対応する開口部１０１を有し，絶縁層８上に形成されるゲート電極１０と，第２基板４上に形成される蛍光層１４と，蛍光層１４の一面に形成される少なくとも１つのアノード電極１８と，を備え，カソード電極６とゲート電極１０とが薄膜からなり，絶縁層８が厚膜からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶や発光ダイオード等を用いずに、低電力消費、高輝度で画像表示が可能な表示パネルを提供すること。
【解決手段】本表示パネル３は、表示画素４それぞれの収納スペース毎に複数の発光ユニット４ａ−４ｃを配置し、発光ユニットは、真空封止管６、蛍光体付き陽極部１３および線状陰極部１４を備え、線状陰極部は、導電性ワイヤ１４ａと多数の電界集中補助用凹凸部１４ｂと電界電子放出部として形成された尖鋭な微細部分を多数備えたカーボン系膜１４ｃとを備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】 集束電極を支持する絶縁層が高い縦横比の開口部を有するようにして、電子ビームの集束効率を高めて、高解像度の実現に有利な、電子放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出素子は、互いに対向配置される第１基板及び第２基板、第１基板上に形成されるカソード電極、カソード電極に形成される電子放出部、第１絶縁層を間に置いて、カソード電極上に形成されるゲート電極、第２絶縁層を間に置いて、第１絶縁層及びゲート電極上に形成される集束電極を含む。この時、第１絶縁層、ゲート電極、第２絶縁層、及び集束電極は、電子放出部が第１基板上に露出されるようにする各々の開口部を形成する。そして、第１絶縁層に向かう第２絶縁層の一面で測定される開口部の大きさが、第２絶縁層に向かう第１絶縁層の一面で測定される開口部の大きさより小さく形成される。 （もっと読む）

【課題】高輝度かつ狭エネルギー幅の電子ビームが得られる電界放出型電子銃と、電界放出型電子銃を搭載した電子ビーム応用装置を提供する。
【解決手段】繊維状炭素物質とそれを支持する導電性基材から構成される電界放出型陰極と、電子を電界放出させる引出装置と、電子を加速させる加速装置を有する電界放出型電子銃において、繊維状炭素物質に原子価が３価および５価の元素のうち少なくとも１種が含有されている。特に、３価および５価の元素はそれぞれホウ素および窒素である。さらに、繊維状炭素物質へのホウ素および窒素のうち少なくとも１種の含有量が、炭素に対する原子重量比として０.１ 〜５％であり、該繊維状炭素物質の直径は、２０〜200ｎｍである。さらに、この電界放出型電子銃を各種電子ビーム応用装置に適用する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、炭素同素体を主材料とする膜を効率良く形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された膜、この膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基材５上に、炭素を含有し、かつ不飽和結合を有する化合物８１を用いて、化学的気相成膜法により炭素同素体８２を主材料とする膜８を形成する成膜方法であり、化合物８１を含有する液状材料８０を収納した収納部７と、基材５とを空間を介して対向させた状態で、液状材料８０をミスト状として基材５に向かって供給し、前記空間において、液状材料８０を加熱することにより、前記空間および／または基材５上で化合物８１を炭素同素体８２に変化させて、膜８を形成させるものである。 （もっと読む）

電子エミッタを備える装置を形成する装置及び方法。本方法は、束ねられたファイバーセグメントのシートの第１の面を反応液にさらし、前記ファイバーセグメントの第１の端部を前記反応液と反応させて、該第１の端部から物質を除去するステップを含む。コーティング物質は、前記物質が除去された前記第１の面上に堆積される。本方法はまた、束ねられたファイバーセグメントの前記シートの第２の面を反応液にさらし、前記ファイバーセグメントの第２の端部を前記反応液と反応させて、該第２の端部から物質を除去して前記コーティング物質を露出させるステップを含む。
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本発明は、
カソード（２２，３０）と、
孔が電子エミッタ（２９）を含むようにした多孔性の絶縁層（２６，３６）と、
ゲート層と呼ばれる導電層（２８，３８，４８）と、
を有することを特徴とする電界放出デバイスに関する。
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光触媒活性化用の長寿命発光型のフィールドエミッション紫外線ランプを実現することを目的として、」平面状の陰極側ガラス基板１上に、複数の直線状の陰極導体３を平行に配置する。陰極導体３の陽極側表面には、グラファイトの炭素被膜８をＣＶＤ法により形成する。陽極側ガラス基板２を、陰極側ガラス基板１に対向して配置し、各陰極導体３に対応して設けた溝部７、陽極導体５を設け、陽極導体５上に紫外線を発生する蛍光体５を塗布する。陰極側ガラス基板１と陽極側ガラス基板２とを、真空容器に収容する。炭素皮膜８を形成した複数の直線状の陰極導体３を平行に配置したので、ランプ寿命を長くしながら、発光面を平面状にでき、光触媒の活性化用に最適なフィールドエミッション紫外線ランプが実現できる。
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アモルファスダイヤモンド材料（５）および陰極（２５）と陽極（３０）との間に結合される中間部材（５５）。このアモルファスダイヤモンド材料（５）は、少なくとも約９０％の炭素原子を含み、この炭素原子の少なくとも約２０％は、歪んだ四面体配位で結合されている。アモルファスダイヤモンドコーティング（５）は、陰極（２５）のベース部材と接触しているエネルギー入力表面（１０）およびこのエネルギー入力表面（１０）に対向する電子放出表面（１５）を有する。この電子放出表面（１５）は、約１０〜約１，０００ナノメートルの隆起高さを有し得、そして十分量のエネルギーが該アモルファスダイヤモンド材料に入力された際に、電子を放出し得る。
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