【課題】素子毎で電子放出特性のばらつきが少ない電子放出素子、電子放出素子を用いた電子線装置、及び電子線装置を用いた画像表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲートと、上面にゲートを有し、ゲート直下の側面に凹部を有する絶縁部材と、突起部分を有し、突起部分の先端が凹部を介してゲートに向き合っているカソードと、を備える電子放出素子の製造方法であって、金属を含み不動態を形成可能な部材からなるゲート、を上面に有する絶縁部材を形成した後、ゲートの表面に不動態膜を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性に優れる電子放出素子を提供する。
【解決手段】 カソードと該カソードから電界放出された電子が照射されるゲートとを備える電子放出素子であって、前記ゲートは、前記カソードから電界放出された電子が照射される部分に、モリブデンと酸素とを含む層を少なくとも有しており、前記層が、透過電子顕微鏡を用いた電子エネルギー損失分光法によるスペクトル測定において、３９７ｅＶ〜４０１ｅＶの範囲と４１４ｅＶ〜４１８ｅＶの範囲と５３４ｅＶ〜５３８ｅＶの範囲と５４０ｅＶ〜５４７ｅＶの範囲のそれぞれにピークを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁部材９に形成された凹部７を挟んでゲート５とカソード６ａが設けられ、電子がゲート５に衝突、散乱した後に取り出される電子放出素子を用いた電子線装置において、安定した電子放出特性が得やすく、しかも過剰な発熱を生じた場合にも、過熱による素子劣化や素子破壊を防止できるようにする。
【解決手段】絶縁部材９の外表面と、絶縁部材９に形成された凹部７の内表面とに跨って位置する突起３０を有するカソード６ａとすると共に、ゲート５を、少なくとも２つの導電層５ａ，５ｂの積層体で構成し、突起３０と対向する部分に位置する導電層５ｂの熱膨張率を他の導電層５ａの熱膨張率よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性の不安定性を改善するとともに、より高効率な電子放出特性を有する新規な電子線装置の提供。
【解決手段】 表面に凹部を有する絶縁部材と、前記絶縁部材の、外表面と前記凹部の内表面とに跨って位置する突起部分を有するカソードと、前記絶縁部材の外表面に、前記突起部分と対向して位置するゲートと、前記ゲートを介して前記突起部分と対向して位置するアノードとを有する。 （もっと読む）

【課題】 放出電子の集束性が向上し、製造プロセスの簡易化が可能となる電子放出装置及び電子放出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出装置は、基板２と、基板２上に配置された第１電極３と、第１電極３上に第１絶縁層４を介して配置され、第１電極３を選択的に覆うとともに、第１電極３を露出させるように複数の第１開口部１３が配置された第２電極６と、第２電極６上に配置された保護層７と、保護層７上に第２絶縁層８を介して配置され、第１開口部１３と連通するように第２開口部１４が配置された第３電極９と、第１電極３上の第１開口部１３領域に配置された電子放出部５とを備える。 （もっと読む）

【課題】電子放出層から放出された電子の軌道の収束性に優れ、しかも、製造が比較的容易なエッジ型の冷陰極電界電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出層１３と、絶縁層１４と、ゲート電極層１５とが、この順に支持体１０上に積層され、ゲート電極層１５から支持体１０の表面に達する開口部１６が設けられ、開口部１６は、ゲート電極層１５に設けられた第１開口部１５Ａと、絶縁層１４に設けられた第２開口部１４Ａと、電子放出層１３に設けられた第３開口部１３Ａとから成り、第１開口部１５Ａと第２開口部１４Ａと第３開口部１３Ａとは連通しており、電子が放出される第３開口部１３Ａの開口端部の厚さは先端部に向かって減少し、且つ、第３開口部１３Ａの開口端部の下縁は上縁よりも後退している。 （もっと読む）

【課題】エミッタの先端を損傷させてしまうことがなく、異材料間での熱膨張差の影響を少なくでき、製造コストが低減できる電界放出型冷陰極装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】真空状態の中に、複数の先鋭先端のエミッタ３を上面に形成したエミッタ金属層７を備えて支持基板１２に支持されたカソード電極部４と、エミッタ３に所定離間距離を設けて対向配置されたアノード電極５とを設け、アノード電極５とこれに対向するエミッタ３との間に所定電位を与えて電子の放出が行われるようにした装置で、カソード電極部４は、エミッタ金属層７の上下両面に、エミッタ金属層７と異なる材質の上側保護膜８、下側保護膜９が設けられていると共に、上面側保護膜８には、アノード電極５に対向する所定部分のエミッタ３上方に、エミッタ開口１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を最適化することができるカソード構造を明らかにする。
【解決手段】本発明は、サポート（２１）上に配置される、カソード導体（２２）、電気絶縁層（２４）、及び、グリッド電極（２５）を備え、前記電気絶縁層及び前記グリッド電極は、少なくとも１つの電子放出エレメントを露出する開口部を有し、前記カソード導体（２２）に電気的に接続され、電子放出材料で作製されるナノチューブ（２８）を備えるトライオード型カソード構造に関する。カソード構造には、最長のナノチューブがグリッド電極（２５）に接触することを防止するための保護手段が備えられている。 （もっと読む）

【課題】蛍光膜面のほぼ全領域にかけてその発光輝度を均一にすること。
【解決手段】蛍光膜１４付きのアノード電極１２と電界放射型のカソード電極１６との間に多数の電子通過孔１８ａを備えたグリッド電極１８を介装した電界放出型光源において、上記カソード電極１８に対向するグリッド電極面１８ｂ上に不連続な膜形状に絶縁薄膜２０をチャージアップ部材として設けた構成。 （もっと読む）

【課題】
電子放出電流が大きく、製造が容易で堅牢性に富んだ電子放出電流の大きな電子放出を実現し、３極真空管、磁気センサ、真空センサなどの応用デバイスを提供すること。
【解決手段】
陰極２から陽極３へ向けて電子を放出する電子放出素子において、陰極２と陰極２に隣接する電子放出領域１に跨って、かつ電気絶縁性薄膜５を介してゲート電極４を設け、陰極２に対して正となる電圧をゲート電極４に印加することにより、ゲート電極４近傍の陰極２における電子放出面６の障壁幅を狭くして電子に対するトンネル効果を促進し、陰極２から陽極３への電子放出を生じ易くしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 カソード・アノード間の絶縁耐圧が高く、かつ電子放出効率が高く、かつ発光均一性の高い電界電子放出装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電界電子放出装置１は、カソード電極１１ｂと、カソード電極１１ｂ上に形成され、孔６ａを有する絶縁膜２と、絶縁膜２上に形成され、孔６ａに連通する孔６ｂを有するゲート電極３ａと、孔６の底部に形成され、かつカソード電極１１ｂと電気的に接続されたカーボンナノチューブ７と、孔６ｂの内壁面に沿って形成された絶縁膜８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電子放出を誘引するための駆動電圧を上昇させずに電子放出量を増加させることが可能な電子放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子は，基板１０と，この基板上に形成されるカソード電極１６（第１電極）と，カソード電極１６に電気的に連結される電子放出部１８と，カソード電極１６とは実質的に異なる層に位置し，同一電圧の印加を受けて電子放出部１８からの電子放出に必要な電界を形成する第１ゲート電極１２（第２電極）および第２ゲート電極２４（第３電極）と，カソード電極１６と実質的に同一の層に位置し，第１ゲート電極１２および第２ゲート電極２４に印加される電圧と同一電圧が印加される対向電極２０（第４電極）とを含む。かかる構成により，駆動電圧を上昇させずに電子放出量を増加させることができる，この結果，消費電力を低減させることができる。 （もっと読む）